PL181859B1 - Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych - Google Patents
Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowychInfo
- Publication number
- PL181859B1 PL181859B1 PL31887097A PL31887097A PL181859B1 PL 181859 B1 PL181859 B1 PL 181859B1 PL 31887097 A PL31887097 A PL 31887097A PL 31887097 A PL31887097 A PL 31887097A PL 181859 B1 PL181859 B1 PL 181859B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electrode
- barrier
- dielectric material
- substrate
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
1 Sposób wytwaizania wasstw powierzchniowych ' przez naniesienie na podłoże produktu reakcji zachodzącej w fazie gazowej pod wpływem wyładowań elektrycznych, pod ciśnieniem zbliżonym do atmosferycznego, znamienny tym, ze do elektrody wysokonapięciowej (1) doprowadza się prąd o napięciu od 2 kV do 20 kV 1 przemiennej polaryzacji wytwarzając wyładowanie elektryczne niejednorodne pomiędzy uziemioną elektrodą (2) a przegrodą (5) z materiału dielektrycznego, przy czym powierzchnia przegrody (5) od strony przestrzeni wyładowania (4) charakteryzuje się średnią wysokością chropowatości nie większą niż 10 nm, a substancja będąca substratem reakcji wprowadzana jest do przestrzeni pomiędzy elektrodami w strumieniu dowolnego gazu obojętnego 2 Reaktoi do wytwarzania warstw powierzchniowych. składający się z elektrody wysokonapięciowej połączonej z zasilaczem, elektrody uziemionej, przegrody z materiału dielektrycznego oraz wlotu 1 wylotu mieszaniny gazowej, znamienny tym, /e przegroda (5) z materiału dielektrycznego od strony przestrzeni wyładowania (4) charakteryzuje się średnią wysokością chropowatości nie większą niż 10 nm. przy czym reaktor ewentualnie, posiada dodatkową przegrodę (9) z materiału dielektrycznego przylegającą do uziemionej elektrody (2), a ponadto ewentualnie posiada grzejnik (10) ogrzewający podłoże (3) na elektrodzie (2)
Description
Przedmiotem wynalazku jest elektroplazmowę sposób wytwarzania cienkich warstw powierzchniowych na litym podłożu oraz reaktor do wytwarzania cienkich warstw powierzchniowych.
- Znane metody elektroplazmowe służące do wytwarzania cienkich warstw powierzchniowych polegają na osadzaniu stałego produktu reakcji, które zachodzą w fazie gazowej pod wpływem wyładowań elektrycznych. Takimi metodami, stosowanymi m.in. w przemyśle półprzewodników, otrzymuje się warstwy, których składnikiem jest np dwutlenek krzemu, pięciotlenek tantalu, szkło borofosforokrzemowe i wiele innych substancji. W zastosowaniach przemysłowych wytwarzanym warstwom powierzchniowym stawia się wysokie wymagania Powinny to być warstwy jednolite, szczelne, o równomiernej grubości i o dobrej przyczepności do podłoża.
Warstw o podanych powyżej cechach nie udało się dotychczas uzyskać pod wpływem wyładowań elektrycznych innych niż jednorodne. Wyładowania elektryczne niejednorodne powodują powstawanie powłok niejednolitych, o zróżnicowanej w sposób przypadkowy grubości, nieszczelnych, a równocześnie charakteryzujących się złą przyczepnością do podłoża.
W procesach prowadzonych w skali przemysłowej wykorzystuje się wyładowania elektryczne o strukturze jednorodnej, np. typu wyładowania jarzeniowego. Uzyskuje się je w warunkach znacznie obniżonego ciśnienia, w aparaturze próżniowej, a wyładowania elektryczne wytwarza się pod wpływem napięcia o specjalnie dobranej charakterystyce. Znane są procesy, w których stosuje się napięcie o częstotliwości radiowej (13,56 MHz), albo wytwarza się wyładowanie mikrofalowe (2,45 GHz).
Wadą stosowanych dotychczas metod jest to, że wymagają one instalowania aparatury próżniowej, co przy dużej skali produkcji wiąże się z poważnymi nakładami, oraz skomplikowanych i kosztownych generatorów wytwarzających napięcie o określonej charakterystyce. Wprawdzie, jak wiadomo z opisu patentowego japońskiego nr H3-272853 z 1991 roku, udało się uzyskać wyładowanie jednorodne pod ciśnieniem atmosferycznym za pomocą napięcia o częstotliwości sieciowej (50 Hz), jednak wytworzenie takiego wyładowania jest możliwe tylko przy odpowiednio dobranym składzie fazy gazowej. Ogranicza to znacznie możliwości wykorzystania tego rozwiązania w praktyce przemysłowej.
181 859
Znany jest proces osadzania warstw powierzchniowych z gazu za pomocą wyładowania pod ciśnieniem atmosferycznym podany w pracy, której autorami sąT.Yokoyama i in., opublikowanej w 1990 roku w czasopiśmie angielskim J.Phys. D; Appl. Phys vol 23, str. 374-377. W procesie tym wyładowanie o charakterze jednorodnym uzyskano w przestrzeni pomiędzy dwiema metalowymi elektrodami przez umieszczenie na jednej z elektrod płytki z dielektryka przylegającej do jej powierzchni. Na przeciwległej elektrodzie umieszczano podłoże, na które nanoszono warstwę stałych produktów reakcji z fazy gazowej. Otrzymywano ciągłe warstwy polimerów organicznych.
W znanych procesach warunkiem niezbędnym było wytworzenie wyładowań jednorodnych, gdyż tylko wówczas warstwa powierzchniowa posiada oczekiwane parametry. Jednak stosowanie próżni i prądu o specyficznej charakterystyce lub w metodach prowadzonych pod ciśnieniem atmosferycznym, stosowanie helu i prądu o częstotliwości nie mniejszej niż 1 kHz, powoduje znaczne utrudnienia technologiczne i wzrost kosztu wyrobu końcowego.
Nieoczekiwanie' okazało się, że można otrzymać warstwy jednorodne, szczelne, o równomiernej grubości i o dobrej przyczepności do podłoża za pomocą wyładowania niejednorodnego stosując sposób i reaktor według wynalazku.
Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych według wynalazku polega na tym, ze przez naczynie (reaktor) zawierający elektrodę wysokonapięciową, elektrodę uziemioną oraz co najmniej jedną rozdzielającą je przegrodę z materiału dielektrycznego przepuszcza się strumień gazu obojętnego, zawierający domieszkę substancji będącej substratem reakcji, pod ciśnieniem równym, lub zbliżonym do ciśnienia atmosferycznego. Czas przebywania gazu w przestrzeni między elektrodami wynosi od 1 s do 100 s Na elektrodzie uziemionej o gładkiej powierzchni umieszcza się podłoże, na które nanoszona jest warstwa powierzchniowa. Do elektrody wysokonapięciowej doprowadza się prąd o przemiennej polaryzacji o napięciu od 2 kV do 20 kV i częstotliwości od 50 Hz do 300 kHz. W przestrzeni pomiędzy elektrodą, na której znajduje się podłoże a przegrodą dielektryczną powstaje wyładowanie elektryczne o strukturze niejednorodnej. Przegroda z materiału dielektrycznego od strony przestrzeni wyładowania musi mieć powierzchnię charakteryzującą się średnią wysokością chropowatości nie większą niż 10 nm, dzięki temu niejednorodne wyładowanie elektryczne uzyskuje strukturę silnie rozproszoną, złożoną z wielu drobnych, gęsto rozmieszczonych i krótkotrwałych kanałów, tzw. mikrowyładowań. Wyładowanie niejednorodne o silnie rozproszonej strukturze oddziaływuje na gazowe reagenty w podobny sposób jak wyładowanie jednorodne. Pod działaniem takiego wyładowania, w wyniku reakcji zachodzących w gazie, na powierzchni podłoża powstaje warstwa stałego produktu o składzie zależnym od użytych substratów o grubości od 10 do 1000 nm, jednorodna, szczelna i dobrze przylegająca do podłoża
Reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych według wynalazku składa się z elektrody wysokonapięciowej wykonanej z metalowej płytki, oddzielonej od przestrzeni wyładowania przegrodą z materiału dielektrycznego i uziemionej elektrody, na której umieszczone jest podłoże, na którym wytwarza się warstwę powierzchniową. Elektroda wysokonapięciowa połączona jest z zasilaczem. Strumień gazu obojętnego zawierający substraty reakcji wprowadza się do reaktora wlotem a wyprowadza wylotem. Przegroda z materiału dielektrycznego od strony przestrzeni wyładowania charakteryzuje się powierzchnią o średniej wysokości chropowatości nie większą niż 10 nm. Przegroda z materiału dielektrycznego korzystnie umieszczona jest bezpośrednio na powierzchni elektrody wysokonapięciowej. Reaktor może posiadać dodatkową przegrodę z materiału dielektrycznego przylegającą do uziemionej elektrody. Elektroda ta może być wyposażona w grzejnik ogrzewający podłoże. Przegroda dielektryczna może być wykonana ze szkła, materiału ceramicznego czy tworzywa organicznego, którego głównym składnikiem jest poli(tereftalan etylenu).
Przedmiot wynalazku został przedstawiony w przykładach wykonania oraz na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia reaktor z jedną przegrodą dielektryczną, fig. 2 - reaktor z dodatkową przegrodą dielektryczną, fig. 3 - reaktor z grzejnikiem.
Przykład I. Przeprowadzono proces wytwarzania warstw powierzchniowych stosując reaktor przedstawiony na rysunku fig 1, który składa się z dwóch elektrod: elektrody wysokonapięciowej 1 oraz elektrody uziemionej 2. Elektroda wysokonapięciowa 1 jest wy4
181 859 konana z metalowej płytki, a od przestrzeni wyładowania 4 oddziela ją przegroda 5 z płytki szklanej o średniej wysokości chropowatości powierzchni 9 nm (od strony przestrzeni wyładowania 4). Elektroda 1 jest połączona z zasilaczem 6 o napięciu 4 kV i o częstotliwości 300 kHz. Na metalowej elektrodzie uziemionej 2 umieszczone jest podłoże 3, na którym wytwarza się warstwę powierzchniową. Za pomocą kanałów 7 i 8 przez przestrzeń wyładowania przepuszcza się strumień argonu pod ciśnieniem 0,3 MPa, zawierający pary tetraetoksykrzemu o stężeniu 800 ppm. W przestrzeni wyładowania 4 zachodzą reakcje chemicznie, w wyniku których z gazowego substratu, tetraetoksykrzemu, powstają i osadzają się na powierzchni podłoża 3 stałe produkty polikondensacji, których głównym składnikiem jest dwutlenek krzemu. W reaktorze tym otrzymano równomierne, szczelne warstwy powierzchniowe z dwutlenku krzemu o grubości 80 nm w czasie trwania procesu osadzania warstwy równym 60 min.
Przykład II Proces prowadzono w analogicznym reaktorze jak w przykładzie I, przedstawionym na rysunku fig. 2, przy czym elektrody wykonane są z metalowych płytek i oddzielone od przestrzeni wyładowania 4 za pomocą folii 9 z poli(tereftalanu etylenu), przylegających ściśle do ich powierzchni. Elektroda 1 jest połączona ze źródłem wysokiego napięcia 5 kV o częstotliwości 1 kHz. Na folii pokrywającej elektrodę uziemioną 2 umieszczono podłoże 3, na którym wytwarza się warstwę powierzchniową, Do przestrzeni wyładowania doprowadza się strumień argonu pod ciśnieniem 0,1 MPa, zawierający pary tetraetoksykrzemu o stężeniu 400 ppm. W wyniku reakcji chemicznych pod działaniem wyładowań osadzają się na powierzchni podłoża 3 stałe produkty polikondensacji, zawierające głównie dwutlenek krzemu. Grubość warstwy wynosiła 200 nm. Warstwa była szczelna i dobrze przylegała do podłoża.
Przykład III. Zastosowano reaktor pokazany na rysunku fig. 3, zawierający pojedynczą przegrodę dielektryczną 5 z płytki ceramicznej o średniej wysokości chropowatości powierzchni 10 nm. Elektroda 1 zrobiona była z folii aluminiowej naklejonej na płytkę ceramiczną i połączoną ze źródłem wysokiego napięcia 8 kV o częstotliwości 50 Hz. Na elektrodzie uziemionej 2 umieszczono podłoże 3, na którym wytwarzano warstwę powierzchniową Ogrzewano elektrodę 2 za pomocą grzejnika 10, regulując temperaturę podłoża, na którym wytwarza się warstwę. Przez reaktor przepuszczano strumień argonu pod ciśnieniem 0,05 MPa zawierający monosilan o stężeniu 800 ppm oraz tlen o stężeniu 1800 ppm. Temperatura podłoża wynosiła 160°C Otrzymano równomierną, szczelną warstwę powierzchniową z dwutlenku krzemu o grubości około 100 nm, o dobrych własnościach mechanicznych.
181 859
181 859
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 60 egz.
Cena 2,00 zł.
Claims (2)
1. Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych przez naniesienie na podłoże produktu reakcji zachodzącej w fazie gazowej pod wpływem wyładowań elektrycznych, pod ciśnieniem zbliżonym do atmosferycznego, znamienny tym, że do elektrody wysokonapięciowej (1) doprowadza się prąd o napięciu od 2 kV do 20 kV i przemiennej polaryzacji wytwarzając wyładowanie elektryczne niejednorodne pomiędzy uziemioną elektrodą (2) a przegrodą (5) z materiału dielektrycznego, przy czym powierzchnia przegrody (5) od strony przestrzeni wyładowania (4) charakteryzuje się średnią wysokością chropowatości nie większą niż 10 nm, a substancja będąca substratem reakcji wprowadzana jest do przestrzeni pomiędzy elektrodami w strumieniu dowolnego gazu obojętnego.
2. Reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych, składający się z elektrody wysokonapięciowej połączonej z zasilaczem, elektrody uziemionej, przegrody z materiału dielektrycznego .oraz wlotu i wylotu mieszaniny gazowej, znamienny tym, ze przegroda (5) z materiału dielektrycznego od strony przestrzeni wyładowania (4) charakteryzuje się średnią wysokością chropowatości nie większą niż 10 nm, przy czym reaktor, ewentualnie, posiada dodatkowa przegrodę (9) z materiału dielektrycznego przylegającą do uziemionej elektrody (2), a ponadto ewentualnie posiada grzejnik (10) ogrzewający podłoże (3) na elektrodzie (2).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL31887097A PL181859B1 (pl) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL31887097A PL181859B1 (pl) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL318870A1 PL318870A1 (en) | 1998-09-14 |
| PL181859B1 true PL181859B1 (pl) | 2001-09-28 |
Family
ID=20069405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL31887097A PL181859B1 (pl) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL181859B1 (pl) |
-
1997
- 1997-03-10 PL PL31887097A patent/PL181859B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL318870A1 (en) | 1998-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2589599B2 (ja) | 吹出型表面処理装置 | |
| US20100221452A1 (en) | Surface coating method for hydrophobic and superhydrophobic treatment in atmospheric pressure plasma | |
| TWI618456B (zh) | 電漿處理系統及在多個電極間均勻分佈射頻功率之方法 | |
| KR100940454B1 (ko) | 대기압 플라즈마 어셈블리 | |
| US5496410A (en) | Plasma processing apparatus and method of processing substrates by using same apparatus | |
| US5079031A (en) | Apparatus and method for forming thin films | |
| US20050158480A1 (en) | Protective coating composition | |
| US4452828A (en) | Production of amorphous silicon film | |
| US5626678A (en) | Non-conductive alignment member for uniform plasma processing of substrates | |
| Wertheimer et al. | Plasmas and polymers: From laboratory to large scale commercialization | |
| CN1020477C (zh) | 含卤素的碳材料淀积方法 | |
| US4399014A (en) | Plasma reactor and method therefor | |
| PL181859B1 (pl) | Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych i reaktor do wytwarzania warstw powierzchniowych | |
| DE3639202A1 (de) | Verfahren zur herstellung von disilan aus monosilan | |
| Coopes et al. | Gas plasma treatment of polymer surfaces | |
| JPH06119995A (ja) | グロー放電プラズマ発生用電極及びこの電極を用いた反応装置 | |
| JP2730693B2 (ja) | 薄膜形成法 | |
| US5007374A (en) | Apparatus for forming thin films in quantity | |
| JPS63221840A (ja) | 非晶質水素化炭素膜の製造方法 | |
| Kogelschatz et al. | Industrial applications of excimer ultraviolet sources | |
| JP3316069B2 (ja) | 固体材料表面改質方法および固体材料表面改質装置 | |
| JPH05251198A (ja) | グロー放電プラズマ発生用電極及びこの電極を用いた反応装置 | |
| TWI816821B (zh) | 用於聚合物膜的表面處理方法 | |
| US5904816A (en) | Process for the chemical modification of liquids containing alkyl groups | |
| JPH058272B2 (pl) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20050310 |