PL24622B1 - Sposób wytwarzania powloki tlenkowej na przedmiotach glinowych lub ze stopów - Google Patents

Description

Znane jest wytwarzanie na przedmio¬ tach glinowych lub na przedmiotach ze sto¬ pu glinowego powloki tlenkowej przez ob¬ róbke roztworem kwasu chromowego. Wy¬ twarzanie powloki tlenkowej przeprowadza sie elektrolitycznie,) stosujac na ogól niskie napiecie stale, najlepiej mniej wiecej 20 V, i podwyzszona temperature, najmniej 65°C.Wiadomo równiez, ze wyglad i wlasci¬ wosci wytworzonej w ten sposób powloki tlenkowej sa zalezne od stezenia roztworu kwasu chromowego. Tak np. przy uzyciu roztworów stezonych zawierajacych okolo 20% kwasu chromowego otrzymuje sie po¬ wloki tlenkowe o bialawym spodzie, pod¬ czas gdy przy uzyciu rozcienczonych np. 3% -owych kapieli kwasu chromowego mo¬ ga byc otrzymane powloki tlenkowe o poly¬ sku metalicznym.Badanie tego znanego sposobu wykaza¬ lo, ze w wielu, przypadkach pomimo zasto¬ sowania tego samego stezenia roztworu kwasu chromowego i jednakowych warun¬ ków elektrycznych otrzymuje sie rózne po¬ wloki tlenkowe. Powloki róznia sie znacz¬ nie pod wzgledem przezroczystosci, a co zatem idzie — metalicznego polysku.Dokladne badanie tego spostrzezenia doprowadzilo do wniosku, ze jako przyczy¬ ne tego zjawiska nalezy uwazac zwykle nieznaczna zawartosc kwasu siarkowego, jako tez inne zanieczyszczenia zwyklego,znajdujacego sie w handlu ky^asu chromo¬ wego.Okazalo sie mianowicie — i n,aVtym po- 4 J lega wynalazek — ze wlasciwosci powloki tlenkowej, zwlaszcza jej przezroczystosc,* a w zwiazku z tym — metaliczny polysk przedmiotu, moga byc ustalone naprzód w szerokim zakresie, jezeli bedzie sie dawko¬ walo odpowiednio zawartosc zanieczysz¬ czen w kapieli kwasu chromowego, zwla¬ szcza ilosc kwasu siarkowego. Naprzyklad przy uzyciu kapieli przyrzadzonych z tech¬ nicznego kwasu chromowego, zawierajace¬ go, jak wiadomo, kilka dziesiatych procen¬ tu kwasu siarkowego i slady innych zanie¬ czyszczen, otrzymuje sie powloki mleczne.Jezeli natomiast zmniejszy sie albo powie¬ kszy zawartosc kwasu siarkowego, to osia¬ ga sie zwiekszenie przezroczystosci powlo¬ ki tlenkowej. Mozna przy tym otrzymac po¬ wloki tlenkowe o najwiekszej przezroczy¬ stosci, a wiec z najwiekszym polyskiem me¬ talicznym, z takich kapieli z kwasu chro¬ mowego, które zawieraja okolo 2% kwasu siarkowego w stosunku do bezwodnika kwasu chromowego.Wynik doswiadczen, bedacych podsta¬ wa wynalazku, jest przedstawiony na ry¬ sunku. Na osi odcietych oznaczone sa ilosci zanieczyszczen, zwlaszcza kwasem siarko¬ wym, w stosunku do ilosci bezwodnika kwa¬ su chromowego, a na osi rzednych — sto¬ pien przezroczystosci powlok tlenkowych w* dowolnie obranej jednostce. Punkty a — h polaczone ze soba za pomoca kreskowa¬ nej krzywej K odpowiadaja nastepujacym zawartosciom kapieli uzywanych do wytwa¬ rzania warstw utlenionych.Punkt a przedstawia wynik doswiad¬ czenia z technicznym kwasem chromowym, uwolnionym calkowicie, o ile daje sie stwierdzic, od kwasu siarkowego za pomo¬ ca dodatku weglanu baru. Polozenie punk¬ tu a wykazuje, ze w tym przypadku uzy¬ skano sredni stopien przezroczystosci po¬ wloki tlenkowej. Okazalo sie, ze takie war¬ stwy nadaja sie bardzo dobrze jako no¬ snik substancji swiatloczulych ukladanych yl porach powloki tlenkowej. Na tak obro¬ bionym przedmiocie glinowym, np. plycie, moga byc wytwarzane obrazy fotogra¬ ficzne, i Punkt b przedstawia wynik w razie za¬ stosowania chemicznie czystego kwasu chromowego znajdujacego sie w handlu.Widac, ze w tym przypadku przezroczy¬ stosc jest znacznie mniejsza niz w punkcie a. Punkty c i 4 L odpowiadaja , kapielom z technicznego kwasu chromowego, w któ¬ rych zawartosc kwasu siarkowego zostala poprzednio obnizona przez dodanie wegla¬ nu strontowego wzglednie wapniowego. Jest rzecza widoczna, ze w tym przypadku sto¬ pien przezroczystosci powloki tlenkowej, a zatem polysk metaliczny utlenionych przed¬ miotów glinowych, jest nieco mniejszy niz w punkcie 6.Punkt e uzyskano stosujac techniczny kwas chromowy, znajdujacy sie wi handlu i zawierajacy kilka dziesiatych procentu kwasu siarkowego (w przyblizeniu 0,1 — 0|5%) oprócz innych zanieczyszczen. W tym przypadku polysk utlenionych przed¬ miotów glinowych znika prawie calkowicie.Wytworzone powloki tlenkowe maja wy¬ glad wyraznie matowy. Wskutek tego punkt e oznaczono na osi odcietych.Jezeli powiekszyc ilosc kwasu siarkowe¬ go w kapieli w stosunku do ilosci bezwod¬ nika kwasu chromowego, wówczas bardzo znacznie zwieksza sie przezroczystosc po¬ wloki tlenkowej. Tak np. w punkcie /, któ¬ ry odpowiada ilosci kwasu siarkowego w kapieli wynoszacej mniej wiecej 1,4% w stosunku do ilosci bezwodnika kwasu chro mowego, przezroczystosc warstwy powloki tlenkowej, a tym samym polysk metaliczny obrobionych przedmiotów glinowych jest wiekszy, niz polysk, odpowiadajacy punk¬ towi a.Okazalo sie, ze stosujac roztwór o za¬ wartosci kwasu siarkowego wynoszacej — 2 —mniej ifriehej (2%\ odpowiadajacy punktowi g krzywej K, uzyskuje sie najwiekszy sto¬ pien przezroczystosci powloki tlenkowej o- raz najwiekszy polysk przedmiotów glino¬ wych odpowiadajacy mniej wiecej polysko¬ wi polerowanej powierzchni glinowej. Po¬ lozenie punktu h, otrzymanego przy zawar¬ tosci kwasu siarkowego wynoszacej w przy¬ blizeniu 2,3% i wykazuje, ze dalsze zwiek¬ szanie stezenia kwasu siarkowego w kapie¬ li kwasu chromowego nie powoduje juz dalszego zwiekszenia sie polysku.Sposób wedlug wynalazku nadaje sie wskutek pochlanialnosci powlok tlenko¬ wych do wytwarzania przedmiotów, które po zalozeniu swiatloczulych substancji w pory powloki tlenkowej moga byc uzywa¬ ne jako papiery fotograficzne lub plyty fo¬ tograficzne. Mozna równiez wytwarzac na takich plytkach jakiekolwiek obrazy przez farbowanie lub malowanie powloki wytwo¬ rzonej sposobem wedlug wynalazku. PL

Claims (4)

1. Zastrzezenia patentowe. 1. Sposób wytwarzania powloki tlen¬ kowej na przedmiotach glinowych lub ze stopów glinowych przez elektrolize .w roz¬ tworach kwasu chromowego, znamienny tym, ze stosuje sie roztwór kwasu chromo¬ wego zawierajacy okreslone ilosci kwasu siarkowego.
2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie kapiel z kyrasu chromo¬ wego stanowiaca roztwór technicznego kwasu chromowego oczyszczonego za po¬ moca weglanu barowego, dzieki czemu o- trzymuje sie powloki o srecjniej przezro¬ czystosci.
3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamien¬ ny tym, ie stosuje sie kapiele z kwasu chromowego o zawartosci kwasu siarkowe¬ go wynoszacej mniej wiecej 2% w stosunku do ilosci bezwodnika kwasu chromowego, dzieki czemu otrzymuje sie powloke tlen¬ kowa o silnym polysku.
4. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamien¬ ny tym, ze uzywa sie kapieli z roztworu technicznego kwasu chromowego o zawar¬ tosci okolo 0,1 — 0,5% j kwasu siarkowego, dzieki czemu otrzymuje sie matowa powlo¬ ke tlenkowa. Siemens & Halske Aktiengesellschaft. Zastepcai Inz. dypl. M. Zoch, rzecznik patentowy.Do opisu patentowego Nr 24622. •< c ±<* O & Ti V Druk L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL