PL218924B1 - Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłok - Google Patents
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłokInfo
- Publication number
- PL218924B1 PL218924B1 PL399605A PL39960512A PL218924B1 PL 218924 B1 PL218924 B1 PL 218924B1 PL 399605 A PL399605 A PL 399605A PL 39960512 A PL39960512 A PL 39960512A PL 218924 B1 PL218924 B1 PL 218924B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- time
- plasma
- mixture
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000765309 Vanadis Species 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006281 γ-TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do czyszczenia powierzchni podłoży w procesach rozpylania katodowego w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej komorze powłok, polegający na wywołaniu w gazie szlachetnym lub mieszaninie gazów szlachetnych, wprowadzanych do komory po uprzednim usunięciu z niej powietrza, wyładowań jarzeniowych o gęstości prądu 1-20 A/m2 przy użyciu jako źródła zasilania źródła prądowego generującego przebiegi prądowe bipolarne lub unipolarne o polarności ujemnej, charakteryzuje się tym, że gaz szlachetny lub mieszaninę gazów szlachetnych podaje się do komory impulsowo, w czasie 1-280 ms, każdorazowo w ilości (0,1-1,5)x10-6 mol/dm3 komory próżniowej do zapłonu plazmy, przy częstotliwości impulsów podawania gazu szlachetnego lub mieszaniny gazów szlachetnych 1-1,7 Hz, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu atmosfery obróbczej dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia tj. usuwania atomów bądź cienkich warstw wierzchnich z powierzchni podłoży w procesach rozpylania katodowego w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej komorze powłok.
Znane są różne sposoby in situ czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed następującym po nich nanoszeniem powłok w tej samej komorze.
Należą do nich sposoby opisane w publikacji Thornton J.A. i Green J.E.: Plasmas in Deposition Processes. Chapter 2 in Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings (Bunshah, R.F., Editor), Noyes Publications, Park Ridge, N.J., USA, University of California of Los Angeles, 2nd ed., Los Angeles, CF, USA 1994, polegające na czyszczeniu powierzchni podłoży w plazmie wyładowania jarzeniowego wzbudzonego w atmosferze wodoru lub w atmosferze tlenu bądź tlenu z domieszką ozonu, wzbudzonego promieniowaniem UV. Według tej publikacji czyszczenie powierzchni podłoży prowadzi się także w drodze uwalniania z powierzchni podłoży bardziej lotnych składników wskutek podgrzania powierzchni lub przez rozpylanie powierzchni jonami i atomami gazów szlachetnych bądź reakcyjne trawienie powierzchni podłoży w plazmie lub jonami z działa jonowego.
Z publikacji Mattox, D.M.: Handbook of Physical Vapour Deposition (PVD) Processing. Noyes Publications, Westwood, N.J., USA, 1998 jest znane rozpylanie powierzchni podłoży przy pomocy rozpędzonych jonów bądź atomów gazów szlachetnych, które prowadzi się przez spolaryzowanie podłoży przewodzących ujemnym potencjałem w układzie określanym jako stałoprądowe rozpylanie diodowe DC zwane unipolarnym bądź przez włączenie między przewodzące podłoża i ścianki komory bipolarnego źródła prądu AC o biegunowości zmieniającej się okresowo na przeciwną. Zaleca się także stosować w tym celu nieciągłą ujemną polaryzację podłoży przez podłączenie do nich źródła prądowego unipolarnego o charakterystyce impulsowej, a także przez podłączenie między podłoże i ścianki komory źródła prądowego RF o częstotliwości radiowej bądź też jednocześnie źródła prądowego typu DC z dodatkowym źródłem prądu RF o częstotliwości radiowej. Wytwarzanie plazmy stosowanej w wyżej wymienionych sposobach, ze względu na nieliniowy charakter zmian oporu plazmy pod wpływem przyłożonej różnicy potencjałów, wymaga użycia prądowych źródeł zasilania czyli podtrzymujących stałe, zadane wartości prądu a nie napięcia, ponieważ w tym ostatnim przypadku plazma wyładowania jarzeniowego przechodzi w plazmę wyładowania wysokoprądowego o bardzo małym oporze, co grozi zniszczeniem każdego źródła napięciowego w wyniku powstawania łuku elektrycznego.
Znany jest także proces czyszczenia powierzchni materiałów przewodzących, zwłaszcza przeznaczonych do nanoszenia na nie powłok, realizowany w metalowej komorze próżniowej, przy ciśnieniu atmosfery roboczej rzędu 1 - 10 Pa. W sposobie tym podłoża przeznaczone do czyszczenia umieszcza się na uchwytach izolowanych elektrycznie od ścianek komory i w celu wzbudzenia wyładowania jarzeniowego polaryzuje ujemnym potencjałem od kilkuset do kilku tysięcy woltów, co powoduje jonizację gazów resztkowych, bądź gazów szlachetnych wprowadzonych do komory próżniowej jako atmosfera robocza. Jony dodatnie, powstające w obszarze wyładowania jarzeniowego, bombardują powierzchnie ujemnie spolaryzowanych podłoży z materiałów przewodzących usuwając z nich atomy samego podłoża lub atomy zanieczyszczeń w wyniku rozkładania zanieczyszczeń typu tlenki, azotki, siarczki, węgliki na składniki bardziej lotne odprowadzane następnie z komory próżniowej przez układ pompowy. Sposób ten przeprowadza się w czasie od kilku do kilkudziesięciu minut. Jeśli w tym procesie ścianki komory próżniowej, wykonanej z materiału przewodzącego, spolaryzujemy ujemnie względem umieszczonej wewnątrz niej elektrody, także wewnętrzna powierzchnia ścianek komory próżniowej zostanie oczyszczona poprzez wyładowanie jarzeniowe.
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do czyszczenia powierzchni podłoży w procesach rozpylania katodowego w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej komorze powłok, polegający na wywołaniu w gazie szlachetnym lub mieszaninie gazów szlachetnych, wprowadzanych do komory po uprzednim usunięciu z niej powietrza, wyładowań jarze2 niowych o gęstości prądu 1 - 20 A/m2 przy użyciu jako źródła zasilania źródła prądowego generującego przebiegi prądowe bipolarne lub unipolarne o polarności ujemnej, według wynalazku charakteryzuje się tym, że gaz szlachetny, jak argon, krypton, ksenon bądź ich mieszaninę o dowolnej proporcji podaje się do komory impulsowo, w czasie 1 - 280 ms, każdorazowo w ilości (0,1 - 1,5) x 10-6 mol/dm3 komory próżniowej do zapłonu plazmy, przy częstotliwości impulsów podawania gazu szlachetnego lub mieszaniny gazów szlachetnych 1 - 1,7 Hz, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu atmosfery
PL 218 924 B1 obróbczej dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy, przy czym stosuje się czas podawania gazu lub mieszaniny gazów i czas między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów takie, aby stosunek czasu podawania gazu lub mieszaniny gazów do czasu zanikania plazmy do czasu między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów był równy 0,01 - 2,8 do 3 - 7 do 6 -10, oraz aby łączny czas podawania gazu lub mieszaniny gazów i czas zanikania plazmy był krótszy od czasu między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów.
Dla zwiększenia gęstości plazmy wytwarzanie jej prowadzi się korzystnie w zamkniętym polu magnetycznym.
Impulsowe podawanie gazu, przy ujemnie spolaryzowanym czyszczonym podłożu powoduje, że również zmiana gęstości plazmy wewnątrz komory następuje impulsowo i wymusza wysoce efektywne usuwanie atomów zanieczyszczeń bądź cienkich warstw z powierzchni materiałów przewodzących, w szczególności przeznaczonych do nanoszenia powłok.
Przedmiot wynalazku ilustrują poniższe przykłady.
P r z y k ł a d I.
Łopatkę wirnika końcowego stopnia sprężarki silnika turboodrzutowego ze stopu γ-TiAl o strukturze ziarnistej i składzie 50% atomowych Ti i 50% atomowych Al, oczyszczoną mechanicznie w znany sposób z nierówności i nalotów tlenkowych, umytą w acetonie i osuszoną w strumieniu azotu, umieszczono poprzez połączenie galwaniczne, na obrotowym, izolowanym elektrycznie, stoliku wewnątrz komory próżniowej do rozpylania magnetronowego, tak by środek ciężkości łopatki znajdował się na pionowej osi symetrii komory. Komora próżniowa posiada cztery prostokątne magnetrony, wyposażone w ruchome przesłony, przy czym trzy magnetrony są ze spieku Ti i 4,5% masowych Si, a jeden z litego Ti. Po usunięciu z komory powietrza do wartości ciśnienia resztkowego ca 1x10-6 Pa i po osłonięciu przesłonami tarcz magnetronów, do łopatki podłączono źródło prądowe generujące jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej maksimum 1400 V. Następnie przez 16 min, impulsowo, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu podawano argon w jednym impulsie w ilości 0,5x10-6 mol/dm3 komory, w pobliże środkowej części łopatki, przy częstotliwości impulsów 1,1 Hz i czasie trwania impulsu 100 ms, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości prądu 2
A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,7 s, przy każdorazowym chwilowym wzroście ciśnienia w komorze do 1,3 Pa, po czym łopatkę schłodzono. Uzyskano powierzchnię czyszczonej łopatki czystą, gładką i metalicznie błyszczącą.
P r z y k ł a d II.
Postępując jak w przykładzie I, trójkątną płytkę z węglika spiekanego typu 31920N, poddano czyszczeniu przez 9 min w kryptonie, podawanym w jednym impulsie w ilości 1,5x10-6 mol/dm3 komory przy utrzymywaniu częstotliwości impulsów 1 Hz i czasie trwania impulsu 280 ms, przy ciągłym 2 i równoczesnym usuwaniu gazu, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości 12 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,6 s, przy chwilowym wzroście ciśnienia w komorze do 3,45 Pa, po czym płytkę schłodzono. Uzyskano powierzchnię poddanej czyszczeniu płytki czystą, gładką i metalicznie błyszczącą.
P r z y k ł a d III.
Postępując jak w przykładzie I, płytkę ze spiekanej węglikostali typu Ferro-Titanit poddano czyszczeniu przez 7 min w równomolowej mieszaninie ksenonu i argonu, podając ją w jednym impulsie w ilości 1x10-6 mol/dm3 komory, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, przy częstotliwości impulsów 1 Hz i czasie trwania impulsu 210 ms, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gę2 stości 9 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,7 s. Chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 2,7 Pa, po czym płytkę schłodzono. Uzyskano powierzchnię poddanej czyszczeniu płytki czystą, gładką i błyszczącą metalicznie.
P r z y k ł a d IV.
Proces prowadzi się jak w przykładzie III przez 6 min, przy czym na zewnątrz komory próżniowej zamontowano cewki magnetyczne w układzie Helmholtza, generujące pole magnetyczne o natę2 żeniu 10 kA/m. Gęstość prądu wyładowania jarzeniowego wynosiła każdorazowo 10,2 A/m2. Uzyskano powierzchnię poddanej czyszczeniu płytki czystą, gładką i błyszczącą metalicznie, jak w przykładzie III.
P r z y k ł a d V.
Sworzeń silnika benzynowego ze stali 38HMJ, po krótkookresowym niskociśnieniowym azotowaniu dyfuzyjnym, oczyszczony mechanicznie w znany sposób, umyty w acetonie i osuszony w strumieniu suchego azotu podwieszono poprzez połączenie galwaniczne pionowo pod obrotowym
PL 218 924 B1 stolikiem, znajdującym się w metalowej komorze próżniowej, wyposażonej w izolowany, próżnioszczelny przepust prądowy. Po usunięciu z komory powietrza do wartości ciśnienia resztkowego ca 0,9x10-4 Pa, stolik wraz ze sworzniem połączono ze źródłem prądowym generującym przebiegi prądowe bipolarne o maksymalnej różnicy potencjałów 1500 V. Następnie, przez 12 min impulsowo wprowadzano argon, podając go w jednym impulsie w ilości 0,7x10-6 mol/dm komory, przy częstotliwości impulsów 1,3 Hz i czasie trwania impulsu 120 ms, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, 2 wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości prądu 12 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,6 s. Każdorazowo chwilowe ciśnienie w komorze wzrastało do 1,5 Pa. Sworzeń schłodzono, a powierzchnia elementu poddanego czyszczeniu była czysta, gładka i metalicznie błyszcząca i podobnie wyglądały ścianki komory.
P r z y k ł a d VI.
Postępując jak w przykładzie V, płytkę z węglika spiekanego do przecinania typu LFMX 2R poddano czyszczeniu w kryptonie przez czas 8 min, podając go w jednym impulsie w ilości 1,1x10-6 3 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,1 Hz i czasie trwania impulsu 170 ms, przy ciągłym 2 równoczesnym usuwaniu gazu, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości 20 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,7 s. Chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 1,8 Pa. Płytkę schłodzono. Uzyskana powierzchnia poddanej czyszczeniu płytki, jak i ścianki komory były czyste, gładkie i o metalicznym połysku.
P r z y k ł a d VII.
Postępując jak w przykładzie V, płytkę z węglika spiekanego do frezowania typu SEANI504AFTN 2R w czasie 14 min poddano czyszczeniu w równowagowej mieszaninie argonu i ksenonu, podając ją w jednym impulsie w ilości 0,11x10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów
1,6 Hz i czasie trwania impulsu 1 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, wywołując zapłon 2 wyładowania jarzeniowego o gęstości 1 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,6 s, przy każdorazowym chwilowym wzroście ciśnienie w komorze do 0,5 Pa, po czym płytkę schłodzono. Zarówno oczyszczona powierzchnia płytki jak i ścianki komory były czyste, gładkie i metalicznie błyszczące.
P r z y k ł a d VIII.
Postępując jak w przykładzie V, ulepszony cieplnie nóż kształtowy ze spiekanej stali szybkotnącej Vanadis 23, poddano czyszczeniu argonem przez 15 min, podając go w jednym impulsie w ilości 0,3x10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,7 Hz i czasie trwania impulsu 60 ms, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości 2 prądu 4 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,5 s. Każdorazowo chwilowe ciśnienie wzrastało do 1 Pa. Następnie nóż schłodzono. Po otwarciu komory i wyjęciu noża kształtowego ze stali szybkotnącej Vanadis 23 stwierdzono, że zarówno powierzchnia noża jak i ścianka komory próżniowej są czyste, gładkie i o metalicznym połysku.
P r z y k ł a d IX.
Postępując jak w przykładzie VIII, płytkę wieloostrzową z ceramiki AI2O3 + ZrO2 + TiN typu
TACN120408 poddano podczas 12 min czyszczeniu kryptonem, podając go w jednym impulsie w ilości 0,3x10-6 mol/dm3 komory przy częstotliwości impulsów 1,7 Hz i czasie trwania impulsu 50 ms, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości 2
A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,5 s. Chwilowe ciśnienie wzrastało każdorazowo do 1,1 Pa. Następnie płytkę schłodzono. Po otwarciu komory i wyjęciu płytki, stwierdzono, że zarówno powierzchnie płytki, jak i wewnętrzne ścianki komory są czyste, gładkie i błyszczące metalicznie.
P r z y k ł a d X.
Postępując jak w przykładzie VIII, zawór wlotowy silnika na paliwo LPG poddano podczas min czyszczeniu ksenonem podawanym w jednym impulsie w ilości 0,6x10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,5 Hz i czasie trwania impulsu 110 ms, przy ciągłym i równoczesnym usu2 waniu gazu, wywołując zapłon wyładowania jarzeniowego o gęstości 7 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,5 s, przy każdorazowym chwilowym wzroście ciśnienia do 1,1 Pa, po czym zawór schłodzono. Po otwarciu komory i wyjęciu zaworu, stwierdzono, iż zarówno powierzchnie zewnętrzne zaworu, jak i wewnętrznych ścianek komory są czyste, gładkie i błyszczące metalicznie.
Claims (2)
1. Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do czyszczenia powierzchni podłoży w procesach rozpylania katodowego w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej komorze powłok, polegający na wywołaniu w gazie szlachetnym lub mieszaninie gazów szlachetnych, wprowadzanych do komory po uprzednim usunięciu z niej powietrza, wyładowań jarze2 niowych o gęstości prądu 1 - 20 A/m2 przy użyciu jako źródła zasilania źródła prądowego generującego przebiegi prądowe bipolarne lub unipolarne o polarności ujemnej, znamienny tym, że gaz szlachetny, jak argon, krypton, ksenon bądź ich mieszaninę o dowolnej proporcji podaje się do komory impulsowo, w czasie 1 - 280 ms, każdorazowo w ilości (0,1 - 1,5) x 10-6 mol/dm3 komory próżniowej do zapłonu plazmy, przy częstotliwości impulsów podawania gazu szlachetnego lub mieszaniny gazów szlachetnych 1 - 1,7 Hz, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu atmosfery obróbczej dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy, przy czym stosuje się czas podawania gazu lub mieszaniny gazów i czas między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów takie, aby stosunek czasu podawania gazu lub mieszaniny gazów do czasu zanikania plazmy do czasu między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów był równy 0,01 - 2,8 do 3 - 7 do 6 - 10, oraz aby łączny czas podawania gazu lub mieszaniny gazów i czas zanikania plazmy był krótszy od czasu między kolejnymi podaniami gazu lub mieszaniny gazów.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że plazmę wytwarza się korzystnie w zamkniętym polu magnetycznym.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399605A PL218924B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłok |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399605A PL218924B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłok |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL399605A1 PL399605A1 (pl) | 2013-12-23 |
| PL218924B1 true PL218924B1 (pl) | 2015-02-27 |
Family
ID=49767869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL399605A PL218924B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłok |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL218924B1 (pl) |
-
2012
- 2012-06-21 PL PL399605A patent/PL218924B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL399605A1 (pl) | 2013-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2374832T3 (es) | Capa de material duro. | |
| US9941102B2 (en) | Apparatus for processing work piece by pulsed electric discharges in solid-gas plasma | |
| Belkind et al. | Characterization of pulsed dc magnetron sputtering plasmas | |
| Koval et al. | Generation of low-temperature gas discharge plasma in large vacuum volumes for plasma chemical processes | |
| GB2437730A (en) | HIPIMS with low magnetic field strength | |
| CN103088292A (zh) | 用于在多个工件和一个工件上沉积无氢四面体非晶碳层的装置和方法 | |
| KR20170132129A (ko) | 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법 | |
| TWI381063B (zh) | 高功率脈衝磁控濺射鍍膜裝置與表面處理裝置 | |
| Benzeggouta et al. | Study of a HPPMS discharge in Ar/O2 mixture: I. Discharge characteristics with Ru cathode | |
| EP1239056A1 (en) | Improvement of a method and apparatus for thin film deposition, especially in reactive conditions | |
| PL218924B1 (pl) | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości do czyszczenia powierzchni podłoży w komorze próżniowej przed nanoszeniem na nie w tej samej komorze powłok | |
| US20130129937A1 (en) | Vapor Deposition of Ceramic Coatings | |
| US8642140B2 (en) | Ceramic coating deposition | |
| Vetter et al. | Domino platform: PVD coaters for arc evaporation and high current pulsed magnetron sputtering | |
| KR100951636B1 (ko) | 칼라 임플란트 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP5956302B2 (ja) | プラズマ処理装置、ヘテロ膜の形成方法 | |
| RU2566232C1 (ru) | Способ комбинированной ионно-плазменной обработки изделий из алюминиевых сплавов | |
| KR20160029113A (ko) | 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃 | |
| Semenov et al. | Comparison of plasma parameters and optical emission in DC, HIPIMS and hybrid DC+ HIPIMS modes of magnetron sputtering | |
| RU2463382C2 (ru) | Способ и устройство для получения многослойно-композиционных наноструктурированных покрытий и материалов | |
| JP2023540624A (ja) | 分割パルスを有するコーティング装置及びコーティング方法 | |
| Azuma et al. | Electrical and optical characteristics of high-power pulsed sputtering glow discharge | |
| KR100205117B1 (ko) | 밀착성 및 표면특성이 우수한 피막형성방법 | |
| RU2180472C2 (ru) | Вакуумно-дуговой источник плазмы | |
| Ryabchikov et al. | High-frequency short-pulse bias potential as a universal method of ion-beam and plasma treatment of conductive and dielectric materials using vacuum-arc and ablation plasma |