PL183060B1 - Układ mikrofalowego generatora diodowego z symetrycznym transformatorem ćwierćfalowym - Google Patents

Abstract

1. Układ mikrofalowego generatora diodowego z symetrycznym transformatorem ćwierćfalowym, w którym wyjście i transformator ćwierćfalowy są zrealizowane w technice falowodowej, rezonator i filtr dolnoprzepustowy - w technice paskowej, a elementami generacyjnym i przestrajającym są diody w postaci chipu, znamienny tym, że znormalizowany falowód prostokątny (1), zakończony dwustronnym transformatorem ćwierćfalowym (5), zrealizowanym w szerokości falowodu (1), zamknięty jest od strony transformatora (5) tylną ścianą (4) falowodu, przesuwną wzdłuż osi symetrii tej ściany i osi symetrii dwustronnego ćwierćfalowego transformatora (5) w kierunku wysokości falowodu, na której to ścianie symetrycznie umiejscowiona jest struktura zrealizowana w technice paskowej.

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ mikrofalowego generatora diodowego z symetrycznym transformatorem ćwierćfalowym, w którym wyjście i transformator ćwierćfalowy są zrealizowane w technice falowodowej, rezonator i filtr dolnoprzepustowy w technice paskowej, zaś elementem generacyjnym może być dioda Gunna, lawinowa, tunelowa lub inna mikrofalowa dioda generacyjna w postaci chipu. W wersji układu z obwodem elektronicznego przestrajania elementem przestrajającym jest to dioda waraktorowa w postaci chipu. Takie układy generatorów są przeznaczone do generacji stałego lub modulowanego sygnału w wyższych pasmach częstotliwości mikrofalowych.

Znane układy diodowych generatorów realizowane w technice falowodowej wykorzystują diody generacyjne w obudowach, a w przypadku stosowania chipów diod są używane stykowe lub ostrzowe połączenia chipu diody z układem.

W innych znanych rozwiązaniach chipy diod generacyjnych umieszczane są w układach realizowanych w technice linii TEM, a układy generatorów mają tego też typu wyjścia, najczęściej współosiowe. W przypadku stosowania tych układów w torach falowodowych, niezbędne jest odrębne przejście na standard falowodowy.

Istota konstrukcji układu mikrofalowego generatora diodowego z symetrycznym transformatorem ćwierćfalowym według wynalazku, polega na tym, że znormalizowany falowód prostokątny, zakończony symetrycznym, dwustronnym transformatorem ćwierćfalowym, zrealizowanym w szerokości falowodu, zamknięty jest od strony tego transformatora tylną ścianą falowodu, na której symetrycznie jest umiejscowiona struktura zrealizowania w technice paskowej, zawierająca kolejno: chip diody generacyjnej trwale połączonej z podłożem i półfalowym odcinkiem linii paskowej, zakończonym paskowym filtrem dolnoprzepustowym. W wersji układu mikrofalowego generatora diodowego z obwodem elektronicznego przestrajania, na tylnej ścianie falowodu są umiejscowione przeciwstawnie, symetrycznie względem transformatora ćwierćfalowego, dwie struktury zrealizowane w technice paskowej, zawierają183 060 ce: jedna - chip diody generacyjnej, druga - chip diody przestrajającej oraz półfalowe odcinki niesymetrycznej linii paskowej i paskowe filtry dolnoprzepustowe. W obu przedstawionych wersjach układów mikrofalowych generatorów diodowych konstrukcyjnie możliwe jest przesuwne umiejscowienie tylnej ściany falowodu wzdłuż osi symetrii tej ściany i osi symetrii dwustronnego ćwierćfalowego transformatora w kierunku wysokości falowodu.

Najistotniejszą cechą układu generatora, według wynalazku, w odróżnieniu od znanych rozwiązań jest to, że przejście z obwodów realizowanych w technice paskowej do znormalizowanego falowodowego toru przesyłowego jest jednocześnie transformatorem obwodu rezonatora do obciążenia. W tym układzie zgrubne sprzężenie obwodu rezonansowego z obciążeniem uzyskuje się poprzez dobór geometrycznych parametrów stałego transformatora falowodowego, zaś subtelną redukcję sprzężenia uzyskuje się poprzez przemieszczenie całej struktury paskowej w kierunku wysokości falowodu. Właściwość ta dopuszcza większe tolerancje wymiarów wykonawczych układu generatora.

Układ generatora według wynalazku charakteryzuje się prostotą konstrukcji i umożliwia względnie łatwy montaż poszczególnych elementów.

Układ generatora według wynalazku w przykładzie wykonania jest odtworzony na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia wersję z diodą generacyjną Gunna bez obwodu przestrajania elektronicznego, zaś fig. 2 - wersję z diodą generacyjną Gunna i obwodem przestrajania elektronicznego z waraktorem.

Figura 1 rysunku pokazuje generator według wynalazku gdzie przedstawione jest wzajemne rozmieszczenie falowodu prostokątnego 1, dwustronnego transformatora ćwierćfalowego 5 i elementów umiejscowionych na tylnej ścianie 4 falowodu: diody generacyjnej 2, półfalowego odcinka niesymetrycznej linii paskowej Lr i paskowego filtru dolnoprzepustowego 3.

Na rysunku generatora według wynalazku, pokazanym na fig. 2 jest przedstawione wzajemne rozmieszczenie falowodu prostokątnego 1, dwustronnego transformatora 5 i wzajemne usytuowanie diody generacyjnej 2, diody przestrajającej 6, dwóch półfalowych odcinków niesymetrycznej linii paskowej Lr i dwóch paskowych filtrów dolnoprzepustowych 3 na tylnej ścianie 4 falowodu.

Fig.2

183 060

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz.

Cena 2,00 zł.

Claims (3)

1. Zastrzeżenia patentowe

   1. Układ mikrofalowego generatora diodowego z symetrycznym transformatorem ćwierćfalowym, w którym wyjście i transformator ćwierćfalowy są zrealizowane w technice falowodowej, rezonator i filtr dolnoprzepustowy - w technice paskowej, a elementami generacyjnym i przestrajającym są diody w postaci chipu, znamienny tym, że znormalizowany falowód prostokątny (1), zakończony dwustronnym transformatorem ćwierćfalowym (5), zrealizowanym w szerokości falowodu (1), zamknięty jest od strony transformatora (5) tylną ścianą (4) falowodu, przesuwną wzdłuż osi symetrii tej ściany i osi symetrii dwustronnego ćwierćfalowego transformatora (5) w kierunku wysokości falowodu, na której to ścianie symetrycznie umiejscowiona jest struktura zrealizowana w technice paskowej.
2. 2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że jego struktura zrealizowania w technice paskowej zawiera chip diody generacyjnej (2) trwale połączony z podłożem i półfalowym odcinkiem niesymetrycznej linii paskowej (Lr), zakończonym paskowym filtrem dolnoprzepustowym (3).
3. 3. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że jego struktura zrealizowania w technice paskowej zawiera przeciwstawnie, symetrycznie względem osi transformatora (5) umiejscowione dwa obwody zrealizowane w technice paskowej, z których jeden zawiera chip diody generacyjnej (2), zaś drugi chip diody przestrajającej (6), a każdy z tych obwodów zawiera półfalowy odcinek linii paskowej (Lr), zakończony dolnoprzepustowym filtrem paskowym (3).