PL112168B1 - Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre - Google Patents
Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre Download PDFInfo
- Publication number
- PL112168B1 PL112168B1 PL20287077A PL20287077A PL112168B1 PL 112168 B1 PL112168 B1 PL 112168B1 PL 20287077 A PL20287077 A PL 20287077A PL 20287077 A PL20287077 A PL 20287077A PL 112168 B1 PL112168 B1 PL 112168B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cyanide
- low
- bath
- galvanizing
- sodium
- Prior art date
Links
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 title claims description 4
- VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N bis(4-fluorophenyl)-methyl-(1,2,4-triazol-1-ylmethyl)silane;methyl n-(1h-benzimidazol-2-yl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1.C=1C=C(F)C=CC=1[Si](C=1C=CC(F)=CC=1)(C)CN1C=NC=N1 VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical class OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZRSNZINYAWTAHE-UHFFFAOYSA-N p-methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=C(C=O)C=C1 ZRSNZINYAWTAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- -1 aldehyde aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest kapiel niskocyjankowa do galwanicznego cynkowania z polyskiem. Przezna¬ czona jest do wytwarzania blyszczacych powlok cynko¬ wych w urzadzeniach stacjonarnych i obrotowych.W celu ochrony srodowiska oraz poprawy warunków BHP pracowników galwanizerni bada sie mozliwosci wyeliminowania lub obnizenia stezeniasoli cyjankowych w procesach elektrolitycznych.Znane kapiele niskocyjankowe do cynkowania z poly¬ skiem stanowia wodny roztwórjonów cynku z wodorot¬ lenkiem sodowym, cyjankiem sodowym i dodatkiem substancji blaskotwórezej.Znane na przyklad z opisów patentowych RFN nr nr 2 712515 i 2 643 898 kapiele niskocyjankowe do galwani¬ cznego cynkowania z polyskiem zawieraja substancje blaskotwórcze typu zwiazków heterocyklicznych, takie jak imidazol lub piperazyna.Znane na przyklad z opisów patentowych RFN nr nr 2 704 628 i 2 654214kapiele niskocyjankowe do galwani¬ cznego cynkowania z polyskiem zawierajajako substan¬ cje blaskotwórcze aldehydy aromatyczne takie jak aldehyd anyzowy lub ortodwumetoksybenzaldehyd hib siarczynowe pochodne aldehydów aromatycznych.Znane substancje blaskotwórcze typu zwiazków hete¬ rocyklicznych oznaczaja sie niska trwaloscia wsrodowi¬ sku niskocyjankowej kapieli do galwanicznego cynko¬ wania oraz daja waski zakres polysku powlok.Znane jako substancje blaskotwórcze aldehydy aro¬ matyczne lub siarczynowe pochodne aldehydów aroma¬ tycznych sa trwale w srodowisku kapieli i zapewniaja szeroki zakres polysku, ale w kapieli niskocyjankowej powoduja duze obnizenie wglebnosci i wydajnosci pra¬ dowej kapieli.Celem wynalazku jest opracowaniekapieli niskocyjan¬ kowej do cynkowania z polyskiem charakteryzujacej sie duzym zakresem polysku i dobra wglebnoscia przy duzej wydajnosci pradowej oraz wystarczajacej trwalosci sub¬ stancji blaskotwórezej w kapieli.Kapiel wedlug wynalazku stanowi wodny roztwór jonów cynku w ilosci 5—50g/l, wodorotlenku sodowego w ilosci 60—150 g/l, cyjankusodowegowilosci 5—50g/l oraz jako substancje blaskotwórcza mieszanine dwóch zwiazków A i Bwstosunku molowym od2:1 do.10:1 przy lacznym stezeniu tych zwiazków od 0,1 do 3g/l owzorze r,__(CH2—CH2—NH).—R2, w którym n moze przybie¬ rac wartosci od 1 do 5, przy czym podstawnikiem Ri w zwiazku A jest —NH—CH2OH albo —NH—CH2— CH(OH—CH2OH a podstawnikiem R2 jest —H rab —CH2OH albo —CH2—CH2—OH, podstawnikiem Ri w zwiazku B jest jedno z ugrupowan pokazanych na rysunku apodstawnikiem Rajest —Halbo—CH3OH rab —CH2—CH(OH)—CH2OH hib —CHa—CH2OH.Zwiazek A spelnia role nosnika polysku tojest dziala wyrównujaco na strukturepowlokii zwiekszawglftmosc kapieli. Zwiazek B stanowi zasadniczy dodatek blasko- twórczy i powoduje silne wyblyszczenie powloki cynko¬ wej. Korzystny zakres gestosci pradu wynosi od 1 do 5 A/dm2 a temperatura pracy kapieli 20—3(PC.Wynalazek jest blizej wyjasniony w-nitej opisanych przykladach.3 112 168 4 P r z y k la d I. Sporzadzono kapiel podstawowa przez rozpuszczenie 25g/l tlenku cynkowego, 20 g/l cyjanku sodowego i 85 g/l wodorotlenku sodowego. Do roztworu dodano 0,5 g/l zwiazku HOCH2—NH—(CH2CH2 NH)2—CH2OH i 0,07 g/l C6H5—CH=N—(CH2CH2 NH)4—CH2CH2OH.Przy gestosci pradu 3 A/dm2 w ciagu 20 minut cynko¬ wano silnie profilowane detale — kubki kondensatorów.Detale zostaly pokryte powloka cynkowa o wysokim polysku i przecietnej grubosci 15 /im.Przykladu. Sporzadzono kapiel podstawowaprzez rozpuszczenie 15 g/l tlenku cynku, 12 g/l cyjanku sodu i 90g/l wodorotlenku sodu. Do roztworu dodano lg/1 dodatku A w postaci HO—CHaCH(OH)CH2NH— CH2CH2NH—CH2CH2OH i 0,070g/l dodatku B w postaci C«H5—CH=N—(CH2CH2NH)j—CH2OH. W kapieli w bebnie skosnym umieszczono gwozdzie. Proces cynkowania prowadzono w ciagu 45 minut przy sredniej gestosci pradu 1 A/dm*. Otrzymana powloka cynkowa wykazywala wysoki polysk a przecietna jej grubosc wynosila 15/im.Zastrzezenie patentowe Kapiel niskocyjankowa do cynkowania z polyskiem stanowiaca wodny roztwór jonów cynku, wodorotlenku sodowego, cyjanku sodowego i substancji blaskotwór- czej, znamienna tym, ze jonów cynku zawiera 5—50g/l, wodorotlenku sodu od 60—150^1, cyjanku sodowego od 5—50 g/l i jako substancje blaskotwórcza mieszanine dwóch zwiazków A i B w stosunku molowym od 2:1 do 10:1 przy lacznym stezeniu od 0,1 do 3 g/l, o wzorze Ri—(CH2—CH2—NH)„—R2,w którymn mozeprzybie- rac wartosci od 1 do 5, przy czym podstawnikiem Ri zwiazku A jest —NH—CH^H lub —NH—CH2- CH(OH)—CH^H a R2 jest —H albo —CH^H lub —CH2—CH2—OH, podstawnikiem Ri, zwiazku B jest jedno z ugrupowan przedstawionych narysunku a R2jcst —H albo -CHjOH lub —CH2—CH2-OH lub — CH2—CH(OH)—CH^H.-N=CH-( ) -N=CH OCH, -N= CH-CH=CH-^ -N=CH^C3^ OCH, Prac. Poligraf. UP PRL. Naklad 120 egz.Cena 45 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Kapiel niskocyjankowa do cynkowania z polyskiem stanowiaca wodny roztwór jonów cynku, wodorotlenku sodowego, cyjanku sodowego i substancji blaskotwór- czej, znamienna tym, ze jonów cynku zawiera 5—50g/l, wodorotlenku sodu od 60—150^1, cyjanku sodowego od 5—50 g/l i jako substancje blaskotwórcza mieszanine dwóch zwiazków A i B w stosunku molowym od 2:1 do 10:1 przy lacznym stezeniu od 0,1 do 3 g/l, o wzorze Ri—(CH2—CH2—NH)„—R2,w którymn mozeprzybie- rac wartosci od 1 do 5, przy czym podstawnikiem Ri zwiazku A jest —NH—CH^H lub —NH—CH2- CH(OH)—CH^H a R2 jest —H albo —CH^H lub —CH2—CH2—OH, podstawnikiem Ri, zwiazku B jest jedno z ugrupowan przedstawionych narysunku a R2jcst —H albo -CHjOH lub —CH2—CH2-OH lub — CH2—CH(OH)—CH^H. -N=CH-( ) -N=CH OCH, -N= CH-CH=CH-^ -N=CH^C3^ OCH, Prac. Poligraf. UP PRL. Naklad 120 egz. Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20287077A PL112168B1 (en) | 1977-12-12 | 1977-12-12 | Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20287077A PL112168B1 (en) | 1977-12-12 | 1977-12-12 | Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL202870A1 PL202870A1 (pl) | 1978-10-23 |
| PL112168B1 true PL112168B1 (en) | 1980-09-30 |
Family
ID=19986129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL20287077A PL112168B1 (en) | 1977-12-12 | 1977-12-12 | Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL112168B1 (pl) |
-
1977
- 1977-12-12 PL PL20287077A patent/PL112168B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL202870A1 (pl) | 1978-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4263363B2 (ja) | 亜鉛被膜または亜鉛合金被膜のめっき堆積のためのシアン化物を含まない水性アルカリ浴 | |
| US5405523A (en) | Zinc alloy plating with quaternary ammonium polymer | |
| US4699696A (en) | Zinc-nickel alloy electrolyte and process | |
| JPH0338351B2 (pl) | ||
| US4045306A (en) | Electroplating zinc and bath therefor | |
| US4071418A (en) | Electrodeposition of zinc and additives therefor | |
| CA1070638A (en) | Zinc plating method | |
| US3871974A (en) | Alkaline bright zinc plating | |
| US4119502A (en) | Acid zinc electroplating process and composition | |
| US4137133A (en) | Acid zinc electroplating process and composition | |
| PL112168B1 (en) | Low-cyanide bath for electro-galvanizing with lustre | |
| JPS6141999B2 (pl) | ||
| PL110465B1 (en) | Method of electrolytic deposition of ferrous alloys with nickel and/or cobalt | |
| US4138294A (en) | Acid zinc electroplating process and composition | |
| JP4363708B2 (ja) | 電気亜鉛めっき浴 | |
| CA1183858A (en) | Additive and alkaline zinc electroplating bath and process | |
| US4565611A (en) | Aqueous electrolytes and method for electrodepositing nickel-cobalt alloys | |
| SU545703A1 (ru) | Водный электролит кадмировани | |
| PL94161B2 (pl) | ||
| PL99680B1 (pl) | Kapiel do galwanicznego cynkowania z polyskiem | |
| PL118230B1 (en) | Cyanide-free alkaline bath for lustre zinc platingeskom,ne soderzhahhaja cianidov | |
| PL128142B1 (en) | Cyanide bath for electrodeposition of bright silver coatings of increased hardness | |
| PL109855B1 (en) | Bath for electro-galvanizing and polishing | |
| PL148538B1 (en) | Cyanide bath for electrolytically depositing bright silver coatings | |
| PL123411B1 (en) | Cyanide bath for electrolytic deposition of bright silver coatings of improved hardness |