PL222182B1 - Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania - Google Patents

Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania

Info

Publication number
PL222182B1
PL222182B1 PL403690A PL40369013A PL222182B1 PL 222182 B1 PL222182 B1 PL 222182B1 PL 403690 A PL403690 A PL 403690A PL 40369013 A PL40369013 A PL 40369013A PL 222182 B1 PL222182 B1 PL 222182B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
oxide
indium
iii
vanadium
transition metal
Prior art date
Application number
PL403690A
Other languages
English (en)
Other versions
PL403690A1 (pl
Inventor
Monika Bosacka
Original Assignee
Zachodniopomorski Univ Tech W Szczecinie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zachodniopomorski Univ Tech W Szczecinie filed Critical Zachodniopomorski Univ Tech W Szczecinie
Priority to PL403690A priority Critical patent/PL222182B1/pl
Publication of PL403690A1 publication Critical patent/PL403690A1/pl
Publication of PL222182B1 publication Critical patent/PL222182B1/pl

Links

Landscapes

  • Catalysts (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Description

Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222182 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 403690 (51) Int.Cl.
C01G 31/02 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) C01G 11/00 (2006.01) (22) Data zgłoszenia: 26.04.2013
Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania
(73) Uprawniony z patentu: ZACHODNIOPOMORSKI UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNY W SZCZECINIE,
(43) Zgłoszenie ogłoszono: 27.10.2014 BUP 22/14 Szczecin, PL
(45) O udzieleniu patentu ogłoszono: 29.07.2016 WUP 07/16 (72) Twórca(y) wynalazku: MONIKA BOSACKA, Szczecin, PL
(74) Pełnomocnik: rzecz. pat. Renata Zawadzka
PL 222 182 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych
- kadmu, indu, wanadu, oraz sposoby wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych - kadmu, indu, wanadu. Nowa faza może znaleźć zastosowanie jako komponenty nowych urządzeń optoelektronicznych oraz jako składniki katalizatorów reakcji utleniania różnych węglowodorów.
Znana jest z polskiego opisu patentowego P.383335 oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierająca tlenek kadmu-tlenek indu(III)-tlenek wanadu(V) inna sól o wzorze sumarycznym Cd2lnVO6. Oksysól ta jest otrzymywana z tlenków metali poprzez mieszanie, ujednorodnienie, pastylkowanie i wygrzewanie w odpowiednich temperaturach. Nowa oksysól według wynalazku nie była dotychczas opisywana w literaturze.
Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych, w którym układ trójskładnikowy oznacza tlenek kadmu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V) wzorze sumarycznym Cd3In4V6O24.
Sposób wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych, według wynalazku, w którym układ trójskładnikowy oznacza tlenek kadmu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V), polegający na mieszaniu, ujednorodnianiu i wygrzewaniu, charakteryzuje się tym, że tlenek kadmu, tlenek indu(III) i tlenek wanadu(V) w stosunkach molowych w % jak 30 : 40 : 30 miesza się i ujednorodnia, po czym otrzymaną mieszaninę wygrzewa się w temperaturze 550 do 850°C w ciągu 12 do 72 godzin, w co najmniej trzech etapach, przy czym po każdym etapie próbki schładza się wolno do temperatury otoczenia, rozciera aż do otrzymania produktu o wzorze Cd3In4V6O24.
Inny sposób według wynalazku, charakteryzuje się tym, że tlenek indu(III) miesza się ze związkiem z układu V2O5 - CdO to jest CdV2O6, tak aby w przeliczeniu na udział molowy w % tlenek kadmu, tlenek indu(III) i tlenek wanadu(V) otrzymać stosunek 30 : 40 : 30, a następnie miesza się i ujednorodnia, po czym otrzymaną mieszaninę wygrzewa się w temperaturze 550 do 850°C w ciągu 12 do 72 godzin, w co najmniej trzech etapach, przy czym po każdym etapie próbki schładza się wolno do temperatury otoczenia, rozciera aż do otrzymania produktu o wzorze Cd3ln4V6O24.
Nowa oksysól według wynalazku może znaleźć zastosowanie jako katalizator lub materiał półprzewodnikowy.
Przedmiot wynalazku bliżej objaśniają poniższe przykłady:
P r z y k ł a d I
Naważa się 30% molowych CdO, 40% molowych In2O3 i 30% molowych V2O5. Odważone składniki miesza się, ujednorodnia przez ucieranie i pastylkuje. Spastylkowaną próbkę ogrzewa się w atmosferze powietrza w 4 etapach, przy czym po każdym etapie próbkę chłodzi się powoli do temperatury otoczenia, rozciera, a następnie ponownie pastylkuje.
• w pierwszym etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 550°C w ciągu 24 godzin • w drugim etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 600°C w ciągu 24 godzin • w trzecim etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 750°C w ciągu 24 godzin • w czwartym etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 850°C w ciągu 24 godzin.
Nowa oksysól ma barwę jasnożółtą. Topi się inkongruentnie w temperaturze 920±5°C. Charakterystykę rentgenowską otrzymanej nowej oksysoli przedstawiono w tabeli 1.
P r z y k ł a d II
Naważa się 40% molowych In2O3 oraz 60% molowych CdV2O4. Odważone składniki miesza się, ujednorodnia przez ucieranie i z kolei pastylkuje. Spastylkowaną próbkę ogrzewa się w atmosferze powietrza w 3 etapach, przy czym po każdym etapie próbkę chłodzi się powoli do temperatury otoczenia, rozciera, a następnie ponownie pastylkuje.
• w pierwszym etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 550°C w ciągu 24 godzin • w drugim etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 750°C w ciągu 24 godzin • w trzecim etapie próbkę ogrzewa się w temperaturze 850°C w ciągu 24 godzin.
Nowa oksysól ma barwę jasnożółtą. Topi się inkongruentnie w temperaturze 920±5°C. Charakterystykę rentgenowską otrzymanej nowej oksysoli przedstawiono w tabeli 1.
PL 222 182 B1
T a b e l a 1
No dexp [nm] dobl [nm] h k l I/I0 [%] No dexp [nm] dobl [nm] h k l I/I0 [%]
1 7,8400 7,8376 0 2 0 4,7 13 3,2140 3,2110 1-2 2 100,0
2 7,3250 7,2800 1 1 0 8,4 3,2163 2-3 1
3 6,2700 6,2009 1-2 0 5,7 14 3,1450 3,1351 0 5 0 10,3
4 5,1870 5,2251 0 3 0 10,8 15 3,0530 3,0484 0 3 2 6,0
5 4,7800 4,7807 1-2 1 6,0 16 2,9390 2,9405 1-3 2 7,0
6 4,7300 4,7316 1-3 0 12,8 17 2,8910 2,8929 0 5 1 14,5
7 4,4400 4,4493 1 2 1 6,1 18 2,8670 2,8656 2-4 1
8 4,2820 4,2885 0 3 1 5,1 19 2,8040 2,8048 3 1 0 13,8
4,2715 1 3 0 20 2,7580 2,7643 2 1 2 3,8
9 3,9170 3,9188 0 4 0 5,5 2,7621 2 4 0
10 3,4330 3,430 1 4 0 7,3 21 2,7350 2,7427 2-2 2 8,0
11 3,3820 3,3853 0 2 2 15,6 22 2,7040 2,7106 0 4 2 20,5
12 3,2860 3,2752 2 2 1 9,7 2,6990 2-5 0
Zastrzeżenia patentowe

Claims (3)

1. Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych, w którym układ trójskładnikowy oznacza tlenek kadmu-tlenek indu(III)-tlenek wanadu(V) o wzorze sumarycznym Cd3In4V6O24.
2. Sposób wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych, w którym układ trójskładnikowy oznacza tlenek kadmu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V), polegający na mieszaniu, ujednorodnianiu i wygrzewaniu, znamienny tym, że tlenek kadmu, tlenek indu(III) i tlenek wanadu(V) w stosunkach molowych w % jak 30 : 40 : 30 miesza się i ujednorodnia, po czym otrzymaną mieszaninę wygrzewa się w temperaturze 550 do 850°C w ciągu 12 do 72 godzin, w co najmniej trzech etapach, przy czym po każdym etapie próbki schładza się wolno do temperatury otoczenia, rozciera aż do otrzymania produktu o wzorze Cd3In4V6O24.
3. Sposób wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych, w którym układ trójskładnikowy oznacza tlenek kadmu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V), polegający na mieszaniu, ujednorodnianiu i wygrzewaniu, znamienny tym, że tlenek indu(III) miesza się ze związkiem z układu V2O5 - CdO to jest CdV2O6, tak aby w przeliczeniu na udział molowy w % tlenek kadmu, tlenek indu(III) i tlenek wanadu(V) otrzymać stosunek 30 : 40 : 30, a następnie miesza się i ujednorodnia, po czym otrzymaną mieszaninę wygrzewa się w temperaturze 550 do 850°C w ciągu 12 do 72 godzin, w co najmniej trzech etapach, przy czym po każdym etapie próbki schładza się wolno do temperatury otoczenia, rozciera aż do otrzymania produktu o wzorze Cd3In4V6O24.
PL403690A 2013-04-26 2013-04-26 Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania PL222182B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL403690A PL222182B1 (pl) 2013-04-26 2013-04-26 Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL403690A PL222182B1 (pl) 2013-04-26 2013-04-26 Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL403690A1 PL403690A1 (pl) 2014-10-27
PL222182B1 true PL222182B1 (pl) 2016-07-29

Family

ID=51754051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL403690A PL222182B1 (pl) 2013-04-26 2013-04-26 Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL222182B1 (pl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL422421A1 (pl) * 2017-08-01 2019-02-11 Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie Mieszany tlenek w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierającym tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V) i sposoby wytwarzania mieszanego tlenku w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierająca tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL422421A1 (pl) * 2017-08-01 2019-02-11 Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie Mieszany tlenek w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierającym tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V) i sposoby wytwarzania mieszanego tlenku w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierająca tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V)
PL235014B1 (pl) * 2017-08-01 2020-05-18 Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie Mieszany tlenek w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierającym tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V) i sposoby wytwarzania mieszanego tlenku w trójskładnikowym układzie tlenków metali zawierającym tlenek magnezu - tlenek indu(III) - tlenek wanadu(V)

Also Published As

Publication number Publication date
PL403690A1 (pl) 2014-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kaviyarasu et al. Photoluminescence of well-aligned ZnO doped CeO2 nanoplatelets by a solvothermal route
Abrahams et al. A model for the mechanism of low temperature ionic conduction in divalent-substituted γ-BIMEVOXes
Yousif et al. Effect of Ga3+ doping on the photoluminescence properties of Y3Al5-xGaxO12: Bi3+ phosphor
Fornacelli et al. Toward a Raman/FORS discrimination between Art Nouveau and contemporary stained glasses from CdSxSe1− x nanoparticles signatures
PL222182B1 (pl) Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania
Conceição et al. Sonochemical-assisted synthesis of CsPbBr 3 perovskite quantum dots using vegetable oils
Panda et al. PVDF-directed synthesis, stability and anion exchange of cesium lead bromide nanocrystals
PL209577B1 (pl) Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposób wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych
PL221615B1 (pl) Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposoby jej wytwarzania
Nguyen et al. Luminescent properties of Eu3+-doped Ba2Bi2/3TeO6 and BaBiNaTeO6 double perovskite as new orange-red emitting phosphors
Ivashchenko et al. Isothermal sections of the quasi-ternary systems Ag2S (Se)–Ga2S (Se) 3–In2S (Se) 3 at 820 K and the physical properties of the ternary phases Ga5. 5In4. 5S15, Ga6In4Se15 and Ga5. 5In4. 5S15: Er3+, Ga6In4Se15: Er3+
Miles et al. Polymorphism and thermodynamic stability of Zn7Sb2O12
Nowak et al. The influence of aminoalcohols on ZnO films’ structure
PL209576B1 (pl) Nowa oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych i sposób wytwarzania nowej soli w trójskładnikowym układzie tlenków metali przejściowych
Flynn et al. (Cu x Zn1–x) 0.456 In1. 084Ge0. 46O3 (0≤ x≤ 1): A Complex, Ordered, Anion-Deficient Fluorite with Unusual Site-Specific Cation Mixing
Ruvalcaba-Cornejo et al. Optical and thermal analysis of ZnO–CdO–TeO2 glasses doped with Nd3+
PL213464B1 (pl) Sposób wytwarzania oksysoli w dwuskładnikowym układzie molibdenianu(VI) kadmu i wolframianów(VI) metali
PL219934B1 (pl) Fazy typu ciągłych roztworów stałych w czteroskładnikowym układzie tlenków wanadu, (54) żelaza, magnezu i cynku oraz sposób wytwarzania faz typu ciągłych roztworów stałych w czteroskładnikowym układzie tlenków wanadu, żelaza, magnezu i cynku
PL241785B1 (pl) Sposób wytwarzania faz typu ograniczonych roztworów stałych domieszkowanych jonami iterbu (III)
PL225612B1 (pl) Roztwór stały w dwuskładnikowym układzie podwójnych wanadanów indu i niklu oraz żelaza i niklu oraz sposoby wytwarzania roztworu stałego w dwuskładnikowym układzie podwójnych wanadanów indu i niklu oraz żelaza i niklu
PL219945B1 (pl) Oksysól w trójskładnikowym układzie tlenków metali i sposób wytwarzania oksysoli w trójskładnikowym układzie tlenków metali
Sheokand et al. Effect of surfactants on the molecular mobility and crystallization kinetics of hesperetin
PL225790B1 (pl) Roztwór stały o nieograniczonym zakresie rozpuszczalności składników w dwuskładnikowym układzie wanadanów(V) kobaltu(II) i żelaza(III) oraz magnezu i żelaza(III) oraz sposoby wytwarzania roztworu stałego o nieograniczonym zakresie rozpuszczalności składników w dwuskładnikowym układzie wanadanów(V) kobaltu(II) i żelaza(III) oraz magnezu i żelaza(III)
PL221628B1 (pl) Nowy związek w czteroskładnikowym układzie pierwiastków oraz sposób wytwarzania nowego związku w czteroskładnikowym układzie pierwiastków
Ivashchenko et al. Vertical section AgIn5Se8–CdIn2Se4 and crystal structure of the AgIn5Se8 compound (4T-polytype)