PL209891B1 - Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu - Google Patents
Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmuInfo
- Publication number
- PL209891B1 PL209891B1 PL384662A PL38466208A PL209891B1 PL 209891 B1 PL209891 B1 PL 209891B1 PL 384662 A PL384662 A PL 384662A PL 38466208 A PL38466208 A PL 38466208A PL 209891 B1 PL209891 B1 PL 209891B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- chamber
- ampoule
- temperature
- cadmium
- tellurium
- Prior art date
Links
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu (CdTe) wykorzystującego reakcję w fazie par, a stosowanego w technologii przyrządów półprzewodnikowych oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu.
Kadm jest metalicznym pierwiastkiem z drugiej kolumny układu okresowego a tellur pierwiastkiem z szóstej kolumny układu okresowego. Jako związek chemiczny CdTe stanowi jeden z klasycznych związków półprzewodnikowych typu AlI - BVI. Przerwa energetyczna tego związku a także parametry struktury pasmowej są przedmiotem licznych badań oraz aplikacji. CdTe coraz powszechniej stosowany jest jako materiał na detektory promieniowania X i gamma, z dodatkiem cynku stanowi podłoża do detektorów podczerwieni, (ciągle związane są z nim nadzieje na zastosowania w bateriach słonecznych). Natomiast z dodatkiem manganu stanowi klasyczny półprzewodnik półmagnetyczny. Temperatura topnienia CdTe wynosi ~1095°C. Najprostszym, znanym sposobem otrzymywania tego związku jest poddanie kadmu i telluru reakcji chemicznej, bezpośredniej, która jest reakcją egzotermiczną (czyli z wydzielaniem dużej ilości ciepła). W sposobie tym, kadm i tellur w stechiometrycznych proporcjach zamyka się w odpowiedniej ampule kwarcowej i powolnie (często 1 - 2 dni), stopniowo podgrzewa do temperatury topnienia CdTe. Podczas tego procesu, w temperaturze ~500°C oba składniki są już w stanie ciekłym ale ich wzajemna reakcja prawdziwie burzliwa i egzotermiczna (na którą mamy mały wpływ) zaczyna się w temp. 700 - 900°C. W przypadku doświadczalnych (małych) ilości wytwarzanego związku nie ma większych problemów, natomiast gdy w grę wchodzą większe ilości materiału rzędu 250 g kadmu i telluru pojawiają się problemy związane z bezpieczeństwem prowadzonego procesu. Przy większych ilościach materiału, zachodząca burzliwie, nie kontrolowana reakcja może spowodować, że lokalne temperatury tworzącego się związku znacznie przekroczą temperaturę topnienia CdTe, w efekcie czego nastąpi wzrost ciśnienia par wewnątrz ampuły nawet do kilkudziesięciu atmosfer. Wzrost ciśnienia par spowodowany jest wysoką temperaturą, w której znalazły się jeszcze nie przereagowane pierwiastki (głównie tellur).
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu otrzymywania dobrze przereagowanego CdTe, który przebiegałby w temperaturach niższych niż temperatura jego topnienia, byłby sposobem dobrze kontrolowanym, a przez to i bardziej bezpiecznym oraz urządzenia umożliwiającego realizację tego sposobu.
Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu według wynalazku polega na poddaniu kadmu i telluru w stechiometrycznych proporcjach reakcji w zamkniętej ampule kwarcowej. W sposobie tym, kadm i tellur o czystości półprzewodnikowej (6N) umieszcza się w półotwartych komorach trzykomorowej ampuły kwarcowej, przy czym pierwiastki umieszczone są oddzielnie, w komorach krańcowych przedzielonych pustą komorą. Ampułę odpompowuje się do wysokiej próżni, zamyka i umieszcza się w strefowym urządzeniu grzejnym, którego każda strefa ogrzewa inną komorę ampuły. Następnie w temperaturach 450 - 850°C prowadzi się proces termiczny. W pierwszym etapie procesu podgrzewa się tylko środkową, pustą komorę do temperatury ~850°C i utrzymuje tę temperaturę przez ok. 2 godziny. W drugim etapie obniża się temperaturę komory środkowej do temperatury 750°C i jednocześ nie podgrzewa się komorę z kadmem do temperatury ~450°C a komorę z tellurem do temperatury ~590°C. Takie temperatury utrzymuje się do całkowitego zakończenia reakcji. Korzystnie jest jeżeli odległość między komorą, w której znajduje się kadm a komorą, w której znajduje się tellur wynosi 25 - 30cm.
Urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu posiada piec o trzech strefach grzania wewnątrz którego znajduje się kwarcowa ampuła technologiczna stabilizowana elementami pozycjonującymi z otworami umożliwiającymi obserwację procesu. Ampuła posiada trzy półotwarte komory ograniczone przewężeniami oraz zamknięcie, przy czym każda z komór ampuły znajduje się w innej strefie grzania pieca.
Sposób według wynalazku pozwala na otrzymywania dużych (powyżej 250 g) ilości mikrokrystalicznego tellurku kadmu w relatywnie niskich temperaturach ~750°C. Jest sposobem całkowicie bezpiecznym, ponieważ reakcja egzotermiczna ma przebieg w pełni kontrolowany gdyż masy poszczególnych pierwiastków dostarczane są do reakcji jedynie poprzez strumień par a ten jest regulowany przez temperaturę źródła.
Wynalazek zostanie objaśniony na przykładzie przereagowania półprzewodnikowej czystości kadmu (99,9999 - 6N) z półprzewodnikowej czystości tellurem (99,9999 - 6N). Na Fig. 1 rysunku pokazano przykładowe urządzenie do reagowania CdTe, na Fig. 2 przedstawiono rozkład temperatury
PL 209 891 B1 w ampule technologicznej w pierwszym etapie prowadzenia procesu, a na Fig. 3 - rozkł ad temperatury w ampule podczas drugiego etapu prowadzenia procesu. Urządzenie posiada trzystrefowy piec rurowy 1 z niezależnym dla każdej strefy zasilaniem. Każda ze stref pieca ma osobne zasilanie z możliwością stabilizacji temperatury: zewnętrzne strefy mają stabilizację w zakresie temperatur 400 - 700°C, a środkowa strefa w zakresie temperatur 600 - 900°C. Wewnątrz pieca umieszczona jest technologiczna ampuła kwarcowa 2 posiadająca trzy półotwarte komory ograniczone dwoma przewężeniami 3 stanowiącymi przeszkodę dla ciekłego kadmu 4 i ciekłego telluru 5 oraz przewężenie 9 przechodzące w zmniejszoną średnicę ampuły a ułatwiające jej zamykanie i otwieranie. W przykładowym rozwiązaniu rura kwarcowa ma średnicę 60 mm, wykonana jest z kwarcu o spektralnej czystości ( SiO2 ~ 6N). Ampuła z jednej strony jest zadenkowana, a z drugiej strony ma przylutowaną rurę kwarcową 6 o węższej średnicy (30 mm), która po odpompowaniu do wysokiej próżni ~10-6 Tr, służy do zamknięcia (zalutowania) ampuły. Ampuła w piecu jest odpowiednio ustawiana za pomocą elementów pozycjonujących 7 posiadających otwory 8 wychodzące na denko ampuły kwarcowej 2 i umożliwiające obserwację reakcji.
Sposób otrzymywania tellurku kadmu (CdTe) według wynalazku oparty jest na przeprowadzeniu reakcji kadmu z tellurem w fazie pary, przy kontrolowanych prężnościach par obu składników. Reakcję prowadzi się w ampule kwarcowej o długości 60 cm z jednej strony „zadekowanej” i posiadającej dwa przewężenia znajdujące się w odległości ~ 15 cm od obu końców. Wysokość przewężeń jest w przybliżeniu równa połowie średnicy ampuły. Otwarty koniec ampuły, za przewężeniem 9, jest połączony z rurą kwarcową o długości 10 - 15 cm i o średnicy nie większej niż 30 mm, co umożliwia zamknięcie ampuły w tym miejscu, a po zakończeniu procesu na łatwe jej otwarcie.
Między zadenkowanym końcem ampuły a najbliższym przewężeniem umieszcza się półprzewodnikowo czysty kadm (czystość ~6N), a pomiędzy drugim przewężeniem a otwartym końcem ampuły umieszcza się półprzewodnikowo czysty tellur (czystość ~6N). Oba pierwiastki odważone są w stechiometrycznych proporcjach wynikają cych z ich masy atomowej: 112,41 dla Cd i 127,61 dla Te. Następnie ampułę odpompowuje się do wysokiej próżni (~10-6 Tr) i zamyka (zatapia) w części gdzie średnica rury jest 30 mm. Tak przygotowaną ampułę z kadmem i tellurem wprowadza się do trzy strefowego pieca rurowego, w którym każda ze stref grzejnych ma długość ok. 25 cm. Pierwszym etapem procesu jest ogrzanie środkowej strefy do ok. 850°C, w tym czasie obie zewnętrzne strefy pieca nie są podgrzewane. Podgrzanie środkowej strefy trwa ok. 2 - 3 godziny i ma na celu odparowanie w lewo i w prawo przypadkowych kawałków kadmu lub telluru, które znalazły się w ś rodkowej części ampuły. Drugim etapem procesu jest obniżenie temperatury w środkowej strefie grzania do temperatury ~750°C i jednoczesne podgrzanie obu zewnętrznych stref pieca. Strefę zewnętrzną obejmującą tę część ampuły, w której znajduje się kadm podgrzewa się do temperatury ~450°C (przy tej temperaturze prężność par Cd wynosi ~5 Tr), a strefę, w której znajduje się część ampuły zawierająca tellur do temperatury ~590°C (przy tej temperaturze prężność par Te wynosi również ~5 Tr).
Oba składniki procesu, to jest kadm i tellur są w tych temperaturach ciekłe ale przewężenia w ampule nie pozwalają im się ze sobą bezpośrednio spotkać i połączyć. Reakcja więc zachodzi w środkowej komorze ampuły, jest gwałtowna chociaż przebiega jedynie pomiędzy parami obu składników. Podczas reakcji widoczne są błyski i wyładowania typu burzowego gdyż energia wydzielana jest w postaci światła. Reakcja jest w pełni bezpieczna ponieważ zachodzi w temp. 750°C a więc w temperaturze znacznie niższej niż temperatura topnienia CdTe, i masa produktów do reakcji jest niewielka, bo podawana przez strumień par, który jest kontrolowany ciśnieniem par obu składników. Na skutek tak prowadzonej reakcji, w pustej środkowej komorze ampuły powstaje przereagowany proszek składający się z mikro kryształków CdTe, które nie przylegają do ścianek ampuły i łatwo dają się wyjąć. Proces prowadzi się przez 2 - 5 godzin.
Gdy reakcja zakończy się (zgaśnie) temperatura w poszczególnych strefach jest utrzymywana jeszcze przez 1 - 2 godz. Następnie piec jest schładzany do temperatury pokojowej, ampuła jest wyjmowana i otwierana w części gdzie miała ś rednicę 30 mm, na przewężeniu 9 przez zrobienie rysy nożem szklarskim i specjalne „złamanie”. Przereagowany materiał w postaci mikrokrystalicznego proszku CdTe wyjmuje się z ampuły bez większych trudności, a ampuła po umyciu i przylutowaniu nowej rury o ś rednicy 30 mm mo ż e być ponownie uż ywana.
Claims (3)
1. Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu, w którym kadm i tellur w stechiometrycznych proporcjach poddaje się reakcji w zamkniętej ampule kwarcowej, znamienny tym, że kadm i tellur o czystości półprzewodnikowej (6N) umieszcza się w półotwartych komorach trzykomorowej ampuły kwarcowej, przy czym pierwiastki umieszczone są oddzielnie, w komorach krańcowych przedzielonych komorą pustą, ampułę odpompowuje się do wysokiej próżni ~10-6 Tr, zamyka i umieszcza się w strefowym urządzeniu grzejnym, którego każda strefa ogrzewa inną komorę ampuły, następnie w temperaturach 450 - 850°C prowadzi się proces termiczny, w pierwszym etapie procesu podgrzewa się tylko środkową, pustą komorę do temperatury ~850°C i utrzymuje tą temperaturę przez ok. 2 godziny, w drugim etapie procesu obniża się temperaturę komory środkowej do temperatury ~750°C i jednocześnie podgrzewa się komorę z kadmem do temperatury ~450°C a komorę z tellurem do temperatury 590°C, takie temperatury utrzymuje się do cał kowitego zakoń czenia reakcji.
2. Urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu posiadające piec wewnątrz którego znajduje się kwarcowa ampuła technologiczna znamienne tym, że ma piec /1/ o trzech strefach grzania, wewnątrz którego znajduje się kwarcowa ampuła technologiczna /2/, stabilizowana elementami pozycjonującymi /7/ zaopatrzonymi w otwory /8/, posiadająca trzy półotwarte komory ograniczone przewężeniami /3/ oraz zamknięcie /6/, przy czym każda z komór ampuły znajduje się w innej strefie grzania pieca.
3. Urządzenie według zastrz. 2, znamienne tym, że odległość między komorą, w której znajduje się kadm a komorą, w której znajduje się tellur wynosi 25 - 30 cm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL384662A PL209891B1 (pl) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL384662A PL209891B1 (pl) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL384662A1 PL384662A1 (pl) | 2009-09-14 |
| PL209891B1 true PL209891B1 (pl) | 2011-11-30 |
Family
ID=42988923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL384662A PL209891B1 (pl) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL209891B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023213212A1 (de) * | 2023-12-21 | 2025-06-26 | Siemens Healthineers Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung, Ampulle, Herstellungsvorrichtung, Verbindung und Verwendung der Verbindung |
-
2008
- 2008-03-11 PL PL384662A patent/PL209891B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023213212A1 (de) * | 2023-12-21 | 2025-06-26 | Siemens Healthineers Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung, Ampulle, Herstellungsvorrichtung, Verbindung und Verwendung der Verbindung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL384662A1 (pl) | 2009-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8834629B2 (en) | Rhombohedral fluoroberyllium borate crystals and hydrothermal growth thereof for use in laser and non-linear optical applications and devices | |
| Verozubova et al. | Synthesis and growth of ZnGeP2 crystals for nonlinear optical applications | |
| ES2675029T3 (es) | Producción de fosfuro de boro mediante reducción de fosfato de boro con un metal alcalinotérreo | |
| Watanabe et al. | Low temperature ammonothermal synthesis of europium-doped SrAlSiN3 for a nitride red phosphor | |
| CN107399722B (zh) | 硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| Paillard et al. | Light: A new handle to control the structure of cesium lead iodide | |
| PL209891B1 (pl) | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku kadmu | |
| CN106006573B (zh) | 一种硒化砷的制备方法 | |
| CN102191541A (zh) | 磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置 | |
| CN102296366B (zh) | LiGaS2多晶的合成方法 | |
| CN102344126A (zh) | 一种磷硅镉多晶体的合成方法与合成容器 | |
| WO2017201648A1 (zh) | 一类红外非线性光学晶体材料及其制备方法和用途 | |
| CN106119969A (zh) | 光学晶体AZn4Ga5S12 用作红外非线性光学材料的用途 | |
| Shiryaev et al. | Preparation and investigation of GaxGe25As15Se60-x (x= 1÷ 5) glasses | |
| Liu et al. | Syntheses, structures, anomalous phase transition and optical properties of two new polymorphic α-and β-LiMoPO6 | |
| Niemyski et al. | Crystallization of lanthanum hexaboride | |
| CN109930203B (zh) | 一种BaGa4Se7多晶的合成装置及合成方法 | |
| PL209892B1 (pl) | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego selenku cynku oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego selenku cynku | |
| PL209890B1 (pl) | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku cynku oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego tellurku cynku | |
| US7540917B2 (en) | Hydrothermal growth of rhombohedral potassium fluoroberyllium borate crystals for use in laser and non-linear optical applications and devices | |
| US3933990A (en) | Synthesization method of ternary chalcogenides | |
| PL209893B1 (pl) | Sposób otrzymywania mikrokrystalicznego siarczku cynku oraz urządzenie do otrzymywania mikrokrystalicznego siarczku cynku | |
| KR101507571B1 (ko) | 갈륨 아세나이드 합성장치 및 합성방법 | |
| RU2812421C1 (ru) | СПОСОБ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ZnGeP2 | |
| Richter et al. | Ammonothermal synthesis and characterization of Cs2 [Zn (NH2) 4] |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20110614 |