PL122459B1 - Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument - Google Patents

Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument Download PDF

Info

Publication number
PL122459B1
PL122459B1 PL21594079A PL21594079A PL122459B1 PL 122459 B1 PL122459 B1 PL 122459B1 PL 21594079 A PL21594079 A PL 21594079A PL 21594079 A PL21594079 A PL 21594079A PL 122459 B1 PL122459 B1 PL 122459B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
current
heating
pulling
voltage
time
Prior art date
Application number
PL21594079A
Other languages
English (en)
Other versions
PL215940A1 (pl
Inventor
Krzysztof Kowalski
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL21594079A priority Critical patent/PL122459B1/pl
Publication of PL215940A1 publication Critical patent/PL215940A1/xx
Publication of PL122459B1 publication Critical patent/PL122459B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru re¬ zystancji termicznej przyrzadu pólprzewodnikowe¬ go na podstawie pomiaru temperatury zlacza.Znane sa sposoby pomiairu rezystancji termicz¬ nej przyrzadu pólprzewoidnikowego polegajace na tym, ze po ogrzaniu zlacza stalym pradem grzej¬ nym, przy stalym napieciu na zaciskach badanego przyrzadu pólprzewodnikowego zastepuje sie ten staly prad grzejny pradem pomiarowym o war¬ tosci znacznie mniejszej niz wartosc pradu grzej¬ nego. Nastepnie mierzy sie spadek napiecia na zaciiskach badanego przyrzadu pólprzewodnikowe¬ go, spowodowany przeplywem pradu pomiarowego.Temperature zlacza wyznacza sie z oidipowiedhich wykresów zmian temperatury danego zlacza w za¬ leznosci od napiecia na zaciskach badanego przy¬ rzadu pólprzewodnikowego. Znajac moc grzejna Ph = In X Uh oraz przyrost temperatury zlacza AT w odniesieniu do temperatury otoczenia okre¬ sla sie rezystancje termiczna RT tego przyrzadu ze wzoru AT Rt — ¦ Znane sposoby pomiaru rezystancji przyrzadów pólprzewodnikowych sa obarczone znacznymi ble¬ dami pomiarowymi'.Blad pomiaru jest tym wiekszy im wiekszy jest 10 15 20 czas zycia nosników w obszarze zlacza i im mniej¬ sza jest tenmiozna stala czasu zlacza. Blad ten powoduje, ze mierzona wartosc temperatury zla¬ cza jest mniejsza niz wartosc rzeczywista, a takze moze prowadzic do wyników pomiarów wskazu¬ jacych na pozorne wzrastanie telmjperatjury zlacza po wylaczeniu pradu grzejnego. Jak wskazuja nie¬ którzy autorzy wartosci temjperatury zlacza mie¬ rzone znanymi sposobami moga byc nawet kil¬ kakrotnie nizsze niz wartosci rzeczywiste.Istota wynalazku polega na tym, ze po ogrza¬ niu zlacza przyrzadu pólprzewodnikowego pradem grzejnym przyklada sie do zacisków przyrzadu póljprzewodnikowego imjpufls wyciagajacy nosniki o polaryzacja przeciwnej niz prad grzejny. Czas trwa¬ nia tego impulsu dobiera sie tak, aby byl wiekszy niiz czas, w kltóryim prad wyciagajacy nosniki ma wartosc stala, oraz alby byl mniejszy ndz czas, w którym prad wyciagajacy nosniki przyjmiiije wlar- tosc zero. W czasie trwania imipudsu wyciagajacego moc doprowadzana do zlacza przyrzadu póAprze- wodmiikowego powinna byc równa mocy wydzie¬ lanej podczas przeplywu praidlu jgrzejinego. Po za¬ konczeniu impulsu wyciagajacego do zacisków przy¬ rzadu pól|przewodnckowego doprowadza sie prad pomiarowy i mierzy sie s(padek napiecia na tych zaciskach. Rezystancje termiczna wylicza sie ze At wzoru RT — — , gdzie Ph jest moca grzejna 122 4593 122 459 4 wytwarzana przez prad grzejny, T — przyrost temjperatury zlacza w odniesieniu do temperatury otoazenia. Temperature zlacza wyznacza sie z od- 'póm&dxódl^wytex£$bw zmian temperatury danego jzA(*z5* 4fci zaleznosci od napiecia na odpowiednich 2zaciskach przyrizadiu pólprzewodnikowego. t Ooiproswgidzenie jmpullisu wyciagajacego nosnijki I sfl^ ^wSEfcsKenie-dóddaonosci pomiaru, przez eliminacje lufo zmniejsizenie ladunku wprowadzanego do ob¬ szaru zlacza przez prad grzejny. Zwiekszenie do- klaidnosci pomiaru je&t szczególnie znaczne w przy¬ padku badanych prizyrizadów pólprzewodnikowych o duzych czaisacih zycia nosników. iPrzedmioit wynalazku jest blizej objasniony przykladowo na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad blokowy umozliwiajacy pomiar rezystancji termicznej diody pólprzewodni¬ kowej sposobem wedlug wynalazku, a fig. 2 —prze¬ biegi czasowe napiec zródel zasilajacych Uz, prze¬ biegi czasowe pradów plynacych pnzez badana dio¬ de Id oraz przebiegi czasowe napiec na zaciskach badanej diody Ud, w trakcie pomiaru sposobem wedlug wynalazku.Uklad pomiarowy zawiera zródlo napiecia grza¬ nia Uau, zródlo napiecia wyciagajacego Uzr, oraiz zródlo napiecia pomiarowego Uzm. Zródla te pod¬ laczone sa do badanej diody pólprzewodnikowej D oraz do Ukladu sterujacego wlaczaniem zródel. Do badanej diody D podlaczony jest równiez miernik napiecia) i pradu U/T. iW czasie Th grzania zlacza do badanej diody pólponzeiwodndkowej D podlaczone jelst zródlo sta- lego napiecia grzania U^. Napiecie to powoduje pnzeiplylw przez zlacze pólprzewodnikowe tej diody pradu grizeonego lh przy napieciu grzejnym Uh na zaciskach badanej diody D. Moc wydzielana w diodzie w tym czasie wynosi: Ph=UhXlh (Po wlaczeniu napiecia grzania U^ przykladamy jest do diody ujemny impuOls Uzr wyciagajacy nos¬ niki z obszarfu zlacza. W czasie trwania imiptuilBu wyciagajacego Tr przez diode przeplywa prad wy¬ ciagajacy Ir przy napieciu, na jej zaciskach Ur.W czasie trwania jmpaAsu wyciagajacego Tr moc wydzielana w diodzie wynosi: Pr = Ir*Rr gdzie Rf jeat rezystancja badanej diody w prze¬ dziale czasowym Trl (Prad wyciagajacy Ir w czaisie T, jest staly, a nastepnie jego wartosc maleje do zera. Wartosc napiecia impulsu wyciagajacego U„ jest tak do¬ brana, ze prad wyciagajacy Ir w czasie Tg jest równy pradowa grzejnemu In dLody. Wtedy to moc grzania oraz moc wydzielana podczas trwa¬ nia impulsu wyciagajacego sa sobie równe w cza¬ sie Ts, gidy wartosc prajdu wyciagajacego Ir jest stala. Czas- trwania danpufljsu wyciagajacego Tr jest wiekszy niz czas Ts,,w którym prad wyciagajacy 5 Ir ma wartosc stala, ale tez jest mniejszy niz ozais, po którym ten prad zanika do zera, a wiec wszystkie nosniki zostaja wyciagniete z obszaru zlajciza. Czas- ten zwykle wynosi kilka wartosci cza¬ su1 zycia nosników. Po uplywie tak dobranego cza- 10 su trwania impulisu wyciagajacego Tr wlacza sie na czas Tm zródlo stalego napdecia pomiarowego Uzm o wartosci znacznie mniejszej niz napiecie gnzejne Uzh. To napiecie pomiarowe Uzm powo¬ duje przeplyw przez diode D pradu pomiarowego 15 Im i powstanie na jej zaciskach spadku napiecia Um. TemperaJbure zlacza odczytuje sie z odpowied¬ nich wykresów temperatury danego zlacza od na¬ piecia na zaciskach diody. Rezystancje termiczna badanej diody RT okresla sie jako: AT Ph gdzie: AT — przyrost temperatury zlacza w od¬ niesieniu do temperatury otoczenia, a Ph — moc grzejna diody.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru rezystancji termicznej przy¬ rzadu pólprzewodnikowego, w którym po ogrza¬ niu zlacza tego przyrzadu stalym pradem grzej¬ nym, zastepuje sie prad grzejny pradem pomia¬ rowym o znacznie mniejszej wartosci i mierzy sie spadek napiecia na zaciskach tego przyrzadu, a wartosc rezystancji termicznej wylicza sie ze znanych wzorów, znamienny tym, ze bezposred¬ nio po wylaczeniu pradu grzejnego (Ih), a przed doprowadzeniem pradu pomiarowego (Im) przy¬ klada sie do zacisków przyrzadu pólprzewodniko¬ wego impuls wyciagajacy nosniki (Uzr) o polary¬ zacji przeciwnej niz napiecie grzania (Uzm), przy czym czas trwania tego impulsu wyciagajacego korzystnie dobiera sie tak, aby byl wiekszy niz czas, w którym prad wyciagajacy nosniki (Ir) ma wartosc stala, oraz byl mniejszy niz czas, w któ¬ rym prad wyciagajacy nosniki (Ir) przyjmuje war¬ tosc zero. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w czasie trwania impulsu wyciagajacego (U^) do¬ prowadza sie do zlacza przyrzadu pólprzewodni¬ kowego (D) moc, która w czasie (Ty, gdy prad wyciagajacy (Ir) ma wartosc stala jest równa mo¬ cy wydzielanej podczas przeplywu pradu grzej¬ nego (Ih). 25 30 35 40 45 50122 459 us 1 1 1_ 1 Uzh Uzr Uzm - D U/J i FIG.1 z ' Uzh ' Uzr Uzm i I i i 1 Uzh ^ t FIG. 2 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru rezystancji termicznej przy¬ rzadu pólprzewodnikowego, w którym po ogrza¬ niu zlacza tego przyrzadu stalym pradem grzej¬ nym, zastepuje sie prad grzejny pradem pomia¬ rowym o znacznie mniejszej wartosci i mierzy sie spadek napiecia na zaciskach tego przyrzadu, a wartosc rezystancji termicznej wylicza sie ze znanych wzorów, znamienny tym, ze bezposred¬ nio po wylaczeniu pradu grzejnego (Ih), a przed doprowadzeniem pradu pomiarowego (Im) przy¬ klada sie do zacisków przyrzadu pólprzewodniko¬ wego impuls wyciagajacy nosniki (Uzr) o polary¬ zacji przeciwnej niz napiecie grzania (Uzm), przy czym czas trwania tego impulsu wyciagajacego korzystnie dobiera sie tak, aby byl wiekszy niz czas, w którym prad wyciagajacy nosniki (Ir) ma wartosc stala, oraz byl mniejszy niz czas, w któ¬ rym prad wyciagajacy nosniki (Ir) przyjmuje war¬ tosc zero.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w czasie trwania impulsu wyciagajacego (U^) do¬ prowadza sie do zlacza przyrzadu pólprzewodni¬ kowego (D) moc, która w czasie (Ty, gdy prad wyciagajacy (Ir) ma wartosc stala jest równa mo¬ cy wydzielanej podczas przeplywu pradu grzej¬ nego (Ih). 25 30 35 40 45 50122 459 us 1 1 1_ 1 Uzh Uzr Uzm - D U/J i FIG.1 z ' Uzh ' Uzr Uzm i I i i 1 Uzh ^ t FIG. 2 PL
PL21594079A 1979-05-29 1979-05-29 Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument PL122459B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21594079A PL122459B1 (en) 1979-05-29 1979-05-29 Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21594079A PL122459B1 (en) 1979-05-29 1979-05-29 Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL215940A1 PL215940A1 (pl) 1981-01-02
PL122459B1 true PL122459B1 (en) 1982-07-31

Family

ID=19996537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21594079A PL122459B1 (en) 1979-05-29 1979-05-29 Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL122459B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL215940A1 (pl) 1981-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114646809B (zh) 一种氮化镓功率器件动态电阻的测试电路及测试方法
CN109613425B (zh) 换流阀测试系统及测试方法
CN112526312B (zh) 一种igbt器件的多应力作用测试系统及方法
CN108646116A (zh) 一种新型火工品综合等效设备及其测试方法
CN101344574A (zh) 高压开关机械寿命试验仪
CN108287300A (zh) 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置
PL122459B1 (en) Method of measurement of thermal resistance of semiconductor instrument
US3659199A (en) Rectifier test method
CN109991492A (zh) 模拟电池电路
CN207163590U (zh) 绕组温升检测装置及设备
CN112305465A (zh) 确定高压电容器内熔丝熔断状态的测量系统及测量方法
CN116735980B (zh) 一种采用双脉冲测试电感偏置感量的方法及装置
DE602005001966T2 (de) Vorrichtung zur Energiemessung einer Batterie, insbesondere während des Ladens/Entladens der Batterie
SE450663B (sv) Anordning for elektrisk metning av den i en vermeforbrukare forbrukade vermemengden
CN113758685B (zh) 一种光纤陀螺用输出光功率稳定的光源筛选方法及系统
US4603957A (en) Switch state detecting apparatus for a camera
CN121578082A (zh) 一种微秒级响应速度阈值电压测试电路及方法
JPS5786736A (en) Testing method and device for heat pipe performance
PL175439B1 (pl) Sposób mierzenia interwału czasowego i urządzenie do mierzenia interwału czasowego
SU1134917A1 (ru) Устройство дл измерени мощности СВЧ
SU943767A1 (ru) Устройство дл моделировани апериодического переходного тока в трансформаторах
US3373356A (en) Holding current meter for scr or the like
CN110389265A (zh) 一种LoRa无线数据采集器用测试系统及其测试方法
SU1057890A1 (ru) Устройство дл измерени переходной тепловой характеристики полупроводниковых вентелей
EP0076120A2 (en) Current generating circuit device for measuring cryogenic liquefied gas liquid level meter with superconductive wire