PL40437B1 - - Google Patents

Description

2 Opublikowano dnia 3 lutego 1959 r. 3KXA A & mm * feysissi POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 40437 KI. 8*, 5/10 Inz. mgr Wanda Jaros Lódz, Polska Srodek do czyszczenia na sucho i usuwania tlustych plam z tkanin oraz sposób czyszczenia za pomocg tego srodka Patent trwa od dnia 14 lutego 1957 r.Znane dotychczas srodki do czyszczenia na sucho bez uzycia wody oraz do usuwania tlu¬ stych plam z tkanin i odziezy oparte sa na dzia¬ laniu latwo lotnych rozpuszczalników organicz¬ nych (benzyna, benzen, trójchloroetylen itp) albo tez stanowia je drobno sproszkowane substancje organiczne i mineralne, odznaczajace sie duza zdolnoscia wchlaniania dzieki rozwinietej w znacznym stopniu; powierzchni absorbujacej.Usuwanie plam z tkanin i odziezy przy uzyciu latwo lotnych rozpuszczalników organicznych jest o tyle niedogodne, ze zazwyczaj pozostawiaja one zacieki oraz jasniejsze miejsca po dawnej plamie, zwlaszcza, gdy tkanina jest juz w ca¬ losci nieco przybrudzona.Sproszkowane substancje chlonne, które w cza¬ sie czyszczenia wciera sie w tkanine w miejscu brudnym lub zaplamionym, nie zostawiaja wprawdzie zacieków, jednak dzialanie ich jest powierzchowne, a zatem malo skuteczne, gdyz plamy po pewnym czasie odnawiaja sie.Srodek do czyszczenia na sucho i usuwania tlustych plam z tkanin wedlug wynalazku, nie posiada zupelnie wyzej wymienionych wad srod¬ ków stosowanych dotychczas, to znaczy czysci gruntownie i nie pozostawia zacieków.Srodek wedlug wynalazku, posiadajacy po- SteLPXQS&u lub uforagowanj^ tek, sklada sie z organicznego rozpuszczalnika czym rozpuszczalnikiem organicznym jest wy¬ sokowrzaca substancja lub mieszanina takich substancji, stala w temperaturze pokojowej. Ja¬ ko wysokowrzace substancje nadaja sie zwlasz¬ cza chlorowane weglowodory aromatyczne takie, jak dwutrój- i czterochlorobenzeny.Jako substancje o rozwinietej powierzchni czynnej mozna stosowac materialy takie, jak talk^ tlenek magnezowy, ziemia okrzemkowa, kreda ^racwaT^krobia^ '""'"" "¦¦¦"^¦¦"""¦-^-*^-Sposób czyszczenia tkanin za pomoca srodka wedlug wynalazku polega na nakladaniu go cien¬ ka warstw^ na miejfeee czyszczone, przez posy- w pywahie lub nacieranie tkaniny i nastepnym 4ogrzaniu go w celu stopienia i odparowania roz¬ puszczalnika. Rozpuszczalnik po stopieniu wsia¬ ka w tkanine, rozpuszcza w sobie tluszcz, prze¬ nosi go do substancji chlonnej pozostajacej na powierzchni tkaniny, po czym sam ulatnia sie.Po ulotnieniu sie rozpuszczalnika zczyszcza sie z powierzchni tkaniny substancje chlonna, za¬ wierajaca tluszcz wyciagniety z tkaniny.W praktyce przeprowadza sie to zwykle w ten sposób, ze miejsce z nalozonym srodkiem we¬ dlug wynalazku prasuje sie goracym zelazkiem przez kawalek czystej szmatki bawelnianej.Nowy srodek nadaje sie szczególnie dobrze do czyszczenia i usuwania tlustych plam z tkanin welnianych i pólwelnianych, a zwlaszcza usuwa doskonale plamy z tluszczu i brudu gleboko prze¬ sycajacego tkanine.PrzyklOTl. 4 czesci wagowe p-dwuchlorobenzenu, 2 czesci wagowe ziemi okrzemkowej i 2 czesci wagowe kredy straconej miesza sie dokladnie i miele na drobnoziarnisty proszek. Otrzymanym proszkiem posypuje sie w cienkiej warstwie za- plamione miejsca na tkaninie, po czym miejsca te prasuje sie goracym zelazkiem poprzez szmat¬ ke bawelniana. Po skonczonym prasowaniu zczy¬ szcza sie tkanine za pomoca szczotki. Uzyskuje sie czysta powierzchnie tkaniny, bez plam i za¬ cieków.Przyklad II. 6 czesci wagowych trój — lub czterochlorobenzenu albo mieszanine4 4 czesci wagowych p-dwuchlorobenzenu i 1 czesci wa¬ gowej trójchlorobenzenu stapia sie i miesza do¬ kladnie z 8 czesciami wagowymi talku i 1 cze¬ scia wagowa tlenku magnezowego. Uzyskuje sie plastyczna mase, z której formuje sie ksztalt¬ ki twardniejace po oziebieniu do temperatury pokojowej.Otrzymana ksztaltka pociera sie oczyszczane miejsca na tkaninie, po czym postepuje sie tak, jak w przykladzie I. PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Srodek do czyszczenia na sucho i usuwania tlustych plam z tkanin, w postaci proszku lub ksztaltek, skladajacy sie z organicznego roz¬ puszczalnika i mineralnych lub organicznych, drobno sproszkowanych substancji o znacz¬ nie rozwinietej powierzchni czynnej, zna¬ mienny tym, ze jako rozpuszczalnik organicz¬ ny zawiera wysokowrzaca substancje lub mieszanine takich substancji, stala w tem¬ peraturze pokojowej.
2. 2. Srodek wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako wysokowrzaca substancje zawiera chlo¬ rowany weglowodór aromatyczny. 3. Srodek wedlug zastrz. 1, 2, znamienny tym, ze jako substancje o rozwinietej powierzchni czynnej.zawiera talk, tlenek magnezowy, zie¬ mie okrzemkowa, krede stracona lub skrobie. 4. Sposób czyszczenia tkanin za pomoca srodka wedlug zastrz. 1—3, znamienny tym, ze sro¬ dek naklada sie na miejsce czyszczone cien¬ ka warstwa przez posypanie lub natarciu tkaniny i ogrzewa w celu stopienia i odparo¬ wania rozpuszczalnika, po czym powierzchnie tkaniny zczyszcza sie. Inz. mgr Wanda Jaros Wzór jednoraz. CWD, zam. PL/K«, Cz«»t. zam. 2913 12. 11. 58. 100 egz. Al pism. ki.
3. 3. PL