NO146133B - Fremgangsmaate for fremstilling av slipemiddelkorn - Google Patents

Fremgangsmaate for fremstilling av slipemiddelkorn Download PDF

Info

Publication number
NO146133B
NO146133B NO783560A NO783560A NO146133B NO 146133 B NO146133 B NO 146133B NO 783560 A NO783560 A NO 783560A NO 783560 A NO783560 A NO 783560A NO 146133 B NO146133 B NO 146133B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
circuit
pulse
potential
collector
voltage
Prior art date
Application number
NO783560A
Other languages
English (en)
Other versions
NO146133C (no
NO783560L (no
Inventor
Loring Coes Jr
Original Assignee
Norton Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Norton Co filed Critical Norton Co
Publication of NO783560L publication Critical patent/NO783560L/no
Publication of NO146133B publication Critical patent/NO146133B/no
Publication of NO146133C publication Critical patent/NO146133C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/653Processes involving a melting step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • C09K3/1427Abrasive particles per se obtained by division of a mass agglomerated by melting, at least partially, e.g. with a binder

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Description

Anordning for sammenligning av to elektriske spenninger.
Foreliggende oppfinnelse angår anordninger
for sammenligning av to spenninger for derved å bestemme, på et hvilket som helst gitt tidspunkt, hvilken av de to spenninger er størst, og elektriske apparater hvor slike spennings-sam-menligningsanordninger er anvendt.
Den elektriske spenningssammenligningsanordning i henhold til foreliggende oppfinnelse er av den art som omfatter to like transistorer, forsynt med en passende felles kollektorforspenning og hvis emittere er forbundet med en spenningskilde over en felles belastningsmotstand, og det særegne består i at det for hver transistor er anordnet en tilbakekoblingstransformator for positiv spenningstilbakekobling fra kollektor-kretsen til emitterkretsen slik at en hvilken som helst endring i kollektorstrømmen aksellereres, idet de to tilbakekoblingstransformatorer har hver sin utgangsvikling for frembringelse av et! utgangssignal når kollektorkretsstrømmen i vedkommende transistor varierer, en inngangskretsanordning for å påtrykke de to spenninger som skal sammenlignes på basis i de respektive transistorer, idet disse spenninger- er begrenset til slike verdier som opprettholder transistorens ikke-ledende hviletilstand, og en hjelpekrets be-stående av en diode, sekundærviklingen i en pulstransformator og en forspenningskilde i seriekobling hvor diodens anode ;er forbundet med koblingspunktet mellom den-felles emitterbe-lastningsmotstanden og de to emitterkretsene, idet pulstransformatoren påtrykkes rektangulære spenningspulser som i korte tidsperioder forskyver potensialet i dette koblingspunkt så meget at den transistor hvis basispotensial ligger nærmest emitternes felles hvilepotensial, gjøres ledende .under disse perioder, mens den annen forblirnij-en ikke-ledende tilstand, Anj^dningen i henhold til oppfinnelsen kan eksempelvis brukes,for påvisning av hyoryidt en spenningspuls foreligger i en innkommende puls-rekke, idet den da også omfatter en bistabil elektrisk innretning for frembringelse av «sanne» og «komplementære» utgangssignaler i avhengighet av tilsvarende signaler som påtrykkes «innstil-lings»- og «tilbakestillings»inngangskretser fra de respektive utgangskretser i tilbakekoblings-transformatorene, idet inngangspulsrekken påtrykkes basis i en av de to transistorer, mens basis i den annen påtrykkes et fast potensial som er lavere enn topp-potensialet for inngangspul-sene, og inngangspulsrekken synkroniserer de avgitte rektangulære spenningspulser fra en pulsgenerator som er tilkoblet hjelpekretsens pulstransformator, slik at hjelpekretsen tilføres pulser som er forsinket et forut bestemt tidsintervall i forhold til de tidspunkter da en inngangspuls kan ventes.
Anordningen kan også brukes for kontroll av en transistors elektriske virkning av karakteri-stikker, idet den da i tillegg omfatter en bistabil elektrisk innretning for frembringelse av sanne og komplementære utgangssignaler i avhengighet av tilsvarende, påtrykte signaler, på «inn-stillings»- og «tilbakéstillings»-inngangskretséne fra de respektive utgangskretser i de to tilbakekoblingstransformatorer, en pulsgenerator for å avgi strømpulser til emitter-kollektor-kretsen i den transistor som undersøkes, regulerbare anordninger for styring av basis-strømmen i denne transistor, idet basisemitterkretsen i en av de to transistorer i sammenligningsanordningen påtrykkes potensial-forskjellen mellom emitter og kollektor i den transistor som undersøkes, mens et justerbart basis-emitterpotensial for den annen av de to transistorer frembringes ved hjelp av en regulerbar forspenningsanordning. Pulsene til hjelpekretsen tilføres via en regulerbar forspenningsanordning. Pulsene til hjelpekretsen tilføres via en regulerbar forsinkelsesahordning, og er synkrone med de pulser som påtrykkes transistoren som prøves.
Nedenfor skal det, som eksempel, og med henvisning til vedføyde tegninger, beskrives en spenningssammenligningsanordning i henhold til foreliggende oppfinnelse, og tre forskjellige elektriske apparater som omfatter en slik spenningssammenligningsanordning.
' Fig. 1 viser et strømkretsdiagram for en spenningssammenligningsanordning i henhold til oppfinnelsen.
Fig. 2 viser et strømkretsdiagram for et elektrisk apparat for frembringelse av et første eller annet elektrisk utgangssignal som er avhengig av nærvær eller fravær, på et hvilket som helst gitt tidspunkt, av en inngangsspenningspuls. Fig. 3 viser tidsforholdet mellom to pulser i et elektrisk apparat for utlesning av innholdet av en lagringsahordning med ferritkjerner. Fig. 4 viser et strømkretsdiagram for et elektrisk apparat for bestemmelse av verdien av met-ningsstrømforsterkningen for en transistor.
Den spenningssammenligningsanordning som er vist i fig. i, omfatter to like p-n-p-typer transistorer 13, 14 hvis emitter-kolléktorkretser 11, 12 er forbundet i parallell med hverandre og deler en felles emitterbelastningsmotstand 10. I forbindelse med de to transistorer er det anordnet tilbakekoblingstransformatorer 17, 18 for positiv tilbakekobling av spenning fra kollektor-kretsene til emitterkretsene i de t<q> transistorer hvorved en hvilken | som helst forandring i kol-lektorstrømmene ij transistorene" aksellereres. Tilbakekoblingstransformat<p>rene omfatter i tillegg til primærviklinger 15, 16 i kollektorkret-sene i transistorenej og sekundæryiklinger 20, 22 i emitterkretsene, også utgangsviklinger 19, 21 for frembringelse av utgangsspenningssignaler når kollektorstrømmene i transistorene forand-rer verdi.
En hjelpekrets 23, som ved den ene ende er tilsluttet forbindelséspunktet mellom emitter be-lastningsmotstanden 10 og de paralielle emitter-kollektor-kretser li] og 12, omfatter en sekun-dærvikling 24 i pulstransformator 25 og en diode 26, hvor dioden er |tilsluttet nær dette forbin-delsespunkt og vendt i en slik retning at strøm ikke kan flyte fra hjelpekretsen til forbindelséspunktet.
For at kretsen skal virke på den ønskede måte, er en endeklemme 27 nær motstanden 10 koblet til et + 5 volts uttak på en likestrømkilde, en endeklemme 28 jnær den motsatte ende av emitter-kollektor-kretsene forbundet med et
—10 volts uttak på likestrømkilden, og en endeklemme 29 på hjelpekretsen 23 forbundet med ét — 2 volts uttak på likestrømskilden. Det negative potensial som påtrykkes denne endeklemme 29 er slik valgt at det b'are såvidt overstiger størrel-sen av de spenninger som skal sammenlignes, idet disse spenninger påtrykkes negativt på' basiskretsendeklemmene 30 og 31 på transistorene. For å begrense j de spenninger som opptrer over primærviklingene i tilbakekoblingstransfor-matorene, er kollektorene på transistorene koblet til det nevnte — 2 volts uttak på likestrømskil-den gjennom dioderj 32 og 33. Under drift vil (det, når ikke noe signal påtrykkes primærviklingen 34 i pulstransformatoren 25, flyte en strøm mellom endeklemmene 27 og 29 gjennom motstanden 10 og hjelpekretsen 23. Under disse forhold vil spenningsfallet i hjelpekretsen 23 være meget litet, slik at potensialet på emitterenej i de to transistorer er meget nær det for — 2 volts uttaket, og potensialet på disse emittere er derfor negativt i forhold til potensialet på transistorbasiskretsene. Da basis-kretsene i transistorene således har positivt potensial i forhold til de respektive emittere, vil det ikke flyte noen strøm i noen av dé parallelle kretser 11 og 12, og ingen utgangsspehning vil opptre på endeklemmene på hoen åv utgahgs-viklingehe 19 og 21 !i tilbakekoblingstransforma-torené'.
For å bestemme hvilken er den største av de spenninger som for, øyeblikket påtrykkes basiskretsendeklemmene! 30 og 31, blir en spenningspuls påtrykket primærviklingen 34 i pulstraris-formåtoren 25 med en slik polaritet at strømmen i hjelpekretsen reduseres og derved potensialet økes i f orbindelses-jpunktetr mellom hj elpekret-sen og de parallellel kretser, slik at det potensial som påtrykkes emitterene i transistorene, økes.
Så snar-t emitterpotensialet overstiger potensialet for den basiskrets som har det største negative potensial,] vil det begynne å flyte i
I
strømmer i den tilsvarende transistor. Emitter-strømmen gjennom belastningsmotstand 10 hin-drer da enhver ytterligere økning av potensialet i forbindelsespuhktet, idet dioden 26 gjøres ikke-ledende på grunn av at den spenningspuls som utvikles i sekundærviklingen 24 i pulstransformatoren, driver potensialet på katoden i dioden mer positivt enn'anodepotensialet. Da den positive forandring i potensialet i forbindelsespunk-tet opphører så snart transistoren med det mer negative basispotensial begynner å lede, vil ten-densen for den annen transistor til å lede, være meget redusert. Denne annen transistor blir ytterligere hindret fra å lede ved induksjon av en aksellererende elektromotorisk kraft i sekundærviklingen i den tilbakekobiingstransf ormator som tilhører den ledende transistor. Denne aksellererende spenning virker på en slik måte at den øker emitterpptensialet i den for øyebiikket ledende transistor, <p>g reduserer emitterpptensialet i den annen transistor.
Jo større stigningsgraden for kpllektprstrøniy men er, jp større er den elektrpmotpriske kraft spm induseres i tilbakekoblingsyiklingen for ytterligere økning av emitterpptensialet <p>g kollek-torstrømmen. Når således koliektorstrøm er ber gynt å flyte i en h<y>iiken som helst av de to transistorer, vil oppbygningen av denne strøm fortsette med meget stor hastighet <p>g en ut-gangsspenning blir derfor indusert i utgangsviklingen 19 eller 21 i den tilhørende tilbakekobiingstransf ormator. Nærvær av utgangsspen-ning vil således indikere at den spenning som påtrykkes basisen i den tilhørende transistor, er den største av de to basiskrets-spenninger.
Denne virkning vil fortsette så lenge det fremdeles er en tilstrekkelig koliektorstrøm som åksellerérer. spenninger i emitterkretsen og kollektorkretsen i den ledende transistor. Med hen-blikk på dette, avsluttes den spenningspuls som påtrykkes primærviklingen 34 i pulstransformatoren 25, før kollektorstrømmen når den norma-le, konstante verdi, gitt av det potensial som påtrykkes mellom" endeklemmene 27 og 29, dvs. tør de aksellererende spenninger er forsvunnet. Ved opphør av den spenningspuls s<p>m påtrykkes primærviklingen 34, vil kretsen fØres til-bake til sin tidligere hyiletilstand, hvor strøm-men flyter gjennom emitter-belastningsmptstan-den 10 til hjelpekretsen 23, og ingen av transistorene er ledende.
De t<q> spenninger som skal sammenlignes ved endeklemmene 30 og 31, må alltid være mer positive enn det potensial som påtrykkes endeklemmene 29 i hjelpekretsen 23, da det ellers vil flyte strømmer i transistorene 13 og 14 selv om det ikke er til stede noen spenningspuls i hjelpekretsen.
Selv om de spenninger som skal sammenlignes ved endeklemmene 30 og 31 har vært negative i den ovenfor gitte beskrivelse, kan de være positive, eller den ene kan være positiv og den annen negativ, forutsatt at de ligger innenfor et område hvis nedre grense er det negative potensial som påtrykkes ' endeklemmen 29, og hvis øyre grense er det maksimale potensial på katoden på dioden 26 når en spenningspuls påtrykkes pulstransformatoren 25. Uavhengig " av polariteten av spenningene, vil strømkretsen virke på en slik måte at den transistor som har det mest negative basispotensial, vil lede for å bevirke et utgangssignal' i utgangsviklingen i den tilhørende tilbakekoblingstransformator.
Den strømkretsanordning som er beskrevet ovenfor, vil ved påtrykking av en spenningspuls på pulstransformatoren, anvise med stor nøyak-tighet, hvilken er størst av de to spenninger, som påtrykkes basiskrets-endeklemmene 30 henhv. 31, selv når det bare er små forskjeller mellom disse to spenninger. Transistorene 13 og 14 kan være av n-p-n-typen, forutsatt at det foretas tilsvarende vending- av de potensialene som påtrykkes strømkretsen.
Det elektriske apparat som er vist i fig. 2, omfatter en spenningssammenligningsanordning som beskrevet ovenfor under henvisning til fig. 1, idet denne sammenligningsanordning repre-senteres av rektanglet 35, hvor det er vist utgangsviklinger 19 og 2i for tilbakekoblingstransformatoren 25 og basiskretsendeklemmene 30 og 31.
En bistabil innretning 36 med en «sann» og «komplementær» utgangskrets 37 henhv. 38 har en «innstillings»-inhgangskrets 39 forbundet med utgangsviklingen på transformatoren 17 og en «tilbakestillings»-inngangskrets 40, forbundet med utgangsviklingen 21 på transformatoren 18. Den bistabile innretning 36 frembringer et «sant» utgangssignal ved strømkretsen 37 ved energisering av kretsen 39 ved hjelp av transformatoren 17 og dette «sanne» utgangssignal vedvarer inntil kretsen 40 deretter' energiseres ved hjelp av transformatoren 18. Ved energisering av kretsen 40, vil et «komplementært» utgangssignal frembringes ved en strømkrets 38 og dette «komplementære» utgangssignal vedvarer inntil kretsen 39 deretter energiseres.
Én spenhingspulsgenerator 41 hvis utgangs-pulser skal påvises, har en utgangskrets koblet til basiskretséndeklemmen 30.' Ved fråvær av utgangspuls, holdes endeklemmen" 30 på et potensial som er lik 0-potensial-uttaket for den foran nevnte energikilde for spenningssammen-ligningsanordningén 30, men når pulsgeneratoren frembringer én utgangspuls vil basisklem-men 30 kortvarig drives negativt i forhold til 0-potensialet.
En pulsgenerator 42 er innrettet til med en forut bestemt frekvens å trykke spenningspulser på primærviklingen 34 i pulstransformatoren 25, med den polaritet som kreves for at sammenligningsanordningen 35 skal virke slik som beskrevet. Pulsgeneratoren 42 styres i synkronis-me med pulsgeneratoren 41 på en slik måte at pulsene i generatoren blir forsinket noen få miili-mikro-sekunder i forhold til de øyeblikk hvor pulsgeneratoren 41 kan ventes å frembringe utgarigspulser.
Basiskretséndeklemmen 31 i spenningssammenligningsanordningen er forbundet med et egnet negativt potensialuttak på den foran nevnte energikilde for spehningssammenligningsan-ordningen 35, idet dette negative potensial er omtrent halvparten av toppotensialet på de pulser som skål påvises på basiskretséndeklemmen 30.
Som det lett vil forstås, virker apparatet slik at det, hver gang pulsgeneratoren 42 frembringer en utgangspuls, vil påvises hvilken av transistorene 13 eller 14 i spenningssammenligningsanordningen har det mest negative basis-potensial. Hvis det ikke foreligger noen spenningspuls på basiskretséndeklemmen 30, når pulsgeneratoren fører en puls til transformatoren 25, vil transistoren 14 lede, og et inngangssignal påtrykkes tilbakestillingskretsen 40 i den bistabile innretning 36, slik at et utgangssignal kan frembringes henhv. opprettholdes, i den «komplementære» utgangskrets 38.
Hvis det derimot foreligger en spenningspuls på basiskretséndeklemmen 30 når generatoren 42 frembringer en puls, vil transistoren 13 lede, slik at et inngangssignal påtrykkes innstillings-kretsen 39 i den bistabile innretning 36, og et utgangssignal blir frembragt henhv. opprettholdt i den «sanne» utgangskrets 37.
Dette apparat frembringer således et «sant» utgangssignal sålenge spenningspulser fortsetter å påtrykkes basiskretséndeklemmen 30 og et «komplementært» utgangssignal når det ikke er noen spenningspuls til stede på endeklemmen 30. Det apparat som er beskrevet ovenfor under henvisning til fig. 2, kan således benyttes for utlesning av innholdet av en ferritkjernelag-ringsinnretning, idet pulsgeneratoren 41 i et slikt tilfelle utgjøres av en utlesningskrets i lagringsinnretningen.
Ved utlesning av «0» fra lagringsinnretningen blir det ikke frembragt noen puls i utlesningskretsen, slik at når en puls påtrykkes pulstransformatoren 25, vil et utgangssignal påtrykkes tilbakestillingskretsen 40 i den bistabile innretning 36 som derved frembringer henhv. vedlikeholder et utgangssignal i den komplementære utgangskrets 38. Ved utlesning av en «ener» fra lagringsinnretningen, vil det derimot frembringes en puls i utlesningskretsen, slik at et innstillihgssignal påtrykkes den bistabile innretning og denne derved frembringer henhv. vedlikeholder et «sant» utgangssignal i utgangskretsen 37.
I dette utlesningsapparat bringes pulsgeneratoren 42 til å forsinke sine pulser tilstrekkelig i forhold til pulsene fra utlesningskretsen, til å bevirke at sammenligningsanordningen 35 virker øyeblikkelig når hver utlesningspuls er steget omtrent til sin toppverdi. Dette er muliggjort ved den meget korte tid spenningssammenligningsanordningen trenger for å samenligne de to basispotensialer og å frembringe et utgangssignal i en av de to viklinger 19 eller 21 hver gang en puls påtrykkes pulstransformatoren 25. På grunn av denne meget raske virkning blir sammenligning av basis-spenningene faktisk utført på et meget nøyaktig tidspunkt. Det er således ikke nødvendig at generatorpulsene faller full-stendig innenfor utlesningspulsene, og lengden av generatorpulsene er ikke viktig. Derved kan det benyttes bredere generatorpulser enn dem som tidligere har vært benyttet i andre utles-ningskretser.
I fig. 3 er den spenningspuls som frembringes av utlesningskretsen 41 vist med den fullt opptrukne linje A, og den tilsvarende generator-puls er vist stiplet ved B. Sammenligningsanordningen 35 sammenligner øyeblikksverdien av ut-lesningspulsen med øyeblikksverdien av den sam-menligningsspenning soml påtrykkes endeklemmen 31, og det vil fremgå at det øyeblikk hvor generatorpulsen begynnerj, og dermed det øyeblikk hvor spenningssammenligningen utføres, kan varieres innenfor forholdsvis vide grenser uten merkbar minskning av verdien av den ut-lesningsspenning som påtrykkes endeklemmen 30 i sammenligningsøyeblikket.
Når utlesningskretsen 41 er slik at den frembringer utlesningspulser med en hvilken som helst polaritet, kan spenningssammenligningsanordningen 35 endres slik at den mottar slike utlesningspulser ved å forbinde en tredje grenkrets i parallell med de to foran nevnte gren-kretser 11 og 12. Denne tredje grenkrets omfatter en transistor og en tilbakekoblingstransformator tilsvarende den som ligger i hver sin av grenkretsene 11 og 12, og er innrettet for å virke på samme måte. Denne tredje tilbakekoblingstransformator har en utgangsvikling som er forbundet med en inngangskrets på en ELLER-port, idet en annen inngangskrets i porten er forbundet med utgangsviklingen 19 på tilbakekoblingstransformatoren 17, og utgangskretsen i porten er forbundet med innstillings-kretsen i den bistabile innretning 36.
Transistoren i denne tredje grenkrets har en basisstyrekrets som reagerer på spenningspulser påtrykket basiskretséndeklemmen 30 og som, i avhengighet av en spenningspuls med negativ polaritet, som vil bringe transistoren 13 til å lede og frembringe et j utgangssignal på vik-lingen 19, bevirker at basisen i denne tredje transistor drives til en positiv verdi slik at denne tredje transistor holdes ikke ledende. Når derimot en spenningspuls med motsatt polaritet påtrykkes endeklemmen 30, vil basisen på transistoren 13 drives positivtj i forhold til emitteren, slik at transistoren 13 holdes ikke ledende og basisen i den tredje transistor blir drevet negativt i forhold til sin emitter, slik at en strøm bringes til å flyte i kollektorkretsen for denne transistor, og således at |det frembringes et utgangssignal i utgangsviklingen for den tredje tilbakekobiingstransf ormatpr.
Som et ytterligere alternativ kan dette end-rede utlesningsapparat j innrettes slik at den tredje transistor virker på samme måte som beskrevet ovenfor, for å frembringe en strøm i tilbakekoblingstransformatoren 17 og ikke i en separat tredje tilbakekobiingstransformator.
I fig. 4 er det vist et apparat for bestemmelse av størrelsen av metningsstrøm-forsterk-ningen i en transistor, og dette apparat omfatter en spenningssammenligningsanordning som beskrevet ovenfor i forbindelse med fig. 1, repre-sentert ved rektanglet 43 hvor det er vist utgangsviklinger 19 og 21 for tilbakekoblingstrans-formatorene 17 og 18, inngangsviklingen 34 for pulstransformatoren 25 jog basiskretsendeklemmene 30 og 31. Utgangsviklingene 19 og 21 er forbundet med «innstillings»- og «tilbakestil-lings»-inngangskretsene 144 og 45 i en bistabil innretning 46, som har «sann» og «komplementær» utgangskrets 47, henhv. 48 for energisering av en anviserlampe 49, henhv. 50.
En transistor 51 hvis metningsstrøm-for-sterkning skal kontrolleres eller bestemmes, er lagt inn i en prøvekrets som omfatter en kol-lektorkrets 52 som inneholder en regulerbar belastningsmotstand 53, og en basiskrets 54 som inneholder en regulerbar motstand 55. Emitteren i prøvetransistoren 51 er forbundet med et nullpotensial-uttak på den likestrømskilde som hører til spenningssammenligningsanordningen 43, basiskretsen 54 er forbundet med et passende negativt potensialuttak på den samme likestrøm-kilde, og kollektorkretsen 52 er forbundet med utgangskretsen for en pulsgenerator 56 som er innrettet til å avgi negative spenningspulser med en forut bestemt frekvens. Utgangspulsene fra generatoren blir også ført gjennom en regulerbar forsinkelsesinnretning 57 til primærviklingen 34 i pulstransformatoren 25, idet forsinkelsesinnretningen lett kan innstilles for å regulere forsinkelsen av de pulser som påtrykkes pulstransformatoren 25 i forhold til de pulser som påtrykkes kollektorkretsen 52. Forsinkelsesinnretningen har et styreområde som tillater ube-grenset variasjon av det øyeblikk når hvilken som helst gitt puls skal påtrykkes pulstransformatoren 25 innenfor hele den periode hvor den samme puls påtrykkes kollektorkretsen 52 i prøvetransistoren.
Basiskrets-endeklemmen 31 er forbundet med en regulerbar spenningskilde 58 med en potensialpolaritet som gjør basisen på transistoren 14 negativ i forhold til nullpotensialuttaket på likestrømskilden.
Det skal nå beskrives hvorledes en transistor kan prøves for å kontrollere at den tilfredsstiller de spesielle fordringer som er stillet til den.
Den strøm som flyter i basiskretsen 54 i prøvetransistoren, blir først innstilt på en forut bestemt prøveverdi ved regulering av motstanden 55, og størrelsen av de rektangulære strømpulser som avgis av pulsgeneratoren 56 til kollektor-kretsen 52 for prøvetransistoren, blir innstilt ved hjelp av den regulerbare motstand 53 på en for-utbestemt prøveverdi som tilsvarer den valgte prøveverdi for basiskretsstrømmen. Det negative referansepotensial som påtrykkes endeklemmen 31 i spenningssammenligningsanordningen 43, blir så innstilt ved regulering av kilden 58 til en negativ verdi lik den maksimale tillatte verdi for kollektorpotensialet for de spesielle valgte prøvebetingelser.
For så å undersøke virkningen av prøve-transistoren under disse prøvebetingelser, blir forsinkelsesinnretningen 57 regulert for progres-sivt å forsinke de spenningspulser som påtrykkes pulstransformatoren 25 i spenningssammenligningsanordningen, i forhold til strømpulsene i kollektorkretsen 52, idet forsinkelsen økes grad-vis, slik at kollektorpotensialet for prøvetran-sistoren 51 sammenlignes med den referanse-spenning som i på hverandre følgende senere grupper av kollektorstrømpulser påtrykkes endeklemmen 31 i på hverandre følgende senere øyeblikk.
Hvis prøvetransistoren 51 har en metnings-strømforsterkning som er større enn en forut
bestemt verdi som kan ventes fra transistor-type-spesifikasjonen, vil kollektorpotensialet ik-ke bli mer negativt enn det referansepotensial som påtrykkes endeklemmen 31 under hele kol-lektorstrømpulsen, slik at anviserlampen 50 forblir lysende. Hvis derimot metningsstrømfor-sterkningen er mindre enn den forutbestemte ventede verdi, vil kollektoremitterpotensialet sti-ge over metningsverdien under hver kollektor-strømpuls, slik at når den variable forsinkelsesinnretning blir regulert for økning av forsinkelsen, vil kollektorpotensialet i prøvetransisto-ren i noen sammenligningsøyeblikk falle under referansespenningen, og ikke lampen 50, men lampen 49 vil holde seg lysende.
Den faktiske verdi av metningsstrømfor-sterkningen kan således finnes ved å regulere strømmen i basiskretsen 54, og å notere den minimale verdi, hvor kollektorpotensialet for prøvetransistoren ikke faller under det referansepotensial som foreligger på endeklemmen 31 når som helst under en kollektorkrets-strøm-puls.
Den undersøkelsesmetode, som er beskrevet ovenfor, er spesielt egnet for kontroll av transistorer før de monteres i et apparat, for derved å sikre at de tilsvarer en viss minste standard.

Claims (3)

1. Anordning for sammenligning av to elektriske spenninger, med to like transistorer forsynt med en passende felles kollektorforspenning og hvis emittere over en felles belastningsmotstand (10) er forbundet med en spenningskilde, karakterisert ved at det for hver transistor er anordnet en tilbakekoblingstransformator (17, 18) for positiv spenningstilbakekobling fra kollektorkretsen til emitterkretsen, slik at en' hvilken som helst endring i kollektorstrøm-men aksellereres, idet de to tilbakekoblingstransformatorer har hver sin utgangsvikling (19, 21) for frembringelse av et utgangssignal når kol-lektorkrets-strømmen i vedkommende transistor varierer, ved en inngangskretsanordning (30, 31) for å påtrykke de to spenninger som skal sammenlignes på basis i de respektive transistorer, idet disse spenninger er begrenset til slike verdier som opprettholder transistorens ikke-ledende hviletilstand, og ved en hjelpekrets bestå-ende av en diode (26), sekundærviklingen (24) i en pulstransformator (25) og en forspenningskilde (—2V ved klemme 29) i seriekobling, hvor diodens anode er forbundet med koblingspunktet mellom den felles emitter-belastningsmotstand og de to emitterkretsene, idet pulstransformatoren påtrykkes rektangulære spenningspulser som i korte tidsperioder forskyver potensialet i dette koblingspunkt så meget at den transistor hvis basis-potensial ligger nærmest emitternes felles hvilepotensial gjøres ledende under disse perioder mens den annen forblir i ikke ledende tilstand.
2. Anordning som angitt i krav 1, for påvisning av hvorvidt en inngangsspenningspuls foreligger i en inngangsrekke av pulser, karakterisert ved at den også omfatter en bistabil elektrisk innretning (36) for frembringelse av «sanne» og «komplementære» utgangssignaler i avhengighet av tilsvarende signaler som påtrykkes «innstillings»- og «tilbakestillings»-inn-gangskretser (39, 40) fra de respektive utgangskretser i tilbakekobiingstransformatorene (17, 18), idet inngangspuls-rekken påtrykkes basis (30) i en av de to transistorer, mens basis (31) i den annen påtrykkes et fast potensial som er lavere enn topp-potensialet for inngangs-pulsene, og inngangspulsrekken synkroniserer de avgitte rektangulære spenningspulser fra en pulsgenerator (42) som er tilkoblet hj elpekretsens pulstransformator (25), slik at hjelpekretsen til-føres pulser som er forsinket et forut bestemt i tidsintervall i forhold til de tidspunkter da en inngangspuls kan ventesj
3. Anordning som angitt i krav 1 og 2, karakterisert ved atjden omfatter to dioder (32, 33), som ved sine anodeuttak er tilkoblet hver sin transistorkollektor og ved sine katode-uttak med en passende forspenningskilde (—2V), for derved å begrense dej forandringer i kollek-torpotensialene som skyldes endringer i kollek-torstrømmen, til verdier lavere enn differansen mellom kollektorspenningen og den nevnte for-spenningskildens potensial.
NO783560A 1977-10-21 1978-10-20 Fremgangsmaate for fremstilling av slipemiddelkorn NO146133C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/844,221 US4140494A (en) 1977-10-21 1977-10-21 Method for rapid cooling molten alumina abrasives

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO783560L NO783560L (no) 1979-04-24
NO146133B true NO146133B (no) 1982-04-26
NO146133C NO146133C (no) 1982-08-04

Family

ID=25292163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO783560A NO146133C (no) 1977-10-21 1978-10-20 Fremgangsmaate for fremstilling av slipemiddelkorn

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4140494A (no)
JP (1) JPS5481584A (no)
AT (1) AT360362B (no)
BR (1) BR7806943A (no)
CA (1) CA1132314A (no)
DE (1) DE2845839C2 (no)
FR (1) FR2406472A1 (no)
GB (1) GB2007251B (no)
NO (1) NO146133C (no)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3412721A1 (de) * 1984-04-04 1984-11-29 Wolf-Dieter Ing.(grad.) 2910 Westerstede Schlenzig Windsurfsimulator und -trainer
US5788896A (en) * 1997-02-27 1998-08-04 Alberta Research Council Method of producing micron sized sulphur granules
US6592640B1 (en) 2000-02-02 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Fused Al2O3-Y2O3 eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6596041B2 (en) 2000-02-02 2003-07-22 3M Innovative Properties Company Fused AL2O3-MgO-rare earth oxide eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6451077B1 (en) 2000-02-02 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Fused abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6669749B1 (en) 2000-02-02 2003-12-30 3M Innovative Properties Company Fused abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6607570B1 (en) 2000-02-02 2003-08-19 3M Innovative Properties Company Fused Al2O3-rare earth oxide eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US7384438B1 (en) 2000-07-19 2008-06-10 3M Innovative Properties Company Fused Al2O3-Y2O3-ZrO2 eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6666750B1 (en) 2000-07-19 2003-12-23 3M Innovative Properties Company Fused AL2O3-rare earth oxide-ZrO2 eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6458731B1 (en) 2000-07-19 2002-10-01 3M Innovative Properties Company Fused aluminum oxycarbide/nitride-AL2O3.Y2O3 eutectic materials
US6583080B1 (en) 2000-07-19 2003-06-24 3M Innovative Properties Company Fused aluminum oxycarbide/nitride-Al2O3·rare earth oxide eutectic materials
US6454822B1 (en) 2000-07-19 2002-09-24 3M Innovative Properties Company Fused aluminum oxycarbide/nitride-Al2O3·Y2O3 eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
US6582488B1 (en) 2000-07-19 2003-06-24 3M Innovative Properties Company Fused Al2O3-rare earth oxide-ZrO2 eutectic materials
US6589305B1 (en) 2000-07-19 2003-07-08 3M Innovative Properties Company Fused aluminum oxycarbide/nitride-Al2O3 • rare earth oxide eutectic abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same
CA2454068A1 (en) 2001-08-02 2003-02-13 3M Innovative Properties Company Al2o3-rare earth oxide-zro2/hfo2 materials, and methods of making and using the same
EP1483351A2 (en) * 2001-08-02 2004-12-08 3M Innovative Properties Company Abrasive particles, and methods of making and using the same
KR100885328B1 (ko) * 2001-08-02 2009-02-26 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 알루미나-산화 이트륨-산화 지르코늄/산화 하프늄 물질,및 그의 제조 및 사용 방법
US7147544B2 (en) * 2001-08-02 2006-12-12 3M Innovative Properties Company Glass-ceramics
US7625509B2 (en) * 2001-08-02 2009-12-01 3M Innovative Properties Company Method of making ceramic articles
KR20080086542A (ko) * 2001-08-02 2008-09-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 유리로부터 물품을 제조하는 방법 및 이렇게 제조한 유리 세라믹 물품
US7179526B2 (en) * 2002-08-02 2007-02-20 3M Innovative Properties Company Plasma spraying
US8056370B2 (en) * 2002-08-02 2011-11-15 3M Innovative Properties Company Method of making amorphous and ceramics via melt spinning
US7811496B2 (en) * 2003-02-05 2010-10-12 3M Innovative Properties Company Methods of making ceramic particles
US20040148869A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 3M Innovative Properties Company Ceramics and methods of making the same
US7175786B2 (en) * 2003-02-05 2007-02-13 3M Innovative Properties Co. Methods of making Al2O3-SiO2 ceramics
US20040148868A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 3M Innovative Properties Company Methods of making ceramics
US7258707B2 (en) * 2003-02-05 2007-08-21 3M Innovative Properties Company AI2O3-La2O3-Y2O3-MgO ceramics, and methods of making the same
US7197896B2 (en) * 2003-09-05 2007-04-03 3M Innovative Properties Company Methods of making Al2O3-SiO2 ceramics
US7141523B2 (en) * 2003-09-18 2006-11-28 3M Innovative Properties Company Ceramics comprising Al2O3, REO, ZrO2 and/or HfO2, and Nb2O5 and/or Ta2O5 and methods of making the same
US7141522B2 (en) * 2003-09-18 2006-11-28 3M Innovative Properties Company Ceramics comprising Al2O3, Y2O3, ZrO2 and/or HfO2, and Nb2O5 and/or Ta2O5 and methods of making the same
US7297171B2 (en) * 2003-09-18 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods of making ceramics comprising Al2O3, REO, ZrO2 and/or HfO2 and Nb205 and/or Ta2O5
US20050137076A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Transparent fused crystalline ceramic, and method of making the same
US20050137078A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Alumina-yttria particles and methods of making the same
US20050132657A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive particles
US20050132656A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive particles
US20050137077A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive particles
US20050132655A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive particles
US20070154713A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 3M Innovative Properties Company Ceramic cutting tools and cutting tool inserts, and methods of making the same
US7598188B2 (en) * 2005-12-30 2009-10-06 3M Innovative Properties Company Ceramic materials and methods of making and using the same
US20070151166A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 3M Innovative Properties Company Method of making abrasive articles, cutting tools, and cutting tool inserts
US7281970B2 (en) * 2005-12-30 2007-10-16 3M Innovative Properties Company Composite articles and methods of making the same
US8095207B2 (en) * 2006-01-23 2012-01-10 Regents Of The University Of Minnesota Implantable medical device with inter-atrial block monitoring
US11809246B2 (en) 2020-07-24 2023-11-07 Dell Products L.P. System and method for service life management based on corrosion rate reduction
US12075598B2 (en) * 2020-07-24 2024-08-27 Dell Products L.P. System and method for service life management based on corrosive material removal

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660544A (en) * 1970-04-15 1972-05-02 Union Carbide Corp Process for producing sized ferroalloy particles
US3928515A (en) * 1971-06-15 1975-12-23 Carborundum Co Semicontinuous process for producing oxide refractory material having fine crystal structure
JPS4923197A (no) * 1972-06-26 1974-03-01
DE2560066B1 (de) * 1974-05-29 1979-12-13 Treibacher Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von Schleifmaterialien auf der Basis von Aluminiumoxid,gegebenenfalls zusammen mit anderen Oxiden
US4063942A (en) * 1974-11-26 1977-12-20 Skf Nova Ab Metal flake product suited for the production of metal powder for powder metallurgical purposes, and a process for manufacturing the product
US4073096A (en) * 1975-12-01 1978-02-14 U.S. Industries, Inc. Process for the manufacture of abrasive material

Also Published As

Publication number Publication date
ATA754878A (de) 1980-05-15
AT360362B (de) 1980-01-12
GB2007251A (en) 1979-05-16
FR2406472A1 (fr) 1979-05-18
US4140494A (en) 1979-02-20
JPS5481584A (en) 1979-06-29
GB2007251B (en) 1982-05-19
DE2845839C2 (de) 1982-12-30
BR7806943A (pt) 1979-05-08
NO146133C (no) 1982-08-04
JPS5736299B2 (no) 1982-08-03
FR2406472B1 (no) 1984-10-19
CA1132314A (en) 1982-09-28
NO783560L (no) 1979-04-24
DE2845839A1 (de) 1979-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO146133B (no) Fremgangsmaate for fremstilling av slipemiddelkorn
KR940015737A (ko) 전류제한 솔레노이드 드라이버
US7276893B2 (en) Automatic ranging current shunt
US4086570A (en) Controlled DC current supply device with open circuit detecting means
DE2749404B2 (de) Automatische Vorspannungssteuerschaltung für einen modulierbaren Injektionslaser
KR910001417A (ko) 주사전자 현미경용 배율 보정 신호 발생장치
KR900001902A (ko) 실 공급 제어 시스템
US3855528A (en) D-c current measuring circuit
GB932835A (en) Function generator
US2878440A (en) Regulated power supply
US3202839A (en) Electric voltage comparison means
US2551022A (en) Electric protective system with inrush current compensation
US3072802A (en) Pulse driver with magnetic amplitude and width control
US3187267A (en) Amplifier including reference level drift compensation feedback means
US4670667A (en) Series-connected power transistors
JPS54142987A (en) Protecting method from overdrive of semiconductor laser
GB1180576A (en) AC Solid State Voltage Regulator
US1917473A (en) System and apparatus for regulation
US3348128A (en) Phase controlled alternating current power circuits using bidirectional conducting devices
US4220927A (en) Electrical signal converter usable in triangular waveform generation
US2586397A (en) Speed control system for alternating current motors
US2951187A (en) Electrical indicating and control apparatus
US3289081A (en) Test circuit for determining operating parameters of a gate turn-off solid state switch
US2963638A (en) Power regulator
US2948473A (en) Static analogue divider