PL235503B1 - Przepływowa matryca detektorowa - Google Patents
Przepływowa matryca detektorowa Download PDFInfo
- Publication number
- PL235503B1 PL235503B1 PL405333A PL40533313A PL235503B1 PL 235503 B1 PL235503 B1 PL 235503B1 PL 405333 A PL405333 A PL 405333A PL 40533313 A PL40533313 A PL 40533313A PL 235503 B1 PL235503 B1 PL 235503B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- channel
- structures
- matrix
- detection
- flow
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000197727 Euscorpius alpha Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest przepływowa, monolityczna matryca detektorowa, stosowana w chromatografii gazowej lub cieczowej, wykorzystująca detekcję promieniowania jonizującego, zwłaszcza detekcję cząstek alfa. Matryca charakteryzuje się tym, że przynajmniej część kanału (3), przez który przepływa badany gaz lub ciecz, znajduje się w tym samym w tym samym elemencie półprzewodnikowym (1, 2), co znajdujące się na zewnątrz kanału przepływowego (3) struktury detekcyjne. W elemencie (1, 2) może znajdować się także czujnik temperatury i/lub inne struktury, mierzące parametry fizyczne.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest przepływowa, matryca detektorowa, stosowana w chromatografii gazowej lub cieczowej, a wykorzystująca detekcję promieniowania jonizującego, zwłaszcza detekcję cząstek alfa.
Istotnym problemem w matrycach tego typu jest powierzchnia nieaktywna (martwa) znajdująca się na połączeniu struktur. Zmniejszanie powierzchni nieaktywnej jest rozwiązywane poprzez optymalizację konstrukcji samej matrycy oraz przez zabiegi technologiczne stosowane w procesie wytwarzania struktur.
Znane są matryce liniowe, najczęściej wykonywane w postaci prostopadłościennego kanału o długość kilkunastu czy kilkudziesięciu cm., w którym, na długości matrycy, rozmieszczone są szeregowo pojedyncze struktury detektorowe lub też monolityczne struktury zawierające po kilka detektorów.
W matrycach zawierających monolityczne, kilkuelementowe struktury detektorowe obszar nieaktywny matrycy jest znacznie mniejszy gdyż występuje tylko w miejscu łączenia struktur monolitycznych a więc znacznie rzadziej niż w matrycach złożonych z pojedynczych struktur.
Wadą takiego rozwiązania, pomimo zmniejszenia obszaru „martwego”, jest występowanie w dalszym ciągu obszarów nieaktywnych, uniemożliwiających obserwowanie w sposób ciągły rozkładu przestrzennego atomów pierwiastków promieniotwórczych.
Z patentu PL 211633, znana jest hybrydowa matryca detektorowa posiadająca kanał, pełniący także funkcję obudowy, wewnątrz którego znajdują się umieszczone w rzędach wieloelementowe struktury detektorowe. Obecność i rodzaj pierwiastków promieniotwórczych wykrywana jest przez detektory umieszczone w kanale. W matrycy tej, miejsce połączenia wieloelementowych struktur detektorowych w jednym rzędzie, jest przesunięte w stosunku do miejsca połączenia struktur wieloelementowych w rzędzie sąsiadującym. Dlatego też przepuszczane przez kanał gazy lub ciecze zawierające pierwiastki (atomy) emitujące promieniowanie jonizujące detekowane są z większą efektywnością (max. 97%). Taka efektywność nie jest jednak zadawalająca dla zastosowań związanych z wykrywaniem pojedynczych atomów, sztucznych pierwiastków z rodziny transaktynowców. Nawet występowanie niewielkiej powierzchni nieaktywnej (tzw. powierzchni martwej), którą stanowią ścianki boczne kanału oraz brzegowe części struktur detektorowych jest niepożądane, ponieważ ogranicza pewność wyniku prowadzonej analizy.
Inną istotną wadą matryc hybrydowych jest tłumienie przez obudowę promieniowania beta emitowanego przez badane substancje.
Celem wynalazku jest opracowanie matrycy o takiej konstrukcji, która nie posiadałaby powierzchni nieaktywnej (tzw. powierzchni martwej) i umożliwiałaby detekcję promieniowania beta.
Przepływowa matryca detektorowa według wynalazku posiada kanał przez który przepływa badany gaz lub ciecz oraz struktury detekcyjne. W matrycy tej, przynajmniej część kanału przez który przepływa badany gaz lub ciecz, znajduje się w tym samym elemencie półprzewodnikowym co znajdujące się na zewnątrz kanału przepływowego struktury detekcyjne. Korzystnie jest jeżeli w tym samym elemencie półprzewodnikowym, w którym znajdują się struktury detekcyjne znajduje się struktura do pomiaru temperatury i/lub inne struktury mierzące parametry fizyczne.
Matryca według wynalazku nie posiada powierzchni nieaktywnej i umożliwia detekcję promieniowania beta.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania pokazanym na rysunku. Fig. 1 przedstawia matrycę w przekroju z widocznym kanałem. Na Fig. 2 pokazany jest schemat rozmieszczenia poszczególnych elementów matrycy, a na Fig. 3 przedstawiono układ detekcyjny z przepływową, monolityczną matrycą detektorową umożliwiający detekcję pełnego widma promieniowania jonizującego to znaczy promieniowania alfa, beta i gamma.
W przykładzie wykonano krzemową, 64-elementową (2 x 32 elementy), przepływową matrycę do detekcji cząstek alfa o energii do 16 MeV. Matryca ta składa się z dwóch bliźniaczych, połączonych ze sobą (metodą bondingu) elementów półprzewodnikowych 1 i 2 w postaci płytek krzemowych o typie przewodnictwa v (n-) i o grubości 0,5 mm. W każdej z płytek wykonano za pomocą trawienia kanał 3 o głębokości 0,3 mm. Głębokość kanału jest dopasowana do energii detekowanych cząstek alfa, w taki sposób, że grubość półprzewodnika (w przykładowej konstrukcji krzemu) nad kanałem jest zbliżona do głębokości wnikania cząstek alfa o tej energii. Od strony kanału, na całej powierzchni płytek 1 i 2 znajduje się obszar 4 o typie przewodnictwa n+ (wspólna katoda), o grubości 5 μm, wytworzony poprzez dyfuzję fosforu. W obu płytkach 1 i 2 po stronie przeciwległej
PL 235 503 B1 do kanału 3, to znaczy nad kanałem w płytce 1 i pod kanałem w płytce 2, znajdują się po 32 obszary 6 o typie przewodnictwa p+ (obszary anody) o grubości 0,8 um., wytworzone techniką dyfuzji boru.
Obszary p+ wytworzone są w obszarze okien wytrawionych w warstwie izolacyjnej (SiO 2) 5 pokrywającej powierzchnię płytek. W obszarach tych powstają złącza p+-v. Na powierzchni obszarów 6 p+ znajdują się kontakty elektryczne 7, do obszarów 6 (kontakty anody) powstałe w wyniku pokrycia obszarów 6 p+ cienką (0,4 um) warstwą aluminium. Od kontaktów 7, wyprowadzone są do brzegu płytek 1 i 2 ścieżki przewodzące 8, wykonane z aluminium w tym samym procesie co kontakty anody. Natomiast w miejscu połączenia płytek 1 i 2 znajduje się kontakt 9 do obszaru n+ (wspólnej katody), wykonany poprzez osadzenie aluminium o grubości 1 um na całej powierzchni płytek od strony kanału, a następnie usunięcie go (selektywne wytrawienie) z obszaru kanał u. Dodatkowo, na płytkach 1 i 2, poza obszarem kontaktów 7 po stronie przeciwległej do kanału 3 znajdują się struktury 10, w postaci trzech małych (o średnicy 0,1 mm) obszarów p+ będące czujnikami do pomiaru temperatury detektora.
Kanał 3 utworzony w efekcie połączenia płytek 1 i 2 jest szczelny i tworzy przewód gazowy o prześwicie 0,6 mm. Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny w przykładzie hel zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał a promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-v, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez płytki krzemowe i jest detekowane przez inne detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa (Fig. 3). Detektory promieniowania beta 11 są umieszczone łącznie z detektorem cząstek alfa w komorze próżniowej 13, a detektory promieniowania gamma 12 znajdują się na zewnątrz komory próżniowej.
Claims (3)
1. Przepływowa matryca detektorowa posiadająca kanał przez który przepływa badany gaz lub ciecz oraz struktury detekcyjne, znamienna tym, że przynajmniej część kanału (3) przez który przepływa badany gaz lub ciecz, znajduje się w tym samym elemencie półprzewodnikowym (1) lub (2) co struktury detekcyjne.
2. Przepływowa matryca według zastrz. 1, znamienna tym, że struktury detekcyjne znajdują się na zewnątrz kanału przepływowego (3).
3. Przepływowa matryca według zastrz. 2 , znamienna tym, że w elemencie półprzewodnikowego (1) lub (2), znajduje się czujnik temperatury i/lub struktury mierzące inne parametry fizyczne.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL405333A PL235503B1 (pl) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | Przepływowa matryca detektorowa |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL405333A PL235503B1 (pl) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | Przepływowa matryca detektorowa |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL405333A1 PL405333A1 (pl) | 2015-03-16 |
| PL235503B1 true PL235503B1 (pl) | 2020-08-24 |
Family
ID=52633827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL405333A PL235503B1 (pl) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | Przepływowa matryca detektorowa |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL235503B1 (pl) |
-
2013
- 2013-09-13 PL PL405333A patent/PL235503B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL405333A1 (pl) | 2015-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8461541B2 (en) | Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and use of the detector for measuring radiation | |
| Allkofer et al. | Design and performance of the silicon sensors for the CMS barrel pixel detector | |
| US6333504B1 (en) | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection | |
| CN108291974B (zh) | 辐射探测器和成像装置 | |
| EP2994779A1 (en) | A detector configuration with semiconductor photomultiplier strips and differential readout | |
| CN110988971A (zh) | 一种宽能谱白光中子共振照相探测器及探测方法 | |
| US9590128B2 (en) | Particle detector and method of detecting particles | |
| US9733365B2 (en) | Gamma ray detector and method of detecting gamma rays | |
| JP2009139346A (ja) | 放射線検出センサおよび放射線検出センサユニット | |
| PL235503B1 (pl) | Przepływowa matryca detektorowa | |
| Geng et al. | Charge transport mechanism of self-powered GaN pin α-particle detector | |
| EP2535740A1 (en) | Ionizing radiation detector sensitive to the 2d position | |
| US20120056287A1 (en) | Dispositif de detection de rayonnement et procede de fabrication | |
| US9793419B2 (en) | Silicon photoelectric multiplier with multiple read-out | |
| KR20150073239A (ko) | 이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법 | |
| PL226932B1 (pl) | Detektor przepływowy | |
| Moffat et al. | A novel detector for low-energy photon detection with fast response | |
| CN101882626B (zh) | 低电容光电二极管元件和计算机断层造影检测器 | |
| US11681060B2 (en) | Rugged hexagonal boron nitride solid state detector | |
| EP3594723B1 (en) | Double response ionizing radiation detector and measuring method using the same | |
| Saitoh et al. | Fabrication of a double-sided silicon microstrip detector with an ONO capacitor dielectric film | |
| CN109001791A (zh) | 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法 | |
| Krueger | Integration concepts for highly granular scintillator-based calorimeters | |
| Novotny et al. | High resolution calorimetry with PWO-II | |
| JP4314373B2 (ja) | 放射線検出器用圧力容器システム |