PL102412B1 - Feedback amplifier - Google Patents
Feedback amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- PL102412B1 PL102412B1 PL18963376A PL18963376A PL102412B1 PL 102412 B1 PL102412 B1 PL 102412B1 PL 18963376 A PL18963376 A PL 18963376A PL 18963376 A PL18963376 A PL 18963376A PL 102412 B1 PL102412 B1 PL 102412B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- amplifier
- feedback
- series
- feedback circuit
- impedances
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010237 hybrid technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz ze sprzezeniem
zwrotnym o charakterystyce czestotliwosciowej dowolnie
ksztaltowanej za pomoca doboru elementów petli sprzeze¬
nia zwrotnego, przeznaczony do zastosowania w pasmie
czestotliwosci do okolo 1 GHz.
W dotychczasowych rozwiazaniach wzmacniaczy ze
sprzezeniem zwrotnym, wielostopniowym lub lokalnym,
wykorzystuje sie najczesciej zasilanie równolegle, chociaz
w niektórych specyficznych rozwiazaniach spotyka sie za¬
silanie szeregowe. W obydwu przypadkach, zwlaszcza
w zakresie wielkich czestotliwosci i przy zasilaniu szerego¬
wym, petla wielostopniowego sprzezenia zwrotnego dla
pradu stalego i zmiennego sa od siebie odseparowane.
Niedogodnosciami dotychczas stosowanych rozwiazan sa
najczesciej: stosunkowo maly zakres liniowosci charakterys¬
tyki dynamicznej w szerokim zakresie czestotliwosci, ko¬
niecznosc stosowania rozbudowanych ukladów filtrów
odsprzegajacych zasilanie, stosunkowo duza podatnosc na
generacje drgan pasozytniczych w zakresie wielkich czesto¬
tliwosci. W przypadku stosowania scalonych wzmacniaczy
pólprzewodnikowych zasadnicza niedogodnoscia jest ogra¬
niczenie górnej czestotliwosci granicznej, wynikajace z na¬
turalnych wlasciwosci technologii ukladów monolitycznych.
Celem wynalazku jest opracowanie wzmacniacza ze sprze¬
zeniem zwrotnym nie posiadajacego wyzej wymienionych
wad i niedogodnosci dotychczasowych rozwiazan.
Istota wynalazku polega na tym, ze dwa czlony aktywne
wzmacniacza, znajdujace sie w torze glównym sygnalu
i uklad wielostopniowego sprzezenia zwrotnego polaczone
sa szeregowo dla pradu stalego, dzieki czemu drugi czlon
aktywny wraz z ukladem sprzezenia zwrotnego reprezentuje
zródlo pradowe zasilajace calosc wzmacniacza. Uklad sprze¬
zenia zwrotnego sklada sie zodpowiednio polaczonych impe-
dancji. Pomiedzy wejscie i wyjscie ukladu sprzezenia zwrot¬
nego wlaczone sa trzy polaczone szeregowo impedancje.
Równolegle do drugiej impedancji wlaczone sa dodatkowo
dwie impedancje, równiez polaczone szeregowo, przy czym
punkt wspólny tych impedancji jest zwarty z masa poprzez
kolejna impedancje.
Zasadniczymi zaletami wzmacniacza wedlug wynalazku
sa: osiagalne duze pole wzmocnienia w szerokim zakresie
czestotliwosci, male znieksztalcenia liniowe charakterystyk
czestotliwosciowych,' dobra wymiennosc wzmocnienia na
pasmo i odwrotnie oraz male znieksztalcenia intermodula-
cyjne, przy zmniejszonym poborze mocy pradu stalego.
Ponadto uklad charakteryzuje sie dobra odpornoscia na
generacje drgan pasozytniczych, co ulatwia kaskadowe la¬
czenie tego typu ukladów, bez koniecznosci stosowania
rozbudowanych filtrów odsprzegajacych zasilanie. Z pun¬
ktu widzenia realizacji technologicznej i uzysku produkcyj¬
nego nie bez znaczenia jest prostota topologiczna wzmac¬
niacza oraz mala wrazliwosc parametrów elektrycznych na
rozrzut wartosci elementów, co zapewnia stosunkowo latwa
realizaqe ukladu, szczególnie technika hybrydowa.
Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykladzie wy¬
konania na rysunku, na którym fig. lprzedstawia schemat
blokowy wzmacniacza, ze sprzezeniem zwrotnym, a fig. 2
—schemat ideowy tego wzmacniacza.
102 412102 412
3
Wzmacniacz ze sprzezeniem zwrotnym (fig. 1) sklada
sie z dwóch aktywnych czlonów wzmacniajacych A i B
oraz ukladu sprzezenia zwrotnego F. Sygnal wejsciowy
wzmacniacza doprowadzony na wejscie WE po przejsciu
przez czlon wzmacniajacy A podawany jest na wejscie 5
czlonu wzmacniajacego B, którego wyjscie WY jest wyjs¬
ciem ukladu wzmacniacza. Sygnal wyjsciowy czlonu wzma¬
cniajacego B po przejsciu przez uklad sprzezenia zwrotnego
Fpodawany jest na drugiewejscie czlonu wzmacniajacego A.
Dla pradu stalego, poszczególne bloki wzmacniacza po- io
laczone sa szeregowo tak, ze staly prad zasilajacy uklad
wzmacniacza plynie od dodatniego bieguna napiecia za¬
silania, poprzez czlon wzmacniajacy A, uklad sprzezenia
zwrotnego F i czlon wzmacniajacy B, do ujemnego bieguna
napiecia zasilajacego. Taki sposób polaczenia zapewnia, 15
ze czlon wzmacniajacy B wraz z ukladem sprzezenia zwrot¬
nego F stanowia zródlo pradowe zasilajace czlon wzmacnia¬
jacy A.
Pokazany na fig. 2 uklad wzmacniacza zbudowany jest
z dwóch czlonów wzmacniajacych pracujacych na tranzys- 20
torach Tj i T2 oraz pasywnego ukladu sprzezenia zwrotnego
F, zlozonego z impedancji Zi, Z2,Z3, Z4, Z5 i Z6.
Pierwszy czlon wzmacniajacy stanowi tranzystor Tx
w ukladzie wspólnego emitera z rezystorem kolektorowym
Rk oraz rezystorem polaryzujacym baze R±. Kolektor 25
tranzystora T± jest sprzezony przez kondensator C z baza
tranzystora T2 spolaryzowana za pomoca rezystora R2.
Emiter tranzystora T3 polaczony jest z ujemnym biegu¬
nem zasilania, poprzez rezystor Re. Wyjscie wzmacniacza,
które stanowi kolektor tranzystora T2 polaczone jest przez 39
uklad sprzezenia zwrotnego F oraz tranzystor T2, ktróy
4
stanowi zródlo pradowe zasilajace tranzystor Ti. Dzieki
temu uzyskuje sie znacznie lepsza stabilizacje stalopradowa
ukladu. Dla sygnalu zmiennego petla sprzezenia zwrotnego
znajduje sie pomiedzy wyjsciem wzmacniacza a emiterem
tranzystora T±.
W ukladzie wzmacniacza przedstawionym na fig. 2
poprzez odpowiedni dobór wartosci impedancji Z13... Z6
mozna ksztaltowac i korygowac charakterystyki czestotli¬
wosciowe calego wzmacniacza. W przypadku szczególnym,
gdy np. Zi = 0, Z6 = 0, Z2, Z3 i Z4 sa rezystorami, a Zs
stanowi kondensator, uklad z fig. 2 staje sie wzmacniaczem
szerokopasmowym, zapewniajacym duza wartosc pola
wzmocnienia, w zakresie czestotliwosci do okolo 1 GHz.
—
F
/
I :~H—'
i
V
we
wy
Frg. 4.
Ffg.2.
Claims (2)
1. Wzmacniacz ze sprzezeniem zwrotnym, zawierajacy w torze glównym sygnalu dwa czlony aktywne wzmacnia¬ jace polaczone kaskadowo oraz w torze sprzezenia zwrotnego uklad sprzezenia zwrotnego, znamienny tym, ze dla pradu stalego zasilajacego czlon aktywny wzmacniajacy (A), uklad sprzezenia zwrotnego (F) i czlon aktywny wzmacnia¬ jacy (B) sa polaczone szeregowo.
2. Wzmacniacz wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze uklad sprzezenia zwrotnego (F) zbudowany jest tak, ze wejscie ukladu sprzezenia zwrotnego (F) polaczone jest z jego wyjsciem poprzez szeregowo polaczone kolejno impedancje (Z6, Z3, ZJ przy czym do impedancji (Z3) dolaczone sa równolegle impedancje (Z2, Z4) polaczone szeregowo, a punkt wspólny impedancji (Z2, Z4), poprzez impedancje (Z5), zwarty jest z masa. *\102 412 / T A —**
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18963376A PL102412B1 (pl) | 1976-05-15 | 1976-05-15 | Feedback amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18963376A PL102412B1 (pl) | 1976-05-15 | 1976-05-15 | Feedback amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL102412B1 true PL102412B1 (pl) | 1979-03-31 |
Family
ID=19976897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18963376A PL102412B1 (pl) | 1976-05-15 | 1976-05-15 | Feedback amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL102412B1 (pl) |
-
1976
- 1976-05-15 PL PL18963376A patent/PL102412B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1133594A (en) | Common-emitter f.sub.t doubler amplifier employing a feed forward amplifier to reduce non-linearities and thermal distortion | |
| JPH0831750B2 (ja) | Rf増幅器 | |
| US3430155A (en) | Integrated circuit biasing arrangement for supplying vbe bias voltages | |
| US6177837B1 (en) | Active low-pass filter | |
| US20070063771A1 (en) | Bias-T circuit | |
| GB2406728A (en) | A current mirror bias sensing circuit for a low-noise low-voltage RF amplifier | |
| TW201633703A (zh) | 主動rc濾波器 | |
| GB1516190A (en) | Wideband transistor amplifier | |
| PL102412B1 (pl) | Feedback amplifier | |
| CN111193477B (zh) | 一种复合放大器 | |
| Kang et al. | A miniaturized K-band balanced frequency doubler using InGaP HBT technology | |
| US6320467B1 (en) | Ft multiplier amplifier with low-power biasing circuit | |
| US4319198A (en) | Power amplifiers | |
| US3529253A (en) | Class b push-pull electrical amplifier | |
| JPS58147211A (ja) | 集積可能な差動増幅器 | |
| US4935704A (en) | Low distortion linear amplifier with high-level output | |
| US3379986A (en) | Direct coupled transistorized class "b" power amplifier | |
| PL89521B1 (pl) | ||
| US20060049877A1 (en) | High frequency amplifier in an integrated circuit | |
| US3533002A (en) | Operational amplifier providing low input current and enhanced high frequency gain | |
| JPS60253310A (ja) | マイクロ波アナログ分周器 | |
| US4105943A (en) | Integrated amplifier with negative feedback | |
| SU718884A1 (ru) | Амплитудный детектор | |
| SU1713083A1 (ru) | Выходной каскад усилител мощности | |
| Pilling et al. | A Micropower Low Noise Integrated Operational Amplifier |