PL26311B1 - Komórka fotoelektryczna z pólprzewodzaea warstwa selenowa. - Google Patents
Komórka fotoelektryczna z pólprzewodzaea warstwa selenowa. Download PDFInfo
- Publication number
- PL26311B1 PL26311B1 PL26311A PL2631135A PL26311B1 PL 26311 B1 PL26311 B1 PL 26311B1 PL 26311 A PL26311 A PL 26311A PL 2631135 A PL2631135 A PL 2631135A PL 26311 B1 PL26311 B1 PL 26311B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semi
- metal
- selenium layer
- cell
- conductive
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017807 phytochemicals Nutrition 0.000 description 1
- 229930000223 plant secondary metabolite Natural products 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Description
Niektóre znane komórki fotoelektrycz- ne z pólprzewodzaca warstwa selenowa posiadaja warstwe selenowa, która jest spojona z plytka podstawowa, wykonana z metalu z grupy zelaza, i przeksztalcona ze stanu bezpositaciowegtoi na szary stan kry¬ staliczny za pomoca róznych procesów ter¬ micznych, po czym wolna powierzchnie se¬ lenu pokrywa sie przezroczysta blona me¬ talowa.Gdy promienie paldaja na powloke se¬ lenowa przez przezroczysta blonke meta¬ lowa, powstaje sila elektromotoryczna, proporcjonalna db natezenia promieni, pa¬ dajacych na komórke.Znane selenowe komórki fotoelektrycz- ne sa umieszczone w jednej oslonie razem z czulym przyrzadem magnetoelektrycz- nym, który stanowi w tym przypadku mier¬ nik jasnosci. W zespole tego rodzaju ob¬ wód magnetyczny miernika moze z latwo¬ scia podlegac wplywowi plytki zelaznej.Komórka fotoelektryczna wedlug wy¬ nalazku1 usuwa te niedogodnosc zespolów znanej komórki z ruchomym przyrzadem magnetoelektrycznym.W tym celu w komórce foitoelektrycz- nej plytka] podstalwowa, z która jest spo¬ jona pólprzewodzaea powloka, a zwlaszcza warstwa selenowa, jest wykonana z lek¬ kiego metalu, pokrytego cienka warstewka metalu grupy zelaza. Poniklowana plytka glinowa nadaje sie specjalnie jakb metal poldstawowy komórki fotoelektrycznej we-dlug niniejszego wynalazku. W celu otrzy- malnia lepszego styku pomiedzy plytka podisfctfwowa i warltwa selenowa, z która nalezy spoic te plytke, plytce glinowej na¬ daje sie przed niklowaniem odpowiednia chropowatosc mechanicznie lub chemicz¬ nie.Plytka glinowa powinna byc powleczo¬ na metalem gnipy zelaza w celu otrzyma¬ nia malej olpoimosci stykowej pomiedzy plytka podstawowa i powloka glinowa.Gdyby powloka selenowa byla spojona bezposrednio z glinowa plytka podisrtawo- wa, to tlenek, pokrywajapy plytke glinowa, wytworzylby wielka opornosc pomiedzy plytka podstawowa i poiwloka selenowa.Niklowanie glimowej plytki podstawo- wej powinno byc wykonane wedliig jednej ze marnych metod, aby pomiedzy ta plytka i wanstwa glinowa nie mogla wytworzyc sie warstewka tlenku.W takiej komórce z plytka metalowa, wykonana z lekkiego metalu, uklad magne¬ tyczny przyrzadu z ruchoma cewka nie mo¬ ze podlegac wplywowi tej plytki. Ponadto komórka wedlug wynalazku w porównaniu ze znaina kóimórka posiada w dodatku te zalete, ze jest lzejsza.Komórka wedlug niniejszego wynalaz¬ ku przewyzsza równiez znane komórki fo- toelektryczne z zelazna plytka podstawo¬ wa i w innych przypadkach, np. w zespole komórki fotoelektrycznej z igla magne¬ tyczna. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Komórka; fotoelektryczna z pólprze- wodzaca warstwa selenowa, w której war¬ stwa pólpirzewodlzapa jest scisle spoijona z metalowa plytka podstawowa, przy czym wolna powierzchnia tej warstwy jest pokry¬ ta przezroczysta blona metalowa, znamien¬ na tym, ze plytka podstawowa jest wyko¬ nana z lekkiego metalu, pokrytego meta¬ lem grupy zelaza.
- 2. Komórka fotoelektryczna z pólprze- wodzaca warstwa selenowa wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze plytka podstawowa z lekkieglo metalu przed pokryciem jej me¬ talem grupy zelaza jest uczyniona! chropo¬ wata mechanicznie lub chemicznie. Siiddeutsche A p par a te - Fabrik G. m. b. H. Zastepca: M. Skrzypkowski, rzecznik patentowy. Druk L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL26311B1 true PL26311B1 (pl) | 1938-04-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1288852C (en) | Stable ohmic contacts to thin films of p-type tellurium-containing ii-vi semiconductors | |
| ES8305812A1 (es) | Un procedimiento para la preparacion de un recubrimiento infusible e insoluble sobre una superficie | |
| US3297418A (en) | Magnetic thin film element and method of manufacture | |
| KR840006119A (ko) | 폴리(아릴렌 설파이드)프린트 회로판의 제조방법 | |
| US3174855A (en) | Method for a production of a xerographic plate | |
| Miksic et al. | The Relationship Between Coercivity and the Structure and Composition of Electroless Cobalt‐Phosphorus Films | |
| PL26311B1 (pl) | Komórka fotoelektryczna z pólprzewodzaea warstwa selenowa. | |
| US3907650A (en) | Photosensitive binder layer for xerography | |
| US3717504A (en) | Magnetic recording medium | |
| Kennard et al. | An effect of light upon the contact potential of selenium and cuprous oxide | |
| Sallo et al. | Magnetic Electrodeposits of Cobalt‐Phosphorus | |
| Jagielinski | Magnetic and galvanomagnetic properties of amorphous CoZr thin films | |
| US3377599A (en) | Electrosensitive recording apparatus | |
| JPS54140505A (en) | Production of magnetic recording medium | |
| US4232104A (en) | Substrates for use in screen photosensitive element | |
| Freitag et al. | Electrodeposited Ni‐Fe‐As Magnetic Thin Films | |
| US3549418A (en) | Magnetic recording films of cobalt | |
| JPS5771518A (en) | Magnetic recording medium | |
| Sargrove | The AC behaviour of the barrier layer photo cell | |
| Azumi et al. | Analysis of transient photocurrent in passivated iron electrode in neutral borate solution | |
| JPS5771519A (en) | Magnetic recording medium | |
| Elmore et al. | Cobalt‐Nickel Electrolytes Containing Phosphite or Benzoate Additive Developed for Magnetic Plating | |
| Liebermann et al. | Are Dead Layers Real? | |
| Scott et al. | The Solid-State Reaction of Copper and Tin: An Assessment of the Value of an Iron Barrier Layer | |
| JPS6213065B2 (pl) |