KR100314727B1 - 소형소결부품에의고내식성알미늄피막형성방법 - Google Patents

소형소결부품에의고내식성알미늄피막형성방법 Download PDF

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Abstract

본발명은 내식성을 향상시키 위해 각종 소형의 소결부품에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로,소결품에 알미늄 피막처리를 함에 있어서,피막처리전에 적절한 조건으로 소결품을 전처리하고,또한,피막처리후에 적절한 후처리를 행하므로서, 밀착성 및 내식성이 우수할 뿐만 아니라 부품의 전면에 고르게 코팅되는 피막을 보다 경제적으로 형성할 수 있는 알미늄 피막 형성방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 이온플레이팅에 의해 소형 기계 부품이나 자석 등의 소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.
상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;
상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;
상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및
상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성되는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법을 그 요지로한다.

Description

소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법{Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts}
본발명은 내식성을 향상시키 위해 각종 소형의 소결부품에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 각종 전기 모터는 물론 미터계, 셔터등과 같은 센서류, 스피커, 기록매체 등에 널리 사용되는 영구자석중 소결품인 니오듐영구자석에 내식성 향상을 위해 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
물질 자체가 자력 가지고 있어서 주위에 자장을 발생시키는 소위 영구자석은 우리 주변에서 다양하게 이용되고 있다. 각종 전기 모터는 물론 미터계, 셔터등과 같은 센서류, 스피커, 기록매체등 그 응용은 이루 헤아리기가 어려울 정도이며 그들의 대부분은 우리의 실생활과도 매우 밀접한 관계가 있다. 영구자석에는 페라이트 자석, 알니코자석(알미늄, 니켈, 코발트의 합금), 사마륨자석(사마륨, 코발트의 합금), 그리고 니오듐자석(니오듐, 철, 보론의 합금)등이 있다. 니오듐 자석의 특징은 잔류 자속밀도와 보자력이 페라이트 등에 비해 두세배가 높고 최대에너지적이 다른 자석에 비해 다섯배 이상 많게는 열배까지 높다는 것이다. 그러나 니오듐 자석의 이러한 장점에도 불구하고 몇가지 치명적인 단점이 있는데 그중의 하나가 대기중에서 부식이 매우 쉽게 일어난다는 것이다. 이는 니오듐자석이 희토류원소인 니오듐과 철로 이루어진 화합물이기 때문에 쉽게 이해할 수 있다.
또 다른 하나의 단점은 이 자석이 분말을 소결하여 만들어지는 소결품이므로 충격에 약하고 따라서 베럴에 의한 피막제조시 작은 알갱이들이 떨어져 나와 결국은 피막 특성을 저하시키는 요인이 된다는 것이다.
니오듐 자석의 부식을 방지하기 위한 표면처리 방법에는 니켈전기도금, 전착도장, 에폭시 코팅, 알미늄 코팅 등 크게 네가지로 분류할 수 있다. 이들 중 가장 많이 이용되고 있는 방법이 니켈전기도금이며 이 외에는 대부분 특수한 용도에 맞추어 사용되고 있다. 따라서, 대부분의 자석 제조회사에서 니켈전기도금을 사용하고 있다. 그러나 니켈 도금한 제품의 경우 고속회전 또는 보다 우수한 특성이 요구되고있는 제품에서는 그 한계를 드러내고 있어 이를 해결하기위한 수단으로 알미늄 코팅이 점차 그 영역을 확대해 가고 있다.
알미늄은 색상이 미려하고 내식성이 우수하여 화장품 케이스나 악세사리 등의 장식용 피막은 물론 반도체의 도전막, 자성재료나 강판의 보호피막 등에 매우 폭넓게 이용되고 있다. 또한 알미늄은 이 금속이 갖는 제 특성(밀도가 낮고, 가공성, 내식성 및 열전도성이 우수)으로 인하여 산업상 응용분야가 매우 다양하다. 최근 우주개발이나 항공산업이 크게 발달하면서 각종 소재에 알미늄을 피막처리함으로서 내식성 및 기계적 성질을 우수하게 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 예로서 맥도넬 더글라스사에서는 비행기에 사용되는 각종 부품에 알루미늄을 코팅하여 내부식 및 내마모 재료로 사용하고 있다. 한편, 독일에서는 강판상에 알미늄을 진공증착하여 용기용 및 가전제품에 사용하고 있는등, 그 응용은 헤아릴수 없다. 이 때문에 일찍부터 알미늄을 코팅하여 사용하는 제품이 나타났으며, 니오듐자석에는 1983년부터 사용되어 왔다.
알미늄은 전기도금으로 코팅할 경우 그 효율이 낮아 생산성이 떨어지기 때문에 대부분 물리증착을 이용하고 있다. 물리증착에는 크게 진공증착, 스퍼터링 그리고 이온플레이팅이 있으며 내식성 향상을 위한 목적의 경우는 일반적으로 이온플레이팅 방법을 이용하고 있다. 특히, 맥도넬 더글라스사나 스미토모 특수금속에서는 소위 AC 코팅으로 알려진 알미늄 코팅 제품을 생산, 판매하고 있다.
알미늄 피막은 대체로 피막층에 많은 구멍을 포함하고 있을 뿐만 아니라 기판과의 밀착성이 열악한 단점도 가지고 있는바, 이를 해결하기 위해서 진공증착의 경우는기판을 고온으로 가열하여야 하며 이온플레이팅에서는 기판에 인가되는 전압을 증가시키거나 이온화율을 증대시키기 위해 더 많은 양의 방전 개스를 도입할 필요가 있게 된다. 그러나 기판을 고온으로 가열할 경우는 기판에 손상을 줄뿐만 아니라 기판이 고온이 될 수록 부착량이 감소하여 경제성이 저하되며, 기판에 고전압을 인가하는 방법 또한 기판에 손상을 주게 된다. 방전개스 도입량을 증대하여 이온화율을 높이려 하면 방전개스가 피막에 혼입되어 피막을 손상시키게 되며 방전개스와 증발되는 알미늄 사이에 산란이 일어나 역시 부착량의 감소를 초래하게 된다. 이들 문제점을 해결하기 위해서 여러 가지 방법의 진공증착, 스퍼터링, 이온플레이팅 장치나 방법(일본국특허 59028569, 일본국특허 61059861, 영국특허 2141442 Al, 일본국특허 57095749, 영국특허 2162205, 일본국 특허 7942676)이 개발되었으며, 이들은 주로 피막의 균일성 및 피막과 기판간의 밀착성, 발생된 플라즈마의 안정성, 증발원의 재질 및 구조, 높은 이온화율 등을 그 내용으로 한다.
본발명자도 위와같은 문제점을 해결하고자 "밀착성 및 표면특성이 우수한 피막형성방법(대한민국특허9671544)"을 제안한바 있는데, 이 방법은 소형기계부품이나 자석 등의 소재에 금속 또는 화합물 피막을 형성하는 방법에 있어서 10-4토르 이하의 고진공에서 이온플레이팅 방법으로 플라즈마를 발생시켜 소재의 전면에 피막을 형성하는 방법이다.
그러나, 상기 피막형성방법은 코팅 공정에 주안점을 둔 것으로 자석과 같은 소결품의 내식성을 보다 향상시키기 위해서는 보다 진보된 새로운 방법을 요구하기에 이르렀다.
이에, 본 발명자들은 내식성이 취약한 소결자석과 같은 제품에 상업적인 사용이 가능하도록 연구 및 실험을 거듭하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 완성하게된 것으로서, 본 발명은 소결품에 알미늄 피막처리를 함에 있어서,피막처리전에 적절한 조건으로 소결품을 전처리하고,또한,피막처리후에 적절한 후처리를 행하므로서, 밀착성 및 내식성이 우수할 뿐만 아니라 부품의 전면에 고르게 코팅되는 피막을 보다 경제적으로 형성할 수 있는 알미늄 피막 형성방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명을 구현하기위한 피막형성장치의 일례를 나타내는 단면도
도 2는 피막의 두께에 따른 적청발생시간의 변화를 나타내는 그래프
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1...진공실 2...증발원
3...이온화전극 4...필라멘트
5...셔터 6...두께모니터
7...가열장치 8...베럴
9...진공게이지 10...개스도입구
11...시편 12...증발물(알미늄)
본 발명은 그 내부에 증발원,이온화전극,필라멘트,및 베럴등이 구비되어 있는 진공조를 포함하는 이온플레이팅 장치를 사용하여 이온플레이팅에 의해 소형 소결부품 소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.
상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;
상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;
상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및
상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성되는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법에 관한 것이다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따라 소형 소결부품에 고내식성의 알미늄 피막을 형성하기 위해서는 이온플레이팅 장치가 요구되는데,이에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 구현하기 위한 이온플래이팅 장치의 일례가 도1에 나타나 있는 데, 도1에 나타나 있는 이온플레이팅 장치는 통상의 진공증착 장치에 이온화장치 및 배럴등을 설치한 것이다.
도1에 나타난 바와 같이, 이온 플레이팅 장치는 진공실(1)을 포함하는데, 상기 진공실(1)내에는 이온플레이팅을 할수 있는 이온화전극(3)과 필라멘트(4)가 구비되어 있고, 또한, 증발원(2)과 셔터(5), 두께 모니터(6), 가열장치(7),및 소재를 홀딩하고 회전시키는 베럴(8)이 구비되어 있으며, 또한,상기 진공실(1)에는 진공도를 측정할수 있는 진공게이지(9) 및 개스를 주입하는 개스도입구(10)등이 설치되어 있다. 증발원(2)은 전자총 또는 저항가열 증발원을 사용하는 것이 바람직하다.
이하,본 발명의 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법을 도1에 나타난 이온플레이팅 장치를 참조하여 설명한다.
본 발명에 따라 소형 소결부품에 고내식성의 알미늄 피막을 형성하기 위해서는 우선 알미늄 피막을 형성시키고자 하는 소재(11)를 전처리하여야 한다.
본 발명에 있어서 소재(11)의 전처리공정은 진공조(1)내에 장입하기 전의 샌드브라스팅 처리와 진공조(1)내에 장입한 후의 개스방전에 의해 청정처리로 구분된다. 상기샌드브라스팅 처리는 소재의 특성, 제거하려는 오염물질 등에 따라 처리조건이 제어된다.
진공조(1)내에 장입하기 전의 소재(11)의 전처리공정으로는 통상 실험실적으로는 가벼운 연마를 거친 후 청정제나 용매를 이용한 초음파 세척이 적당하지만, 산업상으로는 샌드브라스트나 화학세정등이 이용되고 있다. 고정구나 공구, 베어링 등의 부품에 전형적으로 존재하는 오염물질로는 윤활유, 절삭유, 산화물 그리고 지문 등이 있다.
본 발명에서는 상업적 적용성이 우수하고 경제적이며 환경친화적인 샌드브라스팅 처리가 전처리공정으로 채택된 것이다.
본 발명의 상기 샌드브라스트의 실시에 있어서는 샌드브라스트의 미디어의 크기를 100~800 매쉬로 선정하는 것이 바람직하며, 샌드브라스팅의 압력은 2~6kg/cm2선정하는 것이 바람직한데, 그 이유는 다음과 같다. 샌드브라스트 미디어의 크기가 100매쉬 이상이거나 압력이 6kg/cm2이상이 되면 소결품의 표면이 손상을 입기 쉽고, 800매쉬 이하이거나 압력이 2kg/cm2이하가 되면 시간이 많이 소요되어 그 만큼 경제성이 떨어지기 때문이다.
상기와 같이 샌드브라스팅 처리를 거친 소재(11)는 베럴(8)에 장입되고, 증발원(2)에 알미늄(12)을 채운 후에 진공조를 닫고 진공펌프(도면에 표시되어 있지 않음)를 이용하여 원하는 진공도까지 배기한다.
즉,증발물인 알미늄(12)을 증발원(2)에 넣고 이온화전극(3)과 필라멘트(4)를 설치한 다음 진공실(1)을 닫고 진공펌프를 이용하여 배기한다.
진공도가 바람직하게는, 10-5토르 이하가 되면 소재(11)의 청정을 위해 개스도입구(10)를 통해 아르곤 개스를 주입하고 소재에 음의 전압을 인가하여 소재를 청정시킨다.
시편의 청정공정은 매우 중요한 단계로 시편에 존재하는 유기물과 같은 불순물뿐만 아니라 자연적으로 존재하는 산화막을 제거하도록 행해진다.
이들 불순물이 충분히 제거되지 않으면 밀착성에 나쁜 영향을 주므로 충분히 청정을 해주어야 한다. 소재의 청정은 10-2토르 정도의 아르곤개스 분위기에서 소재에 400~1000V의 음의 전압을 인가하여 글로우방전을 유도시켜 실시하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면 방전영역에 존재하는 아르곤 이온이 소재에 충돌하여 소재에 존재하는 불순물을 제거하게 된다.
상기와 같이 소재의 청정이 끝나면 진공도를 다시 10-5토르 이하로 유지시킨 후 본격적으로 코팅을 실시한다.
이때,상기 이온화전극(3)의 전압은 40~70V의 범위가 바람직한데 그 이유는 다음과 같다. 이온화전극(3)의 전압이 40V 이하가 되면 이온화가 충분히 일어나지 않아 밀착성 및 내식성이 나빠지고 이온화전극(3)의 전압이 70V 이상이 되면 이상방전등으로 인해 피막이 손상을 입기 때문이다. 상기 이온화전극(3)의 전류 범위는 8~20A의 범위가 적당한데 그 이유는 전압과 유사하다. 플라즈마가 안정화되면 기판에 전압을 인가하고, 베럴(8)을 회전시키면서 셔터(5)를 열어 증착시킨다. 상기 베럴(8)의 회전속도는 5rpm이하로 조정하는 것이 바람직한데, 그 이유는 회전속도가 5rpm이상이 되면 시편이 깨어져 나가는 정도가 심할 뿐만 아니라 이에 따라 전반적으로 내식성이 저하되는 단점이 있기 때문이다.
진공중에서 피막제조가 끝나면 소재(11)를 밖으로 꺼낸 후 표면의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택이 나는 표면을 만들기 위해 다시 샌드브라스트를 이용하여 연마하므로서,소재의 표면에 고내식성 알미늄 피막이 형성된다.
상기 피막의 두께는 5㎛이상이 바람직한데 그 이유는 피막의 두께가 5㎛이하가 되면 내식성이 현저히 떨어지기 때문이다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 상세히 설명한다.
(실시예)
발명예(1)
본 실험에서는 외경이 30mm이고 내경이 20mm 이며 두께가 1mm인 구멍이 있는 원판형의 니오듐 영구자석을 시편으로 사용하였으며, 200개의 시편을 한꺼번에 사용하였다.
또한, 본 실험에서는 도1에 나타난 이온플레이팅 장치를 사용하였다.
그리고,하기 표1과 같은 조건으로 전처리(센드브라스팅처리,및 청정처리)및 이온플레이팅 처리를 행하여 피막을 형성한 후, 피막이 형성된 시편을 샌드브라스트를 이용하여 1분간 표면을 연마하였다.
여기서, 샌드브라스팅 처리는 지르코니아 비드를 이용하여 행하였다.
그리고,시편의 청정처리는 진공도가 10-5토르 이하에 이를 때에 개스도입구를 통해 1.2 x 10-2토르의 아르곤 개스를 주입하여 글로우방전에 의해 실시하였다. 이때 베럴에 인가한 전압은 500V 였고, 전류는 400~800mA로 하여 베럴을 회전시키면서 20분간 청정을 실시하였다.
시편의 청정이 끝나고 진공도가 다시 10-5토르 이하가 된후 알미늄 피막을 형성하였는데, 이때 플라즈마를 보다 안정화시키기 위해 2 x 10-4토르의 아르곤 개스를 개스도입구를 통해 주입하면서 실시하였다. 우선 전자빔 증발원에 전원을 인가하여 알미늄을 증발시키면서 이온화전극과 필라멘트에 전원을 인가하여 안정된 플라즈마를 발생시켰다. 전자빔 증발시에 증발율의 향상을 위해 알루미나 도가니를 사용하였으며, 전자빔의 전력은 10kV, 150~400mA로 조절하였다. 증발이 일어나기 시작하면 다음단계는 플라즈마를 발생시키는 단계가 되는데, 이때는 이온화전극(3)과 필라멘트를 각각 이용하였으며, 이온화전극에는 50V, 12A를 필라멘트에는 45A의 전류를 흘렸다.
플라즈마가 안정화되면 기판에 200V의 전압을 인가하고, 베럴(8)을 회전시키면서 셔터(5)를 열어 60분간 증착시켰다.
상기와 같이 알미늄 피막을 형성시킨 후,피복율,피막두께,증착효율,밀착성,및 내식성을 측정하고 ,그 결과를 하기 표1에 나타내었다,
하기 표1에서 피복율은 소재 전면의 두께를 측정하여 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 비율을 나타낸 것이고, 피막두께는 습식방법을 이용한 중량법으로 측정하여 평균한 것이다.
또한, 증착효율은 생산성을 비교하기 위한 것으로 1회 증착시간이 60분 내외 일 경우는 ●로 90분에서 120분 사이일 경우는 △로, 120분 이상이 걸릴 경우에는 X로 표시하였으며, 밀착성은 테이프 테스트와 스크레치 테스터를 이용한 측정을 통해 3단계로 구분하여 밀착성이 매우 우수한 경우를 ●로 중간일 경우는 △로 테이프로도 떨어지는 경우를 X를 표시하였다.
한편, 내식성은 5% NaCl 용액중에서의 200시간 경과후 도금층에 생긴 적청 발생량을 비교한 것으로서, 이에 대한 비교를 3단계로 구분하여 적청발생이 미미한 경우는 ●로, 적청발생율이 전면적의 5%이하일 경우에는 △로, 5% 이상일 경우는 X로 표시하였다.
발명예(2-4)
발명예(2)는 발명예(1)과 동일하되 시편을 파이프형의 니오듐자석을 사용한 경우이고, 발명예(3)은 발명예(1)과 동일하되 저항가열증발원을 사용하여 증착시킨 경우이고, 발명예(4)는 발명예(1)과 동일하되 구멍이 뚤리지 않은 원판형의 시편을 사용하고 저항가열 증발원을 사용하여 증착시킨 경우이며, 각각의 실험결과에 대해서는 하기 표1에 나타내었다.
비교예(1-7)
비교예(1)은 진공증착 방법으로 알미늄을 니오듐자석에 증착하여 특성을 비교한 경우이고, 비교예(2)는 발명예(1)과 동일하되 도가니를 수냉구리를 이용하여 증착시킨 경우이고,
비교예(3)은 이극 직류 이온플레이팅 방법으로 알미늄을 니오듐자석에 증착한 경우이고, 비교예(4)는 발명예(1)과 동일하되 진공실에 장입하기전에 전처리를 실시하지 않은 경우이고, 비교예(5)는 발명예(1)과 동일하되 진공실에 장입한 후 글로우방전 청정을 실시하지 않은 경우이고,
비교예(6)은 발명예(1)과 동일하되 베럴의 회전속도를 7rpm으로 하여 피막을 제조한 경우이며, 비교예(7)은 발명예(1)과 동일하되 피막의 두께를 4.5㎛로 하여 피막을 제조한 경우이며, 그 실험 결과는 하기 표1에 나타내었다.
실시예 No. 전처리 베럴회전속도(rpm) 증발원(도가니) 피복율(피막두께) 증착효율 밀착성 내식성
발명예 1 샌드브라스트글로방전청정 5 전자빔(알루미나) 0.70(10㎛) ● ● ●
발명예 2 샌드브라스트글로방전청정 3 전자빔(알루미나) 0.55(9.5㎛) ● ● △
발명예 3 샌드브라스트글로바언청정 4 저항가열(TiB2·BN) 0.70(8.8㎛) △ ● ●
발명예 4 샌드브라스트글로방전청정 2 저항가열(TiB2·BN) 0.85(8.8㎛) △ ● ●
비교예 1 샌드브라스트글로방전청정 3 전자빔(알루미나) 0.60(10㎛) ● X △
비교예 2 샌드브라스트글로방전청정 3 전자빔(수냉구리) 0.70(7.5㎛) X ● △
비교예 3 샌드브라스트글로방전청정 3 전자빔(알루미나) 0.60(7.9㎛) X △ △
비교예 4 글로방전청정 3 전자빔(알루미나) 0.60(8.3㎛) △ X X
비교예 5 샌드브라스트 3 전자빔(알루미나) 0.60(8.6㎛) △ X X
비교예 6 샌드브라스트글로방전청정 7 전자빔(알루미나) 0.65(10㎛) △ ● △
비교예 7 샌드브라스트글로방전청정 3 전자빔(알루미나) 0.75(4.5㎛) ● ● X
한편,본 발명의 효과를 설명하기 위해 피막의 두께에 따른 내식성을 조사하고, 그 결과를 도2에 나타내었다.
도2에 나타난 바와 같이, 두께가 5㎛부터 내식성이 급격히 증가함을 알수 있다.
상술한 바와같이 본 발명의 방법으로 피막을 제조하면 기존의 방법에 비해 피복율 및 증착효율이 높고, 밀착성이 우수하며 내식성이 우수한 피막을 경제적으로 제작할수 있음을 알 수 있다.

Claims (12)

  1. 그 내부에 증발원,이온화전극,필라멘트,및 베럴등이 구비되어 있는 진공조를 포함하는 이온플래이팅 장치를 사용하여 이온플래이팅에 의해 소형 소결부품소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.
    상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;
    상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;
    상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및
    상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  2. 제1항에 있어서, 샌드브라스팅 미디어의 크기가 100~800 매쉬이고, 그리고 샌드브라스팅 압력이 2~6 kg/cm2인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  3. 제1항또는 제2항에 있어서 증발원으로 전자빔 또는 저항가열원을 사용하며, 전자빔의 경우 알루미나 도가니를 사용하는 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 이온화전극의 전압이 40~70V이고, 그리고 전류가 8~20 A 인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  5. 제3항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 이온화전극의 전압이 40~70V이고, 그리고 전류가 8~20 A 인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  7. 제3항에 있어서,알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  8. 제4항에 있어서,알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  10. 제3항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  11. 제4항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
  12. 제6항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법
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