Изобретение относитс к измерительной технике и может быть исполь зовано дл испытаний на электриче.скую прочность диэлектрических покры тий, примен емых дл защиты поверхности р-п переходов полупроводниковых приборов. Известно устройство дл испытани защитных диэлектрических покрытий , содержащее цилиндрический металлический электрод, на поверхности которого расположено исследуемое диэлектрическое покрытие, на поверх ности которого размещены кольцевые металлические электроды fl . Однако данное устройство не позвол ет проводить испытани диэлектр ков при воздействи х тепловых и электрических полей, аналогичныйте которые возникают в диэлектриках полупроводниковых приборов. Кроме того, данное устройство практически непригодно дл испытани диэлектриков на сохран емость электрической прочности при длительных .термополевых и электрических воздействи х. Поэтому при выборе диэлектрического материала дл{1 защиты поверхности : полупроводника в полупроводниковом приборе помимо испытани в устройстве дополнительно -осуществл ютс испытани диэлектрического материала на сохран емость электрической прочности при длительных термополевых и электрических воздействи х непосредственно в системе полупроводникового прибора. Это делает испытани дорогосто щими/ .длительными и, главное, снижает достоверность полученных результатов из-за вли ни на них параметров самого полупроводникового прибора. Таким образом, использование данного устройства дл исследовани электри ческой прочности диэлектрика требует при выборе материала защитного покрыти большого объема дополнител ных испытаний материала в полупроводниковых приборах и при этом не обеспечивает достоверный выбор материала защитного покрыти с точки зрени его длительной работоспособности в Системе полупроводникового прибора. Известно устройство дл испытани защитных ди-электрических покрытий полупроводниковых приборов, содержа щее систему плоских круговых металлических электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрыти С2 . Данное устройство осуществл ет испытани диэлектриков при длительных термополевых и электрических воздействи х, однако оно не позвол ет проводить испытани диэлектрика в услови х, максимально приближенны к тем, в которых находитс диэлектрик при работе в системе полупроводникового прибора, .так кстк величк намаксимальной напр женности пол , создаваемого в диэлектрике, ограничиваетс пробоем по воздушному зазору меж;;у электродами, а форма электрического пол ,не соответствует той, котора возникает диэлектрике при его работе в приборе. Кроме того, с помощью данного устройства трудно регулировать объем выборки диэлектрического материала, который необходимо подвергнуть воздействию электрических нагрузок дл того, чтобы оценить его способность обеспечить требуемую надежность полупроводникового прибора, т.е. получаемые результаты испьттаний не обеспечивают возможность достоверного выбора материала защитного покрыти . Цель изобретени - повышение достоверности результатов испытаний защитных диэлектрических покрытий полупроводниковых приборов. Указанна цель достигаетс тем, что в устройство, содержащее систему плоских закругленных металлических электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрыти , введена подложка из диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде п прот женных центральных электродов, по обе стороны каждого из которых размещены m боковых электродов, при этом подложка расположена на системе электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию, выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковыми и центральными электродами, величина указанных зазоров равна ширине области объемного зар да на поверхности р-п .перехода полупроводникового прибора, а его прот женность периметру- р-п перехода, причем удельноесопротивление подложки определ етс из соотношени : l ioo, где Ягг Яд узельные сопротивлени подложки и исследуемого диэлектрического покрыти согответственно . На чертеже приведено предлагаемое устройство. На диэлектрическую подложку 1, например., из ситалла или другого материала, удовлетвор ющего требовани м по удельному сопротивлению и механической прочности устройства, с помощью вакуумного напылени наноситс контактный металл или система металлов, имеюща хорошую адгезию к подложке.. С помощью фотолитографин на металле вытравливаетс рисунок, представл ющей собой .изол рованные один от другого металличе кие электроды. Центральный электро 2 выполнен в виде полосы шириной 1 мм и длиной, ограниченной- только . размерами подложки. С обеих сторон от общего электрода расположены боковые электроды 3 таким образом, что наход щиес одна против другой стороны центрального электрода 2 и каждого из боковых электродов 3 параллельны друг другу. Количество центральных электродов 2 определ етс геометрическими размерами уст ройства, а общее число боковых эле тродов 3. выбираетс равным величин выборки полупроводниковых приборов при испытани х на гар антийную нара ботику. Каждый электрод 2 и 3 имеет контактную площадку 4, к которой припаиваютс выводы испытательной схемы. После присоединени выводов к контактным площадкам 4 на металлический рисунок сверху наноситс , покрытие 5 из исследуемого, -диэлек трика с выступами 6. После полимеризации диэлектрика - образовани диэлектрической пластины - устройс во готово к испытани м. Дл высоко вольтных полупроводниковых приборов , в которых должен быть приме - йен исследуемый диэлектрик, объем выборки на гарантийную наработку составл ет .75 шт. приборов, следовательно , количество боковых электродов , необходимое, дл достоверной оценки качества диэлектрического материала, должно быть не менее 75. Рассто ние Е между соседними боковыми , электродами 3 выбираетс больше величины зазора d.между соот ветствующими боковыми 3 и центральными 2 электродами. Толщина D подложки 1 должна не менее чем .в два раза превышать толщину L исследуемого покрыти 5. Оба указанных услови обеспечивают оптимальное распределение пол в устройстве. Дл испытани диэлектриков к центральному 2 и боковым 3 электродам прикладываетс напр жение через контактные площадки 4 такой величины, чтобы обеспечить испытание диэлектрика при необходимой напр женности электрического пол , соответствующего возникающему в приборе. Размещение электродов 2 и 3 между подложкой 1 и покрытием 5 из исследуемого диэлектрика, соотношение их удеЛьных сопротивлений и форма электродов 2 и 3 позвол ют проводить испытани диэлектрических покрытий при значительных напр женност х электрического пол (до 10 В/см). Толщина подложки 1 обеспечивает с одной стороны необходимую механическую прочность устройства, а с другой оптимальное распределение силовых линий электрического пол . Таким образом, предлагаемое уст ройство осуществл ет испытани диэлектрических материалов, примен емых дл защиты полупроводниковых приборов, в услови х и при воздействи х , наиболее приближенных к тем, в которых находйтс диэлектрик в системе прибора,что позвол ет с большей достоверностью оценивать сохран емость электрической прочности диэлектриков после длительных термополевых и электрических воздействий, так как исключаетс вли ние параметров полупроводниковых приборов на получаемые результаты. При этом снижаетс трудоемкость испытаний на длительную работоспособность диэлектрических материалов, так как они ведутс непосредственно на самом материале без использовани полупроводниковых приборов, а также сокращаетс врем , необходимое дл достоверного выбора материала защитного покрыти (врем изготовлени данного устройства значительно меньше времени , изготовлени партии полупроводниковый .приборов, покрытых исследуемым . д-иэлектриком ). Испытани диэлектриков в предлагаемом устройстве провод тс по тем же методикам, с теми же критери ми оценки качества-, ко.торые существуют дл полупроводниковых приборов, что исключает необходимость вы влени , коррелл ции между полученными результатам.} и параметрами диэлектриков , обеспечивающими длительную работоспособность приборов и проведени двойных испытаний - в испытательном устройстве и на приборе) при выборе диэлектрического материала.
+И
(