NO142989B - Fremgangsmaate for aa holde et gassformig fluidum ved hoey temperatur i en kanal med vegg av ildfaste, keramiske fibre - Google Patents

Abstract

Fremgangsmåte for å holde et gassformig fluidum ved høy temperatur i en kanal med vegg av ildfaste, keramiske fibre.

Description

et dielektrisk virksomt bæremateriale, i hvilket ferromagnetisk virksomt fyllstoff er innleiret med en bestanddel på 2,5-^90

vekt% av elementet.

De ovennevnte konstanter k' og k' bestemmes av likningene:

hvor k'^, k<*>^, k'^ k<1>n er de relative dielektrisitetskonstanter, ;VI VI lfl ;ml' m2' m3 ........ k' mnde relative magnetiske permeabiliteter, ;og h^, h2, h^ hfi tykkelsene for de enkelte sjikt i absorb-sjonselementets laminat. ;I det folgende er de dielektriske og de ferromagnetiske samlede ;tap i absorbsjonselementet betegnet med hhv. tg 6 ^ og tg ;Absorbsjonselementer av ovennevnte art er kjent, og i disse er ;det ferromagnetisk virksomme fyllstoff innleiret i det dielek- ;trisk virksomme bærematerialet. Som bæremateriale tjener f. ;eks. plast. Slike absorbsjonselementer har dog ikke tilstrekke- ;lig stor båndbredde, og de kan derfor kun virke dempende i et ganske smalt frekvensområde. ;Det er dessuten kjent å forsyne en reflekterende flate med fra ;hverandre adskilte fordypninger, således at det samlede areal av fordypninger svarer til den samlede overflate av den egentlige refleksjonsvegg. Dessuten ligger fordypningenes bunn i en av- ;stand fra refleksjonsveggen lik 1/4 eller et ulikt multiplum av 1/4 av den bolgelengde som skal absorberes. En endring av av- ;standen i denne dimensjoneringsregel er mulig ved innfylling av dielektrisk virksomt materiale i fordypningene. Det er like- ;ledes kjent å forsyne en dielektrisk virksom plate med slike for- ;dypninger, samt å tildekke fordypningene ved hjelp av reflek- . sjonsveggen. Slike kjente interferensabsorbsjonselementer har dog kun en ganske liten båndbredde for absorberende egenskaper. ;De tilfredsstiller derfor heller ikke de fordringer,som det i ;den moderne absorbsjonsteknikk stilles til slike absorbsjonselementer. ;Det er dessuten kjent å innleire tynne, elektrisk ledende platedeler med en tykkelse på o, 1 - 2 p, og en lengdedimensjon på 70 ganger tykkelsen som en bestanddel på 2o-8o % orientert i plast, slik at den samlede dielektrisitetskonstant blir ca. 50. Dette absorbsjonselement kan derved utformes i det vesentlige isotropt, når flere på hverandre folgende enkeltlag avviker fra hverandre med hensyn til polarisasjonsvirkningen overfor elektromagnetiske bolger. Dette oppnås ved at de elektriske ledende platedeler orienteres i enkeltsjikt, slik at deres plan i nabosjiktene avviker 90° fra hverandre. I så fall skal sjikt-tykkelsen anta et ulikt multiplum av en kvart bølgelengde. ;Helt bortsett fra vanskelighetene ved å anbringe platedelene i ;den onskede orientering i absorbsjonselementet, har det vist seg at den forholdsregel å velge refleksjonsfaktoren ut fra funk- ;sjonen 2/71 . k1 , ikke forer til tilfredsstillende lave reflek- ;m ;sjonsfaktorer i et bredt frekvensområde. ;I et forsok på å frembringe et interferens-absorbsjonselement ;med stor båndbredde er det likeledes blitt foreslått å bygge opp en sjikt-kombinasjon, i hvilken de dielektrisk virksomme sjikt av-veksler med halvlederfolie. I så fall skal sjiktene med dielek-trisitetskoeffisienten £ velges slik at brytningsindeksen for sjiktene i det vesentlige er lik. Dessuten må det kreves en sær- ;lig tilpasning av e-verdiene og tapene i de enkelte sjikt. Dette krever imidlertid et stort antall tynne enkeltsjikt for den onskede virkning oppnås. ;Den foreliggende oppfinnelse har til formål å anvise konstruk-sjonen av et interferens-absorbsjonselement, i hvilket de ovennevnte mangler er unngått, og som har en stor båndbredde og likeledes er lett å fremstille, og som for ovrig utmerker seg ved å ha en relativt liten sjikttykkelse.Enn videre angir oppfinnelsen en alminnelig anvendelig anvisning til fremstilling av et slikt interferens-absorbsjonselememt, således at det ut fra foreliggende utgangsmaterialer kan fremstilles et absorbsjonselement, og dette element er således ikke begrenset til anvendelse av noen få utgangsmaterialer. ;Et absorbsjonselement ifolge oppfinnelser særmerker seg ved at bærematerialet har en dielektrisitetskonstant mellom 1,5 og 10 samt en tapsfaktor tg &d, som er mindre enn 0,1, hvorved fyllstoffet har en kornstorrelse på 0,1-100 n og i tilfelle av stavformede dipoler en lengde L på praktisk talt den dobbelte tykkelse h av absorbsjonselementet, og ved at bestanddelen av ferromagnetisk fyllstoff i hvert enkelt sjikt er valgt slik at de frekvensavhengige faktorer: dielektrisitetskonstant, permeabilitet og tapsfaktor for hvert enkelt sjikt i det samlede sjikt med en resulterende hoyfrekvénskonstant ;hvor x har. verdier mellom 1,2 <p>g 1,8, mens'summen av de frekvensavhengige samlede dielektriske tap tg 6 d og de frekvensavhengige ferromagnetiske samlede tap tg S mtilfredsstiller fblgende formel: ;Denne konstruksjonsanvisning er alminnelig anvendelig, således at fagmannen ved å folge disse dimensjoneringsregler på enkel måte og til enhver tid kan oppnå det onskede resultat, nemlig et interferens-absorbsjonselement med stor båndbredde og relativ liten sjikttykkelse, f.eks. en gjenblivende refleksjon for alle bølge-lengder mindre enn 30%, hvilket må regnes for hensiktsmessig til praktiske formål. ;Som bæremateriale anvendes fortrinnsvis plast på basis av polyuretaner, klorerte difenylharpikser, xylenformaidehydhar-pikser og liknende formstoffmåterialer. ;Som ferromagnetisk fyllstoff kan fortrinnsvis anvendes karbonylr jernpulvér, magnetitt, " ferritter av kobolt, nikkel, mangan,og/ eller jern, sulfider og téllurider, indium, gallium, karbid,, sili-kat, karbonat, ferfioksyd eller oksyder av den annen gruppe i det periodiske system, bet kan dessuten anvendes en blanding av de forskjellige ferromagnetiske metallpulvere. ;De enkelte absorbsjonssjikt kan fremstilles på vidt forskjellig måte, det er således mulig, på et bærelag, som f .eks., utgjor re-_ fleksjonsveggen, å påsproyte, påvulkanisere, påklebe eller på ;annen måte fastgjore flere på hverandre folgende enkeltsjikt. ;Særlig gode båndbredder og tilpasningsmuligheter oppnås i en utforelsesform for elementet ifblge oppfinnelsen ved det at det sjiktdelte elementet inneholder et tynt og boyelig, reflekterende . bæresjikt, som liksom de ovrige sjikt er forsynt med åpninger, ;hvis samlede flateareal utgjor inntil 40% av elementets samlede overflate, og hvis gjennomsnittlige breddedimensjon antar fra 1/10 til i/5 X . ;Det er dessuten hensiktsmessig at det lagdelte element i en ;annen utforelsesform ifolge oppfinnelsen utgjores av et tynt og boyelig, reflekterende bæresjikt, og av minst ett sjikt hvis overflate har fordypninger eller fremspring som har sideflater med fastlagt hoyde og helningsvinkel i forhold til bæresjiktet, ;og hvis fremspringende overflatedeler på grunn av mellomliggende .., utsparinger har mindre tverrsnittsareal ved deres toppflate enn ;ved deres basisflate. ;Herved oppnås at refleksjonen fra elementets forreste overflate forminskes vesentlig. ;Det er særdeles hensiktsmessig å anvende såvel utsparinger som fremspringende overflatedeler, da det derved oppnås særlig lave refleksjonsfaktorer i et relativt bredt frekvensområde, og frem-, bringelsen av det vaffelstrukturliknende sjikt ikke volder, noen som helst fremstillingsmessige vanskeligheter.. ;Overflaten kan f.eks. være utformet som små avkortede pyramider eller ha form av et bikakemdnster eller bestå av et antall små avkortede kjegler hvis bunnflater berdrer hverandre. Helt gjennomhullede eller halvt gjennomhullede nettverk kan alternativt anvendes, ;i hvilket tilfelle bredden, hoyden eller formen av nettverket kan variere i avhengighet av bølgelengden og materialets hdy-frekvenskonstanter. ;Særlig store båndbredder oppnås i en utforelsesform for elementet ifolge oppfinnelsen ved at åpningene utgjor ca. 35% av den samlede élementoverflate og er utformet som sirkulære åpninger, men alternativt kan åpningene i en annen utforelsesform for elementet ifolge oppfinnelsen utgjore ca. 40% av den samlede element-overflate og være utformet som likesidede trekanter, og i en tredje utforelsesform ifolge oppfinnelsen kan åpningene utgjore ca. 20% av den samlede élementoverflate og være utformet som kvadrater. ;Det er hensiktsmessig at åpningene i en utforelsesform for elementet ifolge oppfinnelsen har innbyrdes forskjellige diametre eller innbyrdes forskjellig utstrekning, hvorved det fremkommer en ytterligere forokelse av elementets virksomme båndbredde. ;Det reflekterende basissjiktet på baksiden av absorbsjonssjiktet kan likeledes være en folie eller et nett av et hensiktsmessig . metall samt være féstét ved hjelp av klebemiddel til den ferdigfremstilte sjiktdelte plate. Alternativt kan det bestå av et hensiktsmessig metallpulver som er blandet i en grunnmasse som f.eks. lakk som påfdres det underste sjikts overflate på ;den ferdigfremstilte sjiktdelte plate ved påsprdyting, påmaling eller påsparkling. ;Interferensen fremkommer ved at den ene delen av de innfallende elektromagnetiske bdlger reflekteres fra den ytre overflate på sjiktet, og den annen del av de "innfallende bdlger, som utstråles fra selve sjiktet, er i motsatt fase og har samme amplitude, hvorved de to delene opphever hverandre. Ved særlig store tapsfak-torer tg <J^ og tg 6m vil styrken av den innf allende stråling, ;som reflekteres fra den forreste overflaten, være betydelig stdrre enn styrken av de bdlger som utstråles fra sjiktets indre. ;Styrken av de bblger som reflekteres fra den forreste overflaten på sjiktet, kan forminskes vesentlig ved å gi overflaten på hby-frekvensmaterialet en særlig utformning, som frembringer en vesentlig grad av spredning eller boyning eller gjentagne refleksjoner av bdlgene. ;Betingelsene h = >/4 er ikke helt tilfredstilt for et sjikt med en overflate som er forsynt med et rommelig nettverk eller har en på annen måte diskontinuerlig eller avbrutt utformet overflate. Den betingelse som er satt i formelen: h = ^./4, kan imidlertid erstattes, således at massen, definert som vekt pr. cm av et slikt sjikt i alle fall tilnærmelsesvis skal være lik massen av et plant sjikt, som likeledes tilfredsstiller formelen : ;h = V4. ;Dette betyr at ;;hvor Wn = vekt pr. cm 2for den lagdelte plate p, som er forsynt med et rommelig nettverk, og ;Wp = vekt pr. cm 2for en lagdelt plate med plan overflate og en tykkelse h svarende til formelen (I), idet tegnet <r>~~~^ betyr: tilnærmet lik. ;Oppfinnelsen skal nedenfor nærmere forklares ved hjelp av en rekke utforelsesformer, hvor ;fig. 1 skjematisk viser forlbpet av en bolge som faller inn mot et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen, ;fig. 2 er et diagram over den samlede refleksjon av stråling som faller inn mot et absorbsjonselement som har de i formelen (V) anfbrte parametre, ;fig. 3 er et diagram som viser refleksjonen fra et absorbsjonselement over et bredt frekvensbånd som funksjon av absorbsjons-elementets hoyfrekvens-egenskaper, ;fig. 4 er et diagram som tilsvarer diagrammet på fig. 2,og som viser refleksjonen fra de to sjikt av forskjellig materiale samt fra et lagdelt absorbsjonselement som består av de to sjikt, ;fig. 5 og 6 samt 7 og 8 viser kurver for hoyfrekvenskonstantene for materialer som kan kombineres til oppnåelse av absorbsjonselementer ifolge oppfinnelsen, og som tilfredsstiller formelen (V), ;fig. 9 er et loddrett snitt i en utforelsesform for et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen, og hvor bolgenes strålebunter er vist skjematisk ved hjelp av stiplede linjer, ;fig. 10 er et loddrett snitt i en annen utforelsesform for et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen, med et avglansende sjikt som fremmer den innfallende bolges inntrengning i selve absorbsjonssjiktet, ;fig. 11 er et perspektivisk bilde av et absorbsjonselement som er forsynt med et overflatenettverk som består av avkortede pyramider, ;fig. 12 er et loddrett snitt i et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen med et overflatenettverk av fordypninger som har form som avkortede kjegler, ;fig. 13 er et absorbs jonselement ifolge oppfinnelsen med dipoler, sett ovenfra, ;fig. 14 er et loddrett snitt i absorbsjonselementet som er vist i fig. 13, ;fig. 15 er en del av et absorbsjonselement ifolge Oppfinnelsen, utformet som et kamuflasjenett og forsynt med åpninger, ;fig. 16 tilsvarer fig. 15, men med en annen utforelsesform for åpningene, ;fig. 17 tilsvarer fig.' 15 og 16, men nettets åpninger har forskjellige dimensjoner og former, ;fig. 18 er et loddrett snitt i et kamuflasjenett i forbindelse med en gjenstand som skal kamufleres med nettet, og med bolgenes strålebunter skjematisk antydet. ;På fig. 1 er det vist et metallisk reflekterende basissjikt 11, som er dekket av eller klebet til en absorberende vegg 12. Veggen s 12 overflate 13 vender mot.en ikke vist kilde for elektro-magnetisk stråling og utgjor således grenseoverflaten mot det frie rom. En innfallende bolge 14 reflekteres delvis fra grenseoverflaten, som vist ved en stiplet linje 15, og fortsetter delvis inn i absorbsjonsveggen til det reflekterende basissjikt 11, hvor strålen kastes tilbake gjennom absorbsjonssjiktet, som vist ved en stiplet linje 16. ;På alle figurene er den innfallende bolge for enkelhets skyld vist skrått mot de reflekterende overflater, men den kan, som det vil forstås, falle inn under en hvilken som helst innfallsvinkel, heri også inkludert de tilfeller hvor deri er vinkelrett på absorbs jonsveggen.- ;Den delvis reflekterte stråle 15 består av mindre enn halve strålingsenergien. Den gjennomtrengende del av strålen reflekteres fra flaten mellom absorbsjonssjiktet 12 og basissjiktet 11 og forlater absorbsjonssjiktet ved dettes overflaté 13 og trer ut i det frie rom. Denne del av bolgen dempes i absorbsjonssjiktet, og dens energi, som hadde en verdi som var mer enn halvdelen av en innfallende bolge 14 da denne trengte inn i absorbsjonssjiktet, er således redusert til en verdi som er mindre enn halvdelen av den inntrengende bolgens 14 energi. ;Hvis materialet i absorbsjonssjiktet tilfredsstiller eller i alle fall tilnærmelsesvis tilfredsstiller formelen (V), vil tilbakekastningen fra grenseflaten 13 og dempningen i absorbsjonssjiktet 12 være således avpasset at den reflekterende stråle 15 fra overflaten bg en uttredendé stråle 16' ligger side om side i det frie rom og har samme amplituden, men med'motsatt fase, således at de interfererer og opphever hverandre. ;Diagrammet i fig.2 viser den samlede refleksjon r for et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen i % av den innfallende stråling ved en gitt bolgelengde. Diagrammets abscisseakse angir den. venstre side av formelen (V), og ordinataksen angir.likningens hoyre side, som endres ved en forandring av absorbsjonsmaterialet. Betegnelsen r° viser en kurve for 100% eliminering av refleksjonen, dvs. r.= Oi .Stiplede linjer r^° og r~^0 angir 10% reflektert energi eller .90% effektivitet, og strek-prikkede linjer ;20 -20 ;r og r angir 20% reflektert energi eller 80% effektivitet i absorbsjonen av en bolge 14 ifolge fig. 1. En gjenblivende refleksjon opp til 20 - 30% kan i dag aksepteres som tillatt i prak-sis. Absorbsjonssjiktene består .av grunnmateriale, f.eks. natur-lig eller syntetisk kautsjuk, plast eller liknende materialer, som omslutter kornformet materiale som bestemmer den relative magnetiske permeabilitet og den relative dielektrisitetskonstant ;som er tilstrebet som høyfrekvente egenskaper for sjiktene. For-uten, de ovenfor nevnte grunnmaterialer har det vist seg at mortel, sement, bitumen, kartong eller liknende dielektriske materialer. er egnede f or formålet,., det eneste krav til disse materialer er at grunnmaterialet skal ha en relativ dielektrisitetskonstant mellom 1,5 og 10 samt en dielektrisk tapsvinkel mindre enn 0,1. ;De kornaktige tilsetningsstoffer eller fyllstoffer som er innesluttet i grunnmassen, består av hoyfrekvens-jernpulver med en . kornstdrrelse-på.;0,1 - 100 \ i fortrinnsvis 1 - 5 p i ensartet kornstorrelse eller i kombinasjoner av de nevnte kornstorrelser. ;Betegnelsen "hoyfrekvens-jernpulver" anvendes, i nedenstående beskrivelse for alle ferromagnetiske legemer av. den angitte. kornstorrelse og med slik hoyfrekvensegenskaper at de er effektive i det onskede bolgeområde, f.eks. kan pulverne bestå av ferromagnetiske materialer som er redusert fra karbonyl, jernpulvere som er redusert med hydrogen, magnetiter og slike legemer som er fremstilt ved delvis elle^ fullstendig dekomponering av andre jernblandinger. Betegnelsen omfatter i særdeleshet ferritt-klas-sen,. hvor jern delvis er erstattet med nikkel, sink, mangan og liknende stoffer, som f.eks. er omtalt i "Radio Engineering Hand-book", Keith Henney, 4. utgave 1960, New York, side 129. ;Til noen anvendelser foretrekkes jernpulver- fyllstoffer med god ledningsevne, f.eks. slike med hoy dielektrisitetskonstanten dempningselementer ifolge oppfinnelsen. F.eks. kan jernpulver-fyllstoffene i grunnmassen fremstilles av jern-pentakarbonyl på kjent måte. ;Slike jernpulvere har de onskede egenskaper med hensyn til kornstorrelse, ledningsevne og permeabilitet. JernsaKer, i særdeleshet jernoksalat, kan imidlertid også utnyttes til oppnåelse av oppfinnelsens formål. Ferroferrioksyd (Fe304), som er fremstilt ved dekomponering av jernsalter eller ved en annen kjent kjemisk prosess, kan likeledes anvendes som hoyfrekvensjernpulvere, såvel som ferrioksyd (Fe203) , fremstilt ved omdannelse av magnetitt eller ved en hvilken som helst annen kjent kjemisk prosess. ;Ferritter kan også anvendes som tilsetningsstoff eller fyllstoff. Betegnelsen "Ferritter" er nedenfor anvendt til betegnelse for magnetitt, som kan fremstilles ved dekomponering av jernoksalat, eller for en normal ferritt, hvor jernoksyd er erstattet med et oksyd av nikkel, sink, mangan, et av de sjeldne jordmetaller eller et jordalkalimetall, slik som barium. ;Andre tilsetningsstoffer eller fyllstoffer som er anvendelige ;i den foreliggende oppfinnelse, er grafitt, titan-di oksyd og tita-nater, slik som barium-titanat og liknende stoffer. ;Tilsetningsstoffene eller fyllstoffene kan være til stede i grunnmaterialet i en mengde på 2,5 - 90 vekt-% i forhold til sjiktets samlede vekt. Variasjonen av produktet k' • k' med frekvensen kan frembringes på forskjellige måter. Basismaterialet eller grunnmassen kan klassifiseres under tre hovedområder: 1) Polare og ikke-polare materialer med lave tap, som anvendes i forbindelse med fyllstoffer som er elektrisk ledende. 2) Polare og ikke-polare materialer som har betydelige tap ved relativt hoye frekvenser, anvendes i forbindelse med tilsetnings-stoffer med storre eller mindre ledningsevne for å frembringe den onskede virkning. 3) Materialer som har meget store tap, og som anvendes i forbindelse med...kornaktige tilsetningsstoffer innesluttet i materi- . alet, idet hvert enkelt tilsetningskorn er omgitt .av et sterkt isolerende dekksjikt. ;Ved å variere tilsetningsstoffene og deres kombinasjoner med utvalgte basismaterialer, er det mulig å frembringe hoyfrekvens-materialer som, når de anvendes i en masse for et sjikt som inn-.. går i absorbsjonselementet ifolge oppfinnelsen, er tilpasset.frekvenser over et bølgelengdeområde på 1 20 cm... ;Hensiktsmessige grunnmaterialer er for lengst kjent og beskrevet f.eks. av von Hippel i "Dielectric Materials", offentliggjort-av the Technology Press.og M.I.T., og John-, Wiley & Sons, Inc.- ;New York, 1954. Hensiktsmessige grunnmaterialer er,anfort i nedenstående tabell: ;Andre hensiktsmessige grunnmaterialer er beskrevet i "Farben-, Lack- und Kunststoff-Lexikon Knittel", Wissenschaftliche Verlags-gesellschaft, Stuttgart, Tyskland, 1952, side 117 - 123. ;Hvis det onskes, kan absorbsjonselementer som består av sjikt av de ovenfor angitte grunnmaterialer og med de ovenfor angitte kornaktige fyllstoffer, festes til det reflekterende basissjikt ved hjelp av et tynt, klebende sjikt. ;Som kornaktige fyllstoffer foretrekkes nedenfor angitte høyfre-kvens jernpulvere enkeltvis eller i kombinasjon: ;Karbonyl L 20 fremstilt av General Aniline & Film Corporation ;;Magnetisk sort ferroferrioksyd (Fe304), fremstilt av Badische Anilin- & Sodafabrik, Ludwigshafen, Tyskland ;og videre ;Ferrioksyd (Fe203) omdannet fra ovennevnte sorte ferroferrioksid ved 250°C og 1 til 1000 atmosfæres trykk, eller hoyfrekvensjern-salter med folgende kjemiske formler: ;CoO.Fe203;NiO.Fe203;CoO.Ni0.2 Fe203;3 Co0.Ni0.4 Fe203;2 CoO.NiO.Fe0.4 Fe203;3 CoO.NiO.FeO.5 Fe203;3 CoO.NiO.FeO.O,1 MnO.5,1 Fe203;Ytterligere materialer kan være iblandet for fastleggelse av dielektrisitetskonstanten, og disse materialer er fortrinnsvis utvalgt fra en gruppe av metallpulvere, halyledende materialer eller liknende stoffer. Folgende materialer er særlig hensiktsmessig anvendt enkeltvis eller i kombinasjon: Metallpulvere, f.eks. av aluminium, beryllium, sink, kopper, mag-nesium, kadmium, krom, molybden, og metaller av de tilsvarende grupper i det periodiske system som kan blandes i grunnmateri-.aler, og som fortrinnsvis har en kornstprrelse mindre enn 100 mikron, likeledes sulfider, selenider og tellurider av...den annen gruppe i det periodiske system, f.eks. sinksulfid, kadmiumsulfid samt blandingskrystaller av disse produkter, f.eks. sinksulfid-kadmiumsulfid eller sinkselenid-kadmiumselenid, eller oksyder ;av den annen gruppe i det periodiske system, f.eks. sinkoksyd, kadmiumoksyd, magnesiumoksyd, kalsiumoksyd, fosfider,antimonider, arsenider av indium, gallium, karbider, i særdeleshet av kalsium, silisium, aluminium, Jern, silisider,og karbonater som ikke er opploselige i grunnmassen, silikater, sulfater, spesielt beryl-liumsulfat, kalsiumsulfat, fosfater, molybdater, wolfrater, ti-tanater, stannater, antimonater, arsenater, i særdeleshet mag-ne si umkarbo nat og bikarbonater, kalsiumkarbonat, strontiumkar-bonat, kalsiumtitanat, strontiumtitanat, bariumtitanat og blan-diner herav, strontium-vismut-titanat, titanatdioksyd, aluminium-oksyd, slik som leire og jord, samt karbon, i særdeleshet kjonrok og grafitt. ;Alle disse fyllstoffer kan anvendes forutsatt at de er.forenlige med det utvalgte grunnmateriale. Kornstorrelsen <p>g kornformen for de innesluttede fyllstoffer er utvalgt på en slik måte at permeabilitets- og dielektrisitetskonstanten reduserer hoyf re-kvenstap tilsvarende den ovenfor angitte formel (V) i det onskede frekvensbånd. Området for de forskjellige kornstorrelser og kornformer kan velges avhengig av de relative hoyfrekvenskonstanter k' og k1 , slik at alle bolgelengdene i et bredt frekvensbånd påvirkes tilstrekkelig. ;Kurvene på fig. 3 viser parameteren k'km' for et slikt absorbsjonssjikt i et bredt frekvensbånd, såvel som de resulterende hoyfrekvenstap, dvs. summen av den dielektriske og den magnetiske tapsvinkel, og parameteren k'/k^<1> for et absorbsjonssjikt som hovedsaklig består av et grunnmateriale av syntetisk gummi av det slag som fremstilles under varemerket "Perbunan" av firmaet Bayer, Leverkusen, Tyskland, iblandet karbonyljern EN 8i av det slag som fremstilles av Badische Anilin- & Sodafabrik, Ludwigshafen, Tyskland, i en mengde som tilsvarer 85 vekt-% av hele absorbsjonssjiktet. ;Som det ses av kurvene, forandres både hoyfrekvenskonstantene ;i formlene (IV) og (V), som avhenger av absorbsjonssjiktets materiale, og parameteren k' /k^', samt hoyfrekvenstapene i et hvilket som helst sjikt med bolgelengden. ;Det er den oppfinneriske idé i den foreliggende oppfinnelse å velge to eller flere sjikt hvis hoyfrekvenskonstanter forandrer seg med bolgelengden i et bredt frekvensbånd, slik at hoyfrekvenskonstantene for hvert sjikt utlikner hverandre i det samlede sjikt, slik at stdrrelsen h i den ovennevnte formal I ;forblir konstant over et bredt frekvensbånd. ;Den dverste del av diagrammet i fig.. 3 viser en kurve med helt opptrukket linje, som angir den samlede refleksjon for et ab-sorbsjonss jikt som har de karakteristiske egenskaper som er vist på diagrammets nederste del, og hvis tykkelse ifolge formelen (I) tilsvarer en bdlgelengde på 7 cm. Som det vil ses, er den samlede refleksjon fra absorbsjonsveggen i et bolgeområde fra omkring 2 cm til ca. 17 cm mindre enn 20%, dvs. at veggen er tilstrekkelig effektiv som radarkamuflasjemiddel under nåtidens praktiske forhold og i et bredt frekvensbånd. ;Hvis det dnskes, kan dipoler blandes i grunnmassen, eller disse kan anbringes mellom -sjiktene i dempningselemeritet. ;Disse dipoler kan være fremstilt av et materiale som har en dnsket elektrisk ledningsevne og elektrisk motstand, f.eks. metaller med hdy elektrisk motstand, som også kan stamme fra magnetiske tap, og i særdeleshet metalltråder med mpno-krystallinsk struktur, såkalte "whiskers", . eller plasttråder.som er belagt med metaller, f.eks. nikkel,. jern,eller liknende metaller eller kjonrok eller grafitt eller.andre elektrisk ledende materialer, slik som elektrisk ledende plastblandinger. ;Lengden L av dipolene bestemmes av formelen ;;i hvilken ?v er bolgelengden i absorbsjonselementet. Dipolenes lengder kan vel.ges slik at alle bølgelengder i et bredt område kan påvirkes. Forskjellige slags dipoler.kan anvendes enkelt- : vis eller på en slik.måte at i det minste 5% av samme dipol blandes med andre arter av dipoler.. •„. ;Hoyfrekvenstapene <p>g egenskapene for et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen måles ved.hjelp av kjente målemetoder> f.eks. slike som er beskrevet i von Hippels ovennevnte arbeide,, side 47 -.146.. Etter.valget av hensiktsmessig materiale må antallet av sjikt i absorbsjonsflaten og.tykkelsen av hvert enkelt sjikt i forhold til platens totale tykkelse bestemmes, og platen må måles som en helhet ved hjelp av de metoder som er nevnte ovenfor. Resul-tatene av målingene'ved forskjellige bolgelengder innsettes i formelen (V). Hvis begge sider av formelen er omtrent like, vil for rådgtiaterialet være egnet for anvendelse. Hvis formelen (V) er . for ubalansert for en onsket absorbsjon, må mengden av fyllstoff-materiale i ett eller flere sjikt endres, inntil den onskede hoyfrekvenskarakteristikk oppnås, hvoretter målingene må gjentas inntil formelen (V) er tilfredsstilt. ;Folgende spesielle eksempler viser noen .forrådsemner som tii-. fredsstiller formelen (V) med tilstrekkelig ndyaktighet til å oppfylle kravene til praktiske absorbsjonselementer, og noen av eksemplene er vist på tegningen., ;Eksempel 1 ;I et grunnmateriale som består av ;9,11 vektdeler av en spesiell alkydharpiks, som fremstilles under varemerket "Desmophen liOO" av firmaet Bayer, Leverkusen, Tyskland, ;2,8 vektdeler av en spesiell alkydharpiks fremstilt under varemerket "Desmophen 800" av samme firma, ;2,34 vektdeler av en klorert difenyl,som fremstilles under varemerket "clophen A 60" av samme firma, ;3,47 vektdeler av en xylenformaldehydharpiks,som selges under varemerket "ZFN" av samme firma, ;6,93 vektdeler buty-letyl acetat, ;13,2 vektdeler toluen og ;2,18 vektdeler kollodium bomull, som fremstilles under varemerket "E950" av samme firma, ;er det iblandet 55,56 vektdeler Fe^O^-fyllstoff fremstilt av ferroferrioksyd av firmaet Baclische Anilin- & Sodafabrik, Ludwigshafen, Tyskland ved 25o°c og 1 atmosfæres trykk. Fyllstoffet har en kornstorrelse på 1,5 y, med en spredning på 40% og en stort sett dendritisk kornform. ;For anbringelsen på det reflekterende basissjiktet tilsettes ét herdestoff til grunnmassen i et forhold 9:1, f.eks. et diisso-cyanat, som fremstilles av firmaet Bayer under varemerket Desmodur L. ;Dette sjikt er effektivt i et bolgeområde fra .7,5 til 15 cm med en sjikttykkelse på ca. 7,35 mm. Hoyfrekvenskonstantene er: k' = 7,72, k^ = 1,338, tg$d = 0,099, tg6m = 0,618, ;k'/]^' = 5,77, tg<yd + tg<Sm = 0,717. Fra punktet R på fig. 2 utledes det at den resterende refleksjon r = 13% ved en bølge-lengde påXQ = 10 cm. ;Det er nodvendig at tykkelsen av absorbsjonssjiktet er ensartet over et stort areal, da det i motsatt fall vil oppstå variasjoner i de maksimale db-verdier over arealet. På den annen side kan uensartet anvendelse av sjiktene anvendes for å oke bredbånds-området som absorberes av sjiktet, men i så fall vil db-ver-dien forminskes. ;Eksempel II ;Utforte forsok har fort til et forrådsemne som hovedsaklig består av 10 vektdeler syntetisk gummi, som f.eks. perbunan, fremstilt av firmaet Bayer, Leverkusen, Tyskland, med et innhold på 33 vekt-% akrylonitril og 80 vekt-% karbonyljern fremstilt under varemerket EN 8i av Badische Anilin- & Sodafabrik, Ludwigshafen, med polykrystallinsk mikro-struktur og kuleformede korn fra og med en kornstorrelse på 5 mikron med en spredning på ± 30%. Målinger på et slikt dempningselement ifolge oppfinnelsen har for, en bolgelengde på 3,2 cm gitt en permeabilitet k 1 1,77, ;en dielektrisitetskonstant k' = 11,28, hoyfrekvenstap tilsvarende tg6d = 0,0059 og tg$m = 0,727, og det samlede hoyfrekvenstap 0,7429. Hvis disse verdier innsettes i diagrammet i fig. 2, vil det ses at et dempningselement, som kun består av ovennevnte forrådsemne, har en gjenblivende refleksjon på 22%. På fig. 4 er hoyfrekvenskonstantene for dette forrådsmaterialet vist ved et punkt A. ;Eksempel III ;En annen utforelsesform for absorbsjonselementet ifolge oppfinnelsen består av 10 vektdeler syntetisk gummi, slik som perbunan, ;og 76 vektdeler av Fe203, som er fremstilt ved 250°C og 300 atmosfæres trykk av en ferritt A, fremstilt av firmaet Merck, Darmstadt, Tyskland, med en kornstorrelse på 1,5 mikron med en spredning på 40% og med en dendritisk form og polykrystallinsk mikro-struktur. Ved målinger av den ovennevnte art har dette forrådsemne vist seg, for en bolgelengde på 3,2 cm, å ha en permeabilitet k' = 6,74, en dielektrisitetskonstant km' 0,81, hoy-frekvenstapsvinkel tg<fd = 0,05 og tg<Sm = 0,169, og de samlede hoyfrekvente tap = 0,219, og av diagrammet i fig. 2 kan det ses at et absorbsjonselement, som kun består av dette forrådsemne, ;har en tiloversblivende refleksjon på ikke mer enn 22%. på fig. ;4 er de høyfrekvente egenskaper og den resulterende tilbake-kastning for dette absorbsjonselement vist ved et punkt B. ;Fig. 4 viser at punktet A ligger på den ene siden av en midt-, linje svarende til O-refleksjon, samt at punktet B ligger på den andre siden av linjen. Et punkt C ligger i et refleksjonsområde, som vil kunne anvendes til mange formål. ;Hvis refleksjonen 0 kreves, oppbygges ifolge oppfinnelsen et antall sjikt, av hvilke det ene sjiktet er fremstilt av et forrådsemne med hoyfrekvensegenskaper svarende til punktet A og det andre sjiktet av et forrådsemne som har egenskaper svarende til punktet B. Tykkelsen av det forste sjiktet i sammenlikning med tykkelsen av det andre sjikt er slik at begge sjiktene tilsammen nøyaktig tilfredsstiller formelen (V) for en bolgelengde på ;3,2 cm, som vist ved punktet C på fig. 4. ;Den ovenfor omtalte formel (V) nødvendiggjor en endring av ver-dien for tg<$d + tgé>m ved varierende bolgenlengde og i avhengighet av k' /k m' . ;Samtidig krever formelen (IV) i virkeligheten at k' • k^' må stige med bolgelengden. Formelen (IV) og formelen (V) har kun praktisk betydning hvis de anvendte materialer tilfredsstiller formlenes betingelser over et bredt bolgeområde, og til nå har det ikke vært mulig å oppnå disse betingelser. Ifolge den foreliggende oppfinnelse kan dette oppnås ved å anvende forskjellige materialer i forskjellige sjikt eller som en blanding i et av sjiktene på en slik måte at formlene (IV) og (V) er tilfredsstilt over et meget bredt frekvensbånd. ;Eksempler på dette er vist i fig. 5 og fig. 6, av hvilke fig. 5 viser verdiene for k'/k^' og tgfid + tg$m. samt de teoretiske verdier for tg6d + tg<5m. På fig. 5 ligger kurven for tg£d + tg^ over den teoretiske verdi. ;På fig. 6 er konstantene for et annet materiale vist. Det ses at verdiene tgÆa , + tg§ m ligger under den teoretiske kurve. Hvis de materialer som er vist på fig. 5 og fig. 6 anvendes samtidig i adskilte sjikt eller som en blanding i et av sjiktene, vil ver-dien for tg<5d + tg^m folge den teoretiske kurve over et stort bolgeområde. ;På fig. 7 og 8 er det vist konstanter for andre materialer som gjor det mulig å oppnå samme virkning. På fig. 7 ligger verdiene for tg6d + t( 3& m under og på fig. 8 over den teoretiske kurve. Ved anvendelsen av begge materialene, hvis konstanter er vist på ;fig. 7 og 8, vil verdiene for tg<5d , + tg6 m samlet komme til å ;ligge nær de teoretiske verdiene. ;Forrådsemnene for de ovenfor omtalte sjikt som svarer til fig. ;5 - 8/ består av 24 vekt-% av en grunnmasse av alminnelig silisium-gummi fylt med 76 vekt-% av et fyllstoff som nevnt nedenfor: ;For forrådsemnet i fig. 5 nikkel ferritt (NiO.Fe203) ;Fig. 6 jernaktige blandingskrystaller (2 CoO.0.7 MnO. 0.3 NiO ;5 Fe0.8 Fe203), ;fig. 7 barium ferritt (2 BaO . 3 Fe203) ;fig. 8 magnetitt (2 FeO .. 3 Fe203) ;Ved å velge kombinasjoner av sjikt kan det bygges opp absorbsjonselementer som fullstendig absorberer elektromagnetiske bdlger i et bredt bånd, idet forskjellige fprrådssjikt kombineres tLl de svarer til de gitte betingelser, og det innskytes sjikt med en relativ dielektrisitetskonstant på ca. 1, og som ikke har vesentlige høyfrekvente tap, inntil de kombinerte sjikt tilfredsstiller formelen (V) med tilstrekkelig nøyaktighet til å frem- . bringe den nodvendige interferens. ;Et sjikt som ikke har vesentlige hoyfrekvenstap, og derfor neppe absorberer noen bølgeenergi, forskyver kun bølgens fase.. Betegnelsen "faseforskyvende sjikt" betyr i beskrivelsen et sjikt hvor det fremkommer en f asef orskyvning på en kortere bane enn det frie rom. Ved forplantningen av en bolge forskyves bolgens fase med en hel amplitude innenfor en bolgelengde. Denne, banelengde, hvor fasen skifter, blir kortere i sjiktet fordi bolgelengden forkortes avhengig av hoyfrekvenskonstantene, dvs. at faseforskyvningen skjer over en kortere strekning. ;Betegnelsen "absorbsjonssjikt" anvendes i denne beskrivelse og i kravene for å angi et sjikt hvis hoyfrekvenstap er slike at amplituden av en bolge forminskes når bolgen passerer gjennom sjiktet. Betegnelsen "faseforskyvende sjikt" og "absorbsjonssjikt" anvendes for de sjikt hvor faseforskyvningen eller absorbsjonen er den fremtredende egenskap, og dette betyr ikke at det ikke er noen som helst absorbsjon i det faseforskyvende sjikt, eller at det ikke er noen faseforskyvning i absorbsjonssjiktet. ;Fig. 9 viser en utfbrelsesform for et absorbsjonselement ifolge oppfinnelsen, som er montert på eller festet til et metallisk reflekterende basissjikt 20 og består av et forste faseforskyvende sjikt 21a, et forste absorbsjonssjikt 22a, et andre faseforskyvende sjikt 21b, og et andre absorbsjonssjikt 22b, som rammes av en innfallende bolge 24. Hvert av disse sjikt kan bestå ;av en rekke dekksjikt. ;Tykkelsen av sjiktene 21 og 22 i forhold til den samlede tykkelse av absorbsjonselementet velges i overensstemmelse med forråds-emnenes hoyfrekvente egenskaper på en slik måte at det samlede element tilfredsstiller formelen (V) over et bredt frekvensbånd. Elementets tykkelse er bestemt av formelen (I) . Den er betydelig mindre enn en kvart bolgelengde eller et multiplum av denne i det frie rom for frekvensområdet som skal absorberes, og tykkelsen er tilpasset en gitt bolgelengde. Hvis impedanstilpasning er oppnådd innenfor et bredt område, dvs. den lavest mulige refleksjon, må den relative dielektrisitetskonstant såvel som den relative magnetiske permeabilitet endres med frekvensen, dvs. at disse konstanter må avta med stigende frekvens. ;Dette er oppnådd ved å fremstille hvert sjikt i elementet av et ikke homogent forrådsemne, som inneholder tilsetnings-stoffer eller fyllstoffer som bestemmer hoyfrekvensegenskapene for forrådsemnet, dvs. den relative dielektrisitetskonstant og/eller den relative magnetiske permeabilitet og som folge avdette, sjiktets tåps-vinkler. Sjiktet 21b kan fVeks. inneholde som fyllstoff, jernpulver, hvorved det fremkommer et ikke homogent forrådsemne som har meget hoy relativ magnetisk bégyrihelsespermeabilitet ved 30 cm1s bolgelengde, men som avtar f.eks. til 1 ved en bolgelengde på 5 cm. Dette kan f.eks. oppnås ved jernpulver, ;som har en kornstorrelse på 100 -10 y.. ;Når det er nødvendig å dekke et frekverisområde mellom 10 og 0/5 cm kan det anvendes jernpulver med eri kornstorrelse under lOp i sjiktet 22b, idet størstedelen av pulveret har en kornstorrelse under lp, og derfor forminskes permeabiliteten langsomt innenfor det gitte frekvensområdet. ;Fig. 9 viser likeledes banen for den innfallende bolge 24 svarende til det som er vist i fig. 1. Den innfallende bolgen reflek- ;teres delvis fra en grenseflate 23 som eri stråle 25, mens én andre del av bolgen fortsetter inn i absorbsjonssjiktet som en stråle. 26. Når strålen 26 rammer en mellomflate 23' mellom sjiktene 21b og 22b, reflekteres en liten del som en delstråle 26' , og resten av strålen fortsetter inn i sjiktet 21b. En del av den fortsatte strålen reflekteres igjen ved hhv. meilomflater 23'' og 23' 1 ', hvorved det fremkommer delstråler 26' 1 og 26' 1 1 . ;Den gjenblivende del av bolgen 24 rammer det reflekterende basissjiktet 20, fra hvilket deri tilbakekastes fullsteridig. Stråleretningen for alle de reflekterte delstråler er angitt ;på fig. 9. ;Når de reflekterte;delstråler rammer undersidene av mellomflåtene 23'1 1 , 23'1 , 23' og 23, vil en liten del åv strålene alltid kastes tilbake til det reflekterende basissjikt, mens'største- ;parten av delstrålene utgår fra absorbsjonselementet og interfererer med den reflekterte delstråle 25, avhengig åv fåse-stillingen for den tilsvarende bolgelengde og strålebanen i elementet. ;I det ovenfor beskrevne absorbsjonselement absorberes en vesent- ;lig del av bolgén 24 ved interferens mellom delbolgene 25 og 26'. På grunn av de ytterligere refleksjoner ved grenseflatene 23', ;23'' og 23'<11> såvel som ved den ytre grenseflate 23, vil bolger med bølgelengder forskjellige fra den som svarer til tykkelsen av sjiktet, som er bestemt ved formelen (I), hovedsaklig bli eliminert.. Dessuten vil deistrålene 27, som er innadrettet tilbakekastet, også interferere innbyrdes for å oke absorbsjons-elementets effektivitet over et meget bredt frekvensbånd. ;De beskrevne delrefleksjoner kan ytterligere Skes ved å anbringe ;i det minste ett ytterligere, meget tynt sjikt ved den ene av mellomflåtene, f.eks. et klebesjikt, som ofte kan være nodvendig for en effektiv lagdeling, og slike ytterligere sjikt har en impedans som er forskjellig fra impedansen av tilstotende sjikt. ;Nedenfor anfores noen spesielle eksempler på effektive absorbsjonselementer med gode mekaniske egenskaper, og som tilfredsstiller kravene fra"formelen (V) innenfor et bredt frekvensbånd. ;Sjiktene a og b i eksemplene har til formål å endre fasen for ;den reflekterte bolge fra det metalliske basissjiktet på en kortere bane enn i det frie rom, slik at bolgen har en fase motsatt den for bolgen som reflekteres fra overflaten. Det forste av de faseforskyvende sjikt a tjener i særdeleshet som klebesjikt som sikrer en sterk forbindelse med det metalliske basissjikt. Det andre sjiktet b har de onskede egenskaper for et faseforskyvende sjikt, dvs. små tap og en relativ, ikke alt for hoy dielektrisitetskonstant. Et tredje sjikt kan anvendes om det onskes, til utformning av en mer gradvis tilpasning til de etter hverandre fSigende, absorberende sjikt, som har hoyere tap og noe hoyere relative dielektrisitetskonstanter, slik at det ikke er så stort sprang innenfor elementet mellom de relative dielektrisitetskonstanter og tapsvinklene. ;De fysiske egenskaper for de faseforskyvende sjikt avhenger av de absorberende sjiktenes egenskaper og deres relative dielektrisitetskonstanter og må tilpasses disse. De spesielle egenskaper ;for de faseforskyvende sjikt avhenger av de relative dielektrisitetskonstanter og av tykkelsen på de absorberende sjikt, såvel som av frekvensen i strålingen. Mens 30% fyllstoff anvendes i ;de faseforskyvende sjikt i eksemplene, kan denne mengde varieres ;betydelig, opp til 80% fyllstoff er anvendelig. Tykkelsen av sjiktet kan forminskes samtidig med en oket mengde fyllstoff, ;og det oppnås en tilsvarende okning i den relative dielektrisitetskonstant. ;Sjiktene c i eksemplene, eller sjiktene c, d og e, når slike anvendes, har til formål å dempe amplituden for den bolgen som trenger inn i elementet og tilbakekastes fra basissjiktet, slik at amplituden svarer til amplituden av den bolgen som reflekteres fra elementets ytre overflate. ;Avhengig av sammensetningen av det ikke homogene hoyfrekvens-materialsjiktet som kreves for den spesielle -anvendelse som sjiktet er beregnet for, er det mulig å velge basismaterialet for sjiktet slik at dets hoyfrekvenskonstanter vil være avhengig av frekvensen. ;Hoyfrekvensmaterialsjiktene som er beskrevet ovenfor, kan f.eks. ha folgende sammensetning: Sjiktet a: polyisobutylen-skum, solgt under varemerket "Oppanol" av Badische Anilin- und Sodafabrik, Ludwigshafen, Tyskland, kan være festet til det-metalliske basissjiktet ved hjelp av kloropren. ;Sjiktet b: 15 vektdeler av en kopolymer av butadien og akrylonitril og 85 vektdeler jernpulver med en kornstorrelse på ;100 - lOp. med en gjennomsnittsstbrrelse 20p, blandes grundig og vulkaniseres. Den vulkaniserte"hinne festes til sjiktet ved hjelp av kloropren. ;Sjiktet c: En tynn hinne av "Oppanol" med 10 vektdeler kjbnrok, som har en gjennomsnittlig kornstorrelse på lp. Denne hinne festes til sjiktet b ved hjelp av kloropren. ;Sjiktet d: Det samme materiale som for sjiktet b med unntakelse av at kornstorrelsen for jernpulveret varierer fra 10 til under lp,, idet storstedelen ligger mellom 0,1 og lp. Det vulkaniserte sjikt festes til sjiktet c ved hjelp av kloropren. ;Sjiktet e: En hard beskyttelses].akk som er farget med et gront organisk fargestoff og har en tykkelse på ca. 40|i. ;Hvis absorbsjon av bolgelengder under 20 cm er onskelig, er det hensiktsmessig ifolge oppfinnelsen å la det inngå i ett eller flere av sjiktene en dipol-tilsetning, som f.eks. kan bestå av metalliske tråder som har en bestemt hoyfrekvensmotstand. Slike tråder frembringer, når de inngår i et materialsjikt, en okning av de elektriske tap i sjiktet. ;Plastmaterialene:"Desmodur/Desmophen", som er nevnt i eksemplene, består av kondensasjonsprodukter, fremstilt av Bayer, Leverkusen, Tyskland, og disse produkter herder etter påforingen under samtidig utskillelse av vann. "Desmodur-komponenten er en diiso-cyanat. Det finnes et betydelig antall av kjemisk forskjellige "desmpohen"-komponenter i handelen, og den mekaniske styrke for lakken avhenger hovedsaklig av denne komponents natur. Nedenfor er det angitt en liste med eksempler på "desmophen"-estere av adipinsyre: ;Desmophen 200 = 3 adipinsyre + ftalsyre ;+ 8 1,2,4-butantriol, ;300 = 3 adipinsyre + 4 1,2,4-butantriol + xylenformaldehydharpiks ;Desmophen 800 = 5 adipinsyre + 1 ftalsyre ;+ 8 1,2,4-butantriol ;900 = 3 adipinsyre + 4 1,2,4-butantriol ;1 100 = 3 adipinsyre + 2 1,2,4-butantriol + 2 butylenglykol ;3 200 = 3 adipinsyre + 1 1,2,4-butantriol ;+ 3 butylenglykol. ;Kondensasjonsproduktene, som inneholder "desmophen"-komponentene, blir blbtere jo hoyere det karakteristiske nummer er for "desmo-phenen". Reaksjonen mellom "desmophen"- og "desmodur"-kompo-nentene er en to-trinnsprosess, idet hydroksyradikalene forst reagerer med isocyanatet til dannelse av uretaner under vann-utskilning, pg det overskytende isocyanatet reagerer deretter med vannet, som utskilles i forste trinn, hvorved det dannes CO^/ hvilket resulterer i et skumliknende stoff. Dessuten kan det overskytende isocyanat danne termoplastiske stoffer med glykolene. ;Eksempel IV ;På 1 m av det reflekterende basissjiktet påfores: ;(a) 150 g av en 4:1 blanding av "desmodur"/"desmophen", som på-sproytés eller påstrykes for å tjene som et klebesjikt mellom metallet og de påfolgende sjikt. (b) 1000 g av en 9:1 blanding av "desmodur"/"desmophen", som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat som fyllstoff, på-sprdytes klebesjiktet. (c) 7000 g av en 9:1 blanding ay ,'desmoS'U>r',V,'desmophen,,.> som inneholder 65 vekt-% av hoyfrekvéns-jernpulver med én gjennomsnittlig kornstorrelse på 5 - ' 10]i, påfores i 5 på hverandre lagte sjikt. Dette absorbsjonselementet absorberer en stråling med en bolgelengde fra 2,8 til 3,8 cm. ;Eksempel V ;På 1 m av det reflekterende basissjiktet påfores sjikt (a) og (b) som i eksempel IV. Sjiktet (c) påfores i tris på hverandre anbragte sjikt på folgende måte: (c^) 3000 g av eh 9:1 "desmodur"/"desmophen" blanding som inneholder 65 vekt-% a<y> et hoyfrekvéns-jernpulver med en gjen nomsnittlig kornstorrelse på 5 - lQji påfores i tre adskilte dekks jikt, den ene ovenpå det andre. ;(c2) 400 g av en 9:1 blanding av"desmodur"/"desmophen", som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat som fyllstoff, påfores deretter. ;(c3) 300 g av den forstnevnte blanding (c^ påfores igjen i tre adskilte dekksjikt. ;Dette absorbsjohselementet absorberer en stråling med en bolgelengde fra 2,4 - 3/6 cm. ;Eksempel VI ;På 1 m 2 av det reflekterende basissjiktet påfores et sjikt (a) som i eksempel IV. (b) En hinne av polymerisert isobutylen "Oppanol", som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat som fyllstoff/ påfores sjiktet (a), og denne hinne har en vekt på 500 g. (c) En 11 Oppanol "-hinne, som veier 3500 g og inneholder 65 vekt-% av et hoyfrekvensjernpulver med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 5 - lOp,, påfores sjiktet (b) . ;(d) En intim 9:1 blanding av 400 g 9:1 "desmodur"/"desmophen" ;med 30 vekt-% magnesiumkarbonat og 200 g av samme lakk som inneholder 2 vekt-% findelt kjonrok, påfores sjiktet (c). ;(e) En "Oppanol"-hinne som veier 900 g og inneholder 70 vekt-% ;av et hoyfrekvens-jernpulver med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 0,1 - 2) i, påfores sjiktet (d) . ;Dette absorbsjonselement absorberer en stråling med en bolgelengde på 2,6 - 3,6 cm. ;I mange tilfeller er tilbakekastningen fra grensoverflaten på dempningselementet så stor og dempningen i absorbsjonssjiktene så effektiv at delstrålen som reflekteres fra grenseoverflaten, har en betydelig storre amplitude enn den delstrålen som stråler ut fra absorbsjonssjiktet etter refleksjon fra basissjiktet. Da det i så fall er en forskjell i amplitude mellom de to inter-fererende stråler, kan det ikke oppnås en fullstendig opphevelse av bolgen. Amplitudene av delstrålene må derfor gjores like store ved å forminske amplituden av den delstrålen som reflekteres fra grenseoverflaten og oke amplituden for den delstrålen som utgår fra absorbsjonssjiktet. ;Dette oppnås ifolge oppfinnelsen ved at det anvendes i det minste ett overflatesjikt som tilpasser det frie roms impedans i retning mot de reflekterende basissjikt til impedansen for grenseover-flatesjiktet. Da impedansen for det frie rom er 377 ohm, og impedansen for det reflekterende basissjiktet er null, må impedanstilpasningssjiktet ha en impedans mellom noe under 377 ohm og over impedansen for det neste folgende sjikt i de innfallende strålers retning. Slike bolge-transformatorer for lysbolger er kjent i optikken, f.eks. som antireflekssjikt på fotografiske objektiver. ;Fig. 10 viser et absorbsjonslaminat som er pafort et metallisk basissjikt 30, og som består av et faseforskyvende sjikt 31 og et absorbsjonssjikt 32, som henholdsvis bevirker en faseforskyvning og en absorbsjon av en innfallende bolge 34. Et impedanstilpasningssjikt 38 er festet til absorbsjonslaminatets overflate. Sjiktet 38 har en impedans mellom 377 ohm og den indre impedans i det nedenunder beliggende sjikt 32. Som det yll frem-gå av de folgende eksempler, kan impedanstilpasningssjiktet være et ikke homogent sjikt svarende til sjiktene 31 og 32. ;Som vist i fig. 10, tilbakekastes en relativt liten del av den innfallende bolgen 34 av den ytre overflaten på impedanstilpasningssjiktet 33. En storre del 35' av den innfallende bolge reflekteres fra mellomflaten 33' mellom absorbsjonssjiktet 32 og impedanstilpasningssjiktet 33. Den gjenværende delstråle 36 trenger inn i absorbsjonslaminatet og tilbakekastes hovedsaklig fra basissjiktet 30 som en delstråle 36, og en forholdsvis liten del reflekteres av mellomflaten 33'1 som en delstråle 36'. Energisummen for de tilbakekastede delstråler 35 og 35' er mindre enn energien i delstrålen, som tilbakekastes fra absorbsjonslaminatets ytre overflate, hvis det ikke finnes noe impedanstilpasningssjikt 38. Ved hjelp av et slikt overflatesjikt er det derfor mulig å innfore storre hoyfrekvens-tap i sjiktene 31 og 32, slik at det vil skje en sterkere dempning av delstrålen 36 ;i absorbsjonslaminatet. Da den relative dielektrisitetskonstant og den relative magnetiske permeabilitet ifolge formel (V) stiger med en okning av hoyfrekvenstapene, kan sjiktene 31 og 32 også utformes tynnere enn det er mulig uten anvendelse av et impedans- ;tilpasningssjikt, og det sistnevnte har derfor den virkning å nærme amplitudene av delstrålene 35, 35' samt delstrålen 36 til hverandre, til tross for de hoyere tap i absorbsjonslaminatet. ;Nedenstående eksempler beskriver absorbsjonselementer ifolge oppfinnelsen og som består av ett eller flere forholdsvis tynne antirefleks- eller impedansetilpasningssjikt f.eks. (f), (g) og/eller (h), som reduserer overflatetilbakekastningen slik at amplituden for den gjenværende refleksjon på grenseoverflate-sjiktet er praktisk talt den samme som amplituden for den bolgen som utgår fra elementet med motsatt fase. ;Eksempel VII ;På 1 m av det reflekterende basissjikt er påfbrt: ;(a) 75 g "teflon", som er varemerket for du Pont's polytetra-fluoretylen, og som påfores ved varm påsproyting for å tjene som et klebesjikt mellom basissjiktet og de folgende sjikt. (b) Dette sjikt består av et forste dekksjikt av 600 g "teflon", som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat,og påfores sjiktet (a) samt et annet dekksjikt av 300 g "teflon", som inneholder 2 vekt-% kjonrbk, påfores deretter. (c) 5400 g "teflon" som inneholder 65 vekt-% av et hbyfrekvens-jernpul<y>er med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 5 - 10] i, og som påfores sjiktet (b) i fem på hverandre folgende dekksjikt. (d) 450 g "teflon" som inneholder 2 vekt-% kjonrbk,påfores sjiktet (c) . (e) 1200 g "teflon" som inneholder 70 vekt-% av et hoyfrekvens-jernpulver med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 0,1 ^ 2ji, påfores sjiktet (d). (f) En intim blanding av 450 g "teflon" som inneholder 30 vekt-% ■ ■ magnesiumkarbonat og 150 g "teflon" som. inneholder. 7.5 vekt-% ;av det samme hoyfrekvensjernpulver, som 1 sjikt (e), påfores deretter sistnevnte sjikt. ;Dette absorbsjonselement absorberer en stråling med en bolgelengde fra 4,4 - 5,8 cm. ;Eksempel VIII ;På 1 m av det reflekterende basissjiktet påfores: ;(a) Som i eksempel IV. ;(b) Består av et forste dekksjikt av 800 g av en 9:1 "desmodur"/ ;"desmophen" blanding som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat og et andre dekksjikt av 400 g av samme blanding, men som inneholder 2 vekt-% kjonrok. ;Et sjikt (c), som består av 6000 g av den blanding som er anvendt i sjiktet (c) i eksempel IV, påfores i fem på hverandre lagte dekksjikt. ;Et sjikt (d),som består av 600 g av den andre dekksjikts-blandingen i sjiktet (b). ;Et sjikt (e) med 1350 g av en 9:1 "desmodur"/"desmophen"-blanding som inneholder 70 vekt-% av et hoyfrekvens-jernpulver med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 0,1 - 2\ i, påfores sjiktet (d). ;(f) Forst påfores en intim blanding av 600 g 9:1 "desmodur"/ ;"desmophen"-lakk som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat, og deretter påfores 200 g av samme lakk, men inneholdende 75 vekt-% av det hoyfrekvens-jernpulver som er anvendt til sjiktet (e). ;(g) Detté sjikt består av samme bestanddeler som sjiktet (f) nied: unntakelse av at det anvendes 500 g av den forste og 100 g av. den andre bestanddelen. ;Dette laminat,absorberer en stråling med en bolgelengde fra. ;2,8 - 4,4 cm. ;Eksempel IX ;På 1 m 2 av det reflekterende basissjiktet påfores som sjikt (a), (b) og (c) samme slags sjikt som i eksemplet IV.1 (d) 600 g av en 9:1 "desmodur"/"desmophen" blanding som inneholder 2% findelt kjonrbk, påfores sjiktet (c). ;Sji-ktene (e), (f) og (g)' er de samme som i eksempel VIII. ;(h) 500 g av en 9:1 "desmodur"/"desmophen" blanding som inneholder 30% magnesiumkarbonat, påfores sjiktet (g). ;Dette laminat absorberer en stråling innenfor en bolgelengde på 2,6- 4,4 cm. ;Eksempel X ;På 1 ni2. av det reflekterende basissjiktet påfores som sjikt (a), (b) og (c) de samme sjikt som er vist i eksempel IV, med unntakelse av at "desmodur"/"desmophen" blandingen er erstattet med polyvinylklorid, såkalt "igelitt". (d) 500 g av polyetylen som inneholder 30 vekt-% magnesiumkarbonat, påfores (c). (e) En polyetylen-hinne, som veier 1200 g og inneholder 70 vekt-% av hoyfrekvens-jernpulver med en gjennomsnittlig kornstorrelse på 0,1 - 2] i, påfores (d) . ;Sjiktet (f) i eksemplet VIII påfores deretter. ;Sjiktene (g) og (h) i eksempel IX anvendes deretter med unntakelse av at '.'desmodur"/"desmophen" blandingen er erstattet med polyvinylklorid, såkalt "igelitt". (i) 200 g av en 4:1 "desmodur"/"desmophen" blanding påfores sjiktet (h). ;Dette laminat absorberer en stråling med en bolgelengde fra ;2,4 - 3,6 cm. ;Alle oppgitte vekter med unntakelse av flammepåsproytingsharpiksen er våte vektangivelser, dvs. at de angår harpikser og alle lak-ker opplost i hensiktsmessige opplosningsmidler, idet det tas hensyn til et 20% tap under påforingen eller påsproytingen. Torrvektene er ca. 40 - 50% lavere enn de vekter som er angitt ;i eksemplene. Tykkelsen av laminatene varierer mellom ca. 1,5 ;og 2,5 mm for en bolgelengde på ca. 3,2 cm. ;Hvis det onskes et bredere effektivt bolgeområde, må eksemplene IV - X endres slik at vekten av sjiktene (b) i gjennomsnitt okes med 20% og vekten av sjiktene (d) med 40%, av (f) med 40% og av (g), (h) og (i) med 10 - 20% i gjennomsnitt. ;Amplituden av den delstrålen som reflekteres fra absorbsjonslaminatets ytre overflate, kan alternativt forminskes og tilpasses amplituden for den delstrålen som utgår fra absorbsjonssjiktene og dempes av disse ved å utforme absorbsjonslaminatets overflate således at en bestemt del av de innfallende bolger blir spredd. ;En slik overflate-utformning er vist på fig. 11, hvor et absorbsjonslaminat 41 er montert på et reflekterende basissjikt 40. Laminatets overflate har form som et vaffelaktig nettverk med rekker av avkortede pyramider P, mellom hvilke det finnes rekker av fordypninger W. ;På det loddrette snittet i fig. 12 er det vist virkningen av et slikt nettverk, og den eneste forskjell mellom fig. 11 og 12 er den at fremspringene er vist som avkortede pyramider på fig. 11, mens de er vist som avkortede kjegler på fig. 12. Virkningene av de to utfdreiser er, i hovedsaken den samme. Den lagdelte oppbygningen likner den som er beskrevet i forbindelse med fig. 10, men absorbsjonssjiktet er oppdelt i to dekksjikt 52a og 52b. Et metallisk reflekterende basissjikt 50 bærer et faseforskyvende sjikt 51, på hvilket absorbsjonssjikt 52a, 52b og et impedanstilpasningssjikt 58 er oppbygget slik at det fremkommer et laminat. Den innfallende bolgen 54a reflekteres delvis som en delstråle 55a, og en annen delstråle 56a trenger inn i laminatet, hvor fasen forskyves slik at den er motsatt fasen i delstrålen 55a, og samtidig forminskes dens amplitude slik at den er lik amplituden av delstrålen 55a. ;En annen stråle 54b, som rammer en skråstilt sidevegg på absorbsjonsflaten, vil kun trenge et lite stykke inn i absorbsjonslaminatet, hvor en delstråle 56b reflekteres fra basissjiktet 50. ;Den storste del av den innfallende strålen 54b tilbakekastes fra grenseflaten mot den nær-liggende skråstilte veggen på overflaten, og en delstråle 55b tilbakekastes i en retning som er forskjellig fra retningen av den innfallende strålen. De til siden avboyde bolger 55b vil derfor ikke bli mottatt av en alminnelig anbragt radar-mottaker. ;Fig. 12 viser banen for en tredje bolge 54c, som rammer en skråstilt vegg på den absorberende overflaten, som ligger i motsatt retning av den veggen som rammes av bolgen 54b. Strålegangen for strålen 54c er en liknende, idet en delstråle 56c trenger inn i laminatet, mens hoveddelen som en delstråle 55c reflekteres i en retning som er forskjellig fra retningen for den innfallende bolgen. ;Et impedanstilpasningssjikt 58 har den samme funksjon som sjiktet 38 i den utforelsesform ifolge oppfinnelsen som er vist på fig. 10, og et beskyttelsessjikt 59 kan anbringes for å unngå beskadigelser av absorbsjonslaminatet, men dette beskyttelses-sjiktet har også til oppgave å gi den samlede oppbygningen en glatt overflate. Beskyttelsessjiktets materiale fyller fordypningene i absorbsjonsoverflaten og består av ett eller annet egnet materiale med de minst mulige hoyfrekvenstap samt med hensiktmessige mekaniske egenskaper. ;I en annen utforelsesform ifolge oppfinnelsen kan det anbringes dipoler i absorbsjonslaminatet. Dipolene kan innesluttes i ett eller flere av sjiktene i absorbsjonslaminatet som en tilfoyelse til de anforte fyllstoffer, eller også kan de innesluttes i et hensiktsmessig bæremateriale, som utgjor et annet sjikt som ikke inneholder andre fyllstoffer. ;Fig. 13 og 14 viser et absorbsjonslaminat som er montert på et reflekterende basissjikt 60, som bærer faseforskyvende sjikt 61 og absorbsjonssjikt 62. Dipoler 68 er tilfeldig fordelt i sjiktet 61. Dipolene kan alternativt være anbragt i skilleflaten mellom to sjikt i laminatet. ;I en annen utforelsesform er dipoler fordelt over absorbsjonslaminatets ytre overflate. Dipolene kan anbringes ikke bare i ett av sjiktene eller i ett av sjiktenes overflater, men i et hvilket som helst antall av sjikt og/eller i et hvilket som helst antall av overflater. ;Fig. 15 viser en utforelsesform for absorbsjonselementet ifolge oppfinnelsen, et såkalt kamuflasjenett 190 er sett ovenfra og består av en laminert oppbygning som er forsynt med sirkulære åpninger 191, 191' og 191'<1> med innbyrdes forskjellige diametre R, R' og R'1. Det samlede areal som dekkes av åpningene, er ;ca. 35% av nettets overflate, og deres gjennomsnittlige diameter er ca. X / l, og diametrene for de åpningene som ligger nær hverandre kan varieres til bedre tilpasning i et bredt bånd. Hvis nettet skal anvendes til beskyttelse mot stråling med f.eks. en gjennomsnittlig bolgelengde på 3,2 cm, kan diametrene være hhv. ;R = 4,57 mm, R<1> = 4,5 mm og R11 = 4,65 mm. ;En annen form for kamuflasjenett 200, som er vist på fig. 16, består likeledes av en laminert oppbygning, men har åpninger ;201, 201' og 201'', som er utformet som likesidete trekanter som dekker ca. 40% av nettets samlede overflate. Gjennomsnittshoyden for trekanten er ca. ^-o/10 og derved tilpasses nettet til et frekvensbånd med en gjennomsnittlig bolgelengde på 5,5 cm, mens trekantenes hbyde kan være hhv. H = 5,5 mm, H' =. 5,3 mm og H' ' =5,7 mm. ;Hvis det onskes at nettet skal være spesielt lett og derfor spesielt tynt, kan impedansen i den ytre grenseoverflate bli så stor at delstrålen som reflekteres fra grenseoverflaten, har betyde- ;lig mer energi enn delstrålen som trenger inn i laminatet og tilbakekastes fra nettets basissjikt. I så fall vil det være hensiktsmessig å gi nettets overflate en utformning som er i stand til å spre i alle fall en del av overflatetilbakekastningen. Åpningene kan i så fall ha innbyrdes forskjellige diametre eller innbyrdes forskjellig utstrekning. Fig. 17 viser et kamuflasjenett 210 sett ovenfra, og méd grupper av kvadratiske åpninger 211, som er adskilt av avkortede pyramider-~ 212, som utgjor nettets fremspringende overflatedeler. Avstemt for en gjennomsnittlig bolgelengde på 3,2 cm, må -pyramidenes grunn-flate ha lengden 16 mm,og de avkortede pyramidene må ha en hbyde på 5,1 mm samt en helningsvinkel på 45 for sideveggene. De storste av åpningene .211 er lik JX0/8 og yariérer .omkring denne gjennomsriittsyerdi. Deres sider har en gjennomsnittlig lengde på 4 mm, de minste åpningene har sidelengder på 3,9 mm, og de storste har sidelengder på 4,1 mm. Åpningene kan i så fall utgjore ca. 20% av det samlede areal av nettets overflate, inn-befattet de avkortede pyramidene. ;Fig. 18 viser et kamuflasjenett anbragt på en gjenstand 229. ;Nettet er sammensatt av et reflekterende basissjikt 220, absorb-sjons- og f asef orskyvende sjikt hhv. 2-21 og 222 som beskrevet i forbindelse med fig. 9. Nettet har åpninger 228, som beskrevet i forbindelse med fig. 15 - 17: Nettets avstand fra gjenstanden 229 kan være ensartet eller uensartet, men for enkelhets skyld ;, er nettet vist parallelt med overflaten på den gjenstand som skal beskyttes, f.eks. mot peiling ved hjelp av radarbolger. Virkningen av nettet er V helt * uavhengig av avstanden fra nettet til gjenstanden.

En innfallende bolge 2'24b vil tilbakekastes og absorberes på samme måte som det er beskrevet i forbindelse.med fig. 1 og fig. 9, f.eks. vil en delstråle 225a reflekteres fra det ytre overflatesjikt 223, mens en annen delstråle 226a' av den stråledelen som trenger inn i laminatet, vil bli tilbakekastet fra en grenseflate 223', mens den ovrige del av denne stråledel reflekteres fra basissjiktet og forlater laminatet som en delstråle 226a.

Som ovenfor forklart vil alle de reflekterte stråler bringes i innbyrdes interferens og utlikne hverandre.

En annen innfallende bolge 224b rammer en sidevegg i en åpning 228, og storstedelen vil tilbakekastes som en delstråle 224b'

mot gjenstanden 229, hvor den tilbakekastes til tilbakekastnings-basissjiktet for nettet og deretter absorberes mellom gjenstanden og basissjiktet. En mindre delstråle 226b trenger inn i lami-aatet og tilbakekastes fra basissjiktet 220, hvor den interfererer med deler av strålene 225a og 226a såvel som med strålen 226a' og blir således opphevet.

Videre passerer en innfallende bolge 224c fritt gjennom en åpning 228 inn til gjenstanden 229 og reflekteres frem og tilbake mellom basissjiktet 220 og gjenstanden, som beskrevet i forbindelse med delstrålen 224b<1>, idet de reflekterte stråler interfererer innbyrdes og utlikner hverandre innbyrdes.

Det vil forstås av en fagmann at det ovenfor er beskrevet en nesten ubegrenset variasjon av absorbsjonselementer for elektromagnetiske bolger, hvilke elementer lett kan tilpasses til,i det minste med god tilnærmelse, å oppfylle betingelsene i formlene (IV) og (V), slik at det fremkommer bredbåndsabsorbsjonselemen-ter med hoy kvalitet. Dette utfores ifolge oppfinnelsen ved at det anvendes laminater av uhomogene sjikt med dielektriske basissjikt av bærematerialer, som inneholder fyllstoffer som tjener til å variere hoyfrekvens-egenskapene, dvs. den relative dielektrisitetskonstant, den relative magnetiske permeabilitet, den dielektriske tapsvinkel og den magnetiske tapsvinkel for sjiktene. Ved anvendelsen av hensiktsmessige grunnmaterialer, hensiktsmessige fyllstoffer og hensiktsmessige sjiktkombinasjoner kan betingelsene i formel (V) tilfredsstilles med god tilnærmelse, samtidig med at laminatets tykkelse er liten i forhold til tykkelsen for de kjente absorbsjonselementer, dvs. at tykkelsen alltid er mindre enn en kvart bølgelengde. Samtidig har laminatene i hoy grad onskede mekaniske egenskaper som gjor dem anvendelig til en stort antall anvendelser. Hertil kommer at overflateimpedanstilpasnings- og/eller bblgesprednings-midler kan anvendes for ytterligere å oke effektiviteten i sjiktenes absorbsjon. Et ytterligere hjelpemiddel til oppnåelse av formålet utgjores av bruken av dipoler som innlegges i laminatene.

Claims (7)

1. Hoyfrekvens-interferens absorbsjonselement av det slag som består av minst to enkeltsjikt, som demper de innfallende hoyfrekvensbolger, og som er anbragt foran en refleksjonsvegg eller er sammenbygget med en refleksjonsvegg til en byggeenhet, og hvis samlede tykkelse er uttrykt ved

hvor XQ er bolgelengden i det frie rom for den bolgen som skal absorberes, k<1> den resulterende relative dielektrisitetskonstant for absorbs J jonselement et, k' m<<>^en resulterende relative magnetiske permeabilitet for absorbsjonselementet, idet dette består av et dielektrisk virksomt bæremateriale, i hvilket ferromagnetisk virksomt fyllstoff er innleiret med en bestanddel på 2,5 - 90 vekt-% av elementet, karakterisert ved at bæ-rematerialet har en dielektrisitetskonstant mellom 1,5 og 10 samt en tapsfaktor tg<J\j som er mindre enn 0,1, idet fyllstoffet har en kornstorrelse på 0,1 - lOOp, og i tilfelle av stavformede dipoler har en lengde L på praktist talt den dobbelte tykkelse h av absorbsjonselementet, og ved at bestanddelen av ferromagnetisk fyllstoff i hvert enkelt sjikt er valgt slik at de frekvensavhengige faktorer: dielektrisitetskonstant, permeabilitet og tapsfaktor for hivert enkelt sjikt i det samlede sjikt ved en resulterende hoyfrekvenskonstant hvor x har verdier mellom 1,2 og 1,8, mens summen av de frekvens avhengige samlede dielektriske tap tg^ og de frekvensavhengige ferromagnetiske samlede tap tgim tilfredsstiller folgende formel:

2. Absorbsjonselement som angitt i krav 1, karakterisert ved. at elementet inneholder et tynt og boyelig, reflekterende bæresjikt, som liksom de ovrige sjikt er forsynt med åpninger, hvis samlede flateareal utgjor inntil 40% av elementets samlede overflate, og hvis gjennomsnittlige breddedimensjon antar fra 1/10 X o til 1/5 X o .

3. Absorbsjonselement som angitt i krav 1 eller 2, karakterisert ved at elementet utgjores av et tynt og boyelig, reflekterende basissjikt samt av minst ett sjikt, hvis overflate har fordypninger eller fremspring som har sideflater med bestemt hdyde og helningsvinkel i forhold til bæresjiktet, og hvis fremspringende overflatedeler på grunn av mellomliggende utsparinger har mindre tverrsnittsareal ved deres toppflate enn ved deres basisflate.

4. Absorbsjonselement som angitt i krav 2 eller 3, karakterisert ved at åpningene utgjor ca. 35% av den samlede élementoverflate og er utformet som sirkulære åpninger.

5. Absorbsjonselement som angitt i krav 2 eller 3, karakterisert ved at åpningene utgjor ca. 40% av den samlede élementoverflate og er utformet som likesidete trekanter.

6. Absorbsjonselement som angitt i krav 2 eller 3, karakterisert ved at åpningene utgjor ca. 20% av den samlede élementoverflate og er utformet som kvadrater.

7. Absorbsjonselement som angitt i krav 4, 5 og/eller 6, karakterisert ved at åpningene har innbyrdes forskjellige diametre eller innbyrdes forskjellig utstrekning.