PL244585B1 - Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych - Google Patents
Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych Download PDFInfo
- Publication number
- PL244585B1 PL244585B1 PL438920A PL43892021A PL244585B1 PL 244585 B1 PL244585 B1 PL 244585B1 PL 438920 A PL438920 A PL 438920A PL 43892021 A PL43892021 A PL 43892021A PL 244585 B1 PL244585 B1 PL 244585B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- copper
- weight
- hcoo
- formate
- binding phase
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 43
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 20
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 125000003916 ethylene diamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 organic salts Chemical class 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych, w szczególności w wytwarzaniu obwodów, ścieżek i elementów elektroprzewodzących w obwodach elektroniki strukturalnej, który charakteryzuje się tym, że składa się z 60 - 73% wag. proszku miedzi o uziarnieniu 5 - 25 µm, 5 - 30% wag. nasyconego roztworu mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) w aminie, oraz wodnego roztworu gliceryny (C3H5(OH)3) w ilości nie większej niż 4% wag.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych, w szczególności w wytwarzaniu obwodów, ścieżek i elementów elektroprzewodzących w obwodach elektroniki strukturalnej.
Jedną z metod wytwarzania elektroniki strukturalnej jest naprzemienne nanoszenie materiału strukturalnego i elektronicznego w każdej z warstw, aż do wykonania całego produktu. Głównym wyzwaniem w tej technice jest uzyskanie wysokich właściwości elektrycznych (zwłaszcza przewodności) oraz ograniczenie kosztów produkcji. Litymi materiałami o najwyższej przewodności elektrycznej są metale, jednak istniejące na rynku systemy do addytywnego wytwarzania warstw metalicznych wymagają stosowania materiałów strukturalnych (podłoży) o dużej odporności termicznej, takich jak ceramika. Pociąga to za sobą wysokie koszty zarówno urządzenia (oparte są one o lasery wysokiej mocy), jak i materiałów - elektronika na podłożach ceramicznych stosowana jest tylko do specjalnych zastosowań, takich jak urządzenia medyczne i wojskowe. Podłożami najczęściej stosowanymi w elektronice są polimery, ze względu na ich niewielki koszt i bardzo dobre właściwości dielektryczne.
Istnieje także wiele metod ich addytywnego wytwarzania, jednak większość tych materiałów w temperaturze powyżej 300°C ulega degradacji. Konieczne więc jest opracowanie sposobu wytwarzania metalicznych warstw w temperaturze poniżej 300°C. Metalami o najwyższej przewodności są srebro (63 MS/m), miedź (60 MS/m) i złoto (41 MS/m), lecz srebro i złoto są zdecydowanie droższe od miedzi (kolejno o dwa i cztery rzędy wielkości), więc najbardziej odpowiednim metalem byłaby miedź. Głównym mechanizmem łączenia metalu przy wytwarzaniu addytywnym jest jego miejscowe spiekanie lub przetapianie, więc pewnym rozwiązaniem tego problemu może być zastosowanie nanoproszków metali, które charakteryzują się znacznie niższą temperaturą topnienia, w stosunku do litych postaci. Wytwarzanie nanoproszków metali jest jednak procesem mało wydajnym, przez co materiały te są nawet kilkanaście razy droższe niż lity metal. Ponadto, nanoproszki miedzi ulegają spontanicznemu utlenieniu w powietrzu, więc ich przechowywanie i przetapianie musiałoby być przeprowadzone w atmosferze ochronnej, co utrudnia cały proces i podnosi jego koszty.
Istnieją związki miedzi, np. sole organiczne, które pod wpływem podwyższonej temperatury rozpadają się do czystej miedzi i pozostałości gazowych. Ponadto temperatura tego rozpadu, jest znacznie niższa niż temperatura topienia miedzi np. mrówczan miedzi rozpada się w ok. 230°C, a miedź topi się w ok. 1085°C. Z tego powodu związki te (sole metaloorganiczne) badane są jako główny składnik jednorodnych tuszy na potrzeby elektroniki drukowanej.
Z opisu patentowego nr US6770122 B2 znany jest sposób osadzania miedzi ze związku kompleksowego mrówczanu miedzi. Sposób ten prowadzi jednak do wytworzenia jednorodnej warstwy miedzi, a nie fazy wiążącej. Ponadto nie znane są właściwości elektryczne tak wytworzonej warstwy. Wytwarzane są one poprzez nanoszenie na podłoże związku kompleksowego pędzlem lub przez zanurzenie, a następnie ogrzanie całości do temperatury poniżej 200°C.
Znane są z publikacji niepatentowej Y. Dong, Z. Lin, X. Li, Q. Zhu, J. Li, X. Sun, J. Mater. Chem. C, 2018, 6, 6406-6415 warstwy miedzi utworzone z kompleksowych związków. Posiadają one bardzo niską rezystywność (jeden rząd wielkości większą niż czysta miedź) i powstały w oparciu o mrówczan miedzi oraz mono- i diaminy. Warstwy te powstały jednak z jednorodnej miedzi, wytworzonej z kompleksowego związku metaloorganicznego. Wytwarzane są przez powlekanie obrotowe lub nanoszenie pisakiem na wytrzymałym termicznie tworzywie (taśmie poliimidowej), a następnie wygrzewanie w temperaturze poniżej 200°C. Kompleksowe związki miedzi, na bazie których powstają metaliczne warstwy, zostały też opisane w artykule W. Xu, T. Wang, Langmuir, 2017, 33, 82-90. Przedstawione tam warstwy posiadały rezystancję prawie sześciokrotnie większą o litej miedzi na podłożu z poliimidu i trzynastokrotnie większą na podłożach z polinaftelenu etylenu (PEN) i politereftalenu etylenu (PET). Przedstawiony materiał bazował jedynie na mrówczanie miedzi, alkoholu i aminie lub mieszaninie amin. Metaliczne warstwy powstały jednak jedynie z jednorodnej m iedzi pochodzącej ze związku metaloorganicznego i wytwarzane były poprzez nanoszenie pipetą i ogrzewanie w piecu próżniowym do temperatury 160-180°C.
Warstwy z kompleksowych związków miedzi znane są z pracy Y. Farraj, A. Smooha, A. Kamyshny, S. Magdassi, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 8766-8773. Posiadają one bardzo niską rezystywność (prawie 5 razy większą niż czysta miedź) i powstały w oparciu o mrówczan miedzi i monoaminę. Warstwy te powstały jednak z jednorodnej miedzi, wytworzonej z kompleksowego związku metaloorganicznego, a jako substancję wiążącą wykorzystano tam poliwinylopirolidon. Wykonywane są one przez sitodruk lub druk strumieniowy na polinaftelenie etylenu (PEN) lub na podłożu wykonanym addytywnie z materiału VeroBlue. Metaliczna warstwa uzyskiwana jest przez rozpad wspomagany plazmą (argonową lub azotową).
Miedziane warstwy z kompleksowych związków metaloorganicznych zostały opisane w publikacji W. Li, L. Li, Y. Gao, D. Hu, C. Li, H. Zhang, J. Jiu‘ S. Nagao, K. Suganuman, J Alloys Compd 2018, 732, 240-247. Warstwy te posiadają bardzo niską rezystancję (3,5 razy większą niż czysta miedź) i powstają z materiału zawierającego submikronowy proszek miedzi oraz związek mrówczanu miedzi i monoaminy. Warstwy te powstawały przez nanoszenie materiału przez szablon na podłoża poliimidowe, a następnie dwuetapowe spiekanie: najpierw poprzez ogrzanie do temperatury 140°C w atmosferze obojętnej, a następnie naświetleniu próbki przez 2 ms intensywnym światłem o energii dochodzącej do 3,3 J/cm2. Zastosowanie tak drobnych ziaren (o wymiarze rzędu kilkuset nm) i przedstawionej procedury spiekania, spowodowało, że związek metaloorganiczny w tym materiale pełnił formę topnika, a cały proces przypomina spiekanie w fazie stałej. Zarówno sposób nanoszenia jak i spiekania nie jest możliwy do zastosowania przy wytwarzaniu elektroniki strukturalnej.
Uzyskiwanie obwodów drukowanych ze związków kompleksowych miedzi zostało przedstawione w pracy H. Min, B. Lee, S. Jeong, M. Lee, Opt Laser Technol, 2017, 88, 128-133. Przedstawiony sposób pozwalał na uzyskanie linii o szerokości ok. 11 μm i rezystywności ok. 50 razy wyższej niż lita miedź. Obwód ten powstał przez powlekanie obrotowe tuszu na bazie mrówczanu miedzi, monoaminy i alkoholu izopropylowego na foliach poliimidowych, szkle lub szkle pokrytym tlenkiem indu cyny, selektywną pirolizę tuszu poprzez skanowanie laserem UV o mocy ok. 5W w atmosferze obojętnej, a następnie wypłukaniu nieutwardzonego tuszu alkoholem izopropylowym.
Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych, składa się z 60-73% wag. proszku miedzi o uziarnieniu 5-25 μm, 5-30% wag. nasyconego roztworu mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) w aminie, oraz wodnego roztworu gliceryny (C3Hs(OH)3) w ilości nie większej niż 4% wag.
Korzystnie, aminą jest etylenodiamina (C2H4(NH2)2).
Korzystnie, materiał zawiera 61,54% wag. proszku miedzi (Cu), 23,57% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2) i 14,89% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2).
Równie korzystnie, materiał zawiera 71,43% wag. proszku miedzi (Cu), 13,08% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2), 11,92% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) i 3,57% wag. gliceryny (C3Hs(OH)3).
Rozwiązanie obniża koszty produkcji układów i elementów elektronicznych wbudowanych w struktury konstrukcyjne. Technologia może być wdrożona przy małych kosztach inwestycyjnych w urządzenia i materiały do produkcji. Zastosowanie tego materiału, w porównaniu do materiałów opartych na srebrze, zwiększa też niezawodność całych układów, gdyż miedź posiada zdecydowanie mniejszą zdolność do elektromigracji i tworzenia rezystywnych warstw międzymetalicznych z pozostałymi komponentami.
Rozwiązanie według wynalazku zostało ujawnione w przykładach wykonania poniżej.
Przykład 1
Opracowana pasta składa się z dwóch frakcji: stałej - proszku miedzi oraz roztworu mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) w etylenodiaminie (C2H4(NH2)2). Do 23,57% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2) trzykrotnie dodano po 4,96% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) i po każdym dodaniu mieszaninę mieszano przez okres 2 h z wykorzystaniem mieszalnika magnetycznego lub mechanicznego. Następnie dodano 61,54% wag. proszku miedzi (Cu) i całą mieszaninę ucierano w ucieraku moździerzowym przez 30 minut. W opracowanym sposobie, otrzymana pasta nakładana była na wykonane addytywn ie podłoże polimerowe, za pomocą druku bezpośredniego tj. wytłaczania pasty z poruszającej się strzykawki i igły dozującej, a następnie, piroliza indukowana była pod wpływem promieniowania laserowego o mocy 7,6 W i długości fali z zakresu bliskiej podczerwieni (980 nm), skanującego selektywnie powierzchnię z prędkością ok. 1 m/min. Zaobserwowano rezystancję warstwy na poziomie 0,29 mΩ/□.
Przykład 2
Do 13,08% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2) dwukrotnie dodano po 4,18% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) i po każdym dodaniu mieszaninę mieszano w temperaturze pokojowej przez okres 2 h z wykorzystaniem mieszalnika magnetycznego lub mechanicznego. W osobnym naczyniu w 3,57% wag. gliceryny (C3Hs(OH)3) rozpuszczono 3,57% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2). Gliceryna zapewniła odpowiednią reologię dla otrzymania pasty o lepkości ok. 1 Pa-s. Następnie do 71,43% wag.
proszku miedzi (Cu) dodano etylenodiaminę z mrówczanem miedzi oraz glicerynę z mrówczanem miedzi i całą mieszaninę ucierano w ucieraku moździerzowym przez 30 minut. W opracowanym sposobie, otrzymana pasta nałożona została na wykonane addytywnie podłoże polimerowe, za pomocą druku bezpośredniego tj. wytłaczania pasty z poruszającej się strzykawki i igły dozującej, a następnie, piroliza indukowana była pod wpływem promieniowania laserowego o mocy 7,2 W i długości fali z zakresu bliskiej podczerwieni (980 nm), skanującego selektywnie powierzchnię z prędkością ok. 1 m/min. Zaobserwowano rezystancję warstwy na poziomie 0,17 mΩ/□.
Claims (4)
1. Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych, znamienny tym, że składa się z 60-73% wag. proszku miedzi o uziarnieniu 5-25 μm, 5-30% wag. nasyconego roztworu mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) w aminie, oraz wodnego roztworu gliceryny (C3Hs(OH)3) w ilości nie większej niż 4% wag.
2. Materiał według zastrz. 1, znamienny tym, że aminą jest etylenodiamina (C2H4(NH2)2).
3. Materiał według zastrz. 1, znamienny tym, że zawiera 61,54% wag. proszku miedzi (Cu),
23,57% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2) i 14,89% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2).
4. Materiał według zastrz. 1, znamienny tym, że zawiera 71,43% wag. proszku miedzi (Cu),
13,08% wag. etylenodiaminy (C2H4(NH2)2), 11,92% wag. mrówczanu miedzi (Cu(HCOO)2) i 3,57% wag. gliceryny (C3Hs(OH)3).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL438920A PL244585B1 (pl) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL438920A PL244585B1 (pl) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL438920A1 PL438920A1 (pl) | 2023-03-13 |
| PL244585B1 true PL244585B1 (pl) | 2024-02-12 |
Family
ID=85480546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL438920A PL244585B1 (pl) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL244585B1 (pl) |
-
2021
- 2021-09-10 PL PL438920A patent/PL244585B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL438920A1 (pl) | 2023-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11699632B2 (en) | Methods for attachment and devices produced using the methods | |
| CN104812175B (zh) | 金属糊料和油墨 | |
| Kang et al. | Sintering of inkjet-printed silver nanoparticles at room temperature using intense pulsed light | |
| US7553512B2 (en) | Method for fabricating an inorganic resistor | |
| JP6975055B2 (ja) | ハイブリッドナノ銀／液体金属インク組成物およびその使用 | |
| US6951666B2 (en) | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features | |
| KR20050033513A (ko) | 저점도 전구체 조성물 및 전도성 전자 형상의 증착 방법 | |
| US20140287159A1 (en) | Conductive paste formulations for improving adhesion to plastic substrates | |
| Eun et al. | Electromechanical properties of printed copper ink film using a white flash light annealing process for flexible electronics | |
| US20200010707A1 (en) | Method of finishing a metallic conductive layer | |
| TWI784320B (zh) | 燒結組成物、其製造和使用方法及其用途 | |
| Nguyen et al. | Nitrocellulose-stabilized silver nanoparticles as low conversion temperature precursors useful for inkjet printed electronics | |
| PL244585B1 (pl) | Materiał z metaliczną fazą wiążącą do zastosowań w technikach addytywnych | |
| KR20190112803A (ko) | 열 안정성이 개선된 분자 잉크 | |
| CN102119064A (zh) | 复合纳米粒子及其制造方法 | |
| CN108140442B (zh) | 聚合物厚膜铜导体组合物的光子烧结 | |
| Keck et al. | Low-temperature sintering of nanometal inks on polymer substrates | |
| KR102217021B1 (ko) | 전도성 고분자를 포함하는 솔더 조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴 결합 방법 | |
| CN108140445B (zh) | 可焊接的聚合物厚膜铜导体组合物的光子烧结 | |
| Putaala et al. | Characterization of laser-sintered thick-film paste on polycarbonate substrates | |
| TWI842810B (zh) | 電子零件及其製造方法 | |
| JP7072812B2 (ja) | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物 | |
| JP2020139223A (ja) | 焼結体の製造方法、焼結体および発光装置の製造方法 |