PL226932B1 - Detektor przepływowy - Google Patents

Detektor przepływowy

Info

Publication number
PL226932B1
PL226932B1 PL405334A PL40533413A PL226932B1 PL 226932 B1 PL226932 B1 PL 226932B1 PL 405334 A PL405334 A PL 405334A PL 40533413 A PL40533413 A PL 40533413A PL 226932 B1 PL226932 B1 PL 226932B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
channel
detector
flow
elements
silicon
Prior art date
Application number
PL405334A
Other languages
English (en)
Other versions
PL405334A1 (pl
Inventor
Alexander Yakushev
Maciej Węgrzecki
Maciej Wegrzecki
Iwona Węgrzecka
Iwona Wegrzecka
Original Assignee
Inst Tech Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Elektronowej filed Critical Inst Tech Elektronowej
Priority to PL405334A priority Critical patent/PL226932B1/pl
Publication of PL405334A1 publication Critical patent/PL405334A1/pl
Publication of PL226932B1 publication Critical patent/PL226932B1/pl

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest przepływowy detektor promieniowania jonizującego, zwłaszcza detektor cząstek alfa.
Z opisu patentu PL 212835 znany jest przepływowy detektor promieniowania, który posiada strukturę detektorową umieszczoną wewnątrz ceramicznej obudowy. Badane medium zawierające substancję promieniotwórczą, wprowadzane jest do obudowy gdzie prowadzona jest analiza a wynik tej analizy jest za pomocą elektrycznych połączeń drutowych przekazywany na zewnątrz.
Ze względów technologicznych znane czujniki tego rodzaju, mają obudowy dwudzielne. W zależności od potrzeb struktura detektorowa umieszczana jest w jednej części obudowy lub w obydwu częściach, po czym obudowa jest zespalana. W zależności od przeznaczenia detektora, struktury detekcyjne mogą być dodatkowo powlekane odpowiednimi materiałami czy odpowiednimi warstwami, mogą też pozostać odkryte.
Istotną wadą takich detektorów jest występowanie powierzchni nieaktywnej, tzw. powierzchni martwej, którą stanowią boczne ścianki obudowy oraz brzegowe części struktur detektorowych.
Detektor przepływowy według wynalazku posiada kanał przez który przepływa badany gaz lub ciecz oraz co najmniej jedną strukturę detekcyjną. W detektorze tym przynajmniej część kanału przez który przepływa badany gaz lub ciecz, znajduje się w tym samym elemencie półprzewodnikowym co struktura detekcyjna, znajdująca się na zewnątrz kanału przepływowego, po przeciwnej stronie elementu półprzewodnikowego niż kanał.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania pokazanym na rysunku, który przedstawia detektor w przekroju poprzecznym. Przykładowy detektor przepływowy jest krzemowym detektorem dwuelementowym i przeznaczony jest do detekcji cząstek alfa o energii do 16 MeV.
Detektor ten składa się z dwóch, bliźniaczych, połączonych ze sobą elementów krzemowych 1 i 2, wyciętych z płytek krzemowych o typie przewodnictwa v (n-) o grubości 0,5 mm. W płytkach krzemowych, przed pocięciem na elementy, najpierw zostały wytrawione po jednej stronie, wgłębienia, o głębokości 0,3 mm i szerokości 10 mm, które po podzieleniu płytek na elementy i połączeniu tych elementów utworzą kanał 3. Od strony tych wgłębień (części kanału), na całej powierzchni płytek/elementów znajduje się obszar 4 o typie przewodnictwa n+ (katoda), o grubości 5 μm, wytworzony techniką dyfuzji fosforu. Na stronie przeciwległej do wytrawionej części kanału 3, w elementach 1 i 2, znajdują się obszary 6 o typie przewodnictwa p+ (obszar anody), o grubości 0,8 μm tworzące struktury detekcyjne. Obszary te wytworzone zostały techniką dyfuzji boru, w prostokątnych oknach wytrawionych uprzednio w warstwie izolacyjnej (SiO2) 5 pokrywającej powierzchnię płytek krzemowych. W obszarach tych powstały złącza p+-v. Szerokość obszarów 6 wynosi 11 mm - jest większa od szerokości kanału o 0,5 mm (o grubość płytki) z każdej strony. Długość obszarów 6 wynosi 9 mm - jest z każdej strony mniejsza o 0,5 mm od długości elementu po wycięciu z płytki. Powierzchnia obszarów 6 pokryta jest warstwą aluminium 7, tworzącą kontakty elektryczne, do obszarów 6 (kontakty anody). Ponadto, na powierzchni elementów krzemowych 1 i 2 od strony kanału, znajdują się kontakty 8 do obszaru n+ (katody). Kontakty te zostały, wykonane przez osadzenie warstwy aluminium o grubości 1 μm na całej powierzchni płytek krzemowych od strony kanału (przed pocięciem na elementy), a n astępnie usunięcie tej warstwy (selektywne wytrawienie) z obszaru kanału.
Po wycięciu elementów z płytek i połączeniu ich stronami, na których znajdują się wgłębienia kanałowe, powstaje przepływowy kanał (przewód gazowy) 3 o przekroju 10 x 0,6 mm i długości 10 mm.
Do tego przewodu zostaje doprowadzany gaz nośny, w przykładzie jest to hel zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał a promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu.
W detektorze według wynalazku detekcja cząstek alfa odbywa się w strukturze znajdującej się w elemencie krzemowym 1, po przeciwległej do kanału 3 stronie czyli nad kanałem i w strukturze znajdującej się elemencie krzemowym 2 po przeciwległej stronie kanału 3, czyli pod kanałem. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez złącze p+-v, powodując powstanie sygnału elektrycznego. W detektorze tym, aktywne są również znajdujące się po bokach kanału 3 obszary krzemowych elementów 1 i 2, ponieważ nośniki ładunku generowane obszarach bocznych kanału pod wpływem promieniowania, podobnie jak nośniki generowane nad i pod kanałem są rozdzielane przez złącze p+-v struktury 1 lub 2 i również wywołują sygnał elektryczny.

Claims (2)

1. Detektor przepływowy posiadający kanał przez który przepływa badany gaz lub ciecz oraz co najmniej jedną strukturę detekcyjną, znamienny tym, że przynajmniej część kanału (3) przez który przepływa badany gaz lub ciecz, znajduje się w tym samym elemencie półprzewodnikowym (1) lub (2) co struktura detekcyjna.
2. Detektor przepływowy według zastrz. 1, znamienny tym, że struktura detekcyjna znajduje się na zewnątrz kanału przepływowego (3), korzystnie po przeciwnej stronie elementu półprzewodnikowego niż kanał (3).
PL405334A 2013-09-13 2013-09-13 Detektor przepływowy PL226932B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL405334A PL226932B1 (pl) 2013-09-13 2013-09-13 Detektor przepływowy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL405334A PL226932B1 (pl) 2013-09-13 2013-09-13 Detektor przepływowy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL405334A1 PL405334A1 (pl) 2015-03-16
PL226932B1 true PL226932B1 (pl) 2017-10-31

Family

ID=52633828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL405334A PL226932B1 (pl) 2013-09-13 2013-09-13 Detektor przepływowy

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL226932B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL405334A1 (pl) 2015-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8242455B2 (en) Robust radiation detector comprising diamond
Pellegrini et al. 3D double sided detector fabrication at IMB-CNM
Llacer et al. Entrance windows in germanium low-energy X-ray detectors
US9733365B2 (en) Gamma ray detector and method of detecting gamma rays
Caywood et al. Influence of carrier diffusion effects on window thickness of semiconductor detectors
PL226932B1 (pl) Detektor przepływowy
Geng et al. Charge transport mechanism of self-powered GaN pin α-particle detector
Ohsugi et al. Design optimization of radiation-hard, double-sided, double-metal, AC-coupled silicon sensors
RU194689U1 (ru) Двухкоординатный детектор тепловых и холодных нейтронов с газовым конвертором 3Не2
Da Via et al. 3D Active edge silicon detector tests with 120 GeV muons
Campbell et al. Charge collection measurements for energetic ions in silicon
JP6623900B2 (ja) 検出素子及び放射線検出装置
Croci et al. I-BAND-GEM: a new way for improving BAND-GEM efficiency to thermal and cold neutrons
PL235503B1 (pl) Przepływowa matryca detektorowa
Geralis et al. A real xy microbulk Micromegas with segmented mesh
Matsuura Simulation of 1.5-mm-thick and 15-cm-diameter gated silicon drift X-ray detector operated with a single high-voltage source
Pellegrini et al. Double sided 3D detector technologies at CNM-IMB
RU2247411C1 (ru) Полупроводниковый детектор для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом
Beimforde Development of thin sensors and a novel interconnection technology for the upgrade of the ATLAS pixel system
Laramore et al. Simulation of charge carrier transport in pixelated micro-structured semiconductor neutron detectors
Bazylev et al. Study of the GEM detector performance in BM@ N experiment
Harding et al. Monolithic arrays of silicon sensors
US11681060B2 (en) Rugged hexagonal boron nitride solid state detector
Wagner Commissioning of Silicon Detectors for the COMPASS Experiment at CERN
Kok Signal formation and active edge studies of 3D silicon detector technology