PL201819B1 - Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych - Google Patents

Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych

Info

Publication number
PL201819B1
PL201819B1 PL358475A PL35847503A PL201819B1 PL 201819 B1 PL201819 B1 PL 201819B1 PL 358475 A PL358475 A PL 358475A PL 35847503 A PL35847503 A PL 35847503A PL 201819 B1 PL201819 B1 PL 201819B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
titanium
vacuum
evaporator
quartz plates
evaporation
Prior art date
Application number
PL358475A
Other languages
English (en)
Other versions
PL358475A1 (pl
Inventor
Krzysztof Weiss
Original Assignee
Inst Tele I Radiotech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tele I Radiotech filed Critical Inst Tele I Radiotech
Priority to PL358475A priority Critical patent/PL201819B1/pl
Publication of PL358475A1 publication Critical patent/PL358475A1/pl
Publication of PL201819B1 publication Critical patent/PL201819B1/pl

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu zwłaszcza na płytkach kwarcowych polegający na tym, że elementy przeznaczone do naparowania elektrod umieszcza się pod kloszem napylarki tak, aby pary tytanu mogły osadzać się na powierzchniach tych elementów a klosz napylarki odpompowuje się do uzyskania wysokiej próżni i parownik ogrzewa się prądem do temperatury intensywnego parowania tytanu, znamienny tym, że naważkę tytanu umieszcza się w parowniku wykonanym z tantalu i odparowuje się tytan przy próżni rzędu 10-4 Pa.

Description

Opis wynalazku
Projekt dotyczy sposobu próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu zwłaszcza na płytkach kwarcowych przeznaczonych do rezonatorów wysokostabilnych.
Tytan jest metalem o unikalnych właściwościach. Stosowany jest w wielu dziedzinach techniki zarówno w postaci litej jak i jako cienkie warstwy naparowywane na różne podłoża. Jest metalem o bardzo dużej aktywności chemicznej jednak w kontakcie z tlenem z powietrza, wodą, oraz z azotem tworzy bardzo trwałe warstwy tlenku TiO2 lub TiN powodujące, że staje się pasywny wobec środowiska. Tytan posiada temperaturę topnienia 1672°C zaliczany jest więc do metali trudnotopliwych. Przy próżniowym wytwarzaniu cienkich warstw tytanowych stosuje się metody rozpylania wiązką elektronów lub przez wyładowania elektryczne w gazach rozrzedzonych. Bardzo rzadko stosuje się naparowanie z parowników rezystancyjnych, ponieważ tytan bardzo silnie reaguje z wolframem i molibdenem - metalami używanymi na parowniki. W przypadku nanoszenia warstwy tytanu przez rozpylanie jonowe lub przy użyciu wiązki elektronów proces ten prowadzony jest przy stosunkowo wysokim ciśnieniu gazów w komorze rzędu 0,1^1 Pa, umożliwiającym przepływ prądu elektrycznego. Tytan jako metal o bardzo wysokiej aktywności chemicznej posiada zdolność wiązania gazów zawartych w komorze, a przez to na podłoże naparowuje się warstwa tytanu zawierająca znaczne ilości zaabsorbowanych gazów.
W rezonatorach kwarcowych wysokostabilnych elektrody wykonuje się przez próżniowe naparowanie z parowników wolframowych warstwy złota na płytki kwarcowe. Jednak złoto wykazuje bardzo niską przyczepność do kwarcu. Dla jej poprawy stosuje się warstwę pośrednią z metalu o dobrej przyczepności do kwarcu. Do takich metali należą chrom i tytan. Tytan w porównaniu z chromem posiada znacznie mniejsze zdolności migracji wewnątrz warstwy złota i tworzy ze złotem trwałe związki międzymetaliczne. Dzięki temu warstwa złota na podłożu tytanowym jest trwalsza i bardziej stabilna w czasie. Chrom bardzo słabo reaguje z wolframem i może być naparowywany metodą termiczną, natomiast tytan reaguje z wolframem i z molibdenem tak, że parowniki wystarczają tylko na jeden proces naparowania. W przypadku rezonatorów wysokostabilnych, nie można stosować naparowania elektrod przez wyładowania elektryczne lub za pomocą wiązki elektronów, ponieważ procesy te zachodzą przy znacznie wyższym ciśnieniu w komorze napylarki, niż przy naparowywaniu z parownika. Tytan wykazuje w trakcie odparowania i kondensacji wyjątkową zdolność do absorpcji gazów z wnętrza komory napylarki. W przypadku stosowania naparowywania tytanu wiązką elektronów do nanoszenia elektrod na wibratory rezonatorów kwarcowych, gazy zaadsorbowane w warstwie tytanu podczas naparowywania stopniowo uwalniają się pogarszając próżnię wewnątrz obudowy rezonatora, a równocześnie zmiana masy elektrody wywołuje zauważalne zmiany częstotliwości drgań wibratora. Z tego powodu tytan na podkład pod elektrody rezonatora stosuje się prawie wyłącznie do czujników mikrowag kwarcowych, gdzie nie są istotne zmiany częstotliwości w czasie i można stosować do odparowania tytanu wiązkę elektronów. Termicznie z parowników wolframowych naparowuje się go niezmiernie rzadko. Po każdym procesie konieczna jest wymiana parownika. Jest to kłopotliwe, a rezonatory z tak naparowanymi elektrodami są znacznie droższe od rezonatorów z elektrodami na podkładzie chromu.
Celem wynalazku jest naparowanie próżniowe tytanu w taki sposób, aby absorbowanie w warstwie atomów gazów resztkowych było minimalne i możliwe było wielokrotne powtarzanie procesu bez wymiany parownika.
Istota wynalazku polega na tym, że naważkę tytanu umieszcza się w parowniku wykonanym z tantalu. Elementy przeznaczone do naparowania elektrod umieszcza się pod kloszem napylarki w taki sposób, aby pary tytanu mogły osadzać się na powierzchniach elementów przeznaczonych do pokrycia. Klosz napylarki odpompowuje się do próżni rzędu 10-4 Pa. Parownik ogrzewa się prądem do temperatury intensywnego parowania tytanu i odparowuje się go.
Zaletą sposobu według wynalazku jest to, że tantal nie tworzy stopów z tytanem. Dodatkowo jego wysoka rezystywność właściwa 15,5 Qm, prawie trzykrotnie wyższa niż rezystywność wolframu (5,51 Qm), pozwala na wykonanie parownika przy tej samej rezystancji znacznie grubszego niż z wolframu. Parownik tantalowy nie ulega zniszczeniu pod wpływem kontaktu ze stopionym tytanem, a naparowana warstwa nie zawiera zaadsorbowanych gazów.
P r z y k ł a d
W napylarce próżniowej umieszcza się talerz obrotowy z 20 płytkami kwarcowymi. W parowniku, wykonanym z taśmy tantalowej o grubości 0,2 mm i szerokości 5 mm, umieszcza się 0,1 g tytanu.
PL 201 819 B1
Klosz napylarki odpompowuje się do uzyskania próżni 10-4 Pa. Parownik ogrzewa się prądem 2A do temperatury intensywnego parowania tytanu, przy czym uzyskuje się szybkość naparowania tytanu 0,5 nm/s. Naparowuje się na wibratory rezonatorów kwarcowych warstwę tytanu o grubości 50 nm, a nastę pnie warstwę złota o gruboś ci 100 nm. Wykonane rezonatory kwarcowe osią gają dł ugoterminową niestałość częstotliwości na poziomie poniżej 5 x 10-11 na dobę. Po wykonaniu 10-ciu procesów parowania nie stwierdza się uszkodzeń parownika.

Claims (1)

  1. Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu zwłaszcza na płytkach kwarcowych polegający na tym, że elementy przeznaczone do naparowania elektrod umieszcza się pod kloszem napylarki tak, aby pary tytanu mogły osadzać się na powierzchniach tych elementów a klosz napylarki odpompowuje się do uzyskania wysokiej próżni i parownik ogrzewa się prądem do temperatury intensywnego parowania tytanu, znamienny tym, że naważkę tytanu umieszcza się w parowniku wykonanym z tantalu i odparowuje się tytan przy próżni rzędu 10-4 Pa.
PL358475A 2003-01-27 2003-01-27 Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych PL201819B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL358475A PL201819B1 (pl) 2003-01-27 2003-01-27 Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL358475A PL201819B1 (pl) 2003-01-27 2003-01-27 Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL358475A1 PL358475A1 (pl) 2004-08-09
PL201819B1 true PL201819B1 (pl) 2009-05-29

Family

ID=33129242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL358475A PL201819B1 (pl) 2003-01-27 2003-01-27 Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL201819B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL358475A1 (pl) 2004-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mattox Physical vapor deposition (PVD) processes
US7794630B2 (en) Lithium dispenser for lithium evaporation
US4170662A (en) Plasma plating
US20070134427A1 (en) Methods and apparatus for deposition of thin films
EP0770862A1 (en) Temperature sensor element, temperature sensor having the same and method for producing the same temperature sensor element
WO2007042394A1 (en) A method to deposit a coating by sputtering
US3540926A (en) Nitride insulating films deposited by reactive evaporation
Merl et al. The role of surface defects density on corrosion resistance of PVD hard coatings
Ding et al. Preferential orientation of titanium carbide films deposited by a filtered cathodic vacuum arc technique
PL201819B1 (pl) Sposób próżniowego naparowywania cienkiej warstwy tytanu, zwłaszcza na płytkach kwarcowych
US6624409B1 (en) Matrix assisted laser desorption substrates for biological and reactive samples
Mattox Vacuum Deposition, Reactive Evaporation, and Gas Evaporation
Mehta Overview of coating deposition techniques
KR20110035069A (ko) 증착물질의 증발율 측정 장치
US3963839A (en) Method for the preparation of thin layers of tungsten and molybdenum
KR100258056B1 (ko) 이중 이온 빔 스퍼터링을 이용한 Sn 타아겟으로부터의 가스센서용 SnO2 박막의 제조방법
JPS5944386B2 (ja) 耐熱性金属薄膜の製造方法
EP1624087B1 (en) A method for depositing thin layers of titanium dioxide on support surfaces
RU2005103C1 (ru) Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников
KR100711488B1 (ko) 알루미늄-마그네슘 합금 피막의 제조방법
US3647524A (en) Vapor phase metal plating process
RU2224389C2 (ru) Способ металлизации подложки из диэлектрического материала
US3575833A (en) Hafnium nitride film resistor
KR950004782B1 (ko) 금속화합물 피막의 제조방법
Vladu et al. Designing Electrical Circuits on Textiles Through the Sputtering Method