PL248615B1 - Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o powiększonej stromości zboczy i zwiększonym tłumieniu pozapasmowym - Google Patents

Abstract

Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o powiększonej stromości zboczy i tłumieniu pozapasmowym charakteryzuje się tym, że między innymi wykonany jest w technice mikropaskowej na dwóch zewnętrznych powierzchniach podłoży dielektrycznych, których wewnętrzne powierzchnie połączone są wspólną metalizowaną warstwą masy tworząc trzywarstwowy obwód drukowany, na zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) wykonane są: pierwsza linia mikropaskowa (L1), druga linia mikropaskowa (L2), trzecia linia mikropaskowa (L3), czwarta linia mikropaskowa (L4), piąta linia mikropaskowa (L5), szósta linia mikropaskowa (L6) i siódma linia mikropaskowa (L7), a także rozmieszczone są: pierwsza dioda pojemnościowa (D1), druga dioda pojemnościowa (D2), trzecia dioda pojemnościowa (D3), czwarta dioda pojemnościowa (D4) wraz z przelotkami (V1), (V2) i rezystorami (R1), (R2), na zewnętrznej powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego wykonane są: ósma linia mikropaskowa, dziewiąta linia mikropaskowa, dziesiąta linia mikropaskowa, jedenasta linia mikropaskowa, dwunasta linia mikropaskowa i trzynasta linia mikropaskowa, a także rozmieszczone są: piąta dioda pojemnościowa i szósta dioda pojemnościowa, wraz z przelotkami i rezystorem.

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o powiększonej stromości zboczy i zwiększonym tłumieniu pozapasmowym, przeznaczony do bloków wejściowych i preselektorów odbiorników mikrofalowych o szerokim zakresie przestrajania.

Dotychczas znane są sposoby realizacji planarnych filtrów pasmowoprzepustowych polegające na zastosowaniu linii mikropaskowych, paskowych lub koplanarnych, które służą do budowy rezonatorów sprzężonych wzajemnie. Galwanicznie sprzężenia rezonatorów lub sprzężenia wykorzystuje się poprzez pole elektromagnetyczne. Efekt przestrajania poszczególnych rezonatorów występujących w filtrze uzyskuje się poprzez zmianę długości elektrycznej tworzących je linii transmisyjnych. W tym celu wykorzystywane są włączone w poszczególne rezonatory elementy reaktancyjne. Do elektrycznego przestrajania filtrów jako zmienne reaktancje stosowane są diody pojemnościowe lub kondensatory MEMS. Istotną cechą filtrów pasmowoprzepustowych jest wpływająca na właściwości selektywne filtrów stromość zboczy ich charakterystyk częstotliwościowych w pasmach przejściowych.

Jedną z wykorzystywanych metod zwiększania stromości zboczy filtrów pasmowoprzepustowych jest wprowadzenie do charakterystyki filtru dodatkowych biegunów tłumienia, występujące w charakterystyce częstotliwościowej filtru, które uzyskuje się przez dodawanie do struktury filtru sekcji pasmowozaporowych, łączne dodawanie sekcji górno- i dolnoprzepustowych, dodawanie zwartych lub rozwartych na końcu odcinków linii transmisyjnych o korzystnie dobranych długościach elektrycznych, lub przez wprowadzenie do struktury filtru wielokrotnych sprzężeń pomiędzy jego rezonatorami.

Zagadnieniem technicznym wymagającym rozwiązania jest opracowanie nowego, innowacyjnego układu trzyobwodowego przestrajanego planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o powiększonej stromości zboczy paśmie przejściowym i zwiększonym tłumieniu w paśmie zaporowym.

Cel ten osiągnięto poprzez zastosowanie w strukturze filtru trzyobwodowego podwójnych sprzężeń indukcyjnych występujących pomiędzy wszystkimi rezonatorami i rozmieszczeniu elementów filtru na dwóch podłożach dielektrycznych oddzielonych warstwą masy, dzięki czemu możliwe jest uzyskanie dwóch biegunów tłumienia położonych poniżej dolnej częstotliwości granicznej i powyżej górnej częstotliwości granicznej filtru co skutkuje znaczną poprawą stromości charakterystyki w pasmach przejściowych oraz zwiększeniem tłumienia pozapasmowego.

Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o powiększonej stromości zboczy i tłumieniu pozapasmowym charakteryzuje się tym, że wykonany jest w technice mikropaskowej na dwóch zewnętrznych powierzchniach podłoży dielektrycznych, których wewnętrzne powierzchnie połączone są wspólną metalizowaną warstwą masy tworząc trzywarstwowy obwód drukowany, na zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego wykonane są: pierwsza linia mikropaskowa, druga linia mikropaskowa, trzecia linia mikropaskowa, czwarta linia mikropaskowa, piąta linia mikropaskowa, szósta linia mikropaskowa i siódma linia mikropaskowa, a także rozmieszczone są: pierwsza dioda pojemnościowa, druga dioda pojemnościowa, trzecia dioda pojemnościowa, czwarta dioda pojemnościowa wraz z przelotkami i pierwszym i drugim rezystorem, na zewnętrznej powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego wykonane są: ósma linia mikropaskowa, dziewiąta linia mikropaskowa, dziesiąta linia mikropaskowa, jedenasta linia mikropaskowa, dwunasta linia mikropaskowa i trzynasta linia mikropaskowa, a także rozmieszczone są: piąta dioda pojemnościowa i szósta dioda pojemnościowa, wraz z przelotkami i trzecim rezystorem, sygnały pomiędzy elementami rozmieszczonymi na obu powierzchniach są przeprowadzane za pomocą pierwszej i drugiej przelotki sygnałowej, przy czym wrota wejściowe filtru stanowią pierwszy koniec pierwszej linii, drugi koniec pierwszej linii dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca drugiej linii oraz do pierwszego końca pierwszej przelotki sygnałowej przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego, przy czym pierwsza linia ułożona jest pod kątem prostym względem drugiej linii, która zagięta jest pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, a drugi koniec drugiej linii dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca trzeciej linii oraz do pierwszego końca czwartej linii, drugi koniec trzeciej linii dołączony jest do masy układu poprzez pierwszą przelotkę, drugi koniec czwartej linii zagiętej pod kątem prostym w dwóch korzystnie wybranych punktach, dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej, której katoda połączona jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej oraz do pierwszego doprowadzenia pierwszego rezystora, natomiast anoda drugiej diody dołączona jest jednocześnie do pierwszego końca piątej linii, oraz do pierwszego końca szóstej linii, drugi koniec piątej linii dołączony jest do masy układu poprzez drugą przelotkę, drugi koniec szóstej linii zagiętej pod kątem prostym w dwóch korzystnie wybranych punktach, dołączony jest do pierwszego końca siódmej linii, której drugi koniec dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej, której katoda dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej oraz do pierwszego doprowadzenia drugiego rezystora, natomiast anoda czwartej diody dołączona jest do pierwszego końca drugiej przelotki sygnałowej przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego, gdzie drugi koniec pierwszej przelotki sygnałowej przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego dołączony jest do anody piątej diody pojemnościowej, której katoda dołączona jest jednocześnie do katody szóstej diody pojemnościowej oraz do pierwszego doprowadzenia trzeciego rezystora, anoda szóstej diody dołączona jest do pierwszego końca ósmej linii, której drugi koniec dołączony jest do pierwszego końca dziewiątej linii, której drugi koniec dołączony jest jednocześnie do jest do pierwszego końca dziesiątej linii oraz do pierwszego końca jedenastej linii oraz do pierwszego końca dwunastej linii, drugi koniec dziesiątej linii dołączony jest do masy układu za pomocą trzeciej przelotki, drugi koniec jedenastej linii dołączony jest do masy układu za pomocą czwartej przelotki, drugi koniec dwunastej linii dołączony jest jednocześnie do drugiego końca drugiej przelotki sygnałowej przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego oraz do pierwszego końca trzynastej linii, której drugi koniec jest dołączony do wrót wyjściowych układu, przy czym drugi koniec pierwszego rezystora oraz drugi koniec drugiego rezystora oraz drugi koniec trzeciego rezystora dołączone są do napięcia sterującego.

Zaletą rozwiązania według wynalazku jest możliwość zastosowania filtru o dużym zakresie przestrajania, którego charakterystyka częstotliwościowa posiada dwa bieguny tłumienia występujące w górnym i dolnym paśmie przejściowym. Występowanie dodatkowych biegunów tłumienia zwiększa stromości zboczy charakterystyki filtru. Częstotliwości biegunów tłumienia i częstotliwość środkowa filtru są przestrajane współbieżnie przy zachowaniu w całym zakresie przestrajania stałego stosunku częstotliwości biegunów tłumienia do częstotliwości środkowej filtra. Uzyskanie w charakterystyce filtru dodatkowych biegunów osiągnięto dzięki zastosowaniu w strukturze filtru trzyobwodowego podwójnych sprzężeń indukcyjnych występujących pomiędzy wszystkimi rezonatorami. Występujące w układzie filtru szeregowe połączenie diod pojemnościowych i linii mikropaskowych pozwala na uzyskanie dużego zakresu przestrajania dzięki wchłonięciu indukcyjności własnych diod i pracę w zakresie częstotliwości zbliżonym do częstotliwości rezonansu własnego diod. Konstrukcja filtra złożona z trzech rezonatorów pozwala na wytłumienie pasożytniczych pasm przepustowych drogą zróżnicowania konstrukcji poszczególnych rezonatorów. Dzięki właściwemu rozmieszczeniu elementów tworzących układ filtru na jednym z dwóch podłoży dielektrycznych, które są odseparowane od siebie za pomocą płaszczyzny masy, możliwe jest uzyskanie zwiększonego tłumienia filtru w paśmie zaporowym.

Przedmiot wynalazku objaśniono w przykładzie wykonania na rysunku, na którym Fig. 1 przedstawia rozmieszczenie linii mikropaskowych, przelotek diod pojemnościowych i rezystorów stanowiących elementy filtru położone na powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego, Fig. 2 przedstawia rozmieszczenie linii mikropaskowych, przelotek diod pojemnościowych i rezystora stanowiących elementy filtru położone na powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego, a Fig. 3 przedstawia jednocześnie wzajemne rozmieszczenie elementów filtru znajdujących się na obu podłożach w widoku z góry.

Układ jest trzyobwodowym filtrem pasmowoprzepustowym wykonanym w technice mikropaskowej z trzynastu odcinków linii mikropaskowych rozmieszczonych na dwóch zewnętrznych powierzchniach dwóch podłoży dielektrycznych, których wewnętrzne powierzchnie połączone są wspólną metalizowaną warstwą masy. Oba podłoża dielektryczne połączone wspólną warstwą masy są trzywarstwowym obwodem drukowanym, którego wewnętrzna metalizowana warstwa jest masą układu. Pierwsza linia (L1), druga linia (L2), trzecia linia (L3), czwarta linia (L4), piąta linia (L5), szósta linia (L6) oraz siódma linia (L7) wykonane są na zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) co przedstawiono na Fig. 1. Na powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) rozmieszczone są również diody (D1), (D2), (D3), (D4), oraz rezystory (R1), (R2). Ósma linia (L8), dziewiąta linia (L9), dziesiąta linia (L10), jedenasta linia (L11), dwunasta linia (L12) oraz trzynasta linia (L13) wykonane są na zewnętrznej powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) co przedstawiono na Fig. 2. Na powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) rozmieszczone są również diody (D5), (D6) oraz rezystor (R3). Wzajemne położenie linii mikropaskowych wchodzących w skład filtru umieszczonych na obu powierzchniach oraz pozostałych wymienionych wcześniej elementów przedstawiono z pominięciem płaszczyzny masy w widoku od góry na Fig. 3. Elementami łączącymi elektrycznie części filtru rozmieszczone na obu powierzchniach (PD1) i (PD2) są dwie przelotki sygnałowe (Vs1) i (Vs2) przechodzące z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) przedstawionej na Fig. 1 na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) przedstawioną na Fig. 2. Przelotki te nie mają połączenia z masą układu.

Sygnał doprowadzony jest do pierwszego końca (KL1-1) linii (L1), który stanowi wrota wejściowe (WWE) filtru. Drugi koniec (KL1-2) tej linii dołączony jest do pierwszego końca (KVs1-1) przelotki sygnałowej (Vs1). Pierwszy rezonator filtru zbudowany jest z połączonych linii (L2), (L3), (L8), (L9), (L10), (L11), z diod pojemnościowych (D5), (D6), przelotek łączących do masy (V1), (V3), (V4) oraz przelotki sygnałowej (Vs1) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) przedstawionej na Fig. 1 na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) przedstawioną na Fig. 2. Linia (L2) o korzystnie dobranej długości wraz z linią (L1) są elementami pozwalającymi na prawidłowe dopasowanie impedancji źródła sygnału dołączonego do wrót wejściowych (WWE) układu. ‘

Elementy tworzące pierwszy rezonator połączone są pierścieniowo. Pierwsza przelotka sygnałowa (Vs1) przechodzi z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2). Jej pierwszy koniec (KVs1-1) dołączony jest do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) zaś jej drugi koniec (KVs1-2) dołączony jest do anody piątej diody pojemnościowej (D5).

Drugi koniec (KL2-2) drugiej linii (L2) dołączony jest do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3), drugi koniec (KL3-2) trzeciej linii (L3) dołączony jest do masy układu poprzez pierwszą przelotkę (V1).

Katoda piątej diody pojemnościowej (D5) dołączona jest do katody szóstej diody pojemnościowej (D6). Anoda szóstej diody pojemnościowej (D6) dołączona jest do pierwszego końca (KL8-1) ósmej linii (L8), której drugi koniec (KL8-2) dołączony jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii (L9), której drugi koniec (KL9-2) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL11-1) jedenastej linii (L11). Drugi koniec (KL10-2) dziesiątej linii (L10) dołączony jest do masy układu za pomocą trzeciej przelotki (V3), drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do masy układu za pomocą czwartej przelotki (V4).

Drugi rezonator filtru zbudowany jest z połączonych linii (L3), (L4), (L5), oraz z diod pojemnościowych (D1), (D2) i przelotek (V1), (V2) łączących do masy układu. Elementy tworzące drugi rezonator połączone są pierścieniowo. Drugi koniec (KL3-2) trzeciej linii (L3) dołączony jest do masy układu poprzez pierwszą przelotkę (V1). Pierwszy koniec (KL3-1) trzeciej linii (L3) dołączony jest do pierwszego końca (KL4-1) czwartej linii (L4). Drugi koniec (KL4-2) czwartej linii (L4), dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), której katoda połączona jest do katody drugiej diody pojemnościowej (D2). Anoda drugiej diody (D2) dołączona jest do pierwszego końca (KL5-1) piątej linii (L5). Drugi koniec (KL5-2) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu poprzez drugą przelotkę (V2).

Trzeci rezonator filtru zbudowany jest z połączonych linii (L5), (L6), (L7), (L10), (L11), (L12) oraz z diod pojemnościowych (D3), (D4) przelotek (V2), (V3), (V4) łączących z masą układu oraz z oraz przelotki sygnałowej (Vs2) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) przedstawionej na Fig. 1 na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) przedstawioną na Fig. 1.

Elementy tworzące trzeci rezonator połączone są pierścieniowo. Drugi koniec (KL5-2) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu poprzez drugą przelotkę (V2). Pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest do pierwszego końca (KL6-1) szóstej linii (L6). Drugi koniec (KL6-2) tej linii dołączony jest do pierwszego końca (KL7-1) siódmej linii (L7), której drugi koniec (KL7-2) dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), której katoda połączona jest do katody czwartej diody pojemnościowej (D4). Anoda czwartej diody pojemnościowej (D4) dołączona jest do pierwszego końca (KVs2-1) drugiej przelotki sygnałowej (Vs2). Drugi koniec (KVs2-2) tej przelotki dołączony jest do drugiego końca (KL12-2) dwunastej linii (L12). Pierwszy koniec (KL12-1) tej linii dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL11-1) jedenastej linii (L11). Drugi koniec (KL10-2) dziesiątej linii (L10) dołączony jest do masy układu za pomocą trzeciej przelotki (V3), drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do masy układu za pomocą czwartej przelotki (V4). Linia (L13) wyprowadza sygnał od przelotki sygnałowej (Vs2) będącej elementem trzeciego rezonatora do wrót wyjściowych układu (WWY) w taki sposób, że jej pierwszy koniec (KL13-1) dołączony jest do drugiego końca (KVs2-2) drugiej przelotki sygnałowej (Vs2) a jej drugi koniec (KL13-2) dołączony jest do wrót wyjściowych układu (WWY). Linia (L12) o korzystnie dobranej długości waz z linią (L13) są elementami pozwalającymi na prawidłowe dopasowanie impedancji obciążenia dołączonej do wrót wyjściowych (WWY układu.

Linia (L3) wraz z przelotką (V1) stanową obwód sprzęgający rezonatory pierwszy i drugi. Połączone równolegle linie (L10), (L11), wraz z przelotkami (V3), (V4) stanowią obwód sprzęgający rezonatory pierwszy i trzeci. Linia (L5) wraz z przelotką (V2) stanową obwód sprzęgający rezonatory drugi i trzeci.

Zastosowanie wymienionych obwodów sprzęgających umożliwia uzyskanie w charakterystyce częstotliwościowej filtru dwóch biegunów tłumienia występujących w jej górnym i dolnym paśmie przejściowym.

Dzięki korzystnemu rozmieszczeniu linii mikropaskowych tworzących układ filtru na jednej z dwóch zewnętrznych powierzchni dwóch warstw dielektrycznych, które są odseparowane od siebie za pomocą płaszczyzny masy możliwe jest uzyskanie zwiększonego tłumienia filtru w paśmie zaporowym.

Rezonatory pierwszy i trzeci są zbudowane z połączonych w identyczny sposób sześciu odcinków linii: (L2), (L3), (L8), (L9), (L10), (L11) występujących w rezonatorze pierwszym oraz (L5), (L6), (L7), (L10), (L11), (L12) występujących w rezonatorze trzecim. Rezonator drugi jest zbudowany z trzech odcinków linii (L3), (L4), (L5) o innych niż pozostałe wartościach długości i impedancji charakterystycznych - to zróżnicowanie konstrukcji linii wchodzących w skład rezonatorów pozwala na uzyskanie wytłumienia pasożytniczych pasm przepustowych filtru. Linie (L2), (L4) i (L6) są wygięte pod kątem prostym w korzystnie dobranych punktach w celu uzyskania połączenia w pętlę linii (L2), (L4), (L6), (L7), (L8) (L9), (L12) wraz z diodami pojemnościowymi (D1), (D2), (D3), (D4), (D5), (D6) i przelotkami sygnałowymi (Vs1), (Vs2).

Filtr przestrajany jest napięciem (VD) doprowadzonym przez rezystory (R1), (R2) i (R3) do trzech par diod pojemnościowych połączonych ze sobą katodami: pary (D1) i (D2) oraz pary (D3) i (D4) oraz pary (D5) i (D6). Drugie końce rezystorów (R1), (R2) i (R3) odpowiednio (KR1-2), (KR2-2) i (KR3-2) są jednocześnie dołączone do napięcia (VD). Pierwszy koniec (KR1-1) rezystora (R1) dołączony jest do połączonych katod diod pojemnościowych (D1) i (D2). Pierwszy koniec (KR2-1) rezystora (R2) dołączony jest do połączonych katod diod pojemnościowych (D3) i (D4). Pierwszy koniec (KR1-3), rezystora (R3) dołączony jest do połączonych katod diod pojemnościowych (D5) i (D6).

Claims (1)

1. Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o powiększonej stromości zboczy i tłumieniu pozapasmowym, znamienny tym, że wykonany jest w technice mikropaskowej na dwóch zewnętrznych powierzchniach podłoży dielektrycznych, których wewnętrzne powierzchnie połączone są wspólną metalizowaną warstwą masy tworząc trzywarstwowy obwód drukowany, na zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) wykonane są: pierwsza linia mikropaskowa (L1), druga linia mikropaskowa (L2), trzecia linia mikropaskowa (L3), czwarta linia mikropaskowa (L4), piąta linia mikropaskowa (L5), szósta linia mikropaskowa (L6) i siódma linia mikropaskowa (L7) a także rozmieszczone są: pierwsza dioda pojemnościowa (D1), druga dioda pojemnościowa (D2), trzecia dioda pojemnościowa (D3), czwarta dioda pojemnościowa (D4) wraz z przelotkami (V1), (V2) i rezystorami (R1), (R2), na zewnętrznej powierzchni drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) wykonane są: ósma linia mikropaskowa (L8), dziewiąta linia mikropaskowa (L9), dziesiąta linia mikropaskowa (L10), jedenasta linia mikropaskowa (L11), dwunasta linia mikropaskowa (L12) i trzynasta linia mikropaskowa (L13) a także rozmieszczone są: piąta dioda pojemnościowa (D5) i szósta dioda pojemnościowa (D6), wraz z przelotkami (V3), (V4) i rezystorem (R3), sygnały pomiędzy elementami rozmieszczonymi na obu powierzchniach są przeprowadzane za pomocą przelotek sygnałowych (Vs1), (Vs2), przy czym wrota wejściowe (WWE) filtru stanowią pierwszy koniec (KL1-1) pierwszej linii (L1), drugi koniec (KL1-2) pierwszej linii (L1) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) oraz do pierwszego końca (KVs1-1) pierwszej przelotki sygnałowej (Vs1) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2), przy czym pierwsza linia (L1) ułożona jest pod kątem prostym względem drugiej linii (L2), która zagięta jest pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, a drugi koniec (KL2-2) drugiej linii (L2) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3) oraz do pierwszego końca (KL4-1) czwartej linii (L4), drugi koniec (KL3-2) trzeciej linii (L3) dołączony jest do masy układu poprzez pierwszą przelotkę (V1), drugi koniec (KL4-2) czwartej linii (L4) zagiętej pod kątem prostym w dwóch korzystnie wybranych punktach, dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), której katoda połączona jest jednocześnie do katody drogiej diody pojemnościowej (D2) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR1-1) pierwszego rezystora (R1), natomiast anoda drugiej diody (D2) dołączona jest jednocześnie do pierwszego końca (KL5-1) piątej linii (L5), oraz do pierwszego końca (KL6-1) szóstej linii (L6), drugi koniec (KL5-2) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu poprzez drugą przelotkę (V2), drugi koniec (KL6-2) szóstej linii (L6) zagiętej pod kątem prostym w dwóch korzystnie wybranych punktach, dołączony jest do pierwszego końca (KL7- 1) siódmej linii (L7), której drugi koniec (KL7-2) dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), której katoda dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej (D4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR2-1) drugiego rezystora (R2), natomiast anoda czwartej diody (D4) dołączona jest do pierwszego końca (KVs2-1) drugiej przelotki sygnałowej (Vs2) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2), gdzie drugi koniec (KVs1-2) pierwszej przelotki sygnałowej (Vs1) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) dołączony jest do anody piątej diody pojemnościowej (D5), której katoda dołączona jest jednocześnie do katody szóstej diody pojemnościowej (D6) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR3-1) trzeciego rezystora (R3), anoda szóstej diody (D6) dołączona jest do pierwszego końca (KL8-1) ósmej linii (L8), której drugi koniec (KL8-2) dołączony jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii (L9), której drugi koniec (KL9-2) dołączony jest jednocześnie do jest do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL12-1) jedenastej linii (L11) oraz do pierwszego końca (KL12-1) dwunastej linii (L12), drugi koniec (KL10-2) dziesiątej linii (L10) dołączony jest do masy układu za pomocą trzeciej przelotki (V3), drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do masy układu za pomocą czwartej przelotki (V4), drugi koniec (KL12-2) dwunastej linii (L12) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KVs2-2) drugiej przelotki sygnałowej (Vs2) przechodzącej z zewnętrznej powierzchni pierwszego podłoża dielektrycznego (PD1) na zewnętrzną powierzchnię drugiego podłoża dielektrycznego (PD2) oraz do pierwszego końca (KL13-1) trzynastej linii (L13), której drugi koniec (KL13-2) jest dołączony do wrót wyjściowych układu (WWY), przy czym drugi koniec (KR1-2) pierwszego rezystora (R1) oraz drugi koniec (KR2-2) drugiego rezystora (R2) oraz drugi koniec (KR3-2) trzeciego rezystora (R3) dołączone są do napięcia sterującego (VD).