PL404256A1 - Sposób otrzymywania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, monowarstwa i zastosowanie monowarstwy do pokrywania powierzchni - Google Patents
Sposób otrzymywania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, monowarstwa i zastosowanie monowarstwy do pokrywania powierzchniInfo
- Publication number
- PL404256A1 PL404256A1 PL404256A PL40425613A PL404256A1 PL 404256 A1 PL404256 A1 PL 404256A1 PL 404256 A PL404256 A PL 404256A PL 40425613 A PL40425613 A PL 40425613A PL 404256 A1 PL404256 A1 PL 404256A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nanoparticles
- monolayer
- densely packed
- layer
- water
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title abstract 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 title abstract 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 title abstract 7
- 239000003446 ligand Substances 0.000 title abstract 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 abstract 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- -1 11-mercapto-undecanoic acid tetramethylammonium salt Chemical compound 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- SLCWLLVFKQHEIN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(11-sulfanylundecyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCS SLCWLLVFKQHEIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N undecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCS CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania monowarstwy z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, drogą kompresji warstwy nanocząstek z użyciem rozpuszczalnika, na granicy faz woda-powietrze, obejmujący naniesienie roztworu nanocząstek pokrytych ligandem na powierzchnię wody albo w głąb fazy wodnej; wykonanie kompresji poprzez dodanie polarnego rozpuszczalnika; w razie potrzeby dodanie dodatkowej porcji polarnego rozpuszczalnika, z wytworzeniem się monowarstwy, którą jest obszar warstwy pokryty regularną (lokalnie heksagonalną) warstwą stanowiącą ponad 90% jej powierzchni. Ewentualnie tę gęsto upakowaną monowarstwę przenosi się na stałą powierzchnię substratu, poprzez zanurzanie i/lub wynurzanie tej powierzchni z wody, pod kątem w zakresie od 0 do 90° względem płaszczyzny tej monowarstwy, z uzyskaniem powierzchni pokrytej tak otrzymaną monowarstwą nanocząstek, przy czym w sposobie tym stosuje się roztwór nanocząstek o stężeniu od 0,1 do 10 mM, w MeOH/DCM lub CHCl3; w ilości od 0,1 do 100 µL/cm2. Ponadto do uzyskania monowarstwy o rzadkim ułożeniu nanocząstek stosuje się od 0,1 do 10 nmol nanocząstek na cm2 powierzchni wody, jako rozpuszczalnik polarny najkorzystniej stosuje się THF, zaś stała powierzchnia obejmuje powierzchnię wybraną spośród szkła, tlenku indu domieszkowanego tlenkiem cyny, krzemu i arsenku galu, jako nanocząstki stosuje się nanocząstki metaliczne, albo nanocząstki półprzewodnikowe, albo nanocząstki dwu- lub wielo-składnikowe typu jądro-otoczka z wierzchnią warstwą, o rozmiarze w zakresie od 1 nm do 100 nm, ligandem hydrofobowym jest 1-undekanotiol, ligandem hydrofilowym jest chlorek 11-merkapto-undecylotrimetyloamoniowy lub sól tetrametyloamoniowa kwasu 11-merkapto-undekanowego. Wynalazek dotyczy również monowarstwy do pokrywania powierzchni, zwłaszcza półprzewodników, oraz zastosowania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek do pokrywania powierzchni materiałów, zwłaszcza takich jak szkło, tlenek indu domieszkowany tlenkiem cyny (ITO), krzem i arsenek galu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404256A PL229218B1 (pl) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Sposób otrzymywania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, monowarstwa i zastosowanie monowarstwy do pokrywania powierzchni |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404256A PL229218B1 (pl) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Sposób otrzymywania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, monowarstwa i zastosowanie monowarstwy do pokrywania powierzchni |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL404256A1 true PL404256A1 (pl) | 2014-12-22 |
| PL229218B1 PL229218B1 (pl) | 2018-06-29 |
Family
ID=52106811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL404256A PL229218B1 (pl) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Sposób otrzymywania monowarstwy zbudowanej z gęsto upakowanej warstwy nanocząstek pokrytych ligandami hydrofilowymi i hydrofobowymi, monowarstwa i zastosowanie monowarstwy do pokrywania powierzchni |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL229218B1 (pl) |
-
2013
- 2013-06-10 PL PL404256A patent/PL229218B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL229218B1 (pl) | 2018-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016189479A5 (pl) | ||
| Su et al. | Waterproof molecular monolayers stabilize 2D materials | |
| TW201612979A (en) | Pattern shrink methods | |
| WO2012112927A3 (en) | Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films | |
| MX2016000175A (es) | Metodo para revestir susperficies metalicas de sustratos y objetos revestidos de acuerdo con dicho metodo. | |
| MX391294B (es) | Un proceso para recubrir superficies metálicas de sustratos con composiciones acuosas en forma de una dispersión y/o una suspensión que contiene por lo menos un aglutinante estabilizado. | |
| MX2017006956A (es) | Composiciones de solución coloidal-gel, curables, formadoras de película y artículos revestidos con anti -reflejante formados de las mismas. | |
| PL396373A1 (pl) | Sposób otrzymywania warstw grafenowych i pasta zawierajaca nanoplatki grafenowe | |
| RU2015144306A (ru) | Способ подготовки и обработки стальной подложки | |
| Mori et al. | Surface recombination velocities for n-type 4H-SiC treated by various processes | |
| Arduca et al. | Synthesis and characterization of P δ-layer in SiO2 by monolayer doping | |
| WO2014076105A8 (de) | Verfahren zur beschichtung von metallischen oberflächen mit nanokristallinen zinkoxidschichten, wässerige zusammensetzungen hierfür und verwendung der derart beschichteten oberflächen | |
| JP2015522509A5 (pl) | ||
| JP2015086345A5 (pl) | ||
| EP2863259A3 (en) | Method for manufacturing photomask blank | |
| JP2018524329A5 (pl) | ||
| MY192442A (en) | Method for forming structures upon a substrate | |
| PH12016501669A1 (en) | Coating composition and optical member | |
| JP2016111351A5 (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 | |
| WO2015011367A3 (fr) | Procede de fabrication d'un module thermoelectrique a base de film polymere | |
| MX2015016474A (es) | Metodo para revestir con pintura por inmersion sustratos conductores de electricidad mientras el revestimiento con pintura por inmersion es postratado con una composicion de sol-gel acuosa antes de curar el revestimiento. | |
| Ye et al. | Band alignment between 4H-SiC and atomic-layer-deposited ZrO2 determined by X-ray photoelectron spectroscopy | |
| MY177717A (en) | Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks | |
| FR3008716B1 (fr) | Procede de preparation d'un depot de nanoparticules d'un metal ou d'un alliage sur un substrat, substrat ainsi obtenu, et ses utilisations dans un recuperateur thermo-electrique ou une vanne egr. | |
| WO2014200985A3 (en) | Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same |