PL100803B1 - Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii - Google Patents

Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii Download PDF

Info

Publication number
PL100803B1
PL100803B1 PL18114075A PL18114075A PL100803B1 PL 100803 B1 PL100803 B1 PL 100803B1 PL 18114075 A PL18114075 A PL 18114075A PL 18114075 A PL18114075 A PL 18114075A PL 100803 B1 PL100803 B1 PL 100803B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
conductive
sie
coating
photoconductive
grubosci
Prior art date
Application number
PL18114075A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18114075A priority Critical patent/PL100803B1/pl
Publication of PL100803B1 publication Critical patent/PL100803B1/pl

Links

Landscapes

  • Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe /I. Wielowairistfwowy element swiatloczuly zwla¬ szcza do zastosowan w elekltrofoltografii zawfilera- jajcy przewodzace podiloze i co najmniej jedna war¬ stwe fotoprzewodzajca, znamienny tym, ze pomie- dizy podlozem a wamstwa fotoprzewodzaca anaijdu- je sie pólipraewodzaca poiwloka wykonana z mate- iriailu zawierajacego co najjimn&ej jedna organiczna fwieloczasteczkowa sulbsitamcje iblanofowórcza,, przy czym kondukltainoja skrosna powloki jest wieksza, korzystnie 10 razy wiekisza od komduIkttamcjS skros- neij wairstwy fotoprzefwodzace;j lulb fotoprzewodza- cego ukladu warstw w ciemnoiscfy a grubosc pow¬ loki wynosi 1 pm do 50 ^m, korzystnie 5 jum do 16 ffin,
2. Ekefrient wedlug zalsltrz. %, znamienny tym, ze pollprzewodizaca powloka zawiera organiczna sub¬ stancje blonoitworcza, talka jak zywica ftalowa, ka aribamidowa^ mocznikowa, epoksydowa, poiliiiwinyaoi- wa luib ich mieszaniny, oraz dodatek suibstaneji zwiekszajacych konduktancje powloki, takich jak sole maginezowców i metaOi przejsciowych, sole IV- rzejdowe amfora tlenM,, siarczki selenM metali ciez- kijciri, drobno sparoszteowane metale lub wegiel w postaci grafitu lub sadzy.V 100803 Fig.1 Fig. Z f)N-3, z. 681/7S Cena- 45 zl
PL18114075A 1975-06-11 1975-06-11 Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii PL100803B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18114075A PL100803B1 (pl) 1975-06-11 1975-06-11 Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18114075A PL100803B1 (pl) 1975-06-11 1975-06-11 Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL100803B1 true PL100803B1 (pl) 1978-11-30

Family

ID=19972504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18114075A PL100803B1 (pl) 1975-06-11 1975-06-11 Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL100803B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hoyle Some Recent Rsearches in Solar Physics
Kondo et al. High-aspect-ratio copper-via-filling for three-dimensional chip stacking: II. Reduced electrodeposition process time
EP0048762B1 (en) Dry-process toner
JPS5740267A (en) Coated carrier for electrophotographic developing
PL100803B1 (pl) Wielowarstwowy element swiatloczuly zwlaszcza do zastosowan w elektrofotografii
Gupta et al. Effect of nickel and zinc substitutions on the electronic charge-density redistribution in a YBa 2 Cu 3 O 7 superconductor
Balzarotti et al. EXAFS of the superconducting oxide BaPb1− xBixO3
JPS5767934A (en) Electrophotographic receptor
KR870002040A (ko) 방향족 탄화수소의 제조방법
Jiang et al. Surface effects in metal microclusters
KR930012181A (ko) 후막 구리 페이스트 조성물
Jay-Gerin et al. Thermoelectric power and transverse Nernst-Ettingshausen coefficient of Cd 3 As 2 at 300 K
JPS5426738A (en) Photosensitive material for zerography
JPS565867A (en) Coating for electrodeposition
JPS52154640A (en) Electrophotographic developer
Akahoshi et al. A new fully additive fabrication process for printed wiring boards
Lof et al. Correlation Effects in Solid C 60
JPS52121325A (en) Electrophotographic light sensitive material
KR940004053B1 (ko) 인쇄된 회로판 제조에 유용한 피복 조성물
KR900015360A (ko) 감광반도체를 가지는 전자스위치
KR950006133A (ko) 직물에 전자파 차폐기능을 부여하는 조성물 및 그 직물지
JPS57189144A (en) Manufacture of photoconductive cadmium sulfide
Kambersky et al. A Note on the Ferromagnetic Faraday Rotation of X-Rays
Yaraneri et al. A Quasi-Kondo Effect in Pb sub 1--x Ge sub x Te Alloys
Li et al. Electronic structure and orientational phase transition of K3C60