NO319562B1 - Optisk flerveis omkobler bestaende av elektrisk omkoblingsbare ortoelektroniske krystaller - Google Patents

Description

Den foreliggende oppfinnelsen vedrører optisk flerveis omveksler med elektrisk omvekslbare fotoniske krystaller, omfattende en optisk geometri dannet av avstembare, fotoniske krystaller som består av lange miniatyriserte nåler og virker som høypresisjons optiske speil.

Til belysning av den kjente teknikk skal det vises til: Applied physics letters, vol. 67, no. 15, 9. oktober 1995, sidene 2138-2140, XP000578479 Brown E.R. et al.: "Large Electromagnetic Stop Bands in Metallodielectric Photonic Crystals", som beskriver en periodisk struktur bestående av et flate-sentrert-kubisk (fcc) Bravais gitter av metallsfærer, støttet av et dielektrikum med lavt tap. Strukturen blir kalt en metalldielektrisk fotonisk krystall fordi stoppbåndenes karakteristikk varierer sterkt med størrelsen på de metalliske sfærene.

Fotoniske krystaller med båndgap er kjente som to- og tredimensjonale dielektriske strukturer der forplantningen av elektromagnetiske bølger, i avhengighet av eller uavhengig av deres forplantningsretning, er forbudt. Dette fremgår blant annet av følgende publikasjoner:

1 ] John, Phys. Rev. Lett. 58,2486 (1987).

2] Yablonovitch, Phys. Rev. Lett. 58, 2058 (1987).

3] L. McCall, P. w: Platzmann, R. Dalichaouch, D. Smith, S. Schulz, Phys. Rev.

Lett. 67, 2017(1991).

4] M. Leung, Y.F. Liu, „ „ , Phys. Rev. Lett. 65,2646 (1990).

5] L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, SJ. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys.

Lett. 60, 289 (1992).

6] Yablonivitch, T.M. Gmitter, Phys. Rev. Lett. 63, 1950 (1989).

7] Yablonivithc, T.M. Gitter, K.M. Leung,Phys. Rev. Lett. 67, 2295 (1991).

8] K.M. Ho, C.T. Chan. CM. Soukoulis, Phys. Rev. Lett. 65, 3152 (1990).

Beregninger av mikrobølgemålinger har vist at kubiske flate-sentrerte eller også to-dimensjonale kubiske anordninger av hull i en dielektrisk matrise, eller av dielektriske staver, oppviser slike fotonisk båndgap.

Til belysning av her kjent teknikk vises det til:

9] S.Y. Lin, A. Arjavalingam, "Photonic bound states in two-dimensional photonic crystals probed by coherent microwave transient spectroscopy", J. Opt. Soc. Am. B/vol. 11, No. 10 (1994), 2124.

10] S.Y. Lin, G. Arjavalingham, "Tunneling of electromagnetic waves in two-dimensional photonic crystals", Optics Letters, Vol. 18, No. 19 (1993), 666.

11] D.R. Smith, S. Schulz, S.L. McCall, P.M. Platzmann, "Defect studies in a two-dimensional periodic photonic lattice", Journal of Modern Optics, Vol. 41,2

(1994), 395.

12] CC. Cheng, A. Scherer, "Fabrication of photonic bandgap crystals", J. Vac.Sci.

Technol (1995), Nov./Dec.

Så få som seks plan er tilstrekkelig for å sikre en høy elementkvalitet [9]. To- og tre-dimensjonale strukturer av denne type er ofte benevnt "fotoniske krystaller" [2]. Slik det er velkjent, kan disse strukturer genereres med høy presisjon ved hjelp av nanolitografi ved anvendelse av elektronstrålebevirket avsetning. Dersom hulrommene i slike fotoniske krystaller fylles med ulineære optiske materialer eller flytende krystaller og hele strukturen utsettes for et sterkt elektrisk felt, kan den optisk aktive gitterkonstant (lattice constant) i et krystall settes innenfor grenser ved variasjon av den optiske banen og derfor kan filtreringseffekten hos elementet varieres elektrisk. Det er også kjent en fremstillingsmåte som anvender den utvidede silylasjonsprosess med tørretsning, inndiffundering og påfølgende elementfylling, hvilket tillater fremstillingen av meget integrerte komponenter til lav kostnad.

Avstembare filtre som anvendes innenfor optisk kommunikasjon og telekommunikasjon implementeres i øyeblikket i form av lange optiske fibere hvis filtreringseffekt skapes av Bragg-gitteret som innskrives i spesielle fibere ved hjelp av ultrafiolett lys.

Til belysning av her kjent teknikk vises det til:

13] R. kashyap, "Photosensitive optical fibers: Devices and applications", Opt.

Fibres Techn. 1, sidene 17-34 (1994).

14] C. Cremer, H. Heise, R. Mårz, M. Schienle, G. Schulte-Roth, H. Unzeitig,

"Bragg gratings on InGaAsP/InP-waveguides as polarization independent optical filters", J. of Lightwave Techn., 7, 11, 164 (1989).

15] R.C. Alferness, L.L. Buhll, U. Koren, B.J. Miller, M.G. Young, T.L. Koch, CA.

Burrus, G. Raybon, "Broadly tunable InGaAsP/InP buried rib waveguide vertical coupler filter", Appl. Phys. Lett. 60, 8, 980 (1992).

16] C Wu, C. Rolland, F. Sheperd, C. Laroque, N. Puetz, K.D. Chik, J.M. Xu,

"InGaAsP/InP vertical coupler filter with optimally designed wavelength tunability", IEEE Photonics Technol. 4,4, 457 (1993).

17] Z.M. Chuang, L.A. Coldren, "Enhanced wavelength tuning in grating assisted codirectional coupler filter", IEEE Photonics Technology Lett., 5,10,1219

(1993).

Fremstilling av slike forskjellige diffraksjonsgitre med høy presisjon over betydelige lengder av flere mm til cm er en stor teknologisk utfordring. Spesielle prosedyrer tilsikter å korrigere sammensyingsfeil (stitching errors) som vanligvis erfares innenfor elektronstrålelitografi.

Teknikk som dette fremgår blant annet av:

18] H.W.P Koops, J. Kretz, M. Weber, "Combined lithographies for the reduction of stitching errors in lithography", Proe. EJPS 94, J. Vac. Sei. Technol. B 12 (6) 1994), sidene 3265-3269.

19] B.H. Koek, T. Chrisholm, A.J. van Run, J. Romijn, "Sub 20 nm stitching and overlay for nanolithography applications", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33 (1994).

20] V.V. Wong, J.R. Ferrera, N.J. Damask, H.I. Smith, "Fabrication and measurement of highly coherent electron-beam-written Bragg resonators", Abstracts EJPB '95, Scottsdale N3, 331 (1995).

Inkorporering av fiberfilter og flberkoblere i en makroskopisk optisk anordning trenger alltid å bli gjennomført ved hjelp av koblingsorganer eller skjøter som anvender en hybridteknologi. En miniatyrisering av komponenter er ikke oppnåelig på denne måte. Prosessen som kalles additiv litografi anvender datamaskinstyrt elektronstråle bevirket avsetning for å bygge miniatyriserte fotoniske krystaller, betegnet som to- og tre-dimensjonale anordninger av lange miniatyriserte nåler, fra dielektriske materialer med nanometerpresisjon.

Aspekter ved denne teknikk fremgår blant annet av:

21] H.W.P. Koops, R. Weiel, D.P. Kem, T.H. Baum, "High resolution electron beam induced deposition", Proe. 31 3Ist Int. Symp. on Electron, Ion, and Photon Beams, J. Vac. Sei. Technol. B (1) (1988), 477.

Disse krystaller kan innføres direkte i den optiske banen. Høypresisjons datamaskinstyring av elektronstrålen med hensyn til sted, tid og bevegelsesretning muliggjør genereringen av nærmest samtlige ønskede geometrier av krystaller og deres selektive deformering som behøves for å tjene det tilsiktede, optiske formål. Derfor kan den optiske oppførsel av deres struktur skreddersys til å passe til de ønskede behov. Ved å fylle de meget brytende nålstrukturer med ulineært optisk materiale fremgår blant annet av: 22] M. Eich, H. Looser, D.Y. Yoon, R. Twieg, G.C. Bjorklund, "Second harmonic

generation in poled organic monomeric glasses", J. Op. Soc. Am. B, 6, 8 (1989).

23] M. Eich, A. Sen, H. Looser, D.Y. Yoon "Corona poling and real time second harmonic generation study of a novel covalently functionalized amorphous nonlinear polymer", J. Appl. Phys. 66, 6 (1989).

24] M. Eich, G.C. Bjorklund, D.Y. Yoon, "Poled amorphous polymers of second order nonlinear optics", Polymers for Advanced Technologies, 1, 89 (1990).

Menes det å fylle de meget brytende nålstrukturer med flytende-krystaller fremgår blant annet av: 25] R. Birenheide, M. Eich, D.A. Jungbauer, O. Hermann-Schonher, K. Stoll, J.H. Wendorff, "Analysis of reorientational processes in liquied crystalline side chain polymers using dielectronic relaxation, electro-optical relaxation and switching studies", Mol. Cryst. Liq. Cryst., 177,13 (1989).

Ved å påføre et sterkt elektrisk felt på den fylte strukturen, kan den optiske banen i krystallet, og derfor dens egenskaper innstilles elektrisk. Dette tillater den optiske transmisjonskarakteristikk å bli forskjøvet forsiktig og den optiske speileffekt akkurat som refleksjonsretningen og eventuelt intensiteten å bli variert. Ettersom slike elementer innehar en meget høy kvalitet og en meget liten størrelse likeså (deres dimensjoner er kun få (im i lengde, bredde og høyde), kan optiske anordninger og kretser utstyrt med slike filtre og speil implementeres med en høy pakkingstetthet.

I tillegg er løsninger som anvender multistråleskrivingssystemer med korpuskulære stråler kjente. De tillater optoelektroniske anordninger og integrerte optiske kretser å bli fremstilt mest økonomisk ved hjelp av additiv litografi. I denne forbindelse vises det til: 26] H. Koops, 1974 tysk patent søknad P 2446 789.8-33,

"Korpuskularstrahloptisches Geråt zur Korpuskelbestrahlung eines Praparates", US Patent No. 4021675, bevilget 4'. mai 1977.

27] H. Koops, 1974, tysk patentsøknad P 2460 716.7, "Korpuskularstrahloptisches Geråt zur Korpuskelbestrahlung eines Praparates", German Patent granted on 30 Decemer 1976.

28] H. Koops, 1974, German Patent Application P 2460 715.6,

"Korpuskularstrahloptisches Geråt zur Korpuskelbestrahlung eines Praparates in Form eines Flachenmusters mit mehreren untereinander gleicher Flåchenelementen", (tysk patent bevilget 31. desember 1979).

29] H. Koops, 1975, tysk patentsøknad P 2515 550.4, "Korpuskularstrahloptisches Geråt zur Abbildung einer Maske auf ein zu bestrahlendes Pråparat", (tysk patent bevilget 18. mai 1977).

30] M. Rtib, H.W.P. Koops, T. Tschudi, "Electron beam induced deposition in a reducing image projector", Microelectronic Engineering 9 (1989), sidene 251-254.

31] H. Elsner, H.-J. Doring, H. Schacke, G. Dahm, H.W.P. Koops, "Advanced multiple beam-shaping diaphragm for efficient exposure", Microelectronic Engineering 23 (1994), sidene 85-88.

Det er siktemålet med denne oppfinnelse å konstruere en lav-taps omveksleranordning basert på elektriske avstembare fotoniske krystaller og derfor å tilveiebringe en høy pakkingstetthet.

Ifølge oppfinnelsen kjennetegnes den innlednings nevnte, optisk flerveis omveksler ved at deformasjoner som virker som fotoniske båndgap er generert selektivt i den optiske geometri, idet hulrom mellom nålene er fylt med ulineære optiske materialer eller flytende-krystaller, slik at den optiske transmisjonskarakteristikk for hele den optiske geometri opp til refleksjon kan varieres ved å anbringe elektroder i den optiske geometrien og tilfører et sterkt elektrisk felt, at den optiske geometrien er utstyrt med ytterligere, delte elektroder for å tilveiebringe separat feltleding i krystallområder, slik at den optiske transmisjonskarakteristikk for den optiske geometrien også kan variere separat i individuelle krystallområder opp til refleksjon, og at den optiske geometrien er anordnet mellom speil av faste fotoniske krystaller som er orientert slik at lys treffer den optiske geometrien med en forutbestemt vinkel, der lys kobles inn og ut via speilene som er konstruert av faste fotoniske krystaller, slik at en omvekslerfunksjon oppnås ved varierbarheten av transmisjonskarakteristikken for den optiske geometrien og dermed evnen til å koble ut lys selektivt via speilene av faste fotoniske krystaller.

Ifølge oppfinnelsen blir et to- eller tre-dimensjonalt fotoniske krystall laget av sterkt brytende dieelektrisk materiale ved bruk av elektronstrålebevirket avsetning eller nanolitografi. Fotoniske krystaller er tre-dimensjonale dielektriske strukturer der elektromagnetiske bølger med et bestemt bølgelengdeområde er forbudt, uansett deres forplantningsretning. Disse fotoniske krystaller med båndgap og ett eller flere smalbånds transmisjonsfrekvensområder, avhengig av deres utforming, virker som smalbåndsfiltre. Beregninger og mikrobølgemålinger har vist at kubiske flate-sentrerte eller også to-dimensjonale kubiske anordninger av hull i en dielektrisk matrise, eller av dielektriske staver, oppviser slike båndgap. Så få som seks plan er tilstrekkelig for å sikre en høy elementkvalitet.

Prosessen som benevnes "additiv litografi" anvendes for å bygge to- og tre-dimensjonale anordninger av lange miniatyriserte nåler av dielektriske materialer med nanometerpresisjon, direkte i den optiske banen. På grunn av høypresisjons datamaskinstyring av elektronstrålen hva angår sted, tid og bevegelsesretning, tillates det genereringen av nesten samtlige ønskede geometrier av krystaller og deres selektive deformering som behøves for å tjene det tilsiktede optiske formål. Dette gjør det mulig å skreddersy den optiske opptreden av krystallstrukturen for å tilfredsstille de ønskede behov. Lignende strukturer kan også skapes ved hjelp av nanolitografiske prosedyrer og den utvidede silylasjonsprosessen som gjør bruk av tørretsning.

Ved å fylle hulrommene mellom nålene med ulineære optiske materialer og anbringe krystallet i det elektriske feltet, kan anordningen elektrisk avstemmes innenfor et bestemt bølgeområde og justeres med høy presisjon. Flytende-krytallmaterialer, som tjener til å fylle strukturen, tillater avstembarhet av filteret over et bredt frekvensområde. Ved å anvende flytende krystaller som fyllmaterialer, kan filteret operere som en middel-hastighetomveksler. På denne måte kan et omvekslbart speil konstrueres av et krystall fylt med ulineært materiale.

En omveksler som frembringes ved oppfinnelsen består av avstembare fotoniske krystaller. Disse krystaller består av lange miniatyriserte nåler som virker som høy-presisjonsoptiske speil. Slike nåler tjener til å generere en optisk geometri der deformasjoner som virker som fotoniske båndgap skapes selektivt. Hulrommene mellom nålene fylles opp med ulineære optiske materialer eller flytende-krystaller. Ved passende plassering av elektroder i den optiske geometri, dvs. anvendelsen av et sterkt elektrisk felt, kan den optiske transmisjonskarakteristikk for hele geometrien endres opp til refleksjon. Anordning av ytterligere delte elektroder for separat styring av de elektriske felt i individuelle krystallområder av den optiske geometri sikrer at den optiske geometrien er samtidig separat variabel i individuelle krystallområder opp til refleksjon. Faste fotoniske speil blir plassert direkte i den optiske banen i vinkler i forhold til de individuelle retninger, slik at lyset kan kobles inn og ut gjennom disse speil. På denne måte blir en optisk omvekslingsfunksjon utført ved variasjonen av transmisjonskarakteristikken av den optiske geometrien i kombinasjon med den selektive kobling ut av lys via de individuelle, faste fotoniske speilene.

Utførelsesformer av den foreliggende oppfinnelse er belyst nedenfor med henvisning til tegningene. Figur 1 viser et skjema over et avstembart fotonisk krystall som anvendes som et smalbåndsfilter i en monomodus bølgeleder.

Figur 2 viser et skjema over en toveis optisk justerbar, lav-taps omveksler.

Figur 3 viser et skjema over en treveis optisk justerbar, lav-taps omveksler.

Figur 4 viser et skjema over en elektrisk styrbar, multibane omveksler bestående av et flertall av treveis omvekslere.

Figur 5 viser et skjema over en elektrisk omvekslbar flerveis omveksler.

Med utgangspunkt i skjemaet på figur 1 som viser et avstembart fotonisk krystall som anvendes som et smalbåndsfilter i en monomodus bølgeleder kan en optisk lav-taps toveis omveksler utformes, eksempelvis som vist på fig. 2. For å oppnå dette blir en optisk geometri som virker som et avstembart speil anbrakt i den optiske banen mellom faste fotoniske speil. Disse speil orienteres slik at lys avspeiles med en vinkel lik 22,5 grader og derfor treffer geometrien av fotoniske krystallet, hvilket er fylt med ulineært materiale og virker som et avstembart speil i en 45 graders vinkel. Dersom geometrien av det fotoniske krystallet som virker som et avstembart speil omveksles til transmisjonsretning, kan lyset passere uhindret. Når geometrien av det fotoniske krystallet som virker som et avstembart speil omveksles til refleksjon, blir lyset reflektert nøyaktig mot det faste speilet, som kobler lyset inn i den forbindende bølgeleder.

Komponenter av denne type finner anvendelse i omvekslingsnettverk og tjener tjenestevelgingsformål. Pakkingstettheten som anvendes ved denne teknologi blir sterkt økt på grunn av at anordningen som består av speil og filteromvekslere er mindre enn 12 jim lang og bred.

Dersom feltplatene i krystallområdet er strukturert i fire deler, kan en transmisjon og refleksjon innstilles i den ene eller andre halvdel ved hjelp av vekselvis omveksling av de fire krystallkvadrantene. På denne måte kan en tre-veis omveksler ifølge fig. 3 være konstruerbar, bestående av et element med strålebaner orientert i 90 graders vinkel i forhold til hverandre.

Ved selektiv omveksling av transmisjon og refleksjon i krystallområder mellom finere strukturerte feltplater, kan stråleintensiteten også oppsplittes under elektronisk styring.

En annen mulighet for å påvirke den elektriske innstilling av omveksleren er å koble ytterligere lys inn i det fotoniske krystallet ved hjelp av en styrbar lyskilde som er rettet mot krystallet som er fylt med ulineært optisk materiale. Dette tillater hurtig omveksling i det øvre gigahertz-området. I prosessen kan lyset også dirigeres mot bølgeleder lysledingsplanet fra rommet over eller under dette. Dette gjør leding av omvekslingen og det omvekslede lys mulig i separate plan. Fig 4 representerer skjematisk en elektrisk styrbar flerveis omveksler som består av flere treveis omvekslere dannet av fotoniske krystallområder som er separat avstembare elektrisk og av defleksjonsspeil som er bygget av fotoniske krystaller. Denne løsning danner derfor en kaskadeutformet kobleromveksler som består av miniatyriserte omvekslbare fireveis direktive koblere laget av fotoniske krystaller med et justerbart båndpassfilter. Fig. 5 viser skjemaet over en elektrisk omvekslbar flerveis omveksler. Den sistnevnte omfatter flere treveis omvekslere dannet av fotoniske krystallområder som er separat avstembare elektrisk og således danner en kaskadeformet kobleromveksler som består av miniatyriserte omvekslbare, fireveis direktive koblere med et justerbart båndpassfilter.

Disse anordninger kan kombineres med lignende eller forskjellige integrerte komponenter, eksempelvis speil, faseforskyvere og reflektorer, for å bygge integrerte kretser for optisk signalbehandling og optiske datamaskiner med høy pakkingstetthet. Det er også mulig å fremstille faste eller variable målekretser som tjener til å oppfylle sikkerhetsfunksjoner og utføre datakommunikasjonstester på optiske fibere.

Løsningen som er basert på oppfinnelsen representerer en ny elektrisk styrbar oppstilling av omvekslere utformet i integrert teknologi og med høy pakkingstetthet. Den tjener til å omveksle spenninger og/eller lys mellom, eller for å kryssforbinde, minst to optiske baner. Takket være bruken av høyintegrasjonsteknologi kreves intet rom for innføring av elementet i de optiske baner av, f.eks. en datamaskinkrets.

Claims (7)

1. Optisk flerveis omveksler med elektrisk omvekslbare fotonidkrkrystaller, omfattende en optisk geometri dannet av avstembare fotoniske krystaller som består av lange miniatyriserte nåler og virker som høypresisjons optiske speil,karakterisert vedat deformasjoner som virker som fotoniske båndgap er generert selektivt i den optiske geometri, idet hulrommene mellom nålene er fylt med ulineære optiske materialer eller flytende-krystaller, slik at den optiske transmisjonskarakteristikk for hele den optiske geometri opp til refleksjon kan varieres ved å anbringe elektroder i den optiske geometrien og tilføre et sterkt elektrisk felt, at den optiske geometrien er utstyrt med ytterligere, delte elektroder for å tilveiebringe separat feltleding i krystallområder, slik at den optiske transmisjonskarakteristikk for den optiske geometrien også kan variere separat i individuelle krystallområder opp til refleksjon, og at den optiske geometrien er anordnet mellom speil som er konstruert av faste fotoniske krystaller som er orientert slik at lys treffer den optiske geometrien med en forutbestemt vinkel, der lys kobles inn og ut via speilene som er konstruert av faste fotoniske krystaller, slik at en omvekslerfunksjon oppnåes ved varierbarheten av transmisjonskarakteristikken for den optiske geometrien og derved evnen til å koble ut lys selektivt via speilene av faste fotoniske krystaller.

2. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertved at en optisk geometri utformet som et avstembart speil er anordnet i den optiske banen mellom speilene av fast fotonisk krystall, der speilene av fast fotonisk krystall er orientert slik at lyset avspeiles med en 22,5 graders vinkel og derfor treffer geometrien av det fotoniske krystallet som er fylt med ulineært materiale og som er utformet som et avstembart speil, med en vinkel lik 45 grader, og at geometrien av det fotoniske krystallet virker som et avstembart speil, når omvekslet til transmisjon, lar lyset passere uhindret, og når omvekslet til refleksjon, reflekterer lyset nøyaktig i det faste speilet som så kobler lyset inn i en forbindende bølgeleder, slik at en toveis omveksler med evne til strålekryssforbindelse dannes.

3. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertv e d at det fotoniske krystallet som virker som en omveksler og er fylt med ulineært optisk materiale er anbrakt mellom elektriske feltplater, at feltplatene er anordnet og delt i fire separate kvadranter, at de elektriske feltene i de individuelle kvadranter er justerbare separat, slik at individuelle delkrystaller er omvekslbare for transmisjon eller refleksjon, slik at det fotoniske krystallet er i stand til å la en innfallende lysstråle passere uhindret eller å reflektere en innfallende lysstråle i en av to forutbestemte retninger, hvorved funksjonen av en elektrisk omvekslbar treveis omveksler utføres.

4. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertved at et fotoniske krystall som er oppdelt i flere områder anvendes enten for å rette lys fra en retning til forbindelsesretninger eller til et hosliggende, tilsvarende styrbart krystall, slik at en avgrening til andre retninger dannes, idet dette fører til en kaskadeanordnet omvekslingsstruktur av dekadisk eller annen modulær anordning.

5. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertved at de elektrisk omvekslbare, fotoniske krystaller retter sitt lys mot fotoniske speil som orienterer orienteringen til 45 graders vinkel ifølge et rektangulært mønster, slik at de elektrisk omvekslbare krystaller er tilpasset geometrisk.

6. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertv e d at det elektrisk omvekslbare fotoniske krystallet er delt ved hjelp av selektivt anordnede deformasjoner i mer enn fire områder, slik at en finere separering av de justerbare krystallområder er mulig, og at ikke bare intensiteten av de avbøyde lysstråler, men også forskjellige retninger kan tilpasses.

7. Optisk flerveis omveklser som angitt i krav 1,karakterisertv e d at omveksleren innstilles elektrisk ved hjelp av en styrbar lyskilde rettet mot det fotoniske krystallet, hvilket tjener til å koble ytterligere lys inn i det fotoniske krystallet.