PL107593B1 - Sposob wytwarzania cienkowarstwowej hallotronowej glowicy magnetycznej - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowej hallotronowej glowicy magne-, tycznej nalezacy do dziedziny techniki akumulacji informacji z wykorzystaniem ruchu wzglednego, wystepujacego miedzy elementem pamieciowym a przetwornikiem.Znany jest sposób wytwarzana cienkowarstwo¬ wych glowic hallotronowych polegajacy na naparo- waniu na podloze o duzej przenikalnosci magnetycz¬ nej warstwy izolacyjnej, na która nanosi sie ma¬ terial odznaczajacy sie efektem Halla np. InSb.Warstwe te nastepnie wytrawia sie uzyskujac sze¬ reg elementów, po czym na kazdym elemencie wy¬ twarza sie nabiegunnik o duzej przenikalnosci ma¬ gnetycznej .' Nabiegunnik i przeciwlegla wzgledem niego czesc podloza zostaje nastepnie podzielona na szereg glowic, z których kazda posiada jeden lub szereg hallotronów.^ Jeden z wariantów tego sposo¬ bu jest przedmiotem patentu polskiego nr 73931.Znany jest z opisu patentowego RFN nr 2312163 sposób wytwarzania glowic, wedlug którego na po¬ dlozu o duzej przenikalnosci magnetycznej wytwa¬ rza sie szereg hallotronów i elektrod metalicznych, a dla wytwarzania obwodu magnetycznego nad warstwa hallotronów nanosi sie nabiegunnik o du¬ zej przenikalnosci magnetycznej w ksztalcie grze¬ bieniowej plytki. Plytka ta ma tak dobrane ksztalty, ze jej wystajace czesci pokrywaja hallotrony lecz nie przykrywaja elektrod. 10 15 20 25 Po odcieciu czesci glównej nabiegunaika otrzymu¬ je sie szereg elementów usytuowanych na podlozu pokrytym wystajacymi czesciami grzebieniowego na- biegunnika. Podloze z wystajacymi czesciami na- biegunnika mozna dzielic dowolnie dla uzyskania wymaganej liczby elementów. Znany jest tez z opi¬ su patentowego USA nr 3787638 sposób wytwarza¬ nia cienkowarstwowych glowic hallotronowych skla¬ dajacych sie z podloza z osadzonym na nim przez naparowanie jednym lub kilkoma hallotronami, przy czym glowica ta posiada naniesione na podloze do¬ datkowe koncówki detekcyjne umozliwiajace po¬ miar usytuowania hallotronów wzgledem powierz¬ chni roboczej podloza stykajacego sie z osrodkiem zapisu magnetycznego. W sposobie tym podczas szli¬ fowania czola glowicy mierzy sie rezystencje kon¬ cówek detekcyjnych co umozliwia dokladne usta¬ wienie hallotronu w glowicy oraz duza powtarzal¬ nosc wykonywanych glowic.Istota wynalazku polega na tym, ze na plytke fer¬ rytowa nanosi sie technika prózniowa warstwe izo¬ lacyjna oraz warstwe pólprzewodnika w podwyzszo¬ nej temperaturze, a nastepnie elektrody pradowe i napieciowe skladajace sie z 4 kolejno naklada¬ nych podczas jednego procesu parowania warstw w nastepujacej kolejnosci, a mianowicie chrom, miedz, srebro i zloto. Tak przygotowana plytke ferrytowa z naniesiona warstwa czynna pólprzewodnika i elek¬ trodami zabezpiecza sie ochronna warstwa izolacyj- 107 593107 593 3 na i poddaje sie procesowi stabilizacji, po czym zabezpiecza sie powtórnie warstwa zabezpieczajaca.Nastepnie plytke tnie sie na pojedyncze struktury lub zespoly hallotronów, z których montuje sie rdze¬ nie glowic, wklejone nastepnie w obudowie.Sposób wedlug wynalazku charakteryzuje sie pro¬ sta technologia, umozliwiajac jednoczesnie uzyska¬ nie duzej powtarzalnosci parametrów glowic, a po¬ nadto elektrody glowicy odznaczaja sie bardzo duza przyczepnoscia do podloza, co pozwala na bezpo¬ srednie podlaczenie wyprowadzen.Przedmiot wynalazku jest odtworzony schema¬ tycznie w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia plytke ferrytowa z ele¬ mentami hallotronowymi, a fig. 2 — przekrój po¬ dluzny'frallotrdnó^j glowicy magnetycznej."Na wypolerowana plytke ferrytowa 1 nanosi sie przez prózniowe haparowanie w temperaturze 170°C warstwe monotlenku krzemu SiO 2 o grubo¬ sci ..okolo 0,5 ^m. Nastepnie nie zmieniajac maski, nanosi sie w tej 'samej temperaturze i w tym samym ukladzie prózniowym z parownika molibdenowego warstwe pólprzewodnika 3 Cd3As2 o grubosci 1—2 [im. Po zmianie maski nanosi sie cztery elek¬ trody 4, a mianowicie dwie elektrody pradowe.Elektrody 4 otrzymuje sie poprzez naparowywanie kolejnych warstw, a mianowicie warstwy chromu o grubosci ok. 0,1 \xm, warstwy miedzi o grubosci ok. 0,1 [Jim, nastepnie warstwy srebra o grubosci powyzej 1 \im, a na zakonczenie warstwy zlota o grubosci 0,1 \xm. Naniesiona warstwe pólprzewod¬ nika 3 oraz elektrody 4 zabezpiecza sie cienka war¬ stwa izolacyjna SiO 5 o grubosci 0,1 jim. Tak otrzy¬ many element wygrzewa sie w temperaturze 460— —500°C w powietrzu lub atmosferze ochronnej w ciagu 2—3 minut, osiagajac stabilizacje termicz¬ na elementu hallotronowego. Po wygrzaniu nanie¬ sione warstwy zabezpiecza sie dodatkowa warstwa zabezpieczajaca 6 SiO o grubosci 0,1 firn, w celu calkowitej hermetyzacji elementu, to jest pokrycia ewentualnych por powstalych podczas wygrzewania.Plytke ferrytowa 1 z naniesionymi elementami hal¬ lotronowymi z fig. 1 tnie sie na poszczególne frag- 15 ?o 35 40 menty stanowiace pojedyncze struktury lub zespoly hallotronów, po czym do elektrod 4 przymocowuje sie przez przylutowanie wzglednie zgrzewanie opo¬ rowo przewody laczace 7.Nastepnie plytke 1 laczy sie z drugim wyprofilo¬ wanym elementem ferrytowym 8 w ten sposób, aby obwód magnetyczny w rdzeniu ferrytowym zamy¬ kal sie tylko poprzez naniesione warstwy hallotro- nu 2, 3, 4, 5, 6. Tak utworzony element stanowi rdzen glowicy hallotronowej, który nastepnie wkle¬ ja sie w obudowe 9 za pomoca zywicy epoksydowej 10. W obudowie 9 umieszcza sie jeden, wzglednie kilka rdzeni glowicy hallotronowej w zaleznosci od liczby sciezek magnetycznych do odczytu informacji.Obudowa 9 glowicy spelnia role ekranu elektrycz¬ nego i magnetycznego.Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkowarstwowej hallotro¬ nowej glowicy magnetycznej polegajacy na nano¬ szeniu poprzez naparowywanie prózniowe na podlo¬ ze o duzej przenikalnosci magnetycznej warstwy izo¬ lacyjnej a nastepnie warstwy pólprzewodnika od¬ znaczajacego sie efektem Halla, po czym dzieli sie plytke na pojedyncze hallotrony lub ich zespoly, znamienny tym, ze na wypolerowana plytke ferry¬ towa (1) nanosi sie w podwyzszonej temperaturze warstwe izolacyjna monotlenku krzemu (2) a nas¬ tepnie warstwe pólprzewodnika (3) a po zmianie masek nanosi sie w jednym procesie parowania poszczególne warstwy elektrod (4) w kolejnosci chrom — miedz — srebro — zloto, po czym po zmianie masek powierzchnie pólprzewodnika pokry¬ wa sie warstwa izolacyjna (5), a nastepnie caly ele¬ ment stabilizuje sie w temperaturze 460—500°C w atmosferze powietrza lub gazu ochronnego i nanosi sie druga warstwe zabezpieczajaca (6), po czym plyt¬ ke ferrytowa (1) z elementami hallotronu (2, 3, 4, 5, 6) tnie sie na poszczególne struktury lub zespoly hallo¬ tronów i laczy sie z wyprofilowanym elementem fer¬ rytowym (8) stanowiacym nabiegunnik, a nastepnie wkleja sie w obudowe (9). 23434 FIG.1 FIG. 2 LDA 2, Typo — zam. 608/80, nakl. 100 egz.Cena 45 zl PL

Claims (6)

1. Zastrzezenie patentowe

2. Sposób wytwarzania cienkowarstwowej hallotro¬ nowej glowicy magnetycznej polegajacy na nano¬ szeniu poprzez naparowywanie prózniowe na podlo¬ ze o duzej przenikalnosci magnetycznej warstwy izo¬ lacyjnej a nastepnie warstwy pólprzewodnika od¬ znaczajacego sie efektem Halla, po czym dzieli sie plytke na pojedyncze hallotrony lub ich zespoly, znamienny tym, ze na wypolerowana plytke ferry¬ towa (1) nanosi sie w podwyzszonej temperaturze warstwe izolacyjna monotlenku krzemu (2) a nas¬ tepnie warstwe pólprzewodnika (

3. ) a po zmianie masek nanosi sie w jednym procesie parowania poszczególne warstwy elektrod (

4. ) w kolejnosci chrom — miedz — srebro — zloto, po czym po zmianie masek powierzchnie pólprzewodnika pokry¬ wa sie warstwa izolacyjna (

5. ), a nastepnie caly ele¬ ment stabilizuje sie w temperaturze 460—500°C w atmosferze powietrza lub gazu ochronnego i nanosi sie druga warstwe zabezpieczajaca (6), po czym plyt¬ ke ferrytowa (1) z elementami hallotronu (2, 3, 4, 5,

6. ) tnie sie na poszczególne struktury lub zespoly hallo¬ tronów i laczy sie z wyprofilowanym elementem fer¬ rytowym (8) stanowiacym nabiegunnik, a nastepnie wkleja sie w obudowe (9). 23434 FIG.1 FIG. 2 LDA 2, Typo — zam. 608/80, nakl. 100 egz. Cena 45 zl PL