Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania ukla¬ dów elektrod na pólprzewodnikach jak np. tran- zistorach lub diodach krystalicznych.W przebiegu produkcji tego rodzaju ukladów istnieje zagadnienie sposobu usuwania czesci ukladów w dokladnie okreslonych miejscach.W tym celu wedlug znanego sposobu, kieruje sie strumien scierniwa np. piasku, na uklad elek¬ trod, przy czym czesci tego ukladu, które maja pozostac nienaruszone, zabezpiecza przed stru¬ mieniem piasku odpowiednia przeslona. Zamiast scierniwa mozna uzywac strumien czastek elek¬ trycznie naladowanych, zogniskowanych w wiaz¬ ke i przyspieszonych za pomoca pola elektrycz¬ nego.Proponowano równiez pokrywanie ukladu elektrod warstwa swiatloczula, nastepnie naswie¬ tlanie strumieniem swietlnym poprzez odpowied- , nia przeslone, co powoduje przejscie warstwy w forme nierozpuszczalna w miejscach naswie¬ tlanych, w odróznieniu od miejsc nienaswietla- nych, w których warstwe te mozna rozpuscic.Przez umieszczenie ukladu w plynie trawiacym, powoduje sie usuniecie niektórych jego czesci, przy czym czesci pokryte naswietlona i nieroz¬ puszczalna warstwa swiatloczula pozostaja niena¬ ruszone.W powyzszych sposobach nadal pozostaje problem wytwarzania przeslony w dokladnie okreslonych miejscach ukladu elektrod. Trudnosci te wzmagaja sie w miare zmniejszania sie wy¬ miarów ukladu elektrod.Inna niedogodnoscia jest stosowanie przeslon na powierzchniach nieplaskich wynikajacych z ksztaltu pcdloza na którym umieszcza sie elek¬ trody.Omawiany wynalazek dotyczy sposobu wytwa¬ rzania ukaldów elektrod na pólprzewodniku.Sposób ten umozliwia usuwanie czesci ukladu elektrod przez dzialanie czynnika skierowanego na te czesci, przy równoczesnym chronieniu po¬ zostalych czesci.Okreslenie „czynnik" obejmuje szerokie poje¬ cia moze ono oznaczac scierniwo, strumien elek¬ tronów lub strumien swietlny.Przedmiotem wynalazku jest sposób dokladne¬ go i prostego przeslaniania, umozliwiajacy unik¬ niecie pracochlonnego ustawiania przeslony. Wy¬ nalazek polega na tym, ze w wielu przypadkach mozna wykorzystac dzialanie oslaniajace co naj¬ mniej jednej z elektrod w polaczeniu ze specjal¬ nym kierunkiem, z którego wysyla sie czynnik.Zgodnie z wynalazkiem uklad sklada sie z po¬ dloza pólprzewodnikowego na którym jest umo¬ cowana co najmniej jedna elektroda wystajaca z jego powierzchni. Czynnik kieruje sie na elek¬ trode i na czesc otaczajacej ja powierzchni po¬ dloza pod takim katem do normalnej powierzchni podloza, aby usunac niektóre czesci ukladu be¬ dace w poblizu elektrody, a niektóre z nich po¬ zostawic nenaruszone.Przez wyrazenie „czesci ukladu" rozumie sie nie tylko czesci podloza pólprzewodnikowego, lecz takze czesci nalozone na nie podczas proce¬ su produkcyjnego jak np. nakladanie warstwy przyslaniajacej.Jak poprzednio wspomniano sposób wedlug wynalazku jest szczególnie dogodny w przypad¬ ku wytwarzania ukladów elektrod o bardzo ma¬ lych rozmiarach. Poniewaz male uklady z regu¬ ly odznaczaja sie mala wytrzymaloscia mecha¬ niczna na dzialanie scierniwa, zgodnie ze spo¬ sobem wedlug wynalazku, elektrody oraz ota¬ czajace je powierzchnie pólprzewodnika sa po¬ krywane warstwa przyslaniajaca, z której czesc jest nastepnie usuwana przy pomocy odpowied¬ niego czynnika.Warstwa przyslaniajaca moze skladac sie z sub¬ stancji latwo usuwalnej, co stwarza znacznie wieksza swobode w wyborze czynnika usuwa¬ jacego. Czynnik ten moze byc scierniwem, jak¬ kolwiek zaleca sie uzycie rozpuszczalnika w for¬ mie zawiesiny, kierowanego strumieniem gazu lub powietrza na uklad elektrod.Sily dzialajace w tym wypadku na elektrody sa bardzo male. Sposób wedlug wynalazku jest szczególnie uzyteczny w przypadku wytwarzania ukladu elektrod na podlozu pólprzewodnikowym, przy czym uklad ten sklada sie z dwóch zbli¬ zonych do siebie elektrod wystajacych, z po¬ wierzchni pólprzewodnika. W procesie tym czesci powierzchni podloza, które otaczaja elektrody musza byc usuniete, za wyjatkiem czesci po¬ wierzchni znajdujacej sie pomiedzy rzeczowymi elektrodami. W czasie tego procesu czynnik usu¬ wajacy jest kierowany na powierzchnie co naj¬ mniej z dwóch kierunków lezacych w plaszczyz¬ nie przechodzacej przez te elektrody i prosto¬ padlej do powierzchni pólprzewodnika, przy czym kierunki te powinny byc przeciwne sobie tak, aby pod dzialaniem czynnika znajdowaly sie te czesci elektrod, które polozone sa najda¬ lej od srodka ukladu, natomiast czesci elektrod skierowane do siebie, jak tez wycinek powierz¬ chni pomiedzy elektrodami byl chroniony przed dzialaniem czynnika i nienaruszony. Efekt ekra¬ nowania przez. elektrode zwieksza sie wówczas, gdy elektrody zaopatrzy sie w przewód dopro¬ wadzajacy prad przed rozpoczeciem dzialania czynnika usuwajacego zbedne czesci powierz¬ chni. W celu latwiejszego zrozumienia sposobu wedlug wynalazku podaje sie przyklad procesu produkcyjnego, ilustrowany zalaczonymi rysun¬ kami, w których fig. 1 jest bocznym rzutem.tran¬ zystora, fig. 2 — 6 sa rzutami perspektywiczny¬ mi uwidaczniajacymi poszczególne etapy wytwa¬ rzania tranzystora. Rg. 7 i 8 sa modyfikacjami rysunków 2 i 3. Fig. 9 jest rzutem perspektywicz¬ nym tranzystora o pierscieniowej elektrodzie.Metoda opisywana dotyczy produkcji tranzy¬ stora podobnego do uwidocznionego na fig. 1, W sklad jego wchodzi warstwa pólprzewodniko¬ wa utworzona z germanu typu „p", na która na¬ lozono cienka warstwe 2 germanu typu „n". Do tej ostatniej warstwy 2 przymocowano elektro¬ dy 3 i 4, przy czym elektroda 3 jest kontaktem prostownikowym a elektroda 4 stanowi polacze¬ nie galwaniczne z warstwa 2. Do czesci 1, 3 i 4 sa dolaczone przewody.Warstwa pólprzewodnikowa 1 jest kolektorem, elektroda 3 emiterem, a elektroda baza tego tranzystora.Materialem wyjsciowym dla produkcji tego tranzystora moze byc plytka germanu typu „p" o opornosci wlasciwej 2 fi/cm. Plytke te poddaje sie dzialaniu par arsenu w piecu o temperaturze okolo 800°C, co powoduje przemiane warstw zewnetrznych o grubosci 20 n w german typu „n" (fig. 2). W nastepnym etapie przyspaja sie w temperaturze 500°C elektrody 3 i 4. Elektroda 3 moze byc kulka indu, podczas gdy elektroda 4 wykonana jest z indu zawierajacego 5% anty¬ monu. Nastepnie caly uklad zanurza sie w roz¬ puszczalnym lakierze, celem wytworzenia war¬ stwy kryjacej 7 (rys. 3). Lakier moze np. skladac sie z roztworu 5 g nitrocelulozy w 70 g Qcta- nu butylu.Za pomoca aparatu natryskowego, natryskuje sie uklad elektrod z dwcch przeciwleglych kie¬ runków mieszanka zlozona z powietrza i octanu butylu. Kierunki te uwidocznione sa na fig. 4 strzalkami 8 i 9. Leza one w plaszczyznie X — Y — 2 —przechodzacej przez elektrody 3 i 4 i bedacej prostopadla do górnej powierzchni warstwy pól¬ przewodnika. Obydwa kierunki sa prawie pro¬ stopadle do normalnej omawianej powierzchni, dzieki czemu warstwa lakieru 7 jest usuwana z calej górnej powierzchni pólprzewodnika za wyjatkiem powierzchni 12 lezacej miedzy elek¬ trodami 3 i 4.W ten sposób wystajace elektrody 3 i 4 w po¬ laczeniu z odpowiednimi kierunkami natryski¬ wania, tworza przeslane 12 skladajaca sie z war¬ stwy nitrocelulozy.Uklad elektrod jest nastepnie zanurzany w roztworze trawiacym, który sklada sie np. z mieszaniny 5 czesci 30V©-wego kwasu fluoro¬ wodorowego, 5 czesci kwasu azotowego i 10 czesci wody. Czas zanurzenia powinien byc tak dobrany, aby umozliwic calkowite rozpuszczenie warstwy 2 za wyjatkiem czesci pokrytych przez elektrody 3 i 4 oraz przez przeslone 12 (fig. 5).Nastepnie przeslona jest rozpuszczona octanem butylu, po czym dolutowuje sie przewody 5 do czesci 1, 3 i 4, a caly uklad poddaje sie zwy¬ klemu procesowi ostatecznego trawienia.W odmianie tego procesu produkcyjnego, prze¬ wody sa dolutowywane przed nalozeniem war¬ stwy lakieru (fig. 7).Warstwa pólprzewodnika jest przylutowywana do paska niklowego 15. Nastepnie przeprowadza sie proces dyfuzji, w którym tworzona jest war¬ stwa 2, po czym przyspaja sie elektrody 3 i 4 do których przymocowuje sie odprowadzenia pradowe 16. Jesli teraz naklada sie warstwe la- kieru 7, wówczas dzieki adhezji i stosunkowo malemu odstepowi pomiedzy odprowadzeniami pradowymi 16, lakier zlekka zageszcza sie po¬ miedzy tymi przewodami i elektrodami (fig. 8).Powoduje to, ze w nastepnej czynnosci, przy na¬ tryskiwaniu rozpuszczalnikiem, przewody 16 zwiekszaja wplyw ekranujacy elektrod 3 i 4, co w konsekwencji powoduje pewne wzmocnienie powstajacej przeslony 12, w stosunku do uwi¬ docznionej na fig. 5.Rysunek 9 pokazuje inny tranzystor, który mozna latwo wyprodukowac wyzej opisanym sposobem. Tranzystor ten, podobnie jak w po¬ przednim przypadku zawiera krysztal pólprzewod¬ nikowy 1 typu „p", na którym wytworzona jest cienka warstwa 2 typu „n". Na tej warstwie umieszczone sa: centralna elektroda 23, two¬ rzaca kontakt prostownikowy z warstwa 2 i elek¬ troda pierscieniowa 24, tworzaca zestyk galwa¬ niczny.W celu usuniecia calej warstwy 2 za wyjat¬ kiem czesci pokrytej i otoczonej elektroda 24, uklad pokryto warstwa lakieru. Nastepnie skie¬ rowano strumien rozpuszczalnika lakieru z wie¬ lu kierunków równolegle do górnej powierzchni krysztalu 1 (np. z kierunków wskazanych strzal¬ kami 25 i 26) tak, ze lakier calkowicie usunieto za wyjatkiem czesci wewnatrz elektrody pier¬ scieniowej 24. Po usunieciu przez trawienie nie- pokrytych lakierem czesci warstwy 2, warstwa lakieru wewnatrz elektrody 24 zostala wypusz¬ czona, przewody doprowadzajace (na rysunku nie uwidocznione) zostaly dolutowane, a caly uklad poddano ostatecznemu trawieniu.Podkresla sie, ze jakkolwiek w opisanych przy-1 kladach uzywane warstwy lakieru i natryskiwa¬ nego rozpuszczalnika, mozna uzyc innych czyn¬ ników, które wykorzystujac efekt ekranowania przez wystajace elektrody, powoduja usuniecie tylko niektórych czesci powierzchni w poblizu elektrod, pozostawiajac inne czesci nienaruszo¬ nymi. PL