PL449271A1 - Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni - Google Patents

Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni

Info

Publication number
PL449271A1
PL449271A1 PL449271A PL44927124A PL449271A1 PL 449271 A1 PL449271 A1 PL 449271A1 PL 449271 A PL449271 A PL 449271A PL 44927124 A PL44927124 A PL 44927124A PL 449271 A1 PL449271 A1 PL 449271A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
substrate
surface temperature
layers
calibrating
measuring
Prior art date
Application number
PL449271A
Other languages
English (en)
Inventor
Marta Sobańska
Zbigniew Ryszard Żytkiewicz
Karol Olszewski
Marek Guziewicz
Original Assignee
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki I Fotoniki
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki I Fotoniki filed Critical Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL449271A priority Critical patent/PL449271A1/pl
Publication of PL449271A1 publication Critical patent/PL449271A1/pl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/80—Calibration
    • G01J5/802—Calibration by correcting for emissivity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia przedstawionym na rysunku jest sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni UHV, a zwłaszcza techniką epitaksji z wiązek molekularnych MBE. Według sposobu przed procesem właściwej krystalizacji, na podłożu wzorcowym, identycznym jak podłoże technologiczne, na którym prowadzony będzie proces osadzania warstw, umieszcza się co najmniej dwa elementy z metalu obojętnego dla układu UHV i którego temperatura topienia jest znana. Następnie podgrzewa się to podłoże i oświetla się rozbieżną wiązką elektronów elementy metalowe, obserwując ich obraz na ekranie RHEEDE. Po zamknięciu obrazu rejestruje się temperaturę podłoża wzorcowego i na tej podstawie, w znany sposób, wyznacza się jego emisyjność. Otrzymaną wartość emisyjności zadaje się do pirometru i na tej podstawie ustala się rzeczywistą temperaturę powierzchni podłoża technologicznego.
PL449271A 2024-07-18 2024-07-18 Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni PL449271A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL449271A PL449271A1 (pl) 2024-07-18 2024-07-18 Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL449271A PL449271A1 (pl) 2024-07-18 2024-07-18 Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL449271A1 true PL449271A1 (pl) 2026-01-19

Family

ID=98430812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL449271A PL449271A1 (pl) 2024-07-18 2024-07-18 Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL449271A1 (pl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377126A (en) * 1991-09-13 1994-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate
US5564830A (en) * 1993-06-03 1996-10-15 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method and arrangement for determining the layer-thickness and the substrate temperature during coating
US20070062439A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Naoyuki Wada Temperature Control Method of Epitaxial Growth Apparatus
PL219166B1 (pl) * 2009-12-15 2015-03-31 Inst Tech Elektronowej Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377126A (en) * 1991-09-13 1994-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate
US5564830A (en) * 1993-06-03 1996-10-15 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method and arrangement for determining the layer-thickness and the substrate temperature during coating
US20070062439A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Naoyuki Wada Temperature Control Method of Epitaxial Growth Apparatus
PL219166B1 (pl) * 2009-12-15 2015-03-31 Inst Tech Elektronowej Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII BV

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940007608B1 (ko) 진공처리 장치 및 이를 이용한 성막장치와 성막방법
JP4150493B2 (ja) パターン描画装置における温度測定方法
US20150170934A1 (en) Flat wafer control
CN106165079B (zh) 处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法
US20030160972A1 (en) Method and apparatus for measuring thickness of a thin oxide layer
SE432032B (sv) Sett att odla en epitaxiell film med forutbestemd kemisk sammansettning med anvendning av molekylarstrale-epitaxi
Dorner et al. Investigations by SIMS of the bulk impurity diffusion of Ge in Si
PL449271A1 (pl) Sposób kalibracji pirometru optycznego do pomiaru temperatury powierzchni podłoża o nieznanej emisyjności podczas krystalizacji warstw w warunkach wysokiej próżni
CN117518226A (zh) 一种分子束外延中标定砷源炉束流大小的方法
US5994676A (en) Method for calibrating the temperature of an epitaxy reactor
CN118882867B (zh) 一种用于半导体设备更换高温计场景的温度补偿方法
CN112612306B (zh) 基于灰度识别的超导带材制备温度控制方法、系统及装置
CN113252195B (zh) 一种分子束外延设备中衬底温度的确定方法
US3664943A (en) Method of producing tantalum nitride film resistors
CN110140225B (zh) 用于对涂了层的基板、特别是薄膜-太阳能基板进行热处理的方法和装置
US3250605A (en) Method of manufacturing a substantially stress free cathode ray tube
CN121026380A (zh) 一种利用rheed原位测量超薄膜面内应力状态的方法
KR100234366B1 (ko) 급속 열 처리 설비의 웨이퍼 온도 측정장치 및 이를 이용한 온도측정방법
Bechthold et al. Investigation of K2CsSb photocathodes
JP3244463B2 (ja) 真空処理装置及びそれを用いた成膜装置と成膜方法
JP3244462B2 (ja) 成膜方法
Carstens et al. Approaches to an Adaptive Ion-Beam Sputtering Process
JPH04332138A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04104042A (ja) シリコン中の酸素濃度測定方法
SU1296835A1 (ru) Способ измерени толщины пленки