PL31319B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL31319B1 PL31319B1 PL31319A PL3131937A PL31319B1 PL 31319 B1 PL31319 B1 PL 31319B1 PL 31319 A PL31319 A PL 31319A PL 3131937 A PL3131937 A PL 3131937A PL 31319 B1 PL31319 B1 PL 31319B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- cell
- photoelectric cell
- photosensitive layer
- Prior art date
Links
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Description
M Znane jest przy warstwowej budowie ko¬ mórek fotoelektrycznych z ulozonymi war¬ stwami stosowanie elektrod metalowych, przepuszczajacych swiatlo. Warstwe te al¬ bo natlacza sie w postaci cieniutkiego list¬ ka na swiatloczula warstwe lub tez napyla sie ja znanym sposobem katodowym wzglednie naparowuje lub naklada jeszcze inaczej.Ta pólprzezroczysta elektroda metalowa, tzw. elektroda nakrywkowa, przepuszcza promienie swietlne, które padaja na swia¬ tloczula warstwe komórki fotoelektrycznej a zarazem dzieki wykonaniu jej z przewod¬ nika umozliwia przedostawanie sie wol¬ nych elektronów, powstajacych pod wply¬ wem promieni swietlnych, do okreslonego miejsca tej komórki.Doswiadczenia wykazaly, ze sprawnosc komórki fotoelektrycznej, zaopatrzonej w warstwe zaporowa, zalezna jest w duzej mierze od dzialalnosci prostowniczej tej warstwy zaporowej, dzialalnosc zas war¬ stwy zaporowej zalezy od materialu i wy¬ konania elektrody nakrywkowej.Stwierdzono poza tym, ze stosowane do¬ tychczas do wyrobu pólprzezroczystych e- lektrod nakrywkowych metale, np. zloto, platyna lub srebro, wzglednie inne mate¬ rialy nie nadaja sie zbytnio do otrzymania dobrej warstwy zaporowej, która by gwa¬ rantowala dostatecznie dobre zdjecia fo¬ tograficzne. Wedlug przeprowadzonych prób dzialalnosc prostownicza komórek fo¬ toelektrycznych ze znanymi elektrodami nakrywkowymi, mierzona przy najmniej-Szym napieciu powstajacym w komórce fo¬ toelektrycznej z warstwa zaporowa, jest stosunkowo bardzo mala. Te uzywane do¬ tad do wytworzenia warstwy nakrywkowej metale tworza bowiem, bedac w stalej stycznosci z pólprzewodzaca warstwa swia¬ tloczula zwiazki chemiczne, które obnizaja stopniowo coraz wiecej wlasnosci warstwy zaporowej komórek fotoelektrycznych, sprzyjajace uzyskiwaniu dobrych zdjec fotograficznych. I tak powstaje np. w ko¬ mórce fotoelektrycznej selenowej, posiada¬ jacej warstwe pólprzezroczysta z napylone¬ go zlota, pomiedzy warstwami selenu i zlo¬ ta zwiazek chemiczny zlota i selenu, który zmienia na niekorzysc wlasnosci elektrycz¬ ne tej komórki.Aby usunac te niedomagania, naklada sie wedlug wynalazku na warstwe swiatlo¬ czula komórki fotoelektrycznej najpierw pólprzezroczysta warstwe kadmu, a potem pólprzezroczysta elektrode ze zlota. Wlas¬ ciwosc zaporowa kadmu przy malych na¬ pieciach, jakie powstaja przy naswietlaniu komórki fotoelektrycznej, a z nia równiez warunki fotograficzne sa znacznie lepsze niz przy dotychczas znanych komórkach, które posiadaja tylko elektrode z napylone¬ go zlota. W przeciwienstwie do kadmu po¬ siada zloto stosunkowo duza przewodnosc, tak ze straty pradu powstajace w tych war¬ stwach sa nieznaczne. Obie warstwy nakla¬ da sie jednym ze znanych sposobów na war¬ stwe pólprzewodzaca, np. za pomoca napy¬ lania katodowego albo naparowania. Szcze¬ gólnie korzystny jest tutaj sposób napylania katodowego.Wyzej opisany nowy uklad ma jeszcze te zalete, ze przez dobór grubosci oraz ilosci pojedynczych warstw metalowych mozna oddzialywac w szerokich granicach na czu¬ losc komófek na poszczególne barwy Wid¬ ma. W dotychczas znanych komórkach re¬ guluje sie czulosc te za pomoca dodatkowo uzywanego filtru ze szkla wzglednie filtru, który przepuszcza tylko jedna albo druga barwe widma (np. niebieska albo czerwona) lub tez przez pomalowanie komórek lakie¬ rem. W nowym ukladzie osiaga sie filtro¬ wanie bez strat spowodowanych dodatko¬ wymi filtrami, a to dzieki stosowaniu dwóch elektrod nakrywkowych, skladajacych sie z róznych metali a nalozonych na warstwe swiatloczula, i dzieki ewentualnemu dobo¬ rowi grubosci tych warstw. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Komórka fotoelektryczna z elektroda¬ mi nakrywkowymi na warstwie swiatloczu¬ lej, znamienna tym, ze na swiatloczulej warstwie np. z selenu jest nalozona bezpos¬ rednio pólprzezroczysta elektroda nakryw¬ kowa z kadmu, a nastepnie elektroda ze zlota.
- 2. Komórka fotoelektryczna wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze grubosc elek¬ trody nakrywkowe) jest dobrana odpo¬ wiednio do pozadanej czulosci komórki na poszczególne barwy widma. Siiddeut sche Apparjtte- Fabrik G. m. b. H. Zastepca: inz. St. Glowacki rzecznik patentowy 40248 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL31319B1 true PL31319B1 (pl) | 1943-01-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hu et al. | Understanding the role of cesium and rubidium additives in perovskite solar cells: trap states, charge transport, and recombination | |
| US2765385A (en) | Sintered photoconducting layers | |
| Morasch et al. | Reactively magnetron sputtered Bi2 O 3 thin films: analysis of structure, optoelectronic, interface, and photovoltaic properties | |
| Schneider et al. | Evolution of photovoltaic performance in fully printable mesoscopic carbon‐based perovskite solar cells | |
| SU1301327A3 (ru) | Электролюминесцентное устройство | |
| DE2055269C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE3015362A1 (de) | Solarbatterie | |
| US4107724A (en) | Surface controlled field effect solid state device | |
| CA3032257C (en) | Secondary battery | |
| PL31319B1 (pl) | ||
| NO134847B (pl) | ||
| DE1277015B (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE2364967C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| USRE22052E (en) | Light-sensitive device | |
| KR102483904B1 (ko) | 이차 전지 및 제조 방법 | |
| US3561964A (en) | Method for production of solid state storage panels | |
| DE2250184B2 (de) | Optisches Relais, das ein photoleitendes Element enthält | |
| US4118546A (en) | Triple electrode photogalvanic cell with energy storage capability | |
| Gupta et al. | Measurement of the work function of some metals using internal voltage in MIM structures | |
| DE2028641C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsbildes und Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE2555014A1 (de) | Halbleiteranordnungen | |
| DE837424C (de) | Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten | |
| DE3227294A1 (de) | Roentgenelektrofotografisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur erzeugung eines elektrischen ladungsbildes | |
| DE2945309C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE2250689B2 (de) | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren |