PL400744A1 - Sposób i uklad do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramka - Google Patents
Sposób i uklad do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramkaInfo
- Publication number
- PL400744A1 PL400744A1 PL400744A PL40074412A PL400744A1 PL 400744 A1 PL400744 A1 PL 400744A1 PL 400744 A PL400744 A PL 400744A PL 40074412 A PL40074412 A PL 40074412A PL 400744 A1 PL400744 A1 PL 400744A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- thermal resistance
- measuring
- tested
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób i uklad do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramka, majacy zastosowanie przy kontroli jakosci elementów pólprzewodnikowych dla przemyslu elektronicznego. Sposób pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramka, wykorzystujacy w charakterze parametru termoczulego napiecie miedzy wyprowadzeniami bramki i zródla badanego tranzystora, realizowany w dwóch etapach obejmujacych kolejno pomiary wspólrzednych punktów na charakterystyce statycznej tego tranzystora i obliczenie wartosci rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego charakteryzuje sie tym, ze w pierwszym etapie pomiaru badany tranzystor pracuje w zakresie nasycenia, wyznaczane sa wartosci napiecia bramka-zródlo w czterech punktach pracy tranzystora o wspólrzednych tak dobranych, aby prad drenu przyjmowal tylko dwie wartosci a moc wydzielana w tranzystorze w dwóch punktach pracy byla taka sama i jednoczesnie dwukrotnie mniejsza od mocy wydzielanej w pozostalych dwóch punktach pracy tranzystora, w drugim etapie wartosc rezystancji termicznej tranzystora jest wyliczana iteracyjnie wedlug ukladu równan matematycznych, opisujacych kolejno rezystancje termiczna, nachylenie charakterystyki termometrycznej, napiecie progowe oraz temperaturowy wspólczynnik zmian napiecia progowego. Uklad do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramka zawierajacy badany tranzystor, dwa zasilacze napieciowe, dwa rezystory, dwa woltomierze, amperomierz i termostat charakteryzuje sie tym, ze zasilacz napieciowy (1) przez rezystor (3) jest polaczony ze zródlem badanego tranzystora (5), zasilacz napieciowy (2) szeregowo jest polaczony z rezystorem (4) oraz amperomierzem (6) zasilajac dren badanego tranzystora (5), a bramka tranzystora (5) jest polaczona z masa ukladu, woltomierz (7) jest wlaczony miedzy zródlem a bramka badanego tranzystora (5) zas woltomierz (8) jest wlaczony miedzy dren a bramke badanego tranzystora(5), który jest umieszczony w termostacie (9).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL400744A1 true PL400744A1 (pl) | 2014-03-17 |
| PL223757B1 PL223757B1 (pl) | 2016-10-31 |
Family
ID=50240948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL223757B1 (pl) |
-
2012
- 2012-09-12 PL PL400744A patent/PL223757B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL223757B1 (pl) | 2016-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8760180B1 (en) | Systems and methods mitigating temperature dependence of circuitry in electronic devices | |
| CN103822731B (zh) | 一种vdmos器件结温的测试方法 | |
| KR20180095658A (ko) | 계측 시스템을 위한 기준 회로 | |
| US20140314124A1 (en) | Circuits and methods for determining the temperature of a transistor | |
| US10359321B2 (en) | On-chip circuit and method for accurately measuring die temperature of an integrated circuit | |
| CN107833840A (zh) | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法 | |
| CN108153926A (zh) | 基于经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法 | |
| CN105021299A (zh) | 具有导线电阻补偿的热电偶模块 | |
| US10120405B2 (en) | Single-junction voltage reference | |
| US20170234816A1 (en) | Temperature sensor based on direct threshold-voltage sensing for on-chip dense thermal monitoring | |
| RU2685769C1 (ru) | Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением | |
| PL400744A1 (pl) | Sposób i uklad do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowana bramka | |
| CN204102398U (zh) | 用于研究热敏电阻的伏安特性和电阻温度特性的实验箱 | |
| Mageed et al. | Traceability of DC high voltage measurements using the Josephson voltage standard | |
| Štambuk et al. | Measurement system for precise comparison of low ohmic resistance standards | |
| CN102132165B (zh) | 测试装置及测试方法 | |
| Halawa et al. | Integrated calibration system for accurate AC current measurements up to 100 kHz | |
| RU2707757C1 (ru) | Способ снижения погрешности измерения температуры электрическим мостом | |
| CN204203363U (zh) | 一种电阻测量装置 | |
| RU150080U1 (ru) | Универсальная коммутационная плата для измерения радиационно-чувствительных электропараметров полупроводниковых приборов | |
| CN106841806B (zh) | 一种钢轨电阻的测量装置及方法 | |
| PL234140B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy | |
| PL403813A1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką | |
| Wan et al. | Embedded instruments for enhancing dependability of analogue and mixed-signal IPs | |
| Lebediev et al. | Methods of improving technical and functional characteristics of serial budget microprocessor platforms |