NO155862B - Fremgangsmaate for aa eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre. - Google Patents
Fremgangsmaate for aa eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre. Download PDFInfo
- Publication number
- NO155862B NO155862B NO834524A NO834524A NO155862B NO 155862 B NO155862 B NO 155862B NO 834524 A NO834524 A NO 834524A NO 834524 A NO834524 A NO 834524A NO 155862 B NO155862 B NO 155862B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- dopant
- preform
- layer
- vapor
- deposited
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims description 5
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 title 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01861—Means for changing or stabilising the diameter or form of tubes or rods
- C03B37/01869—Collapsing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/28—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse angår fremgangsmåter for fremstilling av fysiske bærere for optiske telekommunikasjonssystemer og nærmere bestemt angår den en prosess for å eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre tilveiebragt ved hjelp av en MCVD-prosess (modifisert kjemisk dampavsetning av den art som angitt i innledningen til krav 1).
Denne prosessen, utviklet for fremstilling av optiske fibre fremstilt av glass med høyt silisiuminnhold, tillater ekstremt lave dempningsverdier, for lysstråling. Enkelmodusfibre kan således bli tilveiebragt med en kjerne fremstilt av ternær forbindelse Si02 - <?>2^5 ~ GeO*2 eller binær forbindelse SiC>2 - GeC>2, med minimale dempningsverdier på omkring 0,2 dB/km og 0,15 dB/km innenfor bølgelengdeområdet, henvist til som det tredje over førings vinduet (1,5-1,6 pm). Uttrykket over førings vindu henviser til et bølgelengdeområde ved hvilket overføringstapene når et minimum. For fibre med silisiuminnhold er overføringsvinduene lokalisert rundt 0,85, 1,3, 1,55 pm for henholdsvis første, andre og tredje vindu. ;Prosessen innbefatter to hovedtrinn: ;a) kjemisk dampavsetning av glassjikt av en tykkelse mellom 10 og 50 um på innsiden av et silisiumglassrør, b) termisk sammenfall av røret til en glassaktig, transparent sylindrisk stang (preform) som har en diameter mellom 10 og 30 mm. ;En geometrisk ekvivalent fiber med en diameter på 125 um blir trukket fra denne preformen. ;I løpet av begge trinnene finner diffusjon og fordampning av dopemiddel (GeC>2 og P2O5) sted, som bevirker en sentral nedsettelse av brytnings-indeksen som er typisk for MCVD-prosessen. ;Denne nedbrytningen, som generelt innbefatter de sist avsatte sjiktene, dvs. de innerste sjiktene øker med termisk spenning som preformen utsettes for i løpet av fremstillingsfasen og med dopemiddelets fordampning. ;Det er kjent at dette avviket i brytningsindeksprofilen er skadelig på multimodusbåndbredden. ;Virkningen er ennå mer skadelig på singelmodusfibre enn ved fibre av multimodustypen, ved hvilke fibre av singelmodustypen det involverte volumet ved innvendig diffusjon og overflatefordampningsprosessen (dvs. sonen ved hvilken brytningsindeks-undertrykkelsen forekommer) er bredt dersom sammenlignet med det til kjernen. ;De elektromagnetiske felt-lede-betingelsene og forskjellige overførings-egenskaper for disse fibrene er avvikende. Nærmere bestemt "mikrobøy"-tap er høyere ved MCVD-fremstilte énkelmodusfibre med hensyn til fibre med samme karakteristikk fremstilt av utvendig avsetningsprosess (OVD = utvendig dampavsetning eller VAD = dampaksial avsetning) som ikke omfatter aksiale avvik ved brytningsindeksprofilen. MCVD-prosessen, på grunn av større fleksibilitet ved tilstedeværelsen i dopemiddelvalget og ved brytningsindeksprofilrealiseringen, synes imidlertid mer egnet for konstruksjon av énkelmodusfibre optimalisert både ved dempning og i spredningskarakteristikken. ;Den tillater i virkeligheten realisering av bestemte brytningsindekspro-filer (nedsettingsindekskappe: w-typen; triangulær form) for å forskyve minimumsnedsettingen i spektralsonen ved hvilken silisiumoksyd gir minimal verdien for optisk dempning. ;Muligheten for å redusere dette avviket er klart. ;Forskjellige metoder har blitt antydet for å redusere brytningsindeks-undertrykkelsen nettopp i preformen. ;Mange av disse metodene er basert på kjemisk etsing av silisiumoksyd inne i røret før begynnelsen på sammenfallingen eller når sammenfallingen har delvis begynt. Slike metoder innbefatter et ytterligere trinn ved MCVD-prosessen og tillater nå kun partialresultater. ;Andre metoder er basert på eliminering av undertrykningen ved brytningsindeksprofilen ved overskuddsdoping av det sist avsatte sjiktet eller ved sammenfall av preformen i eii strøm av kun dopemiddel. ;Nevnte metoder, gir imidlertid en del problemer med hensyn til reprodu-serbarheten og også for dem er kun partielle resultater tilveiebragt. ;Faktum er at de er kun effektive i løpet av "presammenfallings"-trinnet, dvs. når preformens indre diameter blir termisk gradvis redusert. ;Opptil nå har ingen intervensjon blitt tilveiebragt ved den siste sammenfallingssyklusen, ved hvilken det indre hulrommet blir fullstendig eliminert for å la preformen anta den endelige stangform. ;Så snart preformen er lukket, kan ikke gasstrømmene bli opprettholdt inne i, følgelig går en stor del av dopemiddelet mot preformens indre overflate, som fremdeles er fri og fordamper avhengig av dets damptrykk ved sammenfallingstemperaturen. ;Ulempene ovenfor blir overvunnet ved metoden tilveiebragt ved foreliggende oppfinnelse som tillater eliminering av brytningsindeksprofil-undertrykkelsen ved MCVD-fremstilte preformer og krever hverken ytterligere anordninger eller ytterligere langvarige faser i løpet av preformproduksjonen. ;Ovenfornevnte blir tilveiebragt ved hjelp av en fremgangsmåte av den innledningsvis nevnte art hvis karakteristiske trekk fremgår av krav 1. Ytterligere trekk ved oppfinnelsen fremgår av underkravene. ;Ovenfor nevnte og ytterligere trekk ved oppfinnelsen skal beskrives nærmere ved hjelp av en foretrukket utførelse, gitt ved hjelp av et eksempel og som ikke er ment som noen begrensning og som er vist med henvisning til tegningen, som viser en delvis sammenfallen optisk fiberpreform. ;Fremgangsmåten tilveiebragt ved hjelp av foreliggende oppfinnelse løser ovenfor nevnte problemer som bevirker tilstedeværelsen av en dopemid-deldamp inne i røret ved et trykk lik damptrykket til dopemiddelet inkorporert i matrisen ved sammenfallingstemperaturen. ;En perfekt balanse blir således tilveiebragt mellom dopemiddelet drevet ut fra matrisen på grunn av fordampningen og den som er reinkorporert ved adsorpsjon, selv når siste sammenfallingssyklusen blir utført i fravær av strømmen. ;Det nødvendige trykket blir tilveiebragt inne i bærerrøret betegnet med 1 på figuren, som bevirker at et dopemiddelsjikt 2 fordamper i løpet av sammenfallingstrinnet, hvis sjikt er blitt tidligere avsatt som et oksyd (GeC>2, P2O5) På det innerste sajiktet med dopet silisiumoksyd og som ikke er blitt inkorporert i selve matrisen 3. ;På denne måten er trykkdannelseseffekten utelukkende lokal, da den finner sted i sonen til kollaps-menisken, innbefattet på figuren mellom to vertikalt stiplede linjer 4, 5. Avsetningen på nytt av dopemiddel, fordampet ved høytemperatursonen, finner derimot sted oppstrøms av menisken. ;Følgelig kan en mulig ulempe oppstå dersom startmassekonsentrasjonen av dopemiddelsjiktet er konstant langs rørets akse. I løpet av sammenfallingstrinnet blir i virkeligheten konsentrasjonen lik summen av startkon-sentrasjonen og konsentrasjoner på grunn av fordampning-påny-avsetning, hvilken sum er representert av en divergerende funksjon. Tendensen ville følgelig være mot akkumulering av dopemiddel i løpet av aksialomsetningen av menisksonen opptil forskyvningen av fordampning/adsorpsjonslikevekt-økningen mer mot adsorpsjon, selv ved tendensen mot inkorporeringen av kun dopemiddel i preformen. ;For å holde et jevnt dopemiddelsjikt i løpet av sammenfallingstrinnet må et6 startdopemiddelsjikt bli avsatt med en egnet variasjon av massekon-sentrasjonen langs preformaksen. For å tilveiebringe slik variasjon må startbetingelsene (massekvantitet som ved fordampningen genererer et innvendig trykk for dampen lik trykket til dopemiddelet ved den temperaturen) og loven for fordampning og påny-avsetning bestemmes. ;Så snart reavsetningsfunksjonen er kjent, kan den preventive aksiale avsetningen bli bestemt ved at summen mellom de to funksjoner blir holdt konstant ved hvert punkt av preformens akse. De to funksjonene må være komplementære. ;For å tilveiebringe den aksiale avsetningsfunksjonen må dopemiddelavset-ningsregelen ved en reaktantstrøm være kjent. ;En del av den fordampede massen blir direkte reavsatt oppstrøms av menisksonen ifølge samme lov og en del entrer menisksonen med bidrag til damptrykket nødvendig for å motbalansere dopemiddeldiffusjonen inne i preformen. Den andre dopemiddeldelen er reavsatt etter en refleksjon frembragt ved menisken og blir tillagt den første delen ifølge en annen lov som også kan avhenge av geometrien på menisksonen. ;Funksjonen som uttrykker variasjonen av dopemiddeltykkelsen langs preformaksen z, før sammenfallingen, er betegnet med hg(z). ;Ved tilnærming av fokuseringsrefleksjonen har den følgende uttrykk: ;;z er avstanden mellom seksjon 4 og 5 på fig. 1. ;hg er startdopemiddeltykkelsen ;D er den interne preformdiameteren før sammenfallet ;er vinkelen innbefattet mellom en indre diameter til preformens ytre sirkulære tverrsnitt og en korde med ytterpunkt felles med diameteren. ;Massestørrelsen m<*> nødvendig for å generere et trykknivå for kompen-sering for dopemiddeldamptrykket er gitt av ligningen:
hvor
p er dopemiddeldamptrykket ved sammenfalltilstanden,
V er meniskvolumet innbefattet mellom de prikkede vertikale
linjene 4 og 5,
T er den absolutte temperaturen ved sammenfallstilstanden,
M er dopemiddelets molare masse.
For å kompensere for dopemiddeldamptrykket i løpet av hele sammenfalls-prosessen må følgende forhold bli tilfredsstillet:
hvor:
z er avstanden mellom seksjonen 4 og 5 på fig. 1, dvs. menisk-
høyden
p er avsatt dopemiddeldensitet.
Sjiktet kan være praktisk talt fullført etter bestemmingen av trenden på dets tykkelse.
Dopemiddelbak-diffusjonsrisikoer kan bli unngått ved avsetning av sjiktet i ikke tett kontakt med preform-materialet, det kan bli tilveiebragt ved fullførelse av et sjikt av porøst kolloidalt dopemiddelavsetning ved lav temperatur.
Avsetningsprosessen kan bli tilveiebragt på to forskjellige måter.
Ved den første metode varieres reaktantstrømmen fra hvilken dopemiddelet blir kontinuerlig frembragt ved synteser ifølge funksjonen hg(z) i løpet av ovnaksialbevegelsen. Ovnen, vanligvis anvendt for MCVD-prosessen, er nå benyttet ved lavere temperatur, lavere i forhold til matrise-glødetemperaturen Inn = 13; n = viskositet, for å tilveiebringe det porøse sjiktet.
Ved en annen metode er ovnsoversettelseshastigheten kontinuerlig variert i samsvar med funksjonen hg(z).
Så snart dopemiddelsjiktavsetningen er over, kan det siste sammenfallingstrinnet bli utført som tilveiebringer total lukking av preformens indre hulrom, som starter fra enden med en sjikttykkelse lik hg.
Claims (4)
1.
Fremgangsmåte for å eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre tilveiebrakt ved en prosess ved hvilken preformen er fremstilt ved avsetning av råmaterialet og dopemiddel inne i et bærerrør,
hvor det inne i røret (1) genereres en damp av dopemiddel ved preformens sammenfallstemperatur, idet dopemidlet er av samme type som anvendt for fremstilling av preformen,
karakterisert ved at dopemiddeldampen tilveiebringes ved å varme opp et sjikt med dopemiddel (2) avsatt inne i preformen på det innerste sjiktet med avsatt råmateriale, og at sjiktet med dopemiddel gies en tykkelsesvariasjon langs aksen (z) til bærerrøret gitt av følgende funksjon liø(z):
hvor:
hg er tykkelsen på dopemidlet som tillater kompensasjon for damp
trykket
z er meniskhøyden
D er den indre diameteren til preformen før sammenfallingen
p er avsatt dopemiddelsdensitet
er vinkelen innbefattet mellom en indre diameter til preformens
sirkulære tverrsnitt og en korde med ytterpunkt felles med diameteren,
hvor: p er dopemiddeldamptrykket i sammenfallstilstanden V er meniskvolumet T er absolutt temperatur i sammenfallstiltanden M er dopemiddelets molare masse.
2.
Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert ved at sjiktet (2) fremstilles av kolloidalt dopemiddel med en porøs struktur, avsatt ved lav temperatur etter avsetning av råmaterialet inne i preformen.
3.
Fremgangsmåte ifølge krav 1-2, karakterisert ved at dopemiddelsjiktet realiseres ved kontinuerlig å endre, ifølge funksjonen hg(z), strømmen med reaktanter i damptilstand, fra hvilken dopemiddelet vil bli tilveiebragt ved syntese.
4.
Fremgangsmåte ifølge krav 4, karakterisert ved at dopemiddelsjiktet realiseres ved kontinuerlig endring, ifølge funksjonen hø(z), av overføringshastigheten ved å assistere syntesereaksjonen blant reaktanter i dampfase, fra hvilket dopemiddelet blir tilveiebragt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT68476/82A IT1157146B (it) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | Metodo per la compensazione del profilo di indice di rifrazione di fibre ottiche |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO834524L NO834524L (no) | 1984-06-18 |
NO155862B true NO155862B (no) | 1987-03-02 |
NO155862C NO155862C (no) | 1987-06-10 |
Family
ID=11309531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO834524A NO155862C (no) | 1982-12-16 | 1983-12-08 | Fremgangsmaate for aa eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4921516A (no) |
EP (1) | EP0111901B1 (no) |
JP (1) | JPS59111940A (no) |
AT (1) | ATE23323T1 (no) |
BR (1) | BR8306623A (no) |
CA (1) | CA1246875A (no) |
DE (2) | DE111901T1 (no) |
DK (1) | DK583183A (no) |
ES (1) | ES527888A0 (no) |
IT (1) | IT1157146B (no) |
NO (1) | NO155862C (no) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0662311B2 (ja) * | 1988-12-07 | 1994-08-17 | シツプ‐ソシエタ・イタリアーナ・ペル・レセルチツイオ・デル・テレコミニカイオーニ・ピー・アー | シリカを基材としたファイバープリフォームのコアをドープする方法 |
EP0443781A1 (en) * | 1990-02-23 | 1991-08-28 | AT&T Corp. | Method for doping optical fibers |
AU657845B2 (en) * | 1992-03-17 | 1995-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing glass thin film |
US5522003A (en) | 1993-03-02 | 1996-05-28 | Ward; Robert M. | Glass preform with deep radial gradient layer and method of manufacturing same |
KR100624247B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-09-19 | 엘에스전선 주식회사 | 고속 근거리 전송망을 위한 다중모드 광섬유 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2463016C2 (de) * | 1973-08-21 | 1982-05-06 | International Standard Electric Corp., 10022 New York, N.Y. | Verfahren zur Herstellung eines Glasfaser-Lichtleiters |
US3961926A (en) * | 1974-12-27 | 1976-06-08 | International Telephone And Telegraph Corporation | Preparation of germania cores in optical fibers |
JPS53108445A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-21 | Fujitsu Ltd | Preparation of glass for optical transmission wire |
FR2410832A1 (fr) * | 1977-11-30 | 1979-06-29 | Comp Generale Electricite | Procede de realisation d'une fibre optique |
JPS5678804A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-29 | Fujitsu Ltd | Focusing optical fiber and its production |
IT1130481B (it) * | 1980-06-16 | 1986-06-11 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la riduzione del contenuto di gruppi ossidrili in preforme per fibre ottiche realizzate secondo il metodo mcvd |
US4304581A (en) * | 1980-08-07 | 1981-12-08 | Western Electric Co., Inc. | Lightguide preform fabrication |
DE3206144A1 (de) * | 1982-02-20 | 1983-09-01 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung eines lichtwellenleiters |
JPS6447136A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Satellite communication system |
-
1982
- 1982-12-16 IT IT68476/82A patent/IT1157146B/it active
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224552A patent/JPS59111940A/ja active Granted
- 1983-12-02 CA CA000442466A patent/CA1246875A/en not_active Expired
- 1983-12-02 BR BR8306623A patent/BR8306623A/pt unknown
- 1983-12-07 ES ES527888A patent/ES527888A0/es active Granted
- 1983-12-08 NO NO834524A patent/NO155862C/no unknown
- 1983-12-15 DE DE198383112640T patent/DE111901T1/de active Pending
- 1983-12-15 EP EP83112640A patent/EP0111901B1/en not_active Expired
- 1983-12-15 DE DE8383112640T patent/DE3367379D1/de not_active Expired
- 1983-12-15 AT AT83112640T patent/ATE23323T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-12-16 DK DK583183A patent/DK583183A/da not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-06-13 US US06/744,651 patent/US4921516A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0111901B1 (en) | 1986-11-05 |
DE3367379D1 (en) | 1986-12-11 |
IT1157146B (it) | 1987-02-11 |
US4921516A (en) | 1990-05-01 |
NO155862C (no) | 1987-06-10 |
DE111901T1 (de) | 1984-12-06 |
CA1246875A (en) | 1988-12-20 |
ES8500193A1 (es) | 1984-10-01 |
EP0111901A1 (en) | 1984-06-27 |
BR8306623A (pt) | 1984-07-31 |
IT8268476A0 (it) | 1982-12-16 |
JPS624332B2 (no) | 1987-01-29 |
ATE23323T1 (de) | 1986-11-15 |
NO834524L (no) | 1984-06-18 |
JPS59111940A (ja) | 1984-06-28 |
DK583183D0 (da) | 1983-12-16 |
ES527888A0 (es) | 1984-10-01 |
DK583183A (da) | 1984-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9459400B2 (en) | Multimode optical fibre | |
CA1259785A (en) | Method for manufacturing a preform for drawing optical fibres | |
US4636236A (en) | Method for producing a preform for drawing optical fibers | |
US4314833A (en) | Method of producing optical fibers | |
US3932162A (en) | Method of making glass optical waveguide | |
DK152631B (da) | Praeform, hvoraf der kan fremstilles et optisk filament med hoej baandbredde og indeksgradient, samt fremgangsmaade til dannelse af en saadan praeform. | |
US4415230A (en) | Polarization retaining single-mode optical waveguide | |
NO792483L (no) | Optisk boelgeleder med stor baandbredde samt fremstillingsmaate for samme | |
US4846867A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
US4360371A (en) | Method of making polarization retaining single-mode optical waveguide | |
NO164139B (no) | Optisk polarisasjonsbevarende fiber av enkeltboelgetypen samt fremgangsmaate for fremstilling av et utgangsemne til optisk fiber. | |
US4358181A (en) | Gradient index optical waveguide and method of making | |
US4675038A (en) | Glass fibres and optical communication | |
US4500168A (en) | Single polarization optical fibers | |
US5048923A (en) | Image fiber, image fiber preform, and manufacturing processes thereof | |
US4326869A (en) | Method of producing optical waveguide | |
US4597787A (en) | Manufacture of optical fibre preforms | |
US4351658A (en) | Manufacture of optical fibers | |
CN112051640A (zh) | 超低损耗g.654e光纤及其制作方法 | |
JP2004505000A (ja) | 単一モード光ファイバーおよび単一モード光ファイバーの製造法 | |
NO155862B (no) | Fremgangsmaate for aa eliminere den aksiale brytningsindeksnedsettingen ved optiske fibre. | |
US4747663A (en) | Monomode quartz glass light waveguide and method for producing it | |
US4715875A (en) | Manufacture of optical fibre preforms | |
GB1596088A (en) | Method of making glass articles | |
US11161767B2 (en) | Viscocity-reducing dopants in optical fibers |