PL207579B1 - Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej - Google Patents
Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznejInfo
- Publication number
- PL207579B1 PL207579B1 PL359567A PL35956703A PL207579B1 PL 207579 B1 PL207579 B1 PL 207579B1 PL 359567 A PL359567 A PL 359567A PL 35956703 A PL35956703 A PL 35956703A PL 207579 B1 PL207579 B1 PL 207579B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- nanopowders
- composite
- micro
- nanometric
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000951 Aluminide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 arsenides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- DWAWYEUJUWLESO-UHFFFAOYSA-N trichloromethylsilane Chemical compound [SiH3]C(Cl)(Cl)Cl DWAWYEUJUWLESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej, które znajdują zastosowanie np. w sensorowych parach trących milisystemów współpracujących ze sztuczną inteligencją.
Z polskiego opisu patentowego nr 110 580 znany jest sposób wytwarzania powł ok z azotków metali na węglikach spiekanych polegający na pokrywaniu węglików spiekanych azotkami metali na drodze chemicznej krystalizacji z fazy gazowej, zawierającej wodór azot i pary halogenków metali grup przejściowych w temperaturze 950 - 1350°C. W stosowanej mieszaninie gazowej natężenie przepływu wodoru wynosi 0,3-0,5 mol-min1, azotu 0,05-0,15 mol-min-1 a par halogenku metalu 4·10-4-2·10-3 mol-min’1. Proces krystalizacji prowadzi się korzystnie przez 5-10 minut, stosując grzanie indukcyjne pokrywanych wyrobów, nadając im ruch obrotowy w czasie syntezy.
Z amerykańskiego opisu patentowego nr 5973050 znany jest kompozytowy materiał termoelektryczny zawierający nanometryczne ziarna metali ( Ag, Cu, Pt, Al, Sb) rozproszone w osnowie polimerowej z grupy polianiliny, polipirydyny i in. Powstaje on poprzez zmieszanie proszku o nanomertycznych ziarnach z wybranym polimerem.
Z polskiego zgłoszenia patentowego nr 342 907 znany jest nanostrukturalny materiał termoelektryczny oraz sposób jego wytwarzania (BUP 02/08).
Sposób wytwarzania nanostrukturalnego materiału termoelektrycznego polega na tym, że z prekursorów, których pierwiastki wchodzą w skład materiału termoelektrycznego korzystnie: Bi, Te, Sb, Se, Sn, Pb, As, Co, Fe, Ir, Rh, Ru, Si, Ge, La, Ce, Nd., przygotowuje się roztwór wyjściowy, przy czym stężenie pierwiastków i ich stosunki molowe w roztworze dobiera się tak, aby końcowy materiał posiadał wymagany skład chemiczny, następnie do roztworu dodaje się korzystnie inne składniki takie jak środki regulujące lepkość, napięcie powierzchniowe roztworu, topniki oraz substancje stabilizujące aerozol. Z otrzymanego roztworu wytwarza się aerozol o średnicy kropel mniejszej od 20 um, zawierający składniki potrzebne do syntezy materiału termoelektrycznego. Aerozol transportuje się z mieszanką gazu nośnego do komory reakcyjnej, gdzie w wysokiej temperaturze 300 - 2500°C przy ciśnieniu 10-6-10-3 MPa i w atmosferze redukującej, utleniającej lub obojętnej syntezuje się proszki rozmiarów nanometrycznych o sferycznym kształcie ziaren średnicy φ<5000 nm i grubości ścianek d<500 nm, które następnie odseparowuje się od fazy gazowej.
Celem wynalazku jest opracowanie technologii otrzymywania kompozytu zwłaszcza o strukturze nanometrycznej.
Sposób według wynalazku polega na tym, że metaliczne, lub niemetaliczne mikro- lub nanoproszki zwłaszcza niklu, miedzi, wolframu, molibdenu, żelaza, kobaltu, tytanu, antymonu, tantalu, chromu, niobu, indu, renu, cyny, cynku lub ich stopy lub tlenki, a także mikro- lub nanoproszki grafitu i krzemu modyfikuje się pokrywając powierzchnię ziaren co najmniej jedną nanowarstwą ceramiczną: węglików, azotków, borków, krzemków, aluminków, tlenków, fosforków, germanków, tellurków, arsenków, siarczków, selenków, wodorków, magnezków lub ich kombinacjami, metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej, również ze wspomaganiem np. ultrafioletem. W tym celu do reaktora wprowadza się taką mieszaninę gazową, aby powstająca warstwa miała żądany skład chemiczny, natomiast temperaturę procesu osadzania warstw ustala się tak aby była niższa od temperatury topienia pokrywanego warstwą proszku oraz jej kolejnej warstwy. Z powstałych proszków o mikro- lub nanometrycznych ziarnach pokrytych nanowarstwą sporządza się kompozyt o składzie; 10%-98% wagowych proszku pokrytego warstwą ceramiczną 1%-70% wagowych polimeru lub zmielonej fryty szklanej (stanowiących matrycę kompozytu) oraz 0%-50% modyfikatorów.
Kompozyt według wynalazku pozwala na modyfikację właściwości co pozwala na jego zastosowanie zwłaszcza jako sensory dla elektrotribologii, gdzie istotne są ich właściwości mechaniczne i cieplne. W porównaniu z kompozytami typu MEMS opartymi na proszkach w skali mikrometrycznej kompozyty według wynalazku wykazują lepsze własności użytkowe. Ponadto pokrycie proszków ciągłą warstwą o odpowiednim składzie chemicznym powoduje poprawę jego odporności na ścieranie, gdyż na warstwę o niższej twardości nanosi się warstwę z materiału o twardości wyższej, co w konsekwencji wpływa na właściwości kompozytu. Ponadto dzięki zastosowaniu proszków pokrytych warstwą tworzy się efekt tunelowania, wywołujący właściwości sensorowe, których nie wykazują pojedyncze proszki bez warstw. Układ taki tworzy nową jakość dla materiałów sensorowych. Rezystancja materiału powstałego sposobem według wynalazku wynosi od 10 Ω do 1 G Ω.
PL 207 579 B1
Kompozyt wg wynalazku znajduje zastosowanie np. w sensorowych parach trących milisystemów współpracujących ze sztuczną inteligencją gdzie pełni rolę czujników parametrycznych w układach automatyki i mikroelektroniki.
P r z y k ł a d 1
Sposobem według wynalazku pokryto proszki grafitu i krzemu warstwą węglika krzemu.
Proces osadzania warstwy węglika krzemu na powierzchni proszków prowadzi się w układzie otwarto-przepływowym w reaktorze kwarcowym. Reaktor stanowi rurę kwarcową o średnicy 50 mm i dł ugoś ci 500 mm, umieszczoną w piecu rurowym i obracaną przy pomocy silnika elektrycznego z szybkością około 10 obrotów na minutę. Do reaktora wprowadza się mieszaninę reaktywnych gazów zawierających: trójchlorometylosilan (CH3SiCl4), wodór i argon. Mieszaninę taką otrzymuje się w wyniku nasycenia parami ciekłego trójchlorometylosilanu gazu nośnego (Ar + 10% H2), który jest przepuszczany przez tą ciecz z szybkością 10 l/h. Reaktor ogrzewa się w piecu rurowym do temperatury 1360°K przez około 1,5 godziny. W tych warunkach podczas osadzania z fazy gazowej (CVD) na powierzchni nanoproszków powstaje warstwa węglika krzemu o grubości nanometrycznej.
Następnie z powstałego proszku o nanometrycznych ziarnach pokrytych nanowarstwą wytwarza się kompozyt o następującym składzie
50% wag. nanoproszku grafitu pokrytego nanowarstwą SiC
5% wag. nanoproszku krzemu pokrytego nanowarstwą SiC
5% wag, cementu fosforowego
20% wag. żywicy silikatowej
20% wag. węglanu wapnia
P r z y k ł a d 2
Sposobem według wynalazku pokryto proszki MoO3, krzemu i grafitu pokrytego węglikiem krzemu (jak w przykładzie pierwszym), warstwą azotku krzemu. Proces osadzania warstwy azotku krzemu na powierzchni proszków prowadzi się w układzie otwarto-przepływowym w reaktorze kwarcowym. Reaktor stanowi rurę kwarcową o średnicy 50 mm i długości 500 mm, umieszczoną w piecu rurowym i obracaną przy pomocy silnika elektrycznego z szybkością około 10 obrotów na minutę. Do reaktora wprowadza się mieszaninę reaktywnych gazów zawierających argon, silan SiH4 oraz amoniak NH3. Mieszaninę taką otrzymuje się w szklanym pojemniku, do którego doprowadza się wymienione gazy o szybkości przepływu odpowiednio Ar- 22,0 l/h, SiH4 - 0,7 l/h, NH3 - 2,2 l/h. Reaktor ogrzewa się do temperatury 1020 K przez okres 1,5 godziny. W tych warunkach podczas procesu osadzania z fazy gazowej azotek krzemu tworzy się w postaci nanometrycznej warstwy na powierzchni proszków.
Następnie z powstałego proszku wytwarza się kompozyt poprzez zmieszanie i homogenizację o następującym składzie
70% wag. nanoproszku Si pokrytego nanowarstwą Si3N4
10% wag. grafitu pokrytego kolejno nanowarstwą SiC i Si3N4
5% wag. MoO3 pokryty nanowarstwą Si3N4
10% wag. zmielonej fryty szklanej
5% wag. etylocelulozy
Claims (1)
- Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej wykorzystujący metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej, znamienny tym, że mikro- lub nanoproszki niklu, miedzi, wolframu, molibdenu, żelaza, kobaltu, tytanu, antymonu, tantalu, chromu, niobu, indu, renu, cyny, cynku oraz ich stopy, tlenki, a także mikro- lub nanoproszki grafitu i krzemu, modyfikuje się pokrywając, znanym sposobem osadzania z fazy gazowej, powierzchnię tych ziaren co najmniej jedną nanowarstwą węglików, azotków, borków, krzemków, aluminków, germanków, fosforków, tlenków, tellurków, arsenków, siarczków, selenków, wodorków, magnezków lub ich kombinacjami, po czym z powstałych proszków sporządza się kompozyt o składzie 10%-98% wagowych proszku pokrytego nanowarstwą ceramiczną 1%-70% wagowych polimeru lub zmielonej fryty szklanej oraz 0%-50% modyfikatorów.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL359567A PL207579B1 (pl) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL359567A PL207579B1 (pl) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL359567A1 PL359567A1 (pl) | 2004-10-18 |
| PL207579B1 true PL207579B1 (pl) | 2011-01-31 |
Family
ID=33536710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL359567A PL207579B1 (pl) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL207579B1 (pl) |
-
2003
- 2003-04-07 PL PL359567A patent/PL207579B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL359567A1 (pl) | 2004-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7553563B2 (en) | Composite material consisting of intermetallic phases and ceramics and production method for said material | |
| US5149514A (en) | Low temperature method of forming materials using one or more metal reactants and a halogen-containing reactant to form one or more reactive intermediates | |
| US20110052805A1 (en) | Method and system for depositing a metal or metalloid on carbon nanotubes | |
| EP3870737A1 (en) | Pvd coatings with a hea ceramic matrix with controlled precipitate structure | |
| JP2013511621A (ja) | 多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜の製造方法 | |
| Zhai et al. | Improvement of high temperature oxidation behavior of Cr3C2-20áwt% Ni cermets by adding 1áwt% Mo | |
| KR100454715B1 (ko) | ＭｏＳｉ₂―Ｓｉ₃Ｎ₄복합피복층 및 그 제조방법 | |
| TWI862544B (zh) | 柯維提克(covetic)材料 | |
| US20100310860A1 (en) | Synthetic method for anti-oxidation ceramic coatings on graphite substrates | |
| US5227195A (en) | Low temperature method of forming materials using one or more metal reactants and a halogen-containing reactant to form one or more reactive intermediates | |
| US10702920B2 (en) | Coating of particulate substrates | |
| US20040067837A1 (en) | Ceramic materials in powder form | |
| WO2014043802A1 (en) | Metal-ceramic nanocomposites with iron aluminide metal matrix and use thereof as protective coatings for tribological applications | |
| JPH04501886A (ja) | １種もしくはそれ以上の金属反応体とハロゲン含有反応体とを用いて１種もしくはそれ以上の反応性中間体を生成させる材料の低温度形成方法 | |
| PL207579B1 (pl) | Sposób wytwarzania kompozytów zwłaszcza o strukturze nanometrycznej | |
| Vorotilo et al. | Features of synthesizing ceramic composites discretely reinforced by carbon fibers and SiC nanowires formed in situ in the combustion wave | |
| CN117512558B (zh) | 一类二维过渡金属/合金硫化物及其制备方法 | |
| Sohn et al. | Synthesis of ultrafine particles and thin films of Ni4Mo by the vapor-phase hydrogen coreduction of the constituent metal chlorides | |
| JP2002356754A (ja) | 複合材料の製造方法及び同製造方法により製造された複合材料 | |
| EP3597621B1 (en) | Method for producing silicon-carbide-based composite | |
| Bogdanov | Iodide transport-method of synthesis of inorganic materials | |
| JP2598227B2 (ja) | 金属及び／又は非金属の窒化物及び／又は炭化物製セラミックス用粉末のフラッシュ熱分解による製造方法及び該粉末 | |
| Vijay et al. | A study on the precursor system for Ti–Al–C MAX phase | |
| Henry et al. | Preparation of ceramic materials using supercritical fluid chemical deposition | |
| Chesnokov et al. | Effect of the carbon nanomaterials structure on silica carbothermal reduction |