CN107833840A - AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法 - Google Patents

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107833840A
CN107833840A CN201711024322.XA CN201711024322A CN107833840A CN 107833840 A CN107833840 A CN 107833840A CN 201711024322 A CN201711024322 A CN 201711024322A CN 107833840 A CN107833840 A CN 107833840A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistance
temperature
grid
schottky
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711024322.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107833840B (zh
Inventor
马晓华
武玫
闵丹
杨凌
郝跃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xidian University
Original Assignee
Xidian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xidian University filed Critical Xidian University
Priority to CN201711024322.XA priority Critical patent/CN107833840B/zh
Publication of CN107833840A publication Critical patent/CN107833840A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107833840B publication Critical patent/CN107833840B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法，主要解决现有方法测量结温偏低的问题，其实现方案是：采用脉冲测试方法对器件的肖特基正向特性进行测试，提取栅源电阻RS0与肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系，结合上述两者得到肖特基接触电阻RB0随温度变化关系作为校准曲线；其次，在室温条件下选取偏置点，采用脉冲测试法测试器件的肖特基正向特性，并提取肖特基串联电阻RT，测量被测器件的输出特性提取栅源电阻RS，得到肖特基接触电阻RB在不同功率下的变化关系，通过对比校准曲线，提取出器件结温。本发明提高了结温测试的准确度，减小了测量误差，可用于高电子迁移率晶体管器件的测量与分析。

Description

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT的结温测试方法，可用于器件的测量与分析。
技术背景
在高温以及微波大功率等领域的应用之中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT具有非常广阔的发展前景，在过去几十年中引起了广泛关注。而这主要是基于GaN材料宽禁带、高击穿场强以及高饱和电子漂移速度等诸多优良的特性。虽然AlGaN/GaN HEMT在今后具备非常大的潜力，但器件的热可靠性问题仍然是限制其发展的瓶颈之一。在高温领域的应用之中，AlGaN/GaN HEMT器件显著的自热效应会使器件结温升高，材料各参数退化，从而对器件的电学特性以及可靠性产生非常严重的影响。为了分析器件温度对其各方面特性以及可靠性的影响，有必要对器件结温进行准确的测量。
目前，AlGaN/GaN HEMT器件的结温测量一般采用红外法或者电学法。N.Killat等人采用红外法对AlGaN/GaN HEMT器件的结温进行了提取并与拉曼测试结果进行对比，发现红外测试结果远低于器件的实际结温，参见N.Killat,M.Kuball,T.–M.Chou,etc.Temperature Assessment of AlGaN/GaN HEMTs:A Comparative study by Raman,Electrical and IR Thermography.IEEE Conference Publications,2010,528-531，红外法的空间分辨率仅有2.5μm，而HEMT器件的栅长一般小于1μm，源漏间距也仅有几μm，器件结温一般出现在靠近漏极一侧的栅边缘处，因此，红外法的分辨率远不能达到测量要求，导致测量结果误差较大。电学法通常利用的是器件的电学参数随温度的变化来预测结温，ViceSodan对比了几种电学方法的测试结果，发现采用饱和漏电流作为电学敏感参数得到的器件温度仅能达到实际结温的70％，参见Vice Sodan,Daisuke Kosemura,Steve Stoffels,etc.Experimental Benchmarking of Electrical Methods andμ-Raman Spectroscopyfor Channel Temperature Detectionin AlGaN/GaN HEMTs.2016,6,2321-2327，这是由于饱和漏电流会受到整个沟道温度的影响，因此采用电学法的局限性是其测量所得到的温度通常是器件沟道温度的平均值，从而低估了器件的结温。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试的新方法，以提高结温测试的准确度，减小测量误差。
本发明的技术方案是：利用器件的肖特基正向特性，提取肖特基接触电阻作为电学敏感参数，根据不同偏置条件下的肖特基接触电阻RB，得到相应功率下的器件结温值。其实现步骤包括如下：
(1)将被测器件置于探针台上，通过半导体参数分析仪对与器件同片号的传输线模型TLM结构施加电压，测量该模型TLM结构的欧姆接触电阻RC，
(2)设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，源极接地，栅极静态偏置点VGSQ与源极静态偏置点VDSQ为0V，漏极电压VDS从0V到12V变化，测量不同外部温度下被测器件的输出特性，提取出导通电阻RON0，建立导通电阻RON0随外部温度的变化关系，并根据欧姆接触电阻RC得出栅源电阻RS0随不同外部温度的变化关系Ⅰ；
(3)设定栅极电压VGS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，栅极电压VGS从0V到3V变化，调节温度控制器，测量不同外部温度下被测器件的肖特基正向特性，提取出肖特基串联电阻RT0，建立肖特基串联电阻RT0随不同外部温度的变化关系Ⅱ；
(4)根据肖特基串联电阻RT0以及栅源电阻RS0随温度的变化曲线，得到肖特基接触电阻RB0随温度的变化关系，即校准曲线Ⅲ；
(5)源极接地，通过半导体参数分析仪对被测器件加栅极电压VGS，漏极电压VDS，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节漏极静态偏置点VDSQ以对被测器件施加不同功率，保持2分钟，使被测器件温度达到稳态后，切断栅源电压VGS以及漏源电压VDS，并采用与步骤(3)中相同的脉冲设置，在室温下对被测器件的肖特基正向特性进行测试，提取出肖特基串联电阻RT，建立肖特基串联电阻RT随不同偏置的变化关系Ⅳ；
(6)采用步骤(3)中相同的脉冲设置，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，选取与步骤(5)相同的漏极静态偏置点VDSQ，漏极电压VDS从0V到12V变化，测量被测器件的输出特性，提取出不同偏置下的导通电阻RON，并根据欧姆接触电阻RC得出栅源电阻RS随不同偏置的变化关系Ⅴ；
(7)根据步骤(5)得到的变化关系Ⅳ和步骤(6)得到的变化关系Ⅴ，得到不同偏置下的肖特基接触电阻RB，并将其与校准曲线Ⅲ相对应，得到被测器件在不同功率下的结温值。
与现有技术相比较，本发明具有以下优点
本发明采用肖特基接触电阻作为电学敏感参数，由于其数值仅受到栅下沟道部分的温度影响，而器件结温一般出现在靠近漏极一侧的栅边缘处，因此通过此方法测量得到的温度比一般电学测试结果更接近于被测器件的实际结温，测试的准确性得到有效提升，且本发明操作简便，易于实现。
附图说明
图1是本发明的实现流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明的实施例进行更详细的说明。
参照图1，本发明给出如下三个实施例：
实施例1：测试蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT器件的结温。
步骤一，测量传输线模型TLM结构的欧姆接触电阻RC。
1a)将蓝宝石衬底上的被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件置于探针台上，通过半导体参数分析仪对传输线模型TLM结构施加电压，设置电压范围为-0.5V到0.5V；
1b)测试传输线模型TLM结构的电流-电压I-V特性，提取被测器件的欧姆接触电阻RC；
步骤二，测量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的导通电阻RON0。
2a)将被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件置于探针台上，源极接地，设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ与源极静态偏置点VDSQ为0V，漏极电压VDS从0V到12V变化，通过半导体参数分析仪对其施加栅极电压VGS和漏极电压VDS；
2b)调节温度控制器以对器件施加不同外部温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率HEMT器件的输出特性，提取器件的导通电阻RON0，
2c)通过公式RS0＝(RON0-2RC)×LSG/LSD+RC，提取出栅源电阻RS0，建立栅源电阻RS0随外部温度的变化关系Ⅰ，其中，RS0为器件的栅源电阻，RON0为器件导通电阻，RC为器件的欧姆接触电阻，LSG为栅源间距，LSD为源漏间距。
步骤三，测量不同温度下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性。
3a)通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS；
3b)设定VGS脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，栅极电压VGS从0V到3V变化；
3c)调节温度控制器以对器件施加不同温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性；
3d)提取肖特基串联电阻RT0，建立肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系Ⅱ。
步骤四，提取测量结温的校准曲线。
4a)根据肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系Ⅰ以及栅源电阻RS0随温度的变化关系Ⅱ，得到肖特基接触电阻RB0随温度的变化关系，即校准曲线Ⅲ；
步骤五，测量室温下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件在不同功率时的肖特基正向特性。
5a)源极接地，通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS，漏极电压VDS；
5b)固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节源极静态偏置点VDSQ对被测器件施加不同功率，保持1分钟，使被测器件温度达到稳态；
5c)同时切断栅极电压VGS以及栅极电压VDS，设定VGS脉冲宽度为500ns，脉冲周期为1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，控制VGS从0V到3V变化，测量室温下被测器件的肖特基正向特性；
5d)提取肖特基串联电阻RT，建立肖特基串联电阻RT随功率的变化关系Ⅳ。
步骤六，测量不同偏置下的导通电阻RON。
6a)设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节与步骤五中相同的漏极静态偏置VDSQ，漏极电压VDS从0V到12V变化，测量器件的输出特性，提取出不同偏置下的导通电阻RON；
6b)通过公式RS＝(RON-2RC)×LSG/LSD+RC，及步骤一中得到的欧姆电阻RC，提取出栅源电阻RS，建立栅源电阻RS随偏置的变化关系Ⅴ。
步骤七，提取被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件结温随功率的变化关系。
7a)据步骤(5)得到的变化关系Ⅳ和步骤(6)得到的变化关系Ⅴ，得到不同偏置下的肖特基接触电阻RB，并将其与校准曲线Ⅲ相对应，得到被测器件在不同功率下的结温值，完成器件结温的提取。
实施例2：测试碳化硅衬底上AlGaN/GaN HEMT器件的结温。
步骤一，测量传输线模型TLM结构的欧姆接触电阻RC。
本实例步骤一与实施例1步骤一相同。
步骤二，测量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的导通电阻RON0。
2a)将被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件置于探针台上，源极接地，设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ与源极静态偏置点VDSQ为0V，漏极电压VDS从0V到12V变化，通过半导体参数分析仪对其施加栅极电压VGS和漏极电压VDS；
2b)调节温度控制器以对器件施加不同外部温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率HEMT器件的输出特性，提取器件的导通电阻RON0，
2c)通过公式RS0＝(RON0-2RC)×LSG/LSD+RC，提取出栅源电阻RS0，建立栅源电阻RS0随外部温度的变化关系Ⅰ，其中，RS0为器件的栅源电阻，RON0为器件导通电阻，RC为器件的欧姆接触电阻，LSG为栅源间距，LSD为源漏间距。
步骤三，测量不同温度下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性。
3a)通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS；
3b)设定VGS脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，栅极电压VGS从0V到3V变化；
3c)调节温度控制器以对器件施加不同温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性；
3d)提取肖特基串联电阻RT0，建立肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系Ⅱ。
步骤四，提取测量结温的校准曲线。
本步骤与实施例1步骤四相同。
步骤五，测量室温下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件在不同功率时的肖特基正向特性。
5a)源极接地，通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS，漏极电压VDS；
5b)固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节源极静态偏置点VDSQ对被测器件施加不同功率，保持2分钟，使被测器件温度达到稳态；
5c)同时切断栅极电压VGS以及栅极电压VDS，设定VGS脉冲宽度为500ns，脉冲周期为1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，控制VGS从0V到3V变化，测量室温下被测器件的肖特基正向特性；
5d)提取肖特基串联电阻RT，建立肖特基串联电阻RT随功率的变化关系Ⅳ。
步骤六，测量不同偏置下的导通电阻RON。
6a)设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节漏极静态偏置VDSQ与步骤五中相同，漏极电压VDS从0V到12V变化；
6b)测量器件的输出特性，提取出不同偏置下的导通电阻RON；
6c)通过公式RS＝(RON-2RC)×LSG/LSD+RC，及步骤一中得到的欧姆电阻RC，提取出栅源电阻RS，建立栅源电阻RS随偏置的变化关系Ⅴ；
步骤七，提取被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件结温随功率的变化关系。
本步骤与实施例1中步骤七相同。
实施例3：硅衬底上AlGaN/GaN HEMT器件的结温测试
步骤一，测量传输线模型TLM结构的欧姆接触电阻RC。
本步骤与实施例1中步骤一相同。
步骤二，测量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的导通电阻RON0。
2a)将被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件置于探针台上，源极接地，设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ与源极静态偏置点VDSQ为0V，漏极电压VDS从0V到12V变化，通过半导体参数分析仪对其施加栅极电压VGS和漏极电压VDS；
2b)调节温度控制器以对器件施加不同外部温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率HEMT器件的输出特性，提取器件的导通电阻RON0，
2c)通过公式RS0＝(RON0-2RC)×LSG/LSD+RC，提取出栅源电阻RS0，建立栅源电阻RS0随外部温度的变化关系Ⅰ，其中，RS0为器件的栅源电阻，RON0为器件导通电阻，RC为器件的欧姆接触电阻，LSG为栅源间距，LSD为源漏间距。
步骤三，测量不同温度下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性。
3a)通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS；
3b)设定VGS脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，栅极电压VGS从0V到3V变化；
3c)调节温度控制器以对器件施加不同温度，测量25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的肖特基正向特性；
3d)提取肖特基串联电阻RT0，建立肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系Ⅱ。
步骤四，提取测量结温的校准曲线。
本步骤与实施例1中步骤四相同。
步骤五，测量室温下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件在不同功率时的肖特基正向特性。
5a)源极接地，通过半导体参数分析仪对被测器件施加栅极电压VGS，漏极电压VDS；
5b)固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节源极静态偏置点VDSQ对被测器件施加不同功率，保持3分钟，使被测器件温度达到稳态；
5c)同时切断栅极电压VGS以及栅极电压VDS，设定VGS脉冲宽度为500ns，脉冲周期为1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，控制VGS从0V到3V变化，测量室温下被测器件的肖特基正向特性；
5d)提取肖特基串联电阻RT，建立肖特基串联电阻RT随功率的变化关系Ⅳ。
步骤六，测量不同偏置下的导通电阻RON。
6a)设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节漏极静态偏置VDSQ与步骤五中相同，漏极电压VDS从0V到12V变化；
6b)测量器件的输出特性，提取出不同偏置下的导通电阻RON；
6c)通过公式RS＝(RON-2RC)×LSG/LSD+RC，及步骤一中得到的欧姆电阻RC，提取出栅源电阻RS，建立栅源电阻RS随偏置的变化关系Ⅴ。
步骤七，提取被测AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件结温随功率的变化关系。
本步骤与实施例1中步骤七相同。
以上描述仅是本发明的几个具体实例，不构成对本发明的任何限制，显然对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，都可能在不背离本发明原理、结构的情况下，进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明思想的修正和改变仍在本发明的权利要求范围之内。

Claims (3)

1.一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件的结温测试方法，包括：
(1)将被测器件置于探针台上，通过半导体参数分析仪对与器件同片号的传输线模型TLM结构施加电压，测量该模型TLM结构的欧姆接触电阻RC，
(2)设定栅极电压VGS和漏极电压VDS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，源极接地，栅极静态偏置点VGSQ与源极静态偏置点VDSQ为0V，漏极电压VDS从0V到12V变化，测量不同外部温度下被测器件的输出特性，提取出导通电阻RON0，建立导通电阻RON0随外部温度的变化关系，并根据欧姆接触电阻RC得出栅源电阻RS0随不同外部温度的变化关系Ⅰ；
(3)设定栅极电压VGS的脉冲宽度500ns，脉冲周期1ms，栅极静态偏置点VGSQ为0V，栅极电压VGS从0V到3V变化，调节温度控制器，测量不同外部温度下被测器件的肖特基正向特性，提取出肖特基串联电阻RT0，建立肖特基串联电阻RT0随不同外部温度的变化关系Ⅱ；
(4)根据肖特基串联电阻RT0以及栅源电阻RS0随温度的变化曲线，得到肖特基接触电阻RB0随温度的变化关系，即校准曲线Ⅲ；
(5)源极接地，通过半导体参数分析仪对被测器件加栅极电压VGS，漏极电压VDS，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，调节漏极静态偏置点VDSQ以对被测器件施加不同功率，保持1-4分钟，使被测器件温度达到稳态后，切断栅源电压VGS以及漏源电压VDS，并采用与步骤(3)中相同的脉冲设置，在室温下对被测器件的肖特基正向特性进行测试，提取出肖特基串联电阻RT，建立肖特基串联电阻RT随不同偏置的变化关系Ⅳ；
(6)采用步骤(3)中相同的脉冲设置，固定栅极静态偏置点VGSQ为0V，选取与步骤(5)相同的漏极静态偏置点VDSQ，漏极电压VDS从0V到12V变化，测量被测器件的输出特性，提取出不同偏置下的导通电阻RON，并根据欧姆接触电阻RC得出栅源电阻RS随不同偏置的变化关系Ⅴ；
(7)根据步骤(5)得到的变化关系Ⅳ和步骤(6)得到的变化关系Ⅴ，得到不同偏置下的肖特基接触电阻RB，并将其与校准曲线Ⅲ相对应，得到被测器件在不同功率下的结温值。
2.根据权利要求书1所述的方法，其中步骤(2)中外部所加的温度为25℃，60℃，90℃，120℃，150℃，180℃，200℃这7个温度点。
3.根据权利要求书1所述的方法，其中步骤(3)与步骤(2)外部所加温度相同。
CN201711024322.XA 2017-10-27 2017-10-27 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法 Active CN107833840B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711024322.XA CN107833840B (zh) 2017-10-27 2017-10-27 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711024322.XA CN107833840B (zh) 2017-10-27 2017-10-27 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107833840A true CN107833840A (zh) 2018-03-23
CN107833840B CN107833840B (zh) 2019-11-15

Family

ID=61650704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711024322.XA Active CN107833840B (zh) 2017-10-27 2017-10-27 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107833840B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110400761A (zh) * 2019-06-25 2019-11-01 淮阴师范学院 一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法
CN110412447A (zh) * 2019-07-26 2019-11-05 北京工业大学 一种无损测量igbt模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法
CN112485626A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 中国科学院微电子研究所 一种功率器件质量等级分类方法
CN113030683A (zh) * 2021-03-15 2021-06-25 五羊—本田摩托（广州）有限公司 一种测量功率开关器件温度的方法、介质及计算机设备
CN113358995A (zh) * 2021-05-24 2021-09-07 丽水方德智驱应用技术研究院有限公司 一种功率元器件在线结温估算方法
CN113533923A (zh) * 2021-06-17 2021-10-22 深圳天狼芯半导体有限公司 GaN HEMT器件测试方法及装置
CN113533922A (zh) * 2021-06-07 2021-10-22 大连理工大学 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
CN114035011A (zh) * 2021-09-28 2022-02-11 无锡芯鉴半导体技术有限公司 一种高功率器件栅电荷提取测试方法
CN117928769A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 山东大学 一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102116829A (zh) * 2010-12-21 2011-07-06 杭州远方光电信息股份有限公司 一种二极管热阻测量方法及装置
CN102130159A (zh) * 2011-01-06 2011-07-20 西安电子科技大学 高电子迁移率晶体管
US20140295635A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing transistor and method of manufacturing amplifier
US9087854B1 (en) * 2014-01-20 2015-07-21 Hrl Laboratories, Llc Thermal management for heterogeneously integrated technology
CN105510794A (zh) * 2016-01-11 2016-04-20 中国电子科技集团公司第十研究所 高电子迁移率晶体管phemt热阻测试方法
CN105825005A (zh) * 2016-03-15 2016-08-03 西安电子科技大学 GaN高电子迁移率晶体管非线性可伸缩模型的构建方法
CN106529102A (zh) * 2016-12-27 2017-03-22 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102116829A (zh) * 2010-12-21 2011-07-06 杭州远方光电信息股份有限公司 一种二极管热阻测量方法及装置
CN102130159A (zh) * 2011-01-06 2011-07-20 西安电子科技大学 高电子迁移率晶体管
US20140295635A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing transistor and method of manufacturing amplifier
US9087854B1 (en) * 2014-01-20 2015-07-21 Hrl Laboratories, Llc Thermal management for heterogeneously integrated technology
CN105510794A (zh) * 2016-01-11 2016-04-20 中国电子科技集团公司第十研究所 高电子迁移率晶体管phemt热阻测试方法
CN105825005A (zh) * 2016-03-15 2016-08-03 西安电子科技大学 GaN高电子迁移率晶体管非线性可伸缩模型的构建方法
CN106529102A (zh) * 2016-12-27 2017-03-22 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
N. KILLAT ETC.: "《Temperature assessment of AlGaN/GaN HEMTs: A comparative study by Raman, electrical and IR thermography》", 《2010 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM》 *
VICE SODAN ETC.: "《Experimental Benchmarking of Electrical Methods andμ-Raman Spectroscopy for Channel Temperature Detection in AlGaN/GaN HEMTs》", 《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》 *
侯宪春等: "《SiC 基HEMTs 器件的沟道温度热仿真》", 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110400761A (zh) * 2019-06-25 2019-11-01 淮阴师范学院 一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法
CN110412447B (zh) * 2019-07-26 2022-04-22 北京工业大学 一种无损测量igbt模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法
CN110412447A (zh) * 2019-07-26 2019-11-05 北京工业大学 一种无损测量igbt模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法
CN112485626A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 中国科学院微电子研究所 一种功率器件质量等级分类方法
CN112485626B (zh) * 2019-09-11 2022-05-17 中国科学院微电子研究所 一种功率器件质量等级分类方法
CN113030683A (zh) * 2021-03-15 2021-06-25 五羊—本田摩托（广州）有限公司 一种测量功率开关器件温度的方法、介质及计算机设备
CN113358995B (zh) * 2021-05-24 2022-05-17 丽水方德智驱应用技术研究院有限公司 一种功率元器件在线结温估算方法
CN113358995A (zh) * 2021-05-24 2021-09-07 丽水方德智驱应用技术研究院有限公司 一种功率元器件在线结温估算方法
CN113533922A (zh) * 2021-06-07 2021-10-22 大连理工大学 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
CN113533922B (zh) * 2021-06-07 2022-06-14 大连理工大学 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
CN113533923A (zh) * 2021-06-17 2021-10-22 深圳天狼芯半导体有限公司 GaN HEMT器件测试方法及装置
CN114035011A (zh) * 2021-09-28 2022-02-11 无锡芯鉴半导体技术有限公司 一种高功率器件栅电荷提取测试方法
CN117928769A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 山东大学 一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法
CN117928769B (zh) * 2024-03-21 2024-05-31 山东大学 一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107833840B (zh) 2019-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107833840B (zh) AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法
Zhou et al. High temperature stability and the performance degradation of SiC MOSFETs
CN110376500B (zh) 一种功率mos器件开启过程中瞬态温升在线测量方法
CN108363849B (zh) 一种热阻提取方法及系统
Blackburn et al. Power MOSFET temperature measurements
CN107192935B (zh) 一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法
CN107783022A (zh) 高电子迁移率晶体管的热可靠性评估方法
CN103954899B (zh) 一种实时测量二极管瞬态温升的方法
Rescher et al. Threshold voltage instabilities of present SiC-power MOSFETs under positive bias temperature stress
CN103604517B (zh) 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
TW201248171A (en) A circuit used for indicating process corner and extreme temperature
CN104049666A (zh) 一种二端恒流器件
CN107797045B (zh) 一种量测晶体管自热效应及沟道平均温度变化的方法
CN109738777A (zh) 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法
Zhu et al. Static and dynamic TSEPs of SiC and GaN transistors
CN103728545A (zh) GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法
CN106646174B (zh) 一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统
Maize et al. Thermoreflectance CCD imaging of self heating in AlGaN/GaN high electron mobility power transistors at high drain voltage
Chen et al. Degradation assessment of 1.2-kV SiC MOSFETs and comparative study with 1.2-kV Si IGBTs under power cycling
CN102353886B (zh) 一种场效应晶体管自加热效应的温度测量方法
Zhang et al. Channel temperature measurement of AlGaN/GaN HEMTs by forward Schottky characteristics
CN110596560B (zh) 一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法
Malits et al. Temperature sensing circuits in CMOS-SOI technology
Zhou et al. High temperature stability evaluation of SiC MOSFETs
Chaturvedi et al. Fast near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors measured by an integrated-charge method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant