PL174433B1 - Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego - Google Patents

Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego

Info

Publication number
PL174433B1
PL174433B1 PL94305445A PL30544594A PL174433B1 PL 174433 B1 PL174433 B1 PL 174433B1 PL 94305445 A PL94305445 A PL 94305445A PL 30544594 A PL30544594 A PL 30544594A PL 174433 B1 PL174433 B1 PL 174433B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
strip
cylindrical part
cross
resistive
section
Prior art date
Application number
PL94305445A
Other languages
English (en)
Other versions
PL305445A1 (en
Inventor
Andrzej Smolarski
Wiesław Szulc
Krzysztof Weiss
Original Assignee
Inst Tele I Radiotech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tele I Radiotech filed Critical Inst Tele I Radiotech
Priority to PL94305445A priority Critical patent/PL174433B1/pl
Publication of PL305445A1 publication Critical patent/PL305445A1/xx
Publication of PL174433B1 publication Critical patent/PL174433B1/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego, składające się z taśmy z metalu rezystywnego o wysokiej temperaturze topnienia, znamienne tym, że taśma (1) posiada we wzdłużnym przekroju kształt zbliżony do litery omega, przy czym szerokość taśmy (1)jest znacznie większa niż średnica przekroju cylindrycznej (2) części a część cylindryczna (2) taśmy z jednej strony jest zagięta tak, że jej zagięcie (4) zamyka przekrój otworu, oraz szczelina (5) w części cylindrycznej jest znacznie mniejszaod średnicy przekroju części cylindrycznej (2).

Description

Przedmiotem wynalazku jest rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego, które może być stosowane do naparowywania cienkich warstw metali i innych materiałów napylanych próżniowo na powierzchnie pionowe zwłaszcza do dwustronnego naparowywania elektrod metalowych na płytki kwarcowe rezonatorów piezoelektrycznych.
Dotychczas stosowano źródła rezystywne grzane bezpośrednio takie jak drutowe, taśmowe czy tyglowe oraz grzane pośrednio tyglowe. Źródła te posiadają charakterystykę kierunkową parowania dookólną (drutowe) lub skierowaną w górę. Dla parowania poziomego stosuje się źródła tyglowe z otworem bocznym lub taśmowe w kształcie^puszki prostokątnej z pokrywką i otworem bocznym, np. polski opis patentowy nr 109 265. Źródła te mają dużą bezwładność cieplną przez co wymagają stosunkowo dużych czasów nagrzewania do uzyskania strumienia par o właściwej energii i z tego powodu stosowane są tylko tam gdzie czas naparowania jest znacznie dłuższy niż czas nagrzewania źródła. W przypadku naparowywania elektrod na płytki kwarcowe przeznaczone do rezonatorów kwarcowych, a zwłaszcza w procesach tak zwanej kalibracji czyli doparowywania najuż utworzone elektrody warstwy metalu zmieniającej częstotliwość rezonansową płytki kwarcowej, efektywny czas naparowywania warstwy jest bardzo krótki rzędu kilku sekund. W tym przypadku stosowanie źródeł puszkowych lub tyglowych jest niemożliwe ze względu na ich czas rozgrzewania rzędu kilkudziesięciu sekund. Do tego celu stosuje się źródła drutowe dające parowanie dookólne lub taśmowe dające główny strumień par do góry. W źródłach tych wykorzystuje się efektywnie znikomy procent odparowywanego metalu. Reszta metalu osadza się na powierzchniach wewnętrznych komory próżniowej lub na specjalnych ekranach.
Źródło poziomego parowania według wynalazku wykazuje bardzo małą bezwładność cieplną dzięki czemujego czas rozgrzewaniajest rzędu kilku sekund i daje poziomą wiązkę par o dywergencji kołowej pod kątem mniejszym niż 60°.
Istotę wynalazku stanowi źródło wykonywane z taśmy rezystywnego metalu trudnotopliwego takiegojak wolfram, molibden czy tantal. Taśma wygiętajest poprzecznie w kształt zbliżony do greckiej litery omega tworząc rurkę o średnicy znacznie mniejszej od szerokości taśmy. Część utworzonej rurki zjednej stronyjest zaciśnięta tak, że zamyka przekrój otworu utworzonego przez część cylindryczną. Szczelina w dole rurkijest znacznie mniejsza niż średnica części cylindrycznej.
Przy rezystancyjnym ogrzewaniu taśmy przez przepływający przez nią prąd elektryczny następuje stopienie bryłki metalu umieszczonej wewnątrz rurki źródła. Stopiony metal spływa w dół zamykając szczelinę. W ten sposób powstaje szczelna rurka w osi poziomej z jednym otworem umożliwiającym wypływ par metalu w postaci stosunkowo wąskiej, poziomej wiązki w kierunku metalizowanego obiektu. Dodatkowo zamknięcie szczeliny stopionym metalem zwiera elektrycznie ze sobąkrawędzie szczeliny bocznikując elektrycznie część taśmy tworzącą ścianki
174 433 rurki, której rezystancja jest niestabilna w miarę odparowywania stopionego metalu. W efekcie uzyskuje się stabilną rezystancję źródła, staląjego temperaturę i stałą wydajność par.
Źródło poziomego parowania według wynalazku umożliwia szybkie nagrzewanie wstępne do temperatury parowania i utrzymanie stabilnych warunków parowania oraz ich powtarzalność w kolejnych cyklach tak, że możliwe jest przeprowadzanie kilkudziesięciu krótkich cykli parowania bez uzupełniania wsadu i konieczności zmiany parametrów naparowania (prąd, czas). W przypadku dwustronnego naparowywania rezonatorów kwarcowych zapewnia jednakową grubość naparowanych warstw po obu stronach płytki. Naparowywany materiałjest wykorzystywany w znacznie większym stopniu niż przy parowaniu drutowym i taśmowym (kilkadziesiąt razy).
Rezystywne źródła przedstawiono w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia widok źródła z przodu (od strony naparowywanego elementu) a fig. 2 przedstawia widok z góry.
Taśma 1 z metalu trudnotopliwego posiada kształt greckiej litery Ω i tworzy w środku część cylindryczną 2 a na końcach podłączenia elektryczne 3. Część cylindryczna 2 zjednej strony jest zagięta tak, że jej zagięcie 4 zamyka jeden z otworów w części cylindrycznej. Szczelina 5 w dolnej części cylindrycznej jest znacznie mniejsza niż średnica części cylindrycznej 2.
174 433
Fig 1.
Fig 2.
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 2,00 zł

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego, składające się z taśmy z metalu rezystywnego o wysokiej temperaturze topnienia, znamienne tym, że taśma (1) posiada we wzdłużnym przekroju kształt zbliżony do litery omega, przy czym szerokość taśmy (1) jest znacznie większa niż średnica przekroju cylindrycznej (2) części a część cylindryczna (2) taśmy z jednej stronyjest zagięta tak, żejej zagięcie (4) zamyka przekrój otworu, oraz szczelina (5) w części cylindrycznej jest znacznie mniejsza od średnicy przekroju części cylindrycznej (2).
PL94305445A 1994-10-12 1994-10-12 Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego PL174433B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL94305445A PL174433B1 (pl) 1994-10-12 1994-10-12 Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL94305445A PL174433B1 (pl) 1994-10-12 1994-10-12 Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL305445A1 PL305445A1 (en) 1996-04-15
PL174433B1 true PL174433B1 (pl) 1998-07-31

Family

ID=20063445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL94305445A PL174433B1 (pl) 1994-10-12 1994-10-12 Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL174433B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL305445A1 (en) 1996-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6881271B2 (en) Fixing member for evaporation apparatus
US4543467A (en) Effusion type evaporator cell for vacuum evaporators
US2765765A (en) Apparatus for the manufacture of piezoelectric crystals
US6849832B2 (en) Evaporation apparatus
JPH0547293A (ja) 基板上に支持された薄膜可溶体を有するヒユーズ
US3514575A (en) Metal-evaporating source
KR100956491B1 (ko) 기판 코팅방법 및 장치
PL174433B1 (pl) Rezystywne źródło poziomego parowania próżniowego
US20040221802A1 (en) Evaporation apparatus
US2903544A (en) Coating
KR100315982B1 (ko) 측면 순간 증발기
US3373260A (en) Vaporization of metals and metalloids
JP4435523B2 (ja) 蒸着方法
US4242982A (en) Apparatus for metal coating of powders
JP2004353085A (ja) 蒸発装置
US4412508A (en) Nozzle beam source for vapor deposition
US2763752A (en) Electric fuse for retarded or rapid operation
US3999039A (en) Resistance heated vaporizer
US3541301A (en) Source for evaporation in a vacuum
JPH11279751A (ja) イオンプレーティング装置およびその運転方法
JP2811531B2 (ja) 真空蒸着装置用ヒータ
CN116746298A (zh) 真空蒸镀装置用蒸镀源
JPH0379755A (ja) 蒸着ボート等の構造
JPH03177563A (ja) 蒸発源用坩堝
RU2052856C1 (ru) Катодный узел электровакуумного прибора