PL151504B2 - Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia - Google Patents
Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzeniaInfo
- Publication number
- PL151504B2 PL151504B2 PL26801387A PL26801387A PL151504B2 PL 151504 B2 PL151504 B2 PL 151504B2 PL 26801387 A PL26801387 A PL 26801387A PL 26801387 A PL26801387 A PL 26801387A PL 151504 B2 PL151504 B2 PL 151504B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- power semiconductor
- base body
- semiconductor device
- rectifying diode
- forward current
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
RZECZPOSPOLITA OPIS PATENTOWY 151 504
POLSKA PATENTU TYMCZASOWEGO
Patent tymczasowy dodatkowy do patentu nr Int. Cl.5 H01L 23/10
Zgłoszono: 87 10 01 (P. 268013)
Pierwszeństwo -:—
CniEllU 0 G Ó L U
URZĄD
PATENTOWY
RP
Zgłoszenie ogłoszono: 88 09 15
Opis patentowy opublikowano: 1991 03 29
Twórcy wynalazku: Andrzej Czarkowski, Danuta Rybicka, Tadeusz Głowala
Uprawniony z patentu tymczasowego: Zakłady Elektronowe „Lamina, Piaseczno (Polska)
Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia
Przedmiotem wynalazku jest przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza półprzewodnikowa dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia.
W przyrządach półprzewodnikowych dużej mocy półprzewodnikowa struktura umieszczona jest wewnątrz obudowy, zapewniającej odizolowane od korpusu podstawy wyprowadzenie co najmniej jednej elektrody, przy zapewnieniu hermetyczności obudowy w celu ochrony półprzewodnikowej struktury przed wpływami zewnętrznymi.
Znane dotychczas przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy mają obudowę szklanometalową lub ceramiczno-metalową, wewnątrz której struktura półprzewodnikowa dociskana jest do podstawy przyrządu zespołem sprężyn talerzowych. Obudowy te są drogie i trudne do wykonania.
Znane są też półprzewodnikowe diody, w których wyprowadzenie wewnętrzne oddzielone jest od korpusu izolacyjnie przez zalanie przestrzeni między nimi masą szklaną lub twardniejącą żywicą epoksydową. Rozwiązania te nie zapewniają dostatecznej możliwości ruchu sprężyn dociskowych w konstrukcjach z talerzowymi sprężynami dociskowymi. Celem wynalazku jest usunięcie wad znanych dotychczas rozwiązań.
Zgodny z wynalazkiem półprzewodnikowy przyrząd dużej mocy ma metalową podstawę połączoną szczelnie z metalowym korpusem podstawy. DO podstawy, zespołem sprężyn talerzowych, dociskana jest półprzewodnikowa struktura i wyprowadzenie wewnętrzne z zaciśniętą na nim tulejką, oddzielone szczelnie od korpusu podstawy izolatorem, utworzonym z dwóch warstw tworzywa, przy czym warstwę wewnętrzną stanowi elastyczna kompozycja silikonowa, a warstwę zewnętrzną kompozycja żywicy epoksydowej.
Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykładzie wykonania na rysunku, na którym w uproszczeniu przedstawiono przekrój przez półprzewodnikową diodę dużej mocy.
Podstawa 1 służąca również jako jedAo z wyprowadzeń diody oraz połączony z nią trwale i szczelnie korpus podstawy 2 tworzą zewnętrzną osłonę diody. Na podstawie 1 umieszczona jest półprzewodnikowa struktura diodowa 3 dociskana do podstawy 1 za pośrednictwem wyprowadzenia wewnętrznego 4 zespołem sprężyn talerzowych 5 utrzymywanych w stanie naprężenia przez
151 504 wgniecenia 6 cylindrycznej części korpusu podstawy 2. Na wyprowadzeniu wewnętrznym 4 zaciśnięta jest tulejka 7. Przestrzeń nad sprężynami talerzowymi 5 między korpusem podstawy 2 a wyprowadzeniem wewnętrznym 4 i tulejką 7 wypełniają szczelnie dwie warstwy tworzywa sztucznego. Warstwa wewnętrzna 8 przylegająca bezpośrednio do zespołu sprężyn talerzowych 5 utworzona jest z elastycznej kompozycji silikonowej, a warstwą zewnętrzną 9 jest sztywna warstwa kompozycji żywicy epoksydowej. Szczelność i sztywność konstrukcji polepsza zastosowanie kanałów 10 na wewnętrznej powierzchni cylindrycznej korpusu podstawy 2 oraz zróżnicowanie średnicy zewnętrznej tulejki 7.
Claims (1)
- Zastrzeżenie patentowePrzyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia, składający się z metalowej podstawy, na której umieszczona jest półprzewodnikowa struktura, metalowego korpusu podstawy, zespołu talerzowych sprężyn dociskowych, wyprowadzenia wewnętrznego z zaciśniętą na nim tulejką i izolatora oddzielającego wyprowadzenie wewnętrzne od korpusu podstawy, znamienny tym, że izolator szczelnie wypełniający przestrzeń nad sprężynami dociskowymi (5) między korpusem podstawy (2), a wyprowadzeniem wewnętrznym (4) i tulejką (7) utworzony jest z warstwy wewnętrznej (8) z elastycznej kompozycji silikonowej, nad którą znajduje się warstwa zewnętrzna (9) ze sztywnej kompozycji żywicy epoksydowej.Zakład Wydawnictw UP RP. Nakład 100 egzCena 3000 zł
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL26801387A PL151504B2 (pl) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL26801387A PL151504B2 (pl) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL268013A2 PL268013A2 (en) | 1988-09-15 |
| PL151504B2 true PL151504B2 (pl) | 1990-09-28 |
Family
ID=20038313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL26801387A PL151504B2 (pl) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL151504B2 (pl) |
-
1987
- 1987-10-01 PL PL26801387A patent/PL151504B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL268013A2 (en) | 1988-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849803A (en) | Molded resin semiconductor device | |
| JP2012204366A (ja) | 半導体装置 | |
| KR980006191A (ko) | 고체 촬상 소자용 반도체 패키지 | |
| JP6041795B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003240797A5 (pl) | ||
| US20180286788A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20150237718A1 (en) | Power semiconductor device | |
| US6084299A (en) | Integrated circuit package including a heat sink and an adhesive | |
| JP2015130456A (ja) | 半導体装置 | |
| US3441813A (en) | Hermetically encapsulated barrier layer rectifier | |
| JP2019531600A (ja) | パワーモジュール | |
| JP2015211178A (ja) | 半導体装置 | |
| US3310716A (en) | Connecting device for consolidating the housing of a semiconductor device | |
| PL151504B2 (pl) | Przyrząd półprzewodnikowy dużej mocy, zwłaszcza dioda prostownicza o dużym prądzie przewodzenia | |
| US3581163A (en) | High-current semiconductor rectifier assemblies | |
| JP2003133329A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07221235A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6119106B2 (pl) | ||
| JP3878897B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
| JPWO2019146796A1 (ja) | 試料保持具 | |
| JPH07176664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6057655A (ja) | 半導体装置 | |
| US11043465B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0795575B2 (ja) | 半導体整流素子 | |
| JP3171330B2 (ja) | 半導体装置 |