Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz tran¬ zystorowy o duzej impedancji wejsciowej w szero¬ kim zakresie czestotliwosci i w duzym zakresie zmian wzmocnienia, znajdujacy zastosowanie w woltomierzach wielozakresowych, zwlaszcza przy 5 wspólpracy z tlumikami o duzej impedancji wyjs¬ ciowej.We wzmacniaczach z tranzystorem unipolarnym na wejsciu glównym czynnikiem ograniczajacym impedancje wejsciowa przy duzych czestotliwos- 10 ciach jest istnienie pojemnosci miedzyelektrodo- wych, zwlaszcza pojemnosci bramka — dren, któ¬ rej wplyw uwydatniony jest efektem. Millera.Znane sa uklady wzmacniaczy, w których dla zwiekszenia impedancji stosuje sie równolegle na- 15 pieciowe sprzezenie dodatnie sa to tzw. uklady typu „bootstreep", konstruowane sa one jednak prawie wylacznie na wtórnikach emiterowych, badz wtórnikach zródla.Znane sa tez wzmacniacze o wzmocnieniu 20 wiekszym od jednosci, wykorzystujace dodatnie sprzezenie zwrotne dla zwiekszenia impedancji wejsciowej. Wymagaja one jednak elementów do¬ bieranych w obwodzie dodatkowego sprzezenia zwrotnego, co znacznie komplikuje wykorzysta- 25 nie tych wzmacniaczy w ukladach o regulowanym wzmocnieniu.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze zawiera ono wzmacniacz róznicowy z tran¬ zystorami unipolarnymi zasilany zródlem prado- 30 wym o stalej wydajnosci. Jeden z tranzystorów wzmacniacza róznicowego polaczony jest kasko- dowo z tranzystorem bipolarnym sterujacym zród¬ lem pradowym, zasilajacym dzielnik ujemnego i dodatniego sprzezenia zwrotnego, przy czym admitancja przejsciowa zródla jest tak dobrana, w zaleznosci od wartosci wybranych elementów rezystancyjnych ukladu, by zapewnic zerowa po¬ jemnosc wejsciowa wzmacniacza.Rozwiazanie wedlug wynalazku pozwala roz¬ szerzyc zakres stosowania metody „bootstrap" do wzmacniaczy o wzmocnieniu regulowanym w ob¬ wodzie ujemnego sprzezenia zwrotnego w szero¬ kich granicach, zapewniajac pojemnosc wejsciowa wzmacniacza przJy srednich czestotliwosciach rów¬ na zero i minimalnie odbiegajaca od zera przy wyzszych czestotliwosciach.Jednoczesnie rozwiazania wedlug wynalazku ogranicza do minimum wplyw nachylenia charak¬ terystyk tranzystorów unipolarnych na wzmocnie¬ nie oraz pojemnosc wejsciowa w szerokim zakre¬ sie czestotliwosci.Przedmiot wyalazku zostanie blizej objasniony na przykladzie wykonania zgodnie z rysunldem, na którym fig. 1 przedstawia schemat ukladów zastepczych podstawowych elementów wzmacnia¬ cza, a fig. 2 schemat ideowy przykladu wykonania wzmacniacza wedlug wynalazku.Jak pokazano na fig. 1 rysunku uklad zawiera wzmacniacz róznicowy z tranzystorami unipolar- 109 554 /109 554 nymi T± i T2 zasilany zródlem pradowym Ii o stalej wydajnosci. Tranzystor Tt polaczony jest kaskadowo z tranzystorem bipolarnym Ts. Dren tranzystora TL polaczony jest z emiterem tranzys¬ tora T3 oraz z masa ukladu poprzez rezystor Ri.Kolektor tranzystora T3, polaczony z masa poprzez rezystor R2, steruje zródlem pradowym I2, zasi¬ lajacym dzielnik sprzezenia zawrotnego zlozony z rezystorów R3 i R4. Wyjscie dzielnika R3 i R4 do¬ laczone jest do bramki tranzystora T2, tworzac ob¬ wód ujemnego sprzezenia zwrotnego, oraz do bazy tranzystora T3, tworzac obwód dodatniego sprze¬ zenia zwrotngo.Wydajnosc pradowa zródla I2 wynosi: i = — g • UR2 gdzie: g — admitancja przejsciowa zródla I2 UR2 — napiecie na rezystorze R2 Admitancja przejsciowa g zródla pradowego I2 powiazana jest scisla zaleznoscia z wielkosciami rezystorów, tak wiec: Ri Przy spelnieniu tego warunku pojemnosc wejs¬ ciowa wzmacniacza przy srednich czestotliwos¬ ciach jest równa zero i nieznacznie odbiega od ze¬ ra przy wyzszych czestotliwosciach. Wzmocnienie napieciowe ukladu przy srednich czestotliwosciach okreslone jest scisla zaleznoscia: R3 H~ R4 K= " R4 Poniewa? pojemnosc wejsciowa nie zalezy od wartosci rezystora Rs, mozliwa jest regulacja wzmocnienia wzmacniacza w szerokich granicach przy spelnieniu warunku zerowej pojemnosci.Wzmacniacz jest latwy do stabilizcji czestotli¬ wosciowej i wymaga nastepnego stopnia o duzej impedancji wejsciowej, dlatego korzystne jest kas¬ kadowe laczenie kilku ukladów wdlug wynalazku.Przyklad wykonania wzmacniacza wedlug wyr nalazku pokazany jest na fig. 2. Tranzystory Ti T2, T6 tworza wzmacniacz róznicowy. Rezysto¬ ry R7, R8, R9 zapewniaja polaryzacje zródla prado¬ wego o stalej wydajnosci Ii. Tranzystor T3 dola¬ czony jest emiterem do drenu tranzystora Ti, tworzac kaskode obciazona rez/storem R2. Re¬ zystor Ri dolaczony jest do drenu tranzystora Ti.Napiecie wyjsciowe kaskody steruje zródlo pra- * dowe I2 zbudowane na tranzystorach T5 i T7 i re¬ zystorach R6, Rio,,Rn, Ri2. Admitancja przejsciowa g zródla I2 dla srednich czestotliwosci na wartosc: 1 10 Ks Zródlo pradowe steruje poprzez kolektory tran¬ zystorów T5 i T7 dzielnikiem sprzezenia zwrotne¬ go zlozonym z rezystorów R3 i R4, przy czym re¬ zystor R3 jest regulowany i zapewnia zmiane 15 wzmocnienia w szerokich granicach, bez zmiany impedancji wejsciowej wzmacniacza. Wyjscie dziel¬ nika dolaczone jest do bramki tranzystora T2, za¬ mykajac obwód ujemnego sprzezenia zwrotnego.Dioda Zenera Di, kondensator Ci i tranzystor T4, - so polaczony w ukladzie Darlintona z tranzystorem T3, zamykaja obwód dodatniego sprzezenia zwrot¬ nego. Rezystor R5 o rezystancji znacznie wiekszej niz rezystancja rezystora R4 zapewnia polaryzac¬ je bazy tranzystora T4 i diody Zenera Di. Rezy- 25 stor Ri3 i kondensator C2 sa elementami kompen¬ sacji czestotliwosci ukladu. Pojemnosc wejsciowa wzmacniacza jest równa zeru przy spelnianiu R4 R,i warunku: — =¦ , niezaleznie od wzmoenie- R.6 R<2 30 nia ukladu.Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz tranzystorowy o duzej impedancji S5 wejsciowej, zawierajacy wzmacniacz róznicowy z tranzystorami unipolarnymi, z których jeden po¬ laczony jst kaskodowo z tranzystorem bipolarnym, dzielnik ujemnego i dodatniego sprzezenia zwrot¬ nego, znamienny tym, ze zawiera zródlo pradowe 40 I2 o wejsciu polaczonym z wyjsciem ukladu kas¬ kody i wyjsciu polaczonym z dzielnikiem ujem¬ nego i dodatniego sprzezenia zwrotnego, przy czym iloczyn admitancji przejsciowej zródla . pradowego (I2) i rezystora (R4) jest równy stosun- 45 kom wartosci rezystora (Ri) do (R2). y109 554 V* i r\H ] r< HHJ IU& L ?A ¦ %1 Fig. 2 1 PL