PL26381B1 - Przyrzad do rozrzadu i wzmacniania pradów elektrycznych. - Google Patents
Przyrzad do rozrzadu i wzmacniania pradów elektrycznych. Download PDFInfo
- Publication number
- PL26381B1 PL26381B1 PL26381A PL2638135A PL26381B1 PL 26381 B1 PL26381 B1 PL 26381B1 PL 26381 A PL26381 A PL 26381A PL 2638135 A PL2638135 A PL 2638135A PL 26381 B1 PL26381 B1 PL 26381B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- electrodes
- distribution
- amplification
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Description
Wynalazek niniejszy dotyczy przyrzadu do rozrzadu i wzmacniania pradów elek¬ trycznych.Dotychczas stosowano do tegoi celu nie¬ mal wylacznie lampy katodowe. Natomiast dzialanie przyrzadu wedlug wynalazku jest oparte na zjawisku, wedlug którego war¬ stewki pólprzewodników na tyle cienkie, ze przez nie moze przenikac pole elektryczne pod dzialaniem pola elektrycznego prosto¬ padlego doi powierzchni tych warstewek, zmieniaja w szerokich granicach opór, jaki stawiaja pradowi elektrycznemu.Wynalazek jest wyjasniony na fig. 1.Pomiedzy eleKtroidami metalowymi 1 i 2 u- mieszczona jest cienka warstwa pólprze¬ wodnika 3, pfzez która plynie prad z bate¬ rii 4, mierzony za pomoca amperomierza 5.Ladujac elektrode 6 dodatnio lub ujemnie wzgledem warstwy 3 mozna zmieniac opor¬ nosc elektryczna tej warstwy, a tym samym i natezenie pradu, mierzone amperomie¬ rzem. Mozna równiez, przykladajac jakie¬ kolwiek napiecie zmienine do zacisków 7, rdzfczadzac pradem w obwodzie ampero¬ mierza 5. Korzystnie fest odleglosc pomie¬ dzy elektrod^ 6 i pólprzewodnikiem 3 u- czynic jaktoajmniejsza, tlp. umieszczajac pomiedzy nimi cienka warstwe izolacyjna, stosujac d!o tego celu material izolacyjny o duzej stalej dielektrycznej, np. masy cera¬ miczne, zawierajace dwutlenek tytanu, któ-rych stala dielektryczna jest wieksza od 10 i dochodzi doi 80.' Elektrody rozrzadcze, np. elektrody 6, ( moga byc umieszczone' z obydwóch stron warstwy 3. Mozna równiez kitka elektrod rozrzadczych umiescic jedna obok drugiej lub jedna nad dhiga z jednej lub z oby¬ dwóch stron warstwy pólprzewodnika, przy czym do elektrod tych moga byc przylozo¬ ne rozmaite napiecia np. w celu nalozenia na siebie kilku?roidizajów pradów zmiennych.Przyrzad do wzmacniania prjadów wedlug niniejszego wynalazku moze byc wykonany w ten sposób, ze na plytce izola¬ cyjnej zostaje umieszczona warstwa pól¬ przewodnika, a nastepnie wszystkie war¬ stwy izolacyjne i elektrody kolejno jedna po drugiej przez osadzanie par tych mate¬ rialów luib droga rozpylania katodbwego.Najodpowiedniejsza grubosc warstwy pól¬ przewodnika zalezy od przewodnosci pól¬ przewodnika i powinna byc wyznaczona dla kazdego materialu oddzielnie droga prób.Im wieksza jest przewodnosc pólprzewod¬ nika, tym ciensza powinna byc warstwa.Przyklad wykonania przyrzadu wedlug wynalazku jest przedstawiony na fig. 2.Polozenie poszczególnych czesci przyrzadu jest uwidocznione na fig. 2a w przekroju powiekszonym, natomiast na fig. 2b czesci te sa uwidocznione dla lepszej przejrzysto¬ sci w perspektywie i sa rozstawione. War¬ stwa pólprzewoidnika 3 jest polaczona z o- bydwiema elektrodami metalowymi 1 i 2, sluzacymi do przylaczainia obwodu baterii 4, natomiast od elektrod rozrzadczych 6 warstwa ta jest oddzielona warstwami 8 z materialu izolacyjnego!. Zamiast stalego materialu izolacyjnego mozna stosowac izo¬ lacje powietrzna lub prózniowa.Pod nazwa pólprzewodnika nalezy ro¬ zumiec takie materialy, jak telur, jod, tle¬ nek miedziawy, pieciotlenek wanadowy itd.Do zastosowania wedlug wynalazku nadaja sie równiez takie przewodniki, w których w przewodzeniu, elektrycznosci uczestnicza puste miejsca po elektronach, pozornie e- lektrony dodatnie, wskutek czego te prze¬ wodniki wykazuja ujemne zjawisko Halla, to znaczy, ze kierunek spadku potencjalu w warstewce przewodnika, przez która przeplywa prad, jest takir jak gdyby war¬ stewka przeplywaly ladunki dodatnie, pod¬ czas gdy przy dodatnim zjawisku Halla kie¬ runek spadku potencjalu pozwala wywnio¬ skowac o istnieniu ruchu ladunków ujem¬ nych. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Przyrzad do rozrzadu i wzmacnia¬ nia pradów elektrycznych, znamienny tym, ze sklada sie z waskiej, cienkiej warstwy pólprzewodnika (3) w ksztalcie paska, za¬ opatrzonego z obydwóch szerszych boków w elektrod^ (1, 2) doi przylaczenia pradu elektrycznego, oraz z umieszczonych na o- bu powierzchniach warstwy pólprzewodni¬ ka i odizolowanych od pólprzewodnika jed¬ nej lub kilku elektrod rozrzadczych (6).
- 2. Przyrzad wedlug zastrz. 1, zna¬ mienny tym, ze warstwa izolacyjna (8), u- mieszczona pomiedzy warstwa pólprzewod¬ nika (3) i elektrodami rozrzadczymi (6), posiada duza stala dielektryczna. Oskar HeiL Zastepca: M. Skrzypkowski, rzecznik patentowy.Do opisu patentowego Nr 26381. Flg.1 Fig.2 (2J . 7^^ / / _ -^0Z gssaB' _^ r-p-p?1^ _^ ^^^^ Druk L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL26381B1 true PL26381B1 (pl) | 1938-04-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US1949383A (en) | Electronic device | |
| JP2014513390A5 (pl) | ||
| EP0389397A3 (en) | Apparatus for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams | |
| Johnson | Secondary electron emission from targets of barium-strontium oxide | |
| Spear | Electron bombardment effects in thin dielectric layers | |
| PL26381B1 (pl) | Przyrzad do rozrzadu i wzmacniania pradów elektrycznych. | |
| JPH046459A (ja) | ガスセンサー | |
| Schuldiner et al. | Studies of Time‐Potential Changes on an Electrode Surface during Current Interruption: I. Zinc‐Steel Couple in Synthetic Sea Water | |
| US1238660A (en) | Electric discharge apparatus. | |
| Webster et al. | Secondary electron emission from metals under positive ion bombardment in high extractive fields | |
| Gao et al. | Effect of temperature on charge mobility in oil-paper insulation | |
| Williams | High electric fields in sodium chloride | |
| Schmidt | Electrical discharges in high vacuum | |
| US2179673A (en) | Electrical gaseous discharge device | |
| US3160797A (en) | Electric circuit element comprising an asymmetric couple of ionic conductors | |
| US2844740A (en) | Multiple spark gap switch | |
| Briancin et al. | Environmental pollution monitoring on high-voltage insulators | |
| Kobayashi et al. | Effect of acetophenone on the space charge evolution in LDPE and LLDPE | |
| Modlin et al. | Apparatus for producing controlled positive or negative corona discharge for semiconductor materials processing | |
| SU1670367A1 (ru) | Способ измерени толщины окисной пленки жидких металлов | |
| US3248644A (en) | Apparatus for measuring positive and negative ion currents in the atmosphere | |
| SU1045177A1 (ru) | Устройство дл испытани защитных диэлектрических покрытий полупроводниковых приборов | |
| Pedrow et al. | Plasma Density Measurements Using a Double Langmuir Probe in a Prototype Vaccuum ARC Fault Current Limiter | |
| SU987493A1 (ru) | Датчик контрол распределени влаги в тонкой изол ции | |
| SU381045A1 (ru) | Устройство для непрерывного контроля электрической прочности электроизоляционной |