PL109290B1 - Varistor and method of manufacturing the same - Google Patents

Varistor and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
PL109290B1
PL109290B1 PL19487276A PL19487276A PL109290B1 PL 109290 B1 PL109290 B1 PL 109290B1 PL 19487276 A PL19487276 A PL 19487276A PL 19487276 A PL19487276 A PL 19487276A PL 109290 B1 PL109290 B1 PL 109290B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
varistor
zinc oxide
zinc
lithium
oxide
Prior art date
Application number
PL19487276A
Other languages
English (en)
Other versions
PL194872A1 (pl
Inventor
Stanislaw Mrowec
Jan Oblakowski
Aleksandra Podgorecka
Original Assignee
Akad Gorniczo Hutnicza
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akad Gorniczo Hutnicza filed Critical Akad Gorniczo Hutnicza
Priority to PL19487276A priority Critical patent/PL109290B1/pl
Publication of PL194872A1 publication Critical patent/PL194872A1/pl
Publication of PL109290B1 publication Critical patent/PL109290B1/pl

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest warystor czyli opornik nieliniowy, o nieomowej charakterystyce oraz sposób jego wytwarzania.Znany warystor stanowi polikrystaliczny tlenek cynku domieszkowany tlenkiem bizmutu w ilosci 0,5—20% molowych. Uformowane elementy spieka sie przez 60 minut w temperaturze 1300°C, a na¬ stepnie nanosi na nich styki z pasty srebrowej lub platynowej.Wada opisanych warystorów jest szybkie ich starzenie sie, wywolane nierównomiernym rozro¬ stem ziarn, powodujacym powstawanie licznych por zamknietych wewnatrz warystora. Porowatosc warystora powoduje powstawanie przebic elektry¬ cznych, podczas jego pracy. Ponadto warystory te maja mala powtarzalnosc parametrów.Celem wynalazku jest opracowanie warystora o powtarzalnych parametrach, minimalnej ilosci por i jednolitym uziarnieniu.Cel ten zostal osiagniety przez wykonanie wa¬ rystora, który stanowi tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem litu w ilosci 0,03—0fi% atomo¬ wych litu.Inny warystor stanowi tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem neodymu w ilosci 0,05—10% ato¬ mowych neodymu.W sposobie, wedlug wynalazku, sole cynku i litu lub sole cynku i neodymu, a najkorzystniej weg¬ lany lub azotany prasuje sie w temperaturze do 1100°C, przy nacisku 300—700 kG/cm2, przez 20— 10 15 20 25 30 80 minut. Z otrzymanego polikrystalicznego two¬ rzywa wycina sie elementy o zadanym ksztalcie po czym nanosi sie na nie, w znany sposób styki, a nastepnie wygrzewa sie w temperaturze nie niz¬ szej niz 700°C, w atmosferze argonu i tlenu.W celu otrzymania warystorów zawierajacych tlenek cynku domieszkowany tlenkiem neodymu, jako surowce wyjsciowe stosuje sie sole cynku i neodymu a najkorzystniej weglany lub azotany.Proces ich wytwarzania przebiega w dalszych etapach analogicznie jak dla warystorów zawiera¬ jacych tlenek cynku domieszkowany tlenkiem litu.Zaleta warystora, wedlug wynalazku, jest duza trwalosc, spowodowana jednolitym uziarnieniem, równomiernym rozprowadzeniem domieszki oraz minimalna iloscia por. Ponadto otrzymuje sie wa- rystory o powtarzalnych parametrach.Warystor, który stanowi tlenek cynku domiesz¬ kowany tlenkiem litu, wytwarza sie w ten sposób, ze 154 g weglanu cynku i 0,6 g weglanu litu, które prasuje sie w temperaturze 900°C, przy na¬ cisku 400 kG/cm2, przez 60 minut. Z otrzymanego polikrystalicznego tworzywa wycina sie elementy o zadanym ksztalcie po czym nanosi sie styki sre¬ browe. Nastepnie wygrzewa sie w temperaturze 700°C w atmosferze argonu i tlenu. Otrzymany warystor stanowi tlenek cynku domieszkowany tlenkiem litu w ilosci 0,2% atomowych litu.Warystory z tlenku cynku domieszkowane tlen¬ kiem cynku, w zaleznosci od ilosci surowców wyj- 109 290109 290 3 sciowych i warunków prowadzonego procesu maja wspólczynnik nieliniowosci wynoszacy 5—10 i sta¬ lej materialowej do 1000. Natomiast warystory z tlenku cynku domieszkowane tlenkiem neodymu maja wspólczynnik nieliniowosci wynoszacy 10— 30 i stala materialowa powyzej 1000.Zastrzezenia patentowe 1. Warystor zawierajacy tlenek cynku, znamien¬ ny tym, ze stanowi go tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem litu, w ilosci 0,03—0,6% atomowych litu. 2. Warystor zawierajacy tlenek cynku, znamien¬ ny tym, ze stanowi go tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem neodymu, w ilosci 0,05—10% ato¬ mowych neodymu. 3. Sposób wytwarzania warystora, znamienny tym, ze sole cynku i litu, lub sole cynku i neo¬ dymu, a najkorzystniej weglany lub azotany pra¬ suje sie w temperaturze do 1100°C, przy nacisku 300—700 kG/cm2, przez 20—80 minut i z otrzy¬ manego polikrystalicznego tworzywa wycina sie elementy o zadanym ksztalcie, po czym nanosi sie na nie w znany sposób styki, a nastepnie wygrze¬ wa sie, w temperaturze nie wyzszej niz 700°C, w atmosferze argonu i tlenu.Cena 45 zl,— Druk WZKart. G-5374. PL

Claims (4)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Warystor zawierajacy tlenek cynku, znamien¬ ny tym, ze stanowi go tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem litu, w ilosci 0,03—0,6% atomowych litu.
  2. 2. Warystor zawierajacy tlenek cynku, znamien¬ ny tym, ze stanowi go tlenek cynku domieszko¬ wany tlenkiem neodymu, w ilosci 0,05—10% ato¬ mowych neodymu.
  3. 3. Sposób wytwarzania warystora, znamienny tym, ze sole cynku i litu, lub sole cynku i neo¬ dymu, a najkorzystniej weglany lub azotany pra¬ suje sie w temperaturze do 1100°C, przy nacisku 300—700 kG/cm2, przez 20—80 minut i z otrzy¬ manego polikrystalicznego tworzywa wycina sie elementy o zadanym ksztalcie, po czym nanosi sie na nie w znany sposób styki, a nastepnie wygrze¬ wa sie, w temperaturze nie wyzszej niz 700°C, w atmosferze argonu i tlenu. Cena 45 zl,— Druk WZKart. G-537
  4. 4. PL
PL19487276A 1976-12-29 1976-12-29 Varistor and method of manufacturing the same PL109290B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19487276A PL109290B1 (en) 1976-12-29 1976-12-29 Varistor and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19487276A PL109290B1 (en) 1976-12-29 1976-12-29 Varistor and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL194872A1 PL194872A1 (pl) 1978-07-03
PL109290B1 true PL109290B1 (en) 1980-05-31

Family

ID=19980145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19487276A PL109290B1 (en) 1976-12-29 1976-12-29 Varistor and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL109290B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL194872A1 (pl) 1978-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3996168A (en) Ceramic electrical resistor
KR940001655B1 (ko) 반도체 자기 조성물
US3950273A (en) Medium temperature thermistor
Abu-Elsaad et al. Tertiary Ni0. 7-xZn0. 3MxFe2O4 (M= Mn, Co, and Cu) spinel ferrites: Electrical and dielectric properties
EP0404981B1 (en) Process for production for a varistor material
US2626445A (en) Heavy-metal oxide resistors and process of making same
PL109290B1 (en) Varistor and method of manufacturing the same
US4052340A (en) Method for producing a voltage dependent resistor and a voltage dependent resistor obtained therewith
US4127511A (en) Ceramic electrical resistor with nonlinear voltage characteristic
US3037942A (en) Positive temperature coefficient of resistivity resistor
EP0409501B1 (en) Varistor material and method of producing same
US4692289A (en) Method of manufacturing voltage-dependent resistor
JPS54110498A (en) Porcelain composition having high dielectric constant
US4156661A (en) Method of modifying electrical properties of rare-earth chromite material
US2694050A (en) Thermally sensitive resistor
US4174303A (en) Ceramic electrical material with high nonlinear resistance
EP2144256A1 (en) Current/voltage nonlinear resistor
US3275572A (en) Refractory composition and electrical resistance made therefrom
DE19942176C2 (de) Verfahren zur Verhinderung einer Thermistordrift bei einem NTC-Thermistor
JPS54110499A (en) Porcelain composition having high dielectric constant
JPS6028121B2 (ja) 電圧非直線抵抗器の製造方法
Hennings et al. Defect Chemistry of BatiO3 and SrTiO3: Practical Aspects and Application to Electronic Ceramics
SU416767A1 (pl)
JP2540048B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
KR910001109B1 (ko) 고전압용 산화아연 바리스터의 제조방법