Przedmiotem wynalazku jest uklad zabezpiecza¬ jacy pólprzewodnikowe elementy mocy przed przekroczeniem dopuszczalnej wartosci napiecia zwlaszcza w tyrystorowych przemiennikach czesto¬ tliwosci wyposazonych w falownik pradowy.Znany uklad zabezpieczajacy pólprzewodnikowe elementy mocy przed przekroczeniem dopuszczal¬ nej wartosci napiecia zawiera wysokonapieciowy element o nieliniowej charakterystyce pradowo-na- pieciowej, na przyklad stos selenowy, lub warystor albo dioda tunelowa, bocznikujacy chroniony ele¬ ment mocy. Napiecie odcinania zespolu musi byc mniejsze od dopuszczalnej wartosci napiecia ele¬ mentu pólprzewodnikowego.Wada znanego ukladu jest mozliwosc przepalenia sie elementu chroniacego wskutek zbyt dlugo wystepujacego napiecia przekraczajacego napiecie odcinania i powodujacego przeplyw przez niego pradu a tym samym wydzielanie sie na nim energii cieplnej w ilosci niedopuszczalnej dla jego struk¬ tury.Uklad wedlug wynalazku eliminuje wymienione wady i niedogodnosci.Istota wynalazku polega na tym, ze pólprzewod¬ nikowy element mocy jest zbocznikowany z jednej strony szeregowym polaczeniem wysokonapiecio¬ wego elementu nieliniowego i dwóch wejsc czuj¬ nika przeplywu pradu, który jest polaczony z se¬ paratorem i dalej z ukladem ksztaltujacym i dalej z logicznym sumatorem i dalej z blokada oraz 10 15 20 23 z ukladem generacji impulsów bramkowych. Z dru¬ gim wejsciem ukladu generacji impulsów bramko¬ wych jest polaczony regulator.W wyniku takiego rozwiazania ukladu, kazde przekroczenie napiecia odcinania elementu chro¬ niacego powodujace przeplyw pradu przez czujnik pozwala na natychmiastowe wygaszenie lub wy¬ cofanie impulsów zaplonowych tyrystorów i spro¬ wadzenia napiecia ha chronionych elementach do wartosci zerowej.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat blokowy ukladu zabezpiecza¬ jacego a fig. 2 — schemat obwodu wejsciowego czujnika.. Uklad zabezpieczajacy wedlug wynalazku sklada sie z jednego lub wiecej torów pradowych zbudo¬ wanych z pólprzewodnikowego elementu mocy I polaczonego z czujnikiem przeplywu pradu CP i dalej z separatorem S oraz z ukladem ksztaltuja¬ cym UK, których wyjscia sa polaczone z wejsciami sumatora logicznego SL polaczonego z blokada B i dalej z ukladem generacji impulsów bramkuja¬ cych GIB. Z drugim wejsciem ukladu GIB jest polaczony regulator RE.Pólprzewodnikowy element mocy I kazdego z to¬ rów pradowych jest zbocznikowany z jednej stro¬ ny szeregowym polaczeniem wysokonapieciowego elementu nieliniowego V i dwóch wejsc czujnika 124 355124 355 przeplywu pradu CP a z drugiej strony polaczony¬ mi szeregowo rezystorem R i kondensatorem C Obwód wejsciowy czujnika CP poszczególnych to¬ rów pradowych sklada sie z rezystora RK zbocz- nikowanego szeregowo polaczonymi diodami Dl ... DN.Uklad zabezpieczajacy wedlug wynalazku dziala w sposób nastepujacy. W momencie wystapienia stanu awarii powodujacego przeplyw pradu przez wysokonapieciowy element nieliniowy V a tym samym przez rezystor RK i diody Dl ... DN pobu¬ dzony zostaje obwód wejsciowy separatora S oddzielajacego galwanicznie obwody silnopradowe od obwodów elektronicznych a wskutek tego na wyjsciu separatora pojawia sie sygnal elektryczny który po odpowiednim uformowaniu w ukladzie ksztaltujacym UK zostaje dodany logicznie z pozo¬ stalymi sygnalami z poszczególnych torów w su¬ matorze logicznym SL. Sygnal wyjsciowy sumato¬ ra SL pobudza blokade B, której sygnal wyjsciowy wygasza badz wycofuje impulsy bramkowe gene¬ rowane przez uklad generacji impulsów bramkuja¬ cych GIB, niezaleznie od poziomu ich wysterowa¬ nia przez regulator RE.Zastrzelenia pa taatowe 1. Uklad zabezpieczajacy pólprzewodniKewe ele¬ menty mocy przed przekroczeniem dopuszczalnej wartosci napiecia, znamienny tym, ze pólprzewod- 5 nikowy element mocy (T) jest zbocznikowany z jednej strony szeregowym polaczeniem wysokona¬ pieciowego elementu nieliniowego (V) i dwóch wejsc czujnika przeplywu pradu (CP), którego syg¬ nal podawany jest na kaskadowe polaczenie sepa- io ratora sumatora (SL), blokady (B) oraz ukladu generacji impulsów bramkujacych (GIB). 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze pólprzewodnikowy element mocy (T) jest zboczni- is kowany z drugiej strony rezystorem (R) i kondensa¬ torem (C) polaczonymi szeregowo. 3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze z drugim wejsciem ukladu generacji impulsów bramkujacych (GIB) jest polaczony regulator 21 (RE), 4. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze obwód wejsciowy czujnika- przeplywu pradu (CP) sklada sie z rezystora (RK) zbocznikowanego sze¬ regowo polaczonymi diodami (Dl ... DN).RE c ' * SL B GIB Fig. i Fic.2 LZGraf. Z-d Nr 2 1383/85 90+20 egz. A4 Cena 100 zl PLThe subject of the invention is a system protecting semiconductor power elements against exceeding the allowable voltage value, especially in thyristor frequency converters equipped with a current inverter. The known system protecting semiconductor power elements against exceeding the allowable voltage value contains a high-voltage element with non-voltage characteristics. for example a selenium stack, or a varistor or a tunnel diode, bypassing the protected power element. The cut-off voltage of the unit must be lower than the permissible voltage of the semiconductor element. The disadvantage of the known system is the possibility of the protective element to burn out due to the voltage occurring too long, exceeding the cut-off voltage and causing the current to flow through it, thus emitting unacceptable thermal energy on it. for its structure. The circuit according to the invention eliminates the above-mentioned drawbacks and inconveniences. The essence of the invention consists in the fact that the power semiconductor element is bypassed on one side by a series connection of a high-voltage nonlinear element and two inputs of the current flow sensor, which is connected to the separator and further to the shaper and further to the logic adder and further to the interlock and further to the gate pulse generation circuit. A regulator is connected to the second input of the gate pulse generation system. As a result of this solution of the system, each exceeding of the cut-off voltage of the protective element, causing the flow of current through the sensor, allows for immediate extinction or withdrawal of thyristor ignition pulses and the supply of voltage The subject of the invention is shown in an example of the embodiment in the drawing, in which Fig. 1 shows a block diagram of a safety circuit and Fig. 2 - a diagram of an input circuit of a sensor. The safety circuit according to the invention consists of one or more current paths composed of a semiconductor power element I connected to the current flow sensor CP and further to the separator S and to the shaper UK, the outputs of which are connected to the inputs of the logic adder SL connected to the block B and further to the pulse generation system gates of the GIB. The RE controller is connected to the second input of the GIB circuit. The semiconductor power element I of each current circuit is bypassed on one side by a series connection of a high-voltage nonlinear element V and two inputs of the current flow sensor 124 355 124 355 CP, on the other side connected in series resistor R and capacitor C The input circuit of the sensor CP of the individual current paths consists of a resistor RK bypassed in series with diodes Dl ... DN. The protection circuit according to the invention works as follows. At the moment of failure, causing the flow of current through the high-voltage nonlinear element V, and thus through the resistor RK and diodes Dl ... DN, the input circuit of the separator S is energized, which separates the high-voltage circuits from the electronic circuits galvanically, and as a result, a signal appears at the output of the separator electric, which after appropriate formation in the shaping system UK is added logically with the remaining signals from the individual paths in the logical sum SL. The output signal of the SL adder activates the block B, whose output signal extinguishes or withdraws the gate pulses generated by the GIB gating pulses generation system, regardless of the level of their actuation by the RE regulator. Chip shots 1. Semiconductor protection circuit. Power moments before exceeding the allowable voltage value, characterized in that the power semiconductor element (T) is bypassed on one side by a series connection of the high-voltage non-linear element (V) and two inputs of the current flow sensor (CP), the signal of which is The signal is supplied to the cascade connection of the separator and adder (SL), interlock (B) and the gating pulse generator (GIB). 2. System according to claim The method of claim 1, wherein the power semiconductor element (T) is biased on the other side by a resistor (R) and a capacitor (C) connected in series. 3. System according to claim A circuit according to claim 1, characterized in that a regulator 21 (RE) is connected to the second input of the gating pulse generator (GIB). The method of claim 1, characterized in that the input circuit of the current flow sensor (CP) consists of a resistor (RK) bypassed by diodes connected in series (DL ... DN). RE c '* SL B GIB Fig. And Fic.2 LZGraf . Z-d No. 2 1383/85 90 + 20 copies A4 Price PLN 100 PL