PL117148B1 - System for measuring profiles semi-conductor platein - Google Patents

System for measuring profiles semi-conductor platein Download PDF

Info

Publication number
PL117148B1
PL117148B1 PL20879478A PL20879478A PL117148B1 PL 117148 B1 PL117148 B1 PL 117148B1 PL 20879478 A PL20879478 A PL 20879478A PL 20879478 A PL20879478 A PL 20879478A PL 117148 B1 PL117148 B1 PL 117148B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
measuring
amplifier
platein
conductor
semi
Prior art date
Application number
PL20879478A
Other languages
English (en)
Other versions
PL208794A1 (pl
Inventor
Zygmunt Toczynski
Tadeusz Piotrowski
Original Assignee
Inst Tech Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Elektronowej filed Critical Inst Tech Elektronowej
Priority to PL20879478A priority Critical patent/PL117148B1/pl
Publication of PL208794A1 publication Critical patent/PL208794A1/xx
Publication of PL117148B1 publication Critical patent/PL117148B1/pl

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 25.02.1983 117148 Int. Cl.1 G01B 7/28 H01L 21/66 CZY1ELNIA Urzedu Patentowego Twórcy wynalazku: Zygmunt Toczyski, Tadeusz Piotrowski Uprawniony z patentu: Instytut Technologii Elektronowej przy Nauko¬ wo-Produkcyjnym Centrum Pólprzewodników, Warszawa (Polska) Uklad pomiarowy profilu plytek pólprzewodnikowych iPirzedmiotem wynalazku jest uklad pomiaru pro¬ filu plytek pólprzewodnikowych przez pomiar od¬ leglosci liniowej miedzy dwiema powierzchniami granicznymi. Jedna z powierzchni stanowi odnie¬ sienie, a druga jest powierzchnia badanej plytki pólprzewodnikowej, metalowej lub dielektrycznej.W dotychczas znanych ukladach tego itypu przez pomiar zmian pojemnosci elektrycznej utworzonej badana plytka oraz powierzchnia odniesienia, któ¬ ra stanowa sonda pomiarowa lub zmiana pojem¬ nosci sondy pomiarowej w wynilku zmiany stalej dielektrycznej i przy pomiarze dielektryków, okre¬ sla sie ksztalt (badanej powierzchni. Stosujac uklad dwu sond umieszczonych po obu stronach plytki mierzy sie równdez kilinowatosc. Dla dokonania pomiaru niewielkich zmian odleglosci liniowych stosowana jest metoda pomiaru zmiany pojemnosci dwuelektrodowego (przetwornika o zmiennej odle¬ glosci elektrod, zmieniajacej sie wzajemnie po¬ wierzchni elektrod lub zmieniajacej sie stalej di¬ elektrycznej.Przetwornik pojemnosciowy dolaczony jest do ukladu (reagujacego na wzgledne przyrosty pojem¬ nosci. Uiklad pomiarowy do pomiaru pojemnosci sklada sie z generatora kontrolowanego ukladem stabilizacji, wzmacniacza napiecia odniesienia, wzmacniacza pomiarowego, detektora fazoczulego i przetwornika A/D wyswietlacza. Przetwornik po¬ jemnosciowy ukladu umieszczany jest na wejsciu wzmacniacza pomiarowego o danej opornosci wej- 10 15 20 25 30 sciowej. Wystepujace pojemnosci szkodliwe imituja szkodliwa * po jemnosc kabla laczacego przetwornik pojemnosciowy ze wzmacniaczem pomiarowym.Znany uiklad pracuje jako dzielnik napiecia. Na wejscie wzmacniacza pomiarowego doprowadzone jest napiecie zalezne od stosunku opornosci po¬ jemnosciowej utworzonej przez przetwornik pojem¬ nosciowy i próbke do opornosci wejsciowej wzmac¬ niacza pomiarowego. Na wyjsciu wzmacniacza otrzymujemy sygnal proporcjonalny do pojemnosci ibadanej przy zalozeniu, ze opornosc wytworzona przez sonde pomiarowa jest duzo wieksza od tej •opornosci wejsciowej. Znany uklad pomiarowy ze wzgledu na znaczny wplyw na pomiar pojemnosci szkodliwych wymaga stosowania krótkich, stabil¬ nych polaczen miedzy wejsciami wzmacniacza, a przetwornikiem pojemnosciowym.Warunek ten jest szczególnie distotny przy po¬ miarze niewielkich zmian pojemnosci wynikaja¬ cych z potrzeb pomiaru niewielkich przesuniec i nasuwa duzo trudnosci konstrukcyjnych. Stosowane jest niekiedy umieszczanie wzmacniacza pomiaro¬ wego bezposrednio znacznie ogranicza operatywnosc ukladu pomiaro¬ wego w róznych zastosowaniach. Poza 'tym uklad pomiarowy przedstawionego typu odznacza sie duza tlumiennoscia sygnalu, przez co ma gorsze wlasci¬ wosci szumowe.Celem wynalazku jest usuniecie wplywu szkodli¬ wych pojemnosci wnoszonych przez kabel pomia- 117148117 148 rowy przetwornika, zwiekszenie operatywnosci urzadzenia oraz zmniejszenie kosztów wytwarza¬ nia, ¦uproszczenie konstrukcja i umkniecie tlumie¬ nia sygnalu.Istota wynalazku jest umieszczenie pomiarowego przetwornika pojemnosciowego ukladu w petli ujemnego sprzezenia zwrotnego wzmacniacza po¬ miarowego.Uklad wedlug wynalazku jest uwidoczniony na przykladzie wylkonania, przedstawionymi na rysun¬ ku, który pokazuje schemat ukladu.Uklad sklada sie z generatora 1 kontrolowanego ukladem stabilizacji 7, wzmacniacza napiecia od- nde^enia 2,.wzmacniacza pomiarowego 3 o bardzo duzjrol Wzmocnieniu, detektora fazoczulego 4, prze¬ twornika A/D — 5 , wyswietlacza lub wskaznika 6.Przetwornik pojemnosciowy 8 umieszczony jest w petlj ujemnego sprzezenia zwrotnego wzmacniacza pomiarowego 3. Dzieki takiemu usytuowaniu wplyw pojemnosci szkodliwych kabla 9 d 10 jest pomijalny, a uklad pracuje bez tlumienia sygnalu.Pojemnosc szkodliwa 10 jest niwelowana poprzez niska opornosc wyjscia wtómikowego i dodatkowo obnizana dzieki sprzezeniu zwrotnemu. Pojemnosc szkodliwa 9 likwidowana jest opornoscia wejscio- lt 15 wa 11 wzmacndacza. Rozwiazanie wedlug wyna¬ lazku pozwala na umieszczanie sondy pomiarowej pojemnosciowej w znanych odleglosciach od ukla¬ du pomiarowego i niweluje szkodliwy wplyw po¬ jemnosci doprowadzen. Pozwala to na zwiekszenie zastosowan pomiarowych Ukladu pomiarowego, podniesienie jego stabilnosci oraz uproszczenie kon¬ strukcji. Uklad pomiarowy spelnia warunki wy¬ magane przy pomiarach niewdelkich zmian pojem¬ nosci i znajduje szerokie zastosowanie w diagno¬ styce i automatycznej segregacji. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad pomiarowy profilu plytek pólprzewodni¬ kowych przez pomiar odleglosci liniowej miedzy powierzchniami granicznymi, wyposazony w gene¬ rator kontrolowany ukladem stabilizacji, wzmac¬ niacz napiecia odniesienia oraz wzmacniacz pomia¬ rowy, detektor fazoczuly i przetwornik wyswietla¬ cza, znamienni tym, ze pomiarowy przetwornik pojemnosciowy (8) jest umieszczany w petli ujem¬ nego sprzezenia zwrotnego wznacniacza pomiaro¬ wego (3). WZGraf. Z-d 2 — 739/82 — 95 + 15 Cena 100 zl PL
PL20879478A 1978-08-02 1978-08-02 System for measuring profiles semi-conductor platein PL117148B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20879478A PL117148B1 (en) 1978-08-02 1978-08-02 System for measuring profiles semi-conductor platein

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20879478A PL117148B1 (en) 1978-08-02 1978-08-02 System for measuring profiles semi-conductor platein

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL208794A1 PL208794A1 (pl) 1980-04-08
PL117148B1 true PL117148B1 (en) 1981-07-31

Family

ID=19990863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20879478A PL117148B1 (en) 1978-08-02 1978-08-02 System for measuring profiles semi-conductor platein

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL117148B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL208794A1 (pl) 1980-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1669407A3 (ru) Способ определени электрически активных примесей в полупроводниковых структурах с р - п-переходом
US9754770B2 (en) Method and apparatus of diagnosing plasma in plasma space
KR20100054610A (ko) 고전압 전력기기용 극초단파 부분방전 어레이 센서 장치
PL117148B1 (en) System for measuring profiles semi-conductor platein
US3423675A (en) Measuring system for two and four terminal networks
US9018937B2 (en) MEMS-based voltmeter
SU783578A1 (ru) Устройство дл измерени отклонени объекта от заданной ориентации
SU1064244A1 (ru) Устройство дл измерени параметров полупроводниковых диодов
SU1691785A1 (ru) Устройство дл определени места короткого замыкани электрических цепей
Kidron The signal-to-noise ratios of constant-current and constant-temperature hot-wire anemometers
SU759996A1 (ru) Устройство для регистрации параметров по площади поверхности структур диэлектрик-полупроводник
US7062168B1 (en) Bifurcated range stages to increase speed or dynamic range of measuring instruments and associated methods
RU2207580C1 (ru) Свч-рефлектометр
JPS6382340A (ja) 材料試験機
SU187107A1 (pl)
SU646295A1 (ru) Датчик электрического пол
JPS5862573A (ja) 進行波管寿命試験装置
SU1101756A1 (ru) Измеритель импеданса электрохимических систем
RU2327174C1 (ru) Преобразователь сигналов тензорезисторных датчиков
SU686107A1 (ru) Контактирующее устройство дл контрол динамических параметров микросхем
SU834586A1 (ru) Устройство дл измерени коэффициентафОРМы КРиВОй пЕРЕМЕННОгО НАпР жЕНи
US3486116A (en) Liquid-microwave leveling indicator
Mimashi et al. The position monitor using stretched wire technique
SU749799A1 (ru) Способ измерени диэлектрической проницаемости
RU2027150C1 (ru) Датчик уровня диэлектрического вещества