PL389930A1 - Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych A III B V - Google Patents

Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych A III B V

Info

Publication number
PL389930A1
PL389930A1 PL389930A PL38993009A PL389930A1 PL 389930 A1 PL389930 A1 PL 389930A1 PL 389930 A PL389930 A PL 389930A PL 38993009 A PL38993009 A PL 38993009A PL 389930 A1 PL389930 A1 PL 389930A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
epitaxy
beams
iii
determining
substrate temperature
Prior art date
Application number
PL389930A
Other languages
English (en)
Other versions
PL219166B1 (pl
Inventor
Kazimierz Regiński
Władysława Agata Jasik
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej filed Critical Instytut Technologii Elektronowej
Priority to PL389930A priority Critical patent/PL219166B1/pl
Publication of PL389930A1 publication Critical patent/PL389930A1/pl
Publication of PL219166B1 publication Critical patent/PL219166B1/pl

Links

PL389930A 2009-12-15 2009-12-15 Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV PL219166B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL389930A PL219166B1 (pl) 2009-12-15 2009-12-15 Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL389930A PL219166B1 (pl) 2009-12-15 2009-12-15 Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL389930A1 true PL389930A1 (pl) 2011-06-20
PL219166B1 PL219166B1 (pl) 2015-03-31

Family

ID=44201638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL389930A PL219166B1 (pl) 2009-12-15 2009-12-15 Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL219166B1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL449271A1 (pl) * 2024-07-18 2026-01-19 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni

Also Published As

Publication number Publication date
PL219166B1 (pl) 2015-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB0806850D0 (en) Method for production of wafer based solar panels
EP2544515A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A METAL-COATED SUBSTRATE
FR2973159B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat de base
EP2432001A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
GB2492444B (en) Edge-exclusion spalling method for improving substrate reusability
ZA201100048B (en) Method for the production of free carboxylic acids
PT2268587E (pt) Processo de depósito de camada fina
FR2944986B1 (fr) Procede de polissage mecano-chimique d'un substrat
LT2494293T (lt) Transportavimo su valdoma temperatūrabūdas
EP2259295A4 (en) EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT
FR2969521B1 (fr) Procede pour former des trous de passage dans un substrat a haute temperature
GB0906330D0 (en) Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate
TWI365235B (en) Method for manufacturing epitaxial wafer
FR2969664B1 (fr) Procede de clivage d'un substrat
EP2259287A4 (en) EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT
EP2417623A4 (en) PROCESS FOR SUBSTRATE PROCESSING
FI20095392A0 (fi) Menetelmä substraatin pinnan käsittelemiseksi
IL210481A0 (en) Method for cloning avian-derived antibodies
EP2402983A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING SELF TRENCH
PL2519351T3 (pl) Sposób usuwania materiału wapniowego z podłoży
EP2401231A4 (en) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICON OF SOLAR QUALITY
GB0814960D0 (en) Method for detecting dysplasia
SI2242628T1 (sl) Postopek izdelave betonskih cevi
TWI347809B (en) Method of forming measuring target for measuring dimensions of substrate in the substrate process
EP2527500A4 (en) PROCESS FOR PREPARING AN EPITACTIC CRYSTAL SUBSTRATE

Legal Events

Date Code Title Description
LICE Declarations of willingness to grant licence

Effective date: 20140925