Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia krzemowej diody pólprzewodnikowej, zwlasz¬ cza diody mikrofalowej, w której aktywne zlacze p-n przecina powierzchnie boczna struktury, jak na przyklad diody mocy, niektóre mikrofalowe dio¬ dy generacyjne i inne.Znane sa sposoby wytwarzania przyrzadów pól¬ przewodnikowych, w których po przeprowadzeniu procesu domieszkowania plytki pólprzewodnikowej oraz wykonaniu metalowych kontaktów warstwo¬ wych, z których jeden stanowi gruba warstwa me¬ talowa, wykonuje sie trawienie fotolitograficzne cienkiej warstwy metalowej po drugiej stronie plyt¬ ki. Nastepnie, ewentualnie po kolejnym fotolito¬ graficznym maskowaniu odslonietej czesci powierz¬ chni krzemu, trawi sie krzem na cala grubosc plytki, w wyniku czego powstaja wyspowe struk¬ tury pólprzewodnikowe, po czym nastepuje pasy¬ wacja powierzchni bocznych struktur.W innym zblizonym rozwiazaniu wykonuje sie omowe kontakty warstwowe po jednej stronie plyt¬ ki, zmniejsza sie grubosc plytki od drugiej strony plytki, a nastepnie wykonuje sie na niej kontakty omowe.Znany jest równiez sposób, wedlug którego po wykonaniu procesów wprowadzenia domieszek oraz warstwowych kontaktów omowych plytka jest cieta lub roztrawiana po fotolitograficznym wykonaniu wzoru na struktury. We wszystkich znanych roz¬ wiazaniach pasywacja nastepuje po wykonaniu kon- 15 20 25 30 taktów omowych, co uniemozliwia pasywowanie termicznym dwutlenkiem krzemu, który ma lepsze wlasnosci elektryczne, gdyz w procesie wytwarza¬ nia termicznego dwutlenku krzemu zostalyby na¬ ruszone warstwy kontaktowe.W sposobie wedlug wynalazku przed wykonaniem metalowych warstw kontaktowych na obie strony plytki nanosi sie warstwy maskujace z materialu, którego szybkosc trawienia jest inna, niz szybkosc trawienia krzemu i dwutlenku krzemu, plytke dzie¬ li sie na struktury, po czym powierzchnie boczne struktur trawi sie w mieszance trawiacej krzem i utlenia sie termicznie, a nastepnie strawia sie warstwy maskujace i na odsloniete powierzchnie krzemu nanosi sie metalowe warstwy kontaktowe.Jako warstwe maskujaca stosuje sie np. azotek krzemu lub dwutlenek glinu.W niektórych zastosowaniach korzystnie jest, jesli dzielenie plytki na struktury wykonuje sie po uprzednim wytrawieniu fotolitograficznym wzo¬ ru w warstwie maskujacej. Nastepne trawienie krzemu przez odslonieta w procesie fotolitograficz¬ nym powierzchnie plytki na okreslona grubosc po¬ zwala nadac strukturze wymagany ksztalt, nato¬ miast w wyniku trawienia na cala grubosc plytki jednoczesnie dzieli sie ja na struktury.Zaleta sposobu jest umozliwienie wykorzystania do pasywacji aktywnych powierzchni bocznych dwutlenku krzemu i otrzymywanie w wyniku tego lepszych wlasnosci elektrycznych przyrzadów pól- 110 682przewodnikowych. Ponadto otrzymanie kontaktów omowych na calej powierzchni struktury pozwala latwo laczyc struktury w stosy i realizowac szere¬ gowe polaczenie kilku struktur w jednej obudowie.Sposób jest objasniony na przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku, którego fig. 1 przed¬ stawia plytka krzemowa z warstwami maskujacy¬ mi, fig. 2 — strukture po procesie utleniania ter¬ micznego i fig. 3 — strukture po wykonaniu kon¬ taktówomowych. . ' Na powierzchniach 5 i 5' plytki krzemowej 1 ze zlaczem p-n nanosi sie warstwy maskujace 2 i 2', a nastepnie dzieli sie ja na struktury poprzez ciecie lub rysowanie i lamanie. Powierzchnie boczne 6 struktury przygotowuje sie do procesu utleniania przez trawienie w mieszance trawiacej krzem.Struktury poddawane sa utlenianiu termicznemu, w wyniku którego na powierzchniach bocznych 6 tworzy sie warstwa tlenku 3. W nastepnym proce¬ sie trawienia warstw pasywujacych 2 i 2' odslania sie powierzchnie krzemu 5 i 5' i wykonuje sie na nich kontakty omowe 4, na przyklad na drodze bezpradowego osadzania niklu, a,nastepnie zlota.W niektórych zastosowaniach warstwe maskuja¬ ca nanosi sie najpierw po jednej stronie plytki krze¬ mowej ze zlaczem p-n, nastepnie od drugiej strony zmniejsza sie grubosc plytki do wymaganej, wpro¬ wadza sie od tej strony domieszki i dopiero wyko¬ nuje sie na niej warstwe maskujaca.Poniewaz osadzanie warstwy maskujacej bezpo¬ srednio na powierzchni krzemu moze spowodowac zwiekszenie gestosci dyslokacji, w niektórych przy¬ padkach celowe jest zabezpieczenie powierzchni krzemu warstwa dwutlenku krzemu przed osadza¬ niem warstw maskujacych. Warstwy te zdejmuje sie przed wykonaniem metalicznych kontaktów omowych. 682 4 Ze wzgledu na trudnosci, w operowaniu malymi strukturami stosowanie sposobu wedlug wynalazku ograniczone jest rozmiarami struktury. 5' Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania krzemowej diody pólprze¬ wodnikowej polegajacy na wykonaniu struktur w plytce krzemowej przez wprowadzenie domieszek, 10 wykonanie warstw, pasywujacych i metalicznych kontaktów omowych, z zastosowaniem warstw ma¬ skujacych na posrednich etapach technologicznych, oraz na dzieleniu plytki na struktury, znamienny tym, ze przed wykonaniem metalowych warstw 15 kontaktowych na obie strony plytki nanosi sie war¬ stwy maskujace, korzystnie z'azotku krzemu,, plyt¬ ke dzieli sie na struktury, po czym powierzchnie boczne struktur trawi sie w mieszance trawiacej ¦krzem i pasywuje sie przez utlenianie termiczne, 20 a nastepnie strawia sie warstwy maskujace i na odsloniete powierzchnie krzemu nanosi sie meta¬ lowe warstwy kontaktowe. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako warstwe maskujaca stosuje sie dwutlenek 25 glinu. 3. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze dzielenie plytki na struktury wykonuje sie po uprzednim wytrawieniu fotolitograficznym wzoru w warstwie maskujacej. 30 4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze przez odslonieta w procesie fotolitograficznym po¬ wierzchnie krzemu trawi sie plytke na wymagana grubosc. 5. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze przez odslonieta w procesie fotolitograficznym po¬ wierzchnie krzemu trawi sie plytke na cala gru¬ bosc plytki.110 682 f'3' i PL