Układ tranzystorowego przeciwsobnego wzmacniacza mocy, charakteryzujący się tym, że wejście (1) układu doprowadza się poprzez rezystor (R7) do węzła łączącego kolektor tranzystora (Q3), bazę tranzystora (Q3) i bazę tranzystora (Q5) oraz jednocześnie poprzez rezystor (R8) do węzła łączącego kolektor tranzystora (Q4), bazę tranzystora (Q4) i bazę tranzystora (Q6), dalej kolektor tranzystora (Q5) połączony jest z bazą tranzystora (Q7) i jednocześnie poprzez rezystor (R9) z punktem masy układu, podobnie kolektor tranzystora (Q6) połączony jest z bazą tranzystora (Q8) i jednocześnie poprzez rezystor (R10) z punktem masy układu, dalej jedna z (pozostałych) elektrod tranzystora (Q7) połączona jest bezpośrednio lub poprzez dodatkowe elementy z bramką tranzystora (Q1) i analogicznie jedna z (pozostałych) elektrod tranzystora (Q8) połączona jest bezpośrednio lub poprzez dodatkowe elementy z bramką tranzystora (Q2) emiter tranzystora (Q3) poprzez rezystor (R3) albo (w innym wariancie rozwiązania) emiter tranzystora (Q5) poprzez rezystor (R5) połączony jest ze źródłem tranzystora (Q1) podobnie emiter tranzystora (Q4) poprzez rezystor (R4) albo (w innym wariancie) emiter tranzystora (Q6) poprzez rezystor (R6) połączony jest ze źródłem tranzystora (Q2), jednocześnie źródło tranzystora (Q1) poprzez rezystor (R1) połączone jest z szyną dodatniego napięcia zasilającego (3), a źródło tranzystora (Q2) poprzez rezystor (R2) połączone jest z szyną ujemnego napięcia zasilającego (4), dren tranzystora (Q1) połączony jest do węzła stanowiącego wyjście (2) układu i jednocześnie dren tranzystora (Q2) połączony jest do węzła stanowiącego wyjście (2) układu.Transistor power amplifier system, characterized in that the input (1) of the system is supplied through a resistor (R7) to the node connecting the transistor's collector (Q3), the transistor's base (Q3) and the transistor's base (Q5) and simultaneously through the resistor (R8) to the node connecting the transistor's collector (Q4), the transistor's base (Q4) and the transistor's base (Q6), then the transistor's collector (Q5) is connected to the transistor's base (Q7) and simultaneously through the resistor (R9) with the ground point of the system, similar to the transistor's collector (Q6) is connected to the base of the transistor (Q8) and at the same time through a resistor (R10) with the ground point of the system, then one of the (other) electrodes of the transistor (Q7) is connected directly or through additional elements to the gate of the transistor (Q1) and analogously one from (other) electrodes of the transistor (Q8) is connected directly or through additional elements to the gate of the transistor (Q2) emitter of the transistor (Q3) through the resistor (R3) or (in another variant) the transistor emitter (Q5) through the resistor (R5) is connected to the transistor source (Q1) similarly to the transistor emitter (Q4) through the resistor (R4) or (in another variant) the transistor emitter (Q6) through the resistor (R6) it is connected to the source of the transistor (Q2), at the same time the source of the transistor (Q1) through the resistor (R1) is connected to the bus of the positive supply voltage (3), and the source of the transistor (Q2) through the resistor (R2) is connected to the negative supply voltage rail (4), the transistor drain (Q1) is connected to the node constituting the output (2) of the system and at the same time the drain of the transistor (Q2) is connected to the node constituting the output (2) of the system.