PL113045B1 - Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture - Google Patents

Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture Download PDF

Info

Publication number
PL113045B1
PL113045B1 PL21915975A PL21915975A PL113045B1 PL 113045 B1 PL113045 B1 PL 113045B1 PL 21915975 A PL21915975 A PL 21915975A PL 21915975 A PL21915975 A PL 21915975A PL 113045 B1 PL113045 B1 PL 113045B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
magnetic
thin film
continuous process
magnetic thin
layers
Prior art date
Application number
PL21915975A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL21915975A priority Critical patent/PL113045B1/pl
Publication of PL113045B1 publication Critical patent/PL113045B1/pl

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów magnetycznych na podlozu metalicznym, zwlaszcza o przekroju kolo¬ wym. Znajduja one zastosowanie przede wszystkim jako nosniki informacji w pamieciach elektronicz¬ nych maszyn cyfrowych. Nosniki informacji powin¬ ny charakteryzowac sie mozliwie szerokim i stabil¬ nym obszarem operacyjnym pracy.Do wytwarzania cienkowarstwowych ukladów warstw magnetycznych na drodze elektrochemicznej najczesciej stosuje sie podloze z brazu berylowego lub srebrowego. Podloze takie poddaje sie najpierw operacjom wstepnym, takim jak odtluszczanie w roztworach alkalicznych oraz aktywacja powierz¬ chni w roztworach kwasnych. Na wstepnie przygo¬ towane podloze nanosi sie podwarstwy niemagne¬ tyczne np. z miedzi lub stopu nikiel-fosfor, a naste¬ pnie warstwe lub uklad warstw magnetycznych, po czym uklad wygrzewa sie w temperaturze 200— —500°C. W celu uzyskania zadanych parametrów magnetycznych nalezy odpowiednio dobrac rodzaj, grubosc i gladkosc podwarstw niemagnetycznych i warstw magnetycznych. Wlasciwe parametry dy¬ namiczne warstw magnetycznych mozna uzyskac przez odpowiednie schropowacenie powierzchni pod¬ warstwy niemagnetycznej. Sposobem przedstawio¬ nym w polskim opisie patentowym nr 71045, chro- powacenie podwarstwy niemagnetycznej prowadzi sie przez elektrolityczne miedziowanie z roztworu zawierajacego pieciowodny siarczan miedzi, kwas 10 15 30 siarkowy i siarczan hydrazyny, przy zmiennym na¬ tezeniu pradu katodowego. Innym sposobem odpo¬ wiednie wlasciwosci warstw magnetycznych mozna uzyskac, jak przedstawiono w opisie patentowym nr 96457 przez nanoszenie wiecej niz dwóch warstw magnetycznych zelazo-nikiel-kobalt o róznej zawar¬ tosci kobaltu i róznej grubosci lub jednakowej za¬ wartosci kobaltu i jednakowej grubosci. Pozadane parametry warstw magnetycznych mozna równiez uzyskac sposobem przedstawionym w polskim opisie patentowym nr 89174, polegajacym na przemiennym nakladaniu warstw miekkich magnetycznie, na przyklad ze stopu nikiel-zelazo i twardych magne¬ tycznie ze stopu nikiel-kobalt. m Sposoby te nie pozwalaja na wytwarzanie z duza wydajnoscia elementów magnetycznych, które mo¬ glyby pracowac niezawodnie w szerokim zakresie dopuszczalnych wartosci pradów slowa i bitu w blo¬ kach pamieci o duzej gestosci upakowania informa¬ cji.Celem wynalazku, jest wytworzenie elementów magnetycznych zwlaszcza cylindrycznych o rozsze¬ rzonym zakresie dopuszczalnych amplitud pradów slowa i bitu przy zachowaniu wysokiej amplitudy sygnalu odpowiedzi oraz podniesienie wydajnosci produkcji ciaglej takich drutów magnetycznych.Sposobem wedlug wynalazku na oczyszczone i zaktywowane podloze metaliczne, na przyklad z brazu berylowego naklada sie elektrochemicznie podwarstwy niemagnetyczne na przyklad z miedzi, 113045\ 113045 na które nanosi sie uklad warstw magnetycznych, tak, aby na co najmniej jednej granicy warstw magnetycznych nakladanych przemiennie, na przy¬ klad ze stopu NiFe i ze stopu NiCo powstala po¬ wierzchnia o strukturze wysepkowej. Powierzchnie taka mozna uzyskac przez anodowe roztwarzanie warstwy magnetycznej osadzonej elektrochemicznie z typowego roztworu siarczanowego. Proces roztwa¬ rzania mozna prowadzic na przyklad w 10% wodnym roztworze kwasu siarkowego, w tempera¬ turze 40—70°C, przy gestosci pradu anodowego 0,5— —10 A/dm2, stosujac cyrkulacje 1,5^3,0 dmtymin.Po tym procesie osadza sie dalsze warstwy magne¬ tyczne z typowych roztworów siarczanowych.Zaleta sposobu wedlug wynalazku'jest mozliwosc otrzymania elementów magnetycznych o szerokim obszarze operacyjnym pracy w pamieciach,. duzej niezawodnosci oraz mozliwosc stosowania tych ele¬ mentów w wielu rozwiazaniach komórki bitowej.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony w przykladzie wykonania, który jednakze nie ogra¬ nicza jego zakresu.Przyklad I. Odtluszczony i zaktywowany drut z brazu srebrowego o przekroju kolowym i sredni¬ cy 75 pm przesuwajacy sie z predkoscia 53 m/godz. osadza sie elektrochemicznie w sposób ciagly pod- warstwy miedzi o sumarycznej grubosci 4,2 /*m. Na¬ stepnie na tak przygotowane podloze nanosi sie warstwy magnetyczne. W tym celu drut przepuszcza sie kolejno przez szesc elektrolizerów, z których pierwszy, czwarty i szósty zawieraja cyrkulujacy roztwór do osadzania stopu nikiel-zelazo o skladzie: siarczan niklawy siedmiowodny chlorek niklawy szesciowodny siarczan amonowo-zelazawy dwunastowodny kwas borowy laurylosiarczan sodowy kwas 1-askorbinowy PH 225 g/l 22 g/l 4,9 g/l 25 g/l 0,05 g/l ? 1 g/l 2,65 10 15 20 25 30 35 40 Roztwór ten ma temperature 55°C i cyrkluje z szybkoscia 1,8 l/min. Z roztworu tego osadza sie trzy warstwy stopu nikiel-zelazo o grubosciach 1900 A, 2300 A, 1800 A. W elektrolizerze drugim przeprowadza sie anodowe roztwarzanie pierwszej warstwy .magnetycznej stosujac 10% wodny roztwór H2SO4 o temperaturze 55°C i cyrkulacji 1,6 l/min. Gestosc pradu anodowego wynosi 4,5 A/dm2. W elektrolizerach trzecim i piatym na¬ nosi sie warstwy stopu nikiel-kobalt o grubosci 300 A i 600 A. Proces prowadzi sie z roztworu zawiera¬ jacego: siarczan niklawy siedmiowodny 225 g/l chlorek niklawy szesciowodny 22 g/l siarczan kobaltowy siedmiowodny 75 g/l kwas borowy 30 g/l sacharyna 0,8 g/l laurylosiarczan sodowy 0,2 g/l *" pH 4,2 Roztwór ma temperature 55°C i cyrkuluje z szyb¬ koscia 1,6 l/min. Uzyskany uklad magnetyczny cha¬ rakteryzuje sie nastepujacymi parametrami: zakres dopuszczalny pradów bitowych 35— 85 mA zakres dopuszczalny pradów slowa 450—650 mA amplituda sygnalu odpowiedzi 3—5 mV Zastrzezenie patentowe Ciagly sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów magnetycznych na podlozu metalicznym, zwlaszcza o przekroju kolowym, skladajacych sie z podwarstw niemagnetycznych i warstw magne¬ tycznych nanosznych elektrochemicznie, znamienny tym, ze co najmniej jedna warstwe magnetyczna chropowaci sie na powierzchni przez anodowe roz¬ twarzanie.ZGK, zam. 8786/1110/4/81, 120 Cena 45 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Ciagly sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów magnetycznych na podlozu metalicznym, zwlaszcza o przekroju kolowym, skladajacych sie z podwarstw niemagnetycznych i warstw magne¬ tycznych nanosznych elektrochemicznie, znamienny tym, ze co najmniej jedna warstwe magnetyczna chropowaci sie na powierzchni przez anodowe roz¬ twarzanie. ZGK, zam. 8786/1110/4/81, 120 Cena 45 zl PL
PL21915975A 1975-06-11 1975-06-11 Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture PL113045B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21915975A PL113045B1 (en) 1975-06-11 1975-06-11 Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21915975A PL113045B1 (en) 1975-06-11 1975-06-11 Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL113045B1 true PL113045B1 (en) 1980-11-29

Family

ID=19999064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21915975A PL113045B1 (en) 1975-06-11 1975-06-11 Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL113045B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4673468A (en) Commercial nickel phosphorus electroplating
US3354059A (en) Electrodeposition of nickel-iron magnetic alloy films
US5582927A (en) High magnetic moment materials and process for fabrication of thin film heads
US4109287A (en) Process for recording information or sound and process for preparation of recording materials used therefor
JPS6113688A (ja) 印刷回路用銅箔およびその製造方法
US3844909A (en) Magnetic film plated wire and substrates therefor
Donten et al. Pulse electroplating of rich-in-tungsten thin layers of amorphous Co-W alloys
CN103668369A (zh) 一种提高金属件耐腐蚀性的电镀方法
US3297418A (en) Magnetic thin film element and method of manufacture
US5985124A (en) Nickel or nickel alloy electroplating bath and plating process using the same
US4491507A (en) Galvanic depositing of palladium coatings
US3753665A (en) Magnetic film plated wire
US3370929A (en) Magnetic wire of iron and nickel on a copper base
JPS61227196A (ja) 錫‐黒鉛層又は錫/鉛‐黒鉛層の製造方法及び電気メツキ浴
US3637471A (en) Method of electrodepositing ferromagnetic alloys
Ishikawa et al. Preparation of thin film resistors with low resistivity and low TCR by heat treatment of multilayered Cu/Ni deposits
Yeow et al. Galvanostatic pulse plating of copper and copper (I) halides from acid copper (II) halide solutions
Ignatova et al. Barrier ability and durability of NiCoP coatings in accordance to the content of H3PO3 and NaH2PO2 as phosphorus sources
PL113045B1 (en) Continuous process for magnetic thin film circuits manufacture
US3920409A (en) Plated ferromagnetic wire for wire memory
JPS647153B2 (pl)
US4345007A (en) Electro-deposition of a nonmagnetic conductive coating for memory wire protection
US3622469A (en) Method for edge-plating coupled film devices
US3540988A (en) Coating method
US3869355A (en) Method for making a magnetic wire of iron and nickel on a copper base