PL225604B1 - Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości - Google Patents
Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułościInfo
- Publication number
- PL225604B1 PL225604B1 PL409222A PL40922214A PL225604B1 PL 225604 B1 PL225604 B1 PL 225604B1 PL 409222 A PL409222 A PL 409222A PL 40922214 A PL40922214 A PL 40922214A PL 225604 B1 PL225604 B1 PL 225604B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- detector
- mirror
- electromagnetic radiation
- chip
- increased sensitivity
- Prior art date
Links
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest detektor promieniowania elektromagnetycznego podniesionej czułości, stosowany zwłaszcza do obrazowania lub spektrometrii w paśmie sub-THz i THz.
Znany jest detektor promieniowania elektromagnetycznego w postaci chipów mikroelektronicznych zawierający obwód detekcyjny zazwyczaj łączony z układem optycznym w celu skupienia promieniowania na elemencie aktywnym i podniesienia w ten sposób jego czułości. Detektor w takim wykonaniu zaopatrzony jest w kosztowne zwierciadło paraboliczne o zazwyczaj dużych rozmiarach, dzięki któremu powiększana jest apertura skuteczna detektora.
Wiązka promieniowania elektromagnetycznego (EM) pada na zwierciadło paraboliczne (1) i po odbiciu się od niego skupia się na scalonym detektorze promieniowania (2), co prowadzi do powiększenia czułości detektora. Detektor jest zawsze zamocowany w oprawce (3), której zadaniem jest ułatwienie zamocowania detektora, poprawienia jego odporności mechanicznej i umożliwienia doprowadzania do detektora napięć polaryzujących i odprowadzenie sygnału detekcji.
Znany detektor charakteryzuje się długim czasem wykonania zwierciadła i jego wysoką ceną.
Celem wynalazku jest detektor pozbawiony tych wad tzn. detektor o zwierciadle wykonanym w podstawie spełniającej jednocześnie rolę oprawki detektora.
Istota rozwiązania według wynalazku polega na tym, że oprawkę stanowi podstawa przewodząca z wykonanym na jej powierzchni zwierciadłem wklęsłym, nad którym jest przymocowana do podstawy przewodzącej płytka dielektryczna mająca od strony zwierciadła umocowany w pobliżu ogniska chip detektora. Zwierciadło jest zwierciadłem sferycznym. Płytka dielektryczna jest obwodem druk owanym z chipem detektora przyklejonym do niej od strony dielektrycznej i jest zamocowana do podstawy przewodzącej za pośrednictwem wkrętów.
Rozwiązanie według wynalazku umożliwiła łatwe wykonanie zwierciadła przez frezowanie frezem o zakończeniu kulistym, przy czym frez zagłębia się w materiał na odpowiednią głębokość, co jest operacją szybką i zapewnia dokładność wykonania powierzchni taką jak dokładność wykonania frezu.
Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia detektor w rzucie perspektywicznym, fig. 2 przedstawia ten detektor w przekroju bocznym, fig. 3 przedstawia detektor od strony płytki dielektrycznej z chipem detektora, a fig. 4 - od strony płytki dielektrycznej z doprowadzeniami.
Jak to przedstawia fig. 1 i fig. 2 zwierciadło 6 jest wykonane w podstawie 4. Na górnej powierzchni podstawy przytwierdzona jest za pomocą śrub 7 płytka dielektryczna 5, do której zamocowany jest poprzez klejenie, lutowanie chip detektora 2. Głębokość frezowania zwierciadła jest dobrana w taki sposób, aby chip detektora 2 zamocowany na płytce znalazł się w pobliżu ogniska zwierciadła po przytwierdzeniu płytki dielektrycznej 5 na krawędzi zwierciadła 6. Płytka dielektryczna 5 zamocowana jest na zwierciadle tak, że detektor umieszczony jest całkowicie wewnątrz zwierciadła. Z zewnątrz nie ma do niego dostępu.
Jak to przedstawia fig. 3 i fig. 4 do chipu detektora 2 doprowadzone są sygnały polaryzujące za pośrednictwem cienkich ścieżek przewodzących 8. Płytka dielektryczna 5 jest przezroczysta dla badanego promieniowania. W tym celu wykonano ją z materiału na bazie teflonu jako laminat RT5880 f-my ROGERS i ma ona grubość 127 pm. Ponadto z obszarów płytki umieszczonych nad zwierciadłem usunięto metal poza koniecznymi ścieżkami przewodzącymi. W pozostałych obszarach metalizację pozostawiono w celu mechanicznego wzmocnienia konstrukcji.
Płytka ta jednocześnie zapewnia mechaniczne podparcie detektora 2 pozwalając na zawieszenie go w pobliżu ogniska zwierciadła. Zwierciadło 6 wykonane w opisany wyżej sposób i zintegrowane z detektorem 2 stanowi oprawkę detektora, umożliwiającą korzystanie z niego. Sam detektor ma postać chipu, który zawsze musi być mocowany w sposób pozwalający na doprowadzanie do niego s ygnałów. W proponowanym pomyśle typowa oprawka jest zastępowana zwierciadłem, które zachowując cechy oprawki: umożliwia zamocowanie mechaniczne detektora, odporność mechaniczną, możliwość doprowadzania do detektora napięć polaryzujących i jednocześnie poprawia czułość detektora.
Fala padająca na płytkę 5 przenika ją i odbija się od zwierciadła 6 umieszczonego poniżej skupiając się w ognisku, w którym umieszczony jest detektor 2. Sposób działania jest więc taki jak w typowych rozwiązaniach. Jednak dzięki innemu wykonaniu detektor jest mniejszy i tańszy niż rozwiązania standardowe, dzięki czemu można go stosować w urządzeniach miniaturowych, przenośnych itp.
Eksperymenty przeprowadzone ze zwierciadłami o średnicach od 5.5 do 25 mm wyfrezowanymi w mosiądzu pokazują że uzyskane w ten sposób zwiększenie czułości detektora oświetlanego falą
PL 225 604 B1 o częstotliwości 325 GHz wynosi od 3 do 194 razy, w zależności od średnicy zwierciadeł. Wzmocnienie jest proporcjonalne do powierzchni apertury zwierciadła.
Zwierciadło 6 wykonywane w podstawie o przewodzącej powierzchni jest elementem pełniącym jednocześnie rolę oprawki chipa detektora 2 jako jego podparcie na cienkiej płytce dielektrycznej 5, będącej przezroczystą dla badanego promieniowania EM zwłaszcza z pasma sub-THz i THz i pozwalającej na umieszczenie chipa detektora 2 w pobliżu ogniska zwierciadła oraz doprowadzanie do niego sygnałów elektrycznych niezbędnych dla pracy detektora.
Claims (3)
1. Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości w postaci chipu zamocowanego w oprawce i usytuowanego w pobliżu ogniska zwierciadła wklęsłego układu optycznego, znamienny tym, że oprawkę stanowi podstawa przewodząca (4) z wykonanym na jej powierzchni zwierciadłem (6) wklęsłym, nad którym jest przymocowana do podstawy przewodzącej (4) płytka dielektryczna (5) mająca od strony zwierciadła (6) umocowany w pobliżu ogniska chip detektora (2).
2. Detektor według zastrz. 1, znamienny tym, że zwierciadło (6) jest zwierciadłem sferycznym.
3. Detektor według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że płytka dielektryczna (5) jest obwodem drukowanym z chipem detektora (2) przyklejonym do niej od strony dielektrycznej i jest zamocowana do podstawy przewodzącej (4) za pośrednictwem wkrętów (7).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409222A PL225604B1 (pl) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409222A PL225604B1 (pl) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL409222A1 PL409222A1 (pl) | 2016-02-29 |
| PL225604B1 true PL225604B1 (pl) | 2017-04-28 |
Family
ID=55361149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL409222A PL225604B1 (pl) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL225604B1 (pl) |
-
2014
- 2014-08-20 PL PL409222A patent/PL225604B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL409222A1 (pl) | 2016-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | 340-GHz low-cost and high-gain on-chip higher order mode dielectric resonator antenna for THz applications | |
| US11536760B2 (en) | Testing device, testing system, and testing method | |
| US10393649B2 (en) | THz bolometer detector | |
| JP5303641B2 (ja) | X線検出器用のセンサヘッド、及び同センサヘッドを含むx線検出器 | |
| TWI453440B (zh) | Light transmission elements, lenses, megahertz radiation microscopes and components | |
| US10066927B2 (en) | Inspection of microelectronic devices using near-infrared light | |
| Yu et al. | Ultra-thin artificial magnetic conductor for gain enhancement of antenna-on-chip | |
| ATE472098T1 (de) | Bolometrischer detektor, vorricthung zur detektion elektromagnetischer submillimeter- und millimeterwellen mit einem solchen detektor | |
| JP2008244620A (ja) | テラヘルツアンテナモジュール | |
| CN104101933A (zh) | 平面光学元件及其设计方法 | |
| US20190259917A1 (en) | Light source device | |
| CN101238389A (zh) | 光电测距仪 | |
| KR20150004146A (ko) | 테라헤르츠를 이용한 검사 장치 | |
| CN103219587A (zh) | 基于体硅mems工艺天线的太赫兹前端集成接收装置 | |
| TW200423102A (en) | Semiconductor integrated apparatus | |
| PL225604B1 (pl) | Detektor promieniowania elektromagnetycznego o podniesionej czułości | |
| JP2004207288A (ja) | テラヘルツ光発生器及びテラヘルツ光検出器 | |
| US20180115077A1 (en) | Antenna unit, radio frequency circuit and method for manufacturing an antenna unit | |
| Klier et al. | Influence of substrate material on radiation characteristics of THz photoconductive emitters | |
| US10908103B2 (en) | X-ray fluorescence spectrometer | |
| Rusch et al. | LTCC endfire antenna with housing for 77-GHz short-distance radar sensors | |
| US20140183361A1 (en) | Ir sensor with increased surface area | |
| CN107917900A (zh) | 红外线检测装置 | |
| US10665933B2 (en) | Antenna unit, radio frequency circuit and method for manufacturing an antenna unit | |
| CN109799042B (zh) | 用于防水测试的装置和方法 |