PL121458B2 - Class d hf power amplifier - Google Patents

Class d hf power amplifier Download PDF

Info

Publication number
PL121458B2
PL121458B2 PL21866879A PL21866879A PL121458B2 PL 121458 B2 PL121458 B2 PL 121458B2 PL 21866879 A PL21866879 A PL 21866879A PL 21866879 A PL21866879 A PL 21866879A PL 121458 B2 PL121458 B2 PL 121458B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistors
emitter
class
circuit
amplifier
Prior art date
Application number
PL21866879A
Other languages
English (en)
Other versions
PL218668A2 (pl
Inventor
Marian Kazimierczuk
Juliusz Modzelewski
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL21866879A priority Critical patent/PL121458B2/pl
Publication of PL218668A2 publication Critical patent/PL218668A2/xx
Publication of PL121458B2 publication Critical patent/PL121458B2/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci klasy D, beztransformatorowy.Znany jest z artykulu W.J. Chudobiak D.F. Page pt: „Freguency and power limitations of Class-D transistor amplifiers", IEE Journal of Solid-State Circuits, vol SC-4, February 1969, no 1 wzmacniacz mocy klasy D wielkiej czestotliwosci nie posiadajacy na wejsciu transformatora szerokopasmowego. We wzmacniaczu tym zastosowano tranzystory komplementarne pracujace jako klucze. Emitery tych tranzystorów sa polaczone galwanicznie, a takze ich bazy sa ze soba polaczone galwanicznie. Emitery obu tranzystorów polaczone sa ponadto z szeregowym obwodem rezonansowym RLC. Drugi koniec tego obwodu RLC jest uziemiony. Uklad posiada dwa napiecia zasilajace z których jedno jest wlaczone miedzy kolektory obu tranzystorów a drugie poprzez dlawik wlaczone jest w obwód bazy tranzystorów. Wzmacniacz sterowany jest sygnalem prostokat¬ nym tak, ze przez pól okresu jeden z trazystorów jest w stanie odciecia, a drugi w stanie nasycenia, natomiast w drugiej polówce okresu stan pracy tranzystorów jest odwrotny.Powyzszy uklad posiada szereg wad. Wymagane sa dwa zródla zasilania o róznych napieciach.Konieczny jest przy tym dlawik w obwodzie zasilania baz. Oba tranzystory pracuja w ukladzie ze wspólnym kolektorem, stad napiecie steriajaee musi byc duze, okolo Ucc/2, Ponadto tranzystory moga byc, umieszczone na wspólnym radiatorze tylko po zapewnieniu izolacji elektrycznej/Istnieje takze niebezpieczenstwo wzbudzenia sie wzmacniacza. W zwiazku z tak duza liczba wad wzmac¬ niacz ten nie znalazl praktycznego zastosowania.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze kolektory obu tranzystorów komple¬ mentarnych pracujacych jako klucze sa polaczone galwanicznie z soba. Ponadto oba kolektory polaczone sa z pobudzanym obwodem rezonansowym RLC, którego drugi zacisk jest uziemiony.Bazy tranzystorów komplementarnych sa polaczone z soba poprzez kondensator. Kazdy z zaci¬ sków napiecia zasilajacego uklad polaczony jest z emiterem jednego z tranzystorów. Miedzy emiterem a baza kazdego z tranzystorów wlaczona jest dioda.Wzmacniacz wedlug wynalazku posiada szereg zalet w stosunku do znanych wzmacniaczy.Dzieki galwanicznemu polaczeniu kolektorów oba tranzystory mozna umiescic na wspólnym radiatorze, co znacznie ulatwia konstrukcje wzmacniacza, umozliwia miniaturyzacje ukladu i2 121 458 obniza cene jego produkcji. Istotna zaleta jest równiez wyeliminowanie niebezpieczenstwa wzbu¬ dzania sie wzmacniacza, poniewaz od strony jego wejscia nie wystepuja elementy indukcyjne.Podnosi to niezawodnosc pracy ukladu. Istotna zaleta jest to, ze wymagane jest tylko jedno zródlo zasilania. W zwiazku / tym, uklad jest prosty i tanszy w produkcji i eksploatacji. Ponadto tranzystory pracuja w ukladzie OE, wspólnego emitera, dzieki czemu do wysterowania wzmacnia¬ cza wystarczy stosunkowo male napiecie rzedu IV, a wzmocnienie napieciowe i wzmocnienie mocy jest bardzo duze. Projektowanie proponowanego ukladu jest znacznie prostsze od ukladów zna¬ nych dotychczas.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, który przed¬ stawia schemat ideowy wzmacniacza.Wzmacniacz wedlug wynalazku sklada sie z dwóch tranzystorów komplementarnych Tl, T2, pracujacych jako klucze. Kolektory tych tranzystorów polaczone sa z soba galwanicznie,a ponadto polaczone sa z jednym z zacisków szeregowego obwodu rezonansowego RLC. Drugi zacisk tego obwodu jest uziemiony. Bazy obu tranzystorów polaczone sa poprzez kondensator Cl. Baza tranzystora Tl typu pnp polaczona jest ponadto do anody pierwszej diody Dl. Katoda tej diody Dl, a takze emiter tranzystora Tl typu pnp dolaczona jest do dodatniego bieguna napiecia zasilajacego Ucc. Baza tranzystora T2 typu npn polaczona jest z katoda drugiej diody D2. Anoda tej drugiej diody D2 i emiter tranzystora npn T2 sa uziemione. Diody Dl, D2 zamykaja wiec obwody pradu stalego baz obu tranzystorów. Na baze tranzystora T2 typu npn i na baze tranzy¬ stora Tl typu pnp poprzez kondensator Cl podawane jest napiecie wejsciowe prostokatne poprzez kondensator sprzegajacy Cs. Napiecie wejsciowe utrzymuje na przemian jeden z tranzystorów w stanie odciecia, a drugi w stanie nasycenia. Dzieki temu szeregowy obwód rezonansowy RLC pobudzany jest napieciem o przebiegu prostokatnym.Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci klasy D, zawierajacy dwa tranzystory komplemen¬ tarne, których bazy sa sterowane prostokatnym napieciem wejsciowym i które to tranzystory pobudzaja obwód rezonansowy z jednym zaciskiem uziemionym, znamienny tym, ze kolektory tranzystorów komplementarnych (Tl, T2) sa polaczone ze soba galwanicznie, a takze polaczone sa z drugim zaciskiem obwodu rezonansowego (R, L, C), zas bazy tych tranzystorów komplementar¬ nych (Tl, T2) polaczone sa poprzez kondensator (Cl), przy czym kazdy z zacisków napiecia zasilajacego uklad (Lfcc) polaczony jest z,emiterem jednego z tranzystorów (Tl, T2) oraz miedzy emiterem a baza kazdego z tranzystorów (Tl, T2) jest wlaczona dioda (Dl, D2).Pracownia PoUgraficaia UF PRL. Naklad 120 cgz. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci klasy D, zawierajacy dwa tranzystory komplemen¬ tarne, których bazy sa sterowane prostokatnym napieciem wejsciowym i które to tranzystory pobudzaja obwód rezonansowy z jednym zaciskiem uziemionym, znamienny tym, ze kolektory tranzystorów komplementarnych (Tl, T2) sa polaczone ze soba galwanicznie, a takze polaczone sa z drugim zaciskiem obwodu rezonansowego (R, L, C), zas bazy tych tranzystorów komplementar¬ nych (Tl, T2) polaczone sa poprzez kondensator (Cl), przy czym kazdy z zacisków napiecia zasilajacego uklad (Lfcc) polaczony jest z,emiterem jednego z tranzystorów (Tl, T2) oraz miedzy emiterem a baza kazdego z tranzystorów (Tl, T2) jest wlaczona dioda (Dl, D2). Pracownia PoUgraficaia UF PRL. Naklad 120 cgz. PL
PL21866879A 1979-10-01 1979-10-01 Class d hf power amplifier PL121458B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21866879A PL121458B2 (en) 1979-10-01 1979-10-01 Class d hf power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21866879A PL121458B2 (en) 1979-10-01 1979-10-01 Class d hf power amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL218668A2 PL218668A2 (pl) 1980-09-22
PL121458B2 true PL121458B2 (en) 1982-05-31

Family

ID=19998667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21866879A PL121458B2 (en) 1979-10-01 1979-10-01 Class d hf power amplifier

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL121458B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL218668A2 (pl) 1980-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6211310A (ja) Rf増幅器
EP1111773A4 (en) SEMICONDUCTOR CIRCUIT
JPS60236306A (ja) 高周波増幅器
KR910010832A (ko) 증폭기
PL121458B2 (en) Class d hf power amplifier
ATE111266T1 (de) Eingangsschaltung für hochfrequenzverstärker.
DE3587317D1 (de) Klasse-e-verstaerker.
KR890004487A (ko) 출력회로
JPS6460259A (en) Charge pump type booster circuit
JPS57157607A (en) Hybrid integrated circuit
ATE97769T1 (de) Breitbandverstaerker mit konstanter verstaerkung und mit hochfrequenzbestimmter eingangsimpedanz.
SU1550597A1 (ru) Высокочастотный усилитель
JPS57116430A (en) Inverted logical circuit
GB815668A (en) Improvements in or relating to inverter circuits employing transistors
JPS6462906A (en) Output circuit
SU1023309A1 (ru) Двупол рный источник питани посто нного напр жени
SU469206A1 (ru) Двухтактный усилитель
JPS57121717A (en) Monolithic integrated circuit device
JPS59123991U (ja) 誘導加熱調理器用の電源装置
JPS628147Y2 (pl)
JPS5914983B2 (ja) コンデンサの充電回路
JPS5665512A (en) Electronic circuit
GB856105A (en) Improvements in or relating to transistor oscillator circuits
JPS60652U (ja) 最高電圧選択回路
JPS54134543A (en) Pulse amplifier