PL120523B2 - Process for preparing thin films of abo3 type compounds - Google Patents
Process for preparing thin films of abo3 type compounds Download PDFInfo
- Publication number
- PL120523B2 PL120523B2 PL22214080A PL22214080A PL120523B2 PL 120523 B2 PL120523 B2 PL 120523B2 PL 22214080 A PL22214080 A PL 22214080A PL 22214080 A PL22214080 A PL 22214080A PL 120523 B2 PL120523 B2 PL 120523B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- compounds
- substrate
- thin films
- type compounds
- preparing thin
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkich warstw zwiazków typu AB03 o dobrze uksztal¬ towanej strukturze tekstury w warunkach stosunkowo niskich temperatur podloza.Dotychczas stosowane sposoby technologiczne wymagaja podgrzewania podloza do wysokich temperatur bliskich 1000°C, tzn. temperatur bliskich temperaturom topnienia tych substancji. W warunkach niskich tempera¬ tur otrzymywano cienkie warstwy o znacznych odchyleniach od zalozonej stechiometrii. Stosowanie podgrzewa¬ nia podlozy bylo konieczne bez wzgledu na sposób nanoszenia cienkiej warstwy, a wiec zarówno w technolo¬ giach prózniowych (DC i RF Sputtering) jak i wypalaniem past czy odpowiednich reakcji chemicznych.Wada tych sposobów jest brak mozliwosci nanoszenia tych warstw na mniej szlachetne podloza metaliczne, czy na podloza z takich pólprzewodników jak krzem. Stosowana tu bowiem wysoka temperatura w polaczeniu z tlenem, który czesto stosowany jest w rozpylaniu reaktywnym cienkich warstw zwiazków AB03, stawia wyso¬ kie wymagania materialom podlozy w zwiazku z czym stosuje sie tu takie materialy jak platyna, A1203, szafir.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu technologicznego umozliwiajacego nanoszenie cienkich warstw zwiazku typu AB03 w,niskieh temperaturach podloza w przedziale 100-500°C, przy rozpylaniu reaktywnym w tlenie w polu stalym i w polu czestosci radiowych, a wiec chodzi tu o mozliwosc uzyskania cienkich warstw zwiazków AB03 na mniej szlachetnych i odpornych podlozach od stosowanych obecnie.Istota sposobu otrzymywania cienkich warstw polega na tym, ze w procesie elektrycznego i reaktywnego rozpylania prózniowego stosuje sie rozpylany zwiazek AB03 w postaci tarcz zawierajacych domieszkowane uprzednio katalizatory, najlepiej fluorki i chlorki odpowiednich zwiazków, obnizajace temperature zarodkowania cienkiej warstwy nanoszonej na podloze, w ilosci od 10 do 30% wagowych czystego zwiazku.Zaleta tego sposobu jest mozliwosc uzyskania trudnotopliwych zwiazków typu AB03 na podlozach wrazli¬ wych na podwyzszone temperatury, a tym samym znaczne rozszerzenie mozliwosci zastosowania róznych dielek¬ tryków, ferroelektryków i pólprzewodników o skladzie AB03 na róznego rodzaju planarne czy hybrydowe technologie ukladów scalonych. Mozna wiec ta droga otrzymywac przykladowo lepsze warstwy izolacyjne niz Si02, lepsze warstwy substancji o ekstremalnie wysokich wartosciach przenikalnosci dielektrycznej w przypadku ferroelektryków AB03.o 120523 Wynalazek moze byc na przyklad wykorzystany do otrzymania cienkiej warstw tytanianu barowego (BaTi03) na podlozu z czystego aluminium. Wprowadzenie 20% wagowych fluorku potasu (KF) do tarczy ceramicznej BaTi03 umozliwia otrzymanie stechiometrycznego zwiazku tego materialu w postaci cienkiej war¬ stwy ulozonej plaszczyzna (100) równolegle do podloza z walcowanej folii aluminiowej, juz przy temperaturach podloza 150°C i gestosci mocy wyladowania rzedu 102 W/cm2, przy napieciu czestosci radiowej 1300 V, cisnie¬ niu roboczym tlenu 5,9 kPa oraz odleglosci tarcza - podloze 6 mm.Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania cienkich warstw zwiazków typu AB03 na drodze rozpylania elektrycznego tych zwiazków w komorze prózniowej na rózne podloza, znamienny tym, ze stosuje sie rozpylany zwiazek AB03 w postaci tarcz zawierajacych domieszkowane uprzednio katalizatory, najlepiej fluorki i chlorki odpowied¬ nich zwiazków, obnizajace temperature zarodkowania cienkiej warstwy nanoszonej na podloze, w ilosci od 10 do 3(¥7c wagowych czystego zwiazku.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania cienkich warstw zwiazków typu AB03 na drodze rozpylania elektrycznego tych zwiazków w komorze prózniowej na rózne podloza, znamienny tym, ze stosuje sie rozpylany zwiazek AB03 w postaci tarcz zawierajacych domieszkowane uprzednio katalizatory, najlepiej fluorki i chlorki odpowied¬ nich zwiazków, obnizajace temperature zarodkowania cienkiej warstwy nanoszonej na podloze, w ilosci od 10 do 3(¥7c wagowych czystego zwiazku. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22214080A PL120523B2 (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Process for preparing thin films of abo3 type compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22214080A PL120523B2 (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Process for preparing thin films of abo3 type compounds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL222140A2 PL222140A2 (pl) | 1981-01-02 |
| PL120523B2 true PL120523B2 (en) | 1982-03-31 |
Family
ID=20001435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL22214080A PL120523B2 (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Process for preparing thin films of abo3 type compounds |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL120523B2 (pl) |
-
1980
- 1980-02-19 PL PL22214080A patent/PL120523B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL222140A2 (pl) | 1981-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Adikary et al. | Ferroelectric and dielectric properties of sol–gel derived BaxSr1− xTiO3 thin films | |
| US9583270B2 (en) | Complex oxide, thin-film capacitive element, liquid droplet discharge head, and method of producing complex oxide | |
| US3499799A (en) | Process for preparing dense,adherent boron nitride films and certain articles of manufacture | |
| JP4603254B2 (ja) | 金属酸化物ゾル液の製造方法、結晶質金属複酸化物ゾルおよび金属酸化物膜 | |
| PL120523B2 (en) | Process for preparing thin films of abo3 type compounds | |
| KR20050092437A (ko) | 박막 용량 소자용 조성물, 고유전율 절연막, 박막 용량소자, 박막 적층 콘덴서 및 박막 용량 소자의 제조방법 | |
| Halder et al. | Enhanced stability of platinized silicon substrates using an unconventional adhesion layer deposited by CSD for high temperature dielectric thin film deposition | |
| JP2008504672A5 (pl) | ||
| US5140498A (en) | Method of producing a wound thin film capacitor | |
| Liu et al. | Synthesis and Processing of Lead Scandium Tantalate Thin Layers by a Solution Sol-gel Method | |
| JP2001053224A (ja) | 薄膜キャパシタおよびその製造方法 | |
| Halder et al. | Microstructure and electrical properties of BaTiO3 and (Ba, Sr) TiO3 ferroelectric thin films on nickel electrodes | |
| Toyoda et al. | Preparation and characterization of (Ba, Ca)(Ti, Zr) O3 thin films through sol-gel processing | |
| JP3389370B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3446461B2 (ja) | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜形成用組成物、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉｙＯ３薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 | |
| EP3978145A1 (en) | Method for manufacturing piezoelectric film, piezoelectric film, and piezoelectric element | |
| Ogawa et al. | Sol-gel barium titanate thin films on nickel alloy electrodes | |
| JPH0320059B2 (pl) | ||
| Merklein et al. | Crystallization behavior and electrical properties of wet-chemically deposited lead zirconate titanate thin films | |
| JP2011195444A (ja) | ペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法 | |
| JP4494568B2 (ja) | 無機ｅｌ用誘電体厚膜、無機ｅｌ素子および誘電体厚膜 | |
| TWI235390B (en) | Thin film capacitive element, and electronic circuit and electronic device including the same | |
| KOKUBO et al. | Thick-Film Capacitors Made from Glass-Ceramics Containing PbO and TiO2 | |
| Remiens et al. | Structural and electrical properties of PbTiO3 thin films grown on silicon substrates | |
| Choi et al. | Effect of Y-Doping on the Dielectric Properties of BatiO3 Films Deposited in Reducing Atmospheres Using Pulsed Laser Deposition |