NO137145B - STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL - Google Patents
STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL Download PDFInfo
- Publication number
- NO137145B NO137145B NO760220A NO760220A NO137145B NO 137145 B NO137145 B NO 137145B NO 760220 A NO760220 A NO 760220A NO 760220 A NO760220 A NO 760220A NO 137145 B NO137145 B NO 137145B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- zinc
- phosphorus
- cadmium
- approx
- temperature
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 46
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 45
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 31
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 28
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 44
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 compound gallium phosphide Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N lead silver Chemical compound [Ag].[Pb] LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
- B63B—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; EQUIPMENT FOR SHIPPING
- B63B17/00—Vessels parts, details, or accessories, not otherwise provided for
- B63B17/0018—Arrangements or devices specially adapted for facilitating access to underwater elements, e.g. to propellers ; Externally attached cofferdams or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
- B63H—MARINE PROPULSION OR STEERING
- B63H25/00—Steering; Slowing-down otherwise than by use of propulsive elements; Dynamic anchoring, i.e. positioning vessels by means of main or auxiliary propulsive elements
- B63H25/42—Steering or dynamic anchoring by propulsive elements; Steering or dynamic anchoring by propellers used therefor only; Steering or dynamic anchoring by rudders carrying propellers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
- B63H—MARINE PROPULSION OR STEERING
- B63H5/00—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water
- B63H5/07—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water of propellers
- B63H5/125—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water of propellers movably mounted with respect to hull, e.g. adjustable in direction, e.g. podded azimuthing thrusters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
- B63H—MARINE PROPULSION OR STEERING
- B63H5/00—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water
- B63H5/07—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water of propellers
- B63H5/14—Arrangements on vessels of propulsion elements directly acting on water of propellers characterised by being mounted in non-rotating ducts or rings, e.g. adjustable for steering purpose
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ocean & Marine Engineering (AREA)
- Flexible Shafts (AREA)
- Prevention Of Electric Corrosion (AREA)
- Transmission Devices (AREA)
- Auxiliary Drives, Propulsion Controls, And Safety Devices (AREA)
- Power Steering Mechanism (AREA)
Description
Fremgangsmåte til fremstilling av en halvlederinnretning med et halvledende legeme av et reaksjonsprodukt av gallium og fosfor. Method for manufacturing a semiconductor device with a semiconducting body from a reaction product of gallium and phosphorus.
Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte til fremstilling av en halvlederinnretning med et halvledende legeme av et The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device with a semiconducting body of a
reaksjonsprodukt av gallium og fosfor. reaction product of gallium and phosphorus.
For en mer generell teknisk anvendelse For a more general technical application
av den halvledende forbindelse galliumfosfid, er det nødvendig at det står til dispo-sisjon en enkel og hensiktsmessig fremgangsmåte til doping, hvormed man i et of the semiconducting compound gallium phosphide, it is necessary that a simple and suitable method for doping be available, with which one
galliumfosfidlegeme kan influere etter øn-ske ledningsevnen og lednlngstypen, og gallium phosphide bodies can influence the desired conductivity and the type of conductor, and
særlig en fremgangsmåte til doping som er in particular a procedure for doping which is
egnet til fremstilling av til hverandre grensende soner av motsatte ledningstyper i et suitable for producing adjoining zones of opposite wire types in a
galliumfosfidlegeme. På samme måte som gallium phosphide body. In the same way as
det også er tilfelle med andre halvledende it is also the case with other semiconductors
forbindelser med stor båndavstand byr connections with a large bandgap offer
fremstillingen og tilsetningen av forurens-ninger av homogene n-ledende galliumfos-fidlegemer ingen særlige vanskeligheter, og the production and addition of impurities of homogeneous n-conducting gallium phosphide bodies no particular difficulties, and
den kan gjennomføres på enkel og hensiktsmessig måte ved innbygning av et it can be implemented in a simple and appropriate way by incorporating a
overskudd av gallium eller et innhold av excess of gallium or a content thereof
fremmedatomer såvel som svovel og tellur, foreign atoms as well as sulfur and tellurium,
derimot ligger forholdene ved fremstillingen og dopingen av p-ledende galliumfosfid desto vanskeligere, og det mangler da on the other hand, the conditions for the production and doping of p-conducting gallium phosphide are all the more difficult, and it is then lacking
også dessuten alltid en egnet doping og en also always a suitable doping and a
egnet fremgangsmåte for doping, hvormed suitable procedure for doping, with which
det på nøyaktig kontrollerbar og for en generell teknisk anvendelse hensiktsmessig it on precisely controllable and for a general technical application appropriate
måte lar seg fremstille p-ledende galliumfosfid og særlig også et galliumfosfidlegeme p-conducting gallium phosphide and in particular also a gallium phosphide body can be produced in this way
med til hverandre grensende p- og n-soner. with adjacent p- and n-zones.
I tidsskriftet Physical Review 100 nr. In the journal Physical Review 100 no.
4, sidene 1144 og 1145 (november 1955) og 4, pages 1144 and 1145 (November 1955) and
i boken «Halbeiter und Phosphore», utgave in the book "Halbeiter und Phosphore", edition
Friedr.Vieweg und Sohn Braunschweig 1958 side 547—551, er det beskrevet noen under-søkelser over lumeniscensegenskapene av metallhalvlederkontakter på galliumfosfid-legemer. I disse litteratursitater beskrives også noen dopingsforsøk med en rekke av elementer, nemlig C, Si, Ge, Ti, Mn, Cu, S, Se, Zn. Herti bllir en mengde gallium og fosfor, idet fremmedatomene var tilsatt til gallium, oppvarmet til høy temperatur og oppsmeltet til dannelse av en oppløsning av disse komponenter og igjen avkjølt til kry-stallisering av forbindelsen GaP under samtidig doping av de således fremkomne krystaller. På denne måte ble det fremstilt n-ledende GaP-krystaller. Det mangler i disse litteratursitater enhver henvisning til p-ledende krystaller, og fremstillingen av p-n-overganger angis som et uløst problem. Friedr.Vieweg und Sohn Braunschweig 1958 pages 547-551, some investigations into the lumeniscence properties of metal-semiconductor contacts on gallium phosphide bodies are described. These literature citations also describe some doping experiments with a number of elements, namely C, Si, Ge, Ti, Mn, Cu, S, Se, Zn. A quantity of gallium and phosphorus, as the foreign atoms had been added to gallium, is heated to a high temperature and melted to form a solution of these components and cooled again to crystallize the compound GaP while simultaneously doping the resulting crystals. In this way, n-conducting GaP crystals were produced. These literature citations lack any reference to p-conducting crystals, and the production of p-n junctions is stated as an unsolved problem.
På grunn av de undersøkelser som står i sammenheng med foreliggende oppfinnelse, har det forøvrig også vist seg at den ovennevnte fremgangsmåte ikke er virksom og heller ikke hensiktsmessig fol-en innbygning av flere fremmedatomer som bestemmer ledningsegenskapene av GaP som f. eks. sink. Da fosfor er et lett flyktig stoff, er det for å unngå høye damptrykk, som er farlig for karet, nødvendig ved for-dampning av fritt fosfor under oppvarm-ingen for dannelse av oppløsningen enten å gå meget langsomt frem ved denne opp-varmning, hvorved behandlingstiden blir utillatelig lang for teknisk anvendelse, eller å tillate i karet et koldere sted med en så lav temperatur at fosfortrykket ikke kan anta noen farlige høye verdier. Due to the investigations that stand in connection with the present invention, it has also been shown that the above-mentioned method is neither effective nor appropriate following the incorporation of several foreign atoms which determine the conduction properties of GaP such as e.g. zinc. As phosphorus is an easily volatile substance, in order to avoid high vapor pressures, which are dangerous for the vessel, it is necessary when evaporating free phosphorus during the heating to form the solution either to proceed very slowly during this heating, whereby the treatment time becomes unacceptably long for technical use, or to allow in the vessel a colder place with such a low temperature that the phosphorus pressure cannot assume any dangerously high values.
Ved 440° C utgjør damptrykket av rødt fosfor allerede ca. 2 atmosfærer, ved 500° C ca. 8 atmosfærer, og ved 550° C er det allerede steget til ca. 20 atmosfærer. -En temperatur på ca. 450—500° C for det kaldeste sted av karet er å anse som den yt-terste grense ved de nødvendige høye be-handlingstemperaturer ved den kjente fremgangsmåte. Ved en så lav temperatur i karet kan imidlertid en ledndngsevne-egenskapbestemmende innbygning av mange fremmedatomer som f. eks. sink, ikke mere forløpe virksomt på grunn av over-veiende kondensasjon av fremmedatomene ved karets kolde steder. Det ville riktignok være mulig med den ovennevnte fremgangsmåte også i fravær av fremmedatomer å fremstille p-ledende GaP-krystaller, nemlig ved innbygning av overskuddsfos-for, idet fosfordamptrykket i karet velges høyere enn det fosfortrykk som tilsvarer det støkiometriske GaP ved behandlings-temperaturen. Denne mulighet er imidlertid lite hensiktsmessig for tekniske formål, og tillater ingen enkel og nøyaktig reguler-bar doping, mens den dessuten har den ulempe at man ved høye behandlingstem-peraturer igjen må tillate tilsvarende høy-ere fosfortrykk i karet. At 440° C, the vapor pressure of red phosphorus is already approx. 2 atmospheres, at 500° C approx. 8 atmospheres, and at 550° C it has already risen to approx. 20 atmospheres. - A temperature of approx. 450-500° C for the coldest part of the vessel is to be considered the extreme limit at the necessary high treatment temperatures in the known method. At such a low temperature in the vessel, however, a conductivity property-determining incorporation of many foreign atoms such as e.g. zinc, no longer proceeds effectively due to predominant condensation of the foreign atoms at the cold places of the vessel. It would certainly be possible with the above-mentioned method also in the absence of foreign atoms to produce p-conducting GaP crystals, namely by incorporating excess phosphorus, the phosphorus vapor pressure in the vessel being chosen higher than the phosphorus pressure corresponding to the stoichiometric GaP at the treatment temperature. However, this option is not very suitable for technical purposes, and does not allow for simple and precisely adjustable doping, while it also has the disadvantage that at high treatment temperatures, one must again allow correspondingly higher phosphorus pressures in the vessel.
Foreliggende oppfinnelse har blant annet som formål å angi en spesielt egnet fremgangsmåte for fremstilling av en halvlederanordning med et halvledende legeme av et reaksjonsprodukt av gallium og fosfor, idet det foretas en doping som frem-bringer p-ledning for galliumfosfid, idet fremgangsmåten er en enkel, nøyaktig, re-gulerbar og for teknisk anvendelse særlig hensiktsmessig fremgangsmåte til gjen-nomføring av denne doping, og som også er egnet til fremstilling av p-n-overganger i et GaP-legeme. The purpose of the present invention is, among other things, to indicate a particularly suitable method for the production of a semiconductor device with a semi-conducting body of a reaction product of gallium and phosphorus, in which a doping is carried out which produces p-conduction for gallium phosphide, the method being a simple , accurate, adjustable and, for technical use, a particularly suitable method for carrying out this doping, and which is also suitable for producing p-n junctions in a GaP body.
Oppfinnelsen vedrører altså en fremgangsmåte til fremstilling av en halvlederanordning med et halvledende legeme av et reaksjonsprodukt av gallium og fosfor, og fremgangsmåten er karakterisert ved at minst en del av det halvledende legeme do-pes med sink og/eller kadmium som p-ledningstype bestemmende forurensning, og at dopingen med sink og/eller kadmium gjen-nomføres ved hjelp av en oppvarmningsbehandling, hvor det i et lukket kar oppvarmes et reaksjonsprodukt av gallium og fosfor, hvor fosforinnholdet høyest tilsvarer den maksimalt mulige støkiometriske avvikning på grunn av fosforoverskudd fra forbindelsen GaP i nærvær av sink og/eller kadmium, til en så høy temperatur at sink og/eller kadmium kan indiffundere i reaksjonsproduktet mens temperaturen for de koldeste steder i karet ved nærvær av sink utgjør minst ca. 550° C og ved nærvær av kadmium minst utgjør ca. 500° C. The invention therefore relates to a method for producing a semiconductor device with a semiconducting body from a reaction product of gallium and phosphorus, and the method is characterized in that at least part of the semiconducting body is doped with zinc and/or cadmium as p-conduction type determining contamination , and that the doping with zinc and/or cadmium is carried out by means of a heating treatment, where a reaction product of gallium and phosphorus is heated in a closed vessel, where the highest phosphorus content corresponds to the maximum possible stoichiometric deviation due to an excess of phosphorus from the compound GaP in presence of zinc and/or cadmium, to such a high temperature that zinc and/or cadmium can indiffuse in the reaction product, while the temperature for the coldest places in the vessel in the presence of zinc amounts to at least approx. 550° C and in the presence of cadmium at least amounts to approx. 500°C.
Reaksjonsproduktet av gallium og fosfor kan enten være en oppløsning av galliumfosfid i gallium, eller kan være forbindelsen galliumfosfid. Dette reaksjonsprodukt kan fremstilles på forhånd på vanlig The reaction product of gallium and phosphorus can either be a solution of gallium phosphide in gallium, or can be the compound gallium phosphide. This reaction product can be prepared in advance in the usual way
■måte, særlig ved reaksjon av komponentene ved høy temperatur, idet for å unngå farlige høye fosfortrykk de koldeste steder av karet holdes på en tilstrekkelig lav temperatur, f. eks. på 450° C. Ifølge oppfinnelsen gåes .det ved fremgangsmåten for doping ut fra et reaksjonsprodukt, fosfortrykket bestemmes ikke mere ved hjelp av fritt fosfor men ved hjelp av reaksjonsproduktet, og dette partielle fosfortrykk er betraktelig lavere enn fritt fosfors damptrykk ved den samme temperatur. Således utgjør f. eks. for forbindelsen GaP det partielle fosfortrykk bare ca. 2 atmosfærer ved ca. 1170° C. Under disse omstendigheter kan temperaturen på de koldeste steder i karet uten fare velges-betraktelig høyere enn ved reaksjonen av komponentene, nemlig over den ifølge foreliggende oppfinnelses lære nødvendige minimale temperaturverdi på ca. "550° C resp. 500° C for en vorksom dopering med sink og kadmium. ■way, especially when the components react at high temperature, in order to avoid dangerously high phosphorus pressures, the coldest parts of the vessel are kept at a sufficiently low temperature, e.g. at 450° C. According to the invention, the method for doping is based on a reaction product, the phosphorus pressure is no longer determined by means of free phosphorus but by means of the reaction product, and this partial phosphorus pressure is considerably lower than the vapor pressure of free phosphorus at the same temperature. Thus, e.g. for the compound GaP the partial phosphorus pressure only approx. 2 atmospheres at approx. 1170° C. Under these circumstances, the temperature at the coldest places in the vessel can be chosen without danger - considerably higher than during the reaction of the components, namely above the minimum temperature value required according to the teachings of the present invention of approx. "550° C or 500° C for careful doping with zinc and cadmium.
Enskjønt fremstillingen av reaksjonsprodukt og forurensningen med sink og/eller kadmium fortrinnsvis gjennomføres i .atskilte trinn, idet sinken og/eller kadmiu-met først opptas i karet etter komponentenes reaksjon og før dopingsskrittet, er det innen oppfinnelsens ramme også mulig .å kombinere disse to trinn på den måte at komponentenes reaksjon gjennomføres i nærvær av sink og/eller kadmium under en oppvarmningsbehandling, idet temperaturen på de koldeste steder i karet under oppvarmningen og dannelsen av reaksjons-produktene holdes lavere, f .eks. på ca. 400 —450° C, for å unngå høye fosfortrykk, og deretter for dopingen økes over de ovennevnte nødvendige minimale temperatur-verdier på 550° C resp. 500° C. Although the preparation of the reaction product and the contamination with zinc and/or cadmium are preferably carried out in separate steps, with the zinc and/or cadmium first being taken up in the vessel after the reaction of the components and before the doping step, it is also possible within the framework of the invention to combine these two step in such a way that the reaction of the components is carried out in the presence of zinc and/or cadmium during a heating treatment, the temperature of the coldest places in the vessel being kept lower during the heating and the formation of the reaction products, e.g. of approx. 400 -450° C, to avoid high phosphorus pressures, and then for the doping it is increased above the above-mentioned required minimum temperature values of 550° C resp. 500°C.
Ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen bestemmes opptagelseshastigheten, særlig diffusjonshastigheten, av sink og/ eller kadmium i reaksjonsproduktet ved hjelp av den temperatur hvortil reaksjonsproduktet i karet oppvarmes. Jo høyere denne temperatur velges, desto større er diffusjonshastigheten. Fortrinnsvis velges reaksjonsproduktets temperatur mellom ca. 1000° C og 1200° C, særlig mellom 1100° 'C og 1200° C, da diffusjonshastigheten ved lavere temperaturer vanligvis blir for liten, særlig når reaksjonsproduktet består av den faste forbindelse galliumfosfid som har en smelte temperatur på ca. 1350° C, og hvori altså dopingen ved -.de ovennevnte temperaturer fåes ved faststoff dif fusjon, mens ved høyere temperaturer det partielle fosfor-trykk igjen kan bli utillatelig høyt. Når det gåes ut fra et reaksjonsprodukt som ved de høye temperaturer går over i en opp-løsning av GaP i Ga, oppnås forurensningen med sink og/eller kadmium ved opp-tak av sink og/eller kadmium i oppløsnin-gen og ved innbygning av disse elementer under krystallisasjonene ved etterfølgende avkjøling, idet også faststoff dif fusjonen kan spille en rolle. Når galliuminnholdet i reaksjonsproduktet er så stort at det allerede under ca. 1000° C danner seg en slik oppløsning, da kunne det også anvendes en slik temperatur hvormed imidlertid utbyt-tet av galliumfosfid ved krystallisasjonen er lavt på grunn av det lille fosfor-innhold som skal oppløses i gallium. Temperaturen av de koldeste steder i karet bestemmer, særlig så lenge det dessuten er bunnlegeme av flytende eller fast sink eller kadmium i karet, innholdet som står til dispo-sisjon for innbygningen av disse elementer. Jo høyere temperaturen av de koldeste ste-•der er, desto større er den konsentrasjon som skal innbygges. Ved hjelp av regulering av temperaturen på de koldeste steder er altså innholdet som skal innbygges reguler-bart. Fortrinnsvis velges de koldeste steders temperatur over 700° C, da innbygningen av sink og/eller kadmium da kan forløpe særlig virksomt. På den annen side velges de koldeste steders temperatur heller ikke for høy, særlig under 1150° C, da el-lers sink eller kadmiumdamptrykket .kan bli for høyt, hvis det dessuten er tilstede et bunnlegeme av sink og .kadmium. I denne sammenheng skal det dessuten bemerkes at det nødvendige innhold av sink og/eller . kadmium til frembringelse av p-ledning i et galliumfosfidlegeme selvsagt også bestemmes ved utgangslegemets renhet og forurensning. Jo høyere f. eks. utgangsle-.gemets n-ledningsevne er, desto høyere er den nødvendige konsentrasjon av sink eller kadmium til overkompensasjon av n-l.ed-ningen og til frembringelse og bestemmelse av p-ledning. In the method according to the invention, the uptake rate, in particular the diffusion rate, of zinc and/or cadmium in the reaction product is determined by means of the temperature to which the reaction product in the vessel is heated. The higher this temperature is chosen, the greater the diffusion rate. Preferably, the temperature of the reaction product is chosen between approx. 1000° C and 1200° C, especially between 1100° C and 1200° C, as the diffusion rate at lower temperatures usually becomes too small, especially when the reaction product consists of the solid compound gallium phosphide which has a melting temperature of approx. 1350° C, and in which the doping at the above-mentioned temperatures is obtained by solid diffusion, while at higher temperatures the partial pressure of phosphorus can again become unacceptably high. When the starting point is a reaction product which at the high temperatures turns into a solution of GaP in Ga, the contamination with zinc and/or cadmium is achieved by absorption of zinc and/or cadmium in the solution and by incorporation of these elements during the crystallizations on subsequent cooling, as solid diffusion can also play a role. When the gallium content in the reaction product is so great that it is already below approx. 1000° C forms such a solution, then such a temperature could also be used at which, however, the yield of gallium phosphide during crystallization is low due to the small phosphorus content that must be dissolved in gallium. The temperature of the coldest places in the vessel determines, especially as long as there is also a bottom body of liquid or solid zinc or cadmium in the vessel, the content available for the incorporation of these elements. The higher the temperature of the coldest places, the greater the concentration to be incorporated. By means of regulation of the temperature in the coldest places, the content to be installed can therefore be regulated. Preferably, the temperature of the coldest places is chosen above 700° C, as the incorporation of zinc and/or cadmium can then proceed particularly effectively. On the other hand, the temperature of the coldest places is not chosen too high either, especially below 1150° C, as otherwise the zinc or cadmium vapor pressure can become too high, if there is also a bottom body of zinc and cadmium present. In this context, it should also be noted that the required content of zinc and/or . cadmium to produce p-conduction in a gallium phosphide body is of course also determined by the purity and contamination of the starting body. The higher, e.g. the n-conductivity of the output body is, the higher is the necessary concentration of zinc or cadmium to overcompensate the n-conductivity and to produce and determine the p-conduction.
Forurensningen med sink og/eller kadmium muliggjør ifølge oppfinnelsen på hensiktsmessig måte en ledningstype-bestemmende forurensning av GaP med sink og/eller kadmium. Med denne forurensning fåes utmerket llkerettereffekt på p-ledende GaP-legemer. According to the invention, the contamination with zinc and/or cadmium makes it possible, in an appropriate manner, for a conductor type-determining contamination of GaP with zinc and/or cadmium. With this contamination, an excellent rectifier effect is obtained on p-conducting GaP bodies.
Oppfinnelsen skal i det følgende be- In the following, the invention shall be
skrives nærmere ved hjelp av noen eksempler under "henvisning til tegningen. is written in more detail with the help of some examples under "reference to the drawing.
Fig. viser en strøm-spenningslikeret-terkarakteristikk for en hålvlederdlode i-følge oppfinnelsen. Fig. shows a current-voltage rectifier characteristic for a semiconductor diode according to the invention.
Eksempel 1: Example 1:
I et tobenet kvartsrør med et samlet volum på ca. 25 m3 ble det i det ene ben anbragt 10 g gallium og i det annet ben 3 g fosfor, hvoretter røret ble evakuert og igjensmeltet..Det .anvendte røde fosfor var spektrokjemisk rent -ved hjelp av gjentatt sublimering, og det anvendte gallium var av en så høy renhet som var kommersielt tilgjengelig. Kvartsrør et ble i en. dobbelt-ovn underkastet en temperaturbehandling ;for å danne en oppløsning av fosfor i gallium, idet det benet .som inneholdt gallium ble oppvarmet til ca. 1170° C, og det fosforholdige ben til en temperatur på ca. 440° C, hvorved det i røret kunne danne seg et fosfordamptrykk på ca. 2 atmosfærer. Behandlingen varte i ca. 3 timer, idet det oppløste seg ca. 1,5 g fosfor i galliumet. Deretter ble det avkjølt inntil værelsetem-peratur, idet først bare det ben som inneholdt galliumfosforoppløsningen langsomt ble avkjølt i løpet av 1 time til 1000° C under opprettholdelse av temperaturen av det fosforholdige ben. Etter avkjølingen fremkom det i det ene ben et reaksjonsprodukt som besto av en blanding av gallium og galliumfosfidkrystaller. Det fosforholdige ben ble atskilt og til det reaksjonsproduktholdige ben ble det satt 200 mg sink, hvorpå dette ben igjen ble evakuert og igjensmeltet. In a two-legged quartz tube with a total volume of approx. 25 m3, 10 g of gallium were placed in one leg and 3 g of phosphorus in the other leg, after which the tube was evacuated and remelted. The red phosphorus used was spectrochemically pure - by means of repeated sublimation, and the gallium used was of as high a purity as was commercially available. A quartz tube became one. double furnace subjected to a temperature treatment to form a solution of phosphorus in gallium, the bone containing gallium being heated to approx. 1170° C, and the phosphorous bone to a temperature of approx. 440° C, whereby a phosphorus vapor pressure of approx. 2 atmospheres. The treatment lasted approx. 3 hours, as it dissolved approx. 1.5 g of phosphorus in the gallium. It was then cooled to room temperature, with first only the bone containing the gallium phosphorus solution slowly cooled over the course of 1 hour to 1000° C. while maintaining the temperature of the phosphorus-containing bone. After cooling, a reaction product consisting of a mixture of gallium and gallium phosphide crystals appeared in one leg. The phosphorus-containing leg was separated and 200 mg of zinc was added to the reaction product-containing leg, whereupon this leg was again evacuated and remelted.
Dette ben ble deretter underkastet en annen temperaturbehandling for dopering, idet benets ene ende hvori reaksjonsproduktet befant seg, i løpet av en halv time ble oppvarmet til ca. 1170° C, mens rørets andre ende ble holdt på en temperatur på ca. 900° C, idet det oppsto et sinktrykk på ca. 1 atmosfære, og et fosfortrykk på ca. 2 atmosfærer i røret. Derved oppløste en del av sinken seg i oppløsningen. Røret ble deretter langsomt avkjølt, idet igjen først den reaksjonsproduktholdige ende ble avkjølt til ca. 1000° C i løpet av en time under opprettholdelse av temperaturen på ca. 900° C for den andre ende. Røret ble deretter åp-net, og reaksjonsproduktet ble oppvarmet til ca. 100° C i en platinadigel som inneholdt fortynnet saltsyre. Da platina er meget edlere enn gallium, oppløser galliumoverskuddet seg i løpet av ca. 2 timer. Etter spyling i ionefritt vann og tørking ved ca. This leg was then subjected to another temperature treatment for doping, as one end of the leg, in which the reaction product was located, was heated to approx. 1170° C, while the other end of the tube was kept at a temperature of approx. 900° C, as a zinc pressure of approx. 1 atmosphere, and a phosphorus pressure of approx. 2 atmospheres in the tube. Thereby, part of the zinc dissolved in the solution. The tube was then slowly cooled, again first the end containing the reaction product was cooled to approx. 1000° C within an hour while maintaining the temperature of approx. 900° C for the other end. The tube was then opened, and the reaction product was heated to approx. 100° C in a platinum crucible containing dilute hydrochloric acid. As platinum is much more noble than gallium, the excess gallium dissolves within approx. 2 hours. After rinsing in deionized water and drying at approx.
120° C fremkom polykrystalline krystaller av galliumfosfid med dimensjoner på f. eks. 0,5 cm x 3 mm x 0,5 mm. 120° C, polycrystalline crystals of gallium phosphide with dimensions of e.g. 0.5cm x 3mm x 0.5mm.
Disse krystallskiver ble deretter underkastet elektriske målinger. Først ble krystallenes ledningstype undersøkt. For dette formål ble krystallens ene side dekket med en kontakt av ledesølv, og den andre side ble avfølt med en molybdenspiss med en diameter på mindre enn 0,1 mm. Herunder viste det seg at krystallene var homogent p-ledende, idet det ble målt en likeretter-karakteristikk av den form som er avbildet på figuren. På figuren er det som abscisse angitt den anlagte spenning i volt, og som ordinat en tilsvarende strømstyre i mA. Som det fremgår av figuren tilsvarer spissens negative polaritet diodens gjennom-gangsretning, og spissens positive polaritet sperringsretningen hvorav det følger at prøven var p-ledende. I karakteristikkens sperrende del, ved ca. 4 eller 5 volt utgjø sperrestrømmen ca. 10 |.iA. Prøvens p-ledningsevne ble også fastslått ved hjelp av termokraftmålinger. Den atomære slnk-konsentrasjon i GaP-krystallene ble bestemt spektrometrisk til ca. 5 x 10-<4>. Krystallens spesifikke motstand utgjorde ca. 10 ohm cm. These crystal discs were then subjected to electrical measurements. First, the crystals' conduction type was investigated. For this purpose, one side of the crystal was covered with a lead silver contact, and the other side was sensed with a molybdenum tip with a diameter of less than 0.1 mm. Below, it turned out that the crystals were homogeneously p-conducting, as a rectifier characteristic of the form depicted in the figure was measured. In the figure, the applied voltage in volts is indicated as the abscissa, and the corresponding current control in mA as the ordinate. As can be seen from the figure, the tip's negative polarity corresponds to the through direction of the diode, and the tip's positive polarity to the blocking direction, from which it follows that the sample was p-conducting. In the blocking part of the characteristic, at approx. 4 or 5 volts pour the blocking current approx. 10 |.iA. The p-conductivity of the sample was also determined using thermopower measurements. The atomic slnk concentration in the GaP crystals was determined spectrometrically to approx. 5 x 10-<4>. The specific resistance of the crystal was approx. 10 ohm cm.
Det skal dessuten bemerkes at det på ingen måte er nødvendig ved dopingsfremgangsmåten til karet å sette et overskudd av sink således at det blir tilbake et bunnlegeme av sink. Enskjønt denne fremgangsmåte tillater en meget nøyaktig regulering av sinkens damptrykk og derved også dopingens størrelse, er en regulering av dopingen også mulig ved en mindre sinktil-setning, idet det ikke kan danne seg noe mettet sinktrykk, og dopingens størrelse altså mere bestemmes ved hjelp av den til-satte sinkmengde. It should also be noted that in the doping process it is in no way necessary to add an excess of zinc to the vessel so that a bottom body of zinc remains. Although this method allows a very precise regulation of the vapor pressure of the zinc and thereby also the size of the doping, a regulation of the doping is also possible with a smaller addition of zinc, as no saturated zinc pressure can form, and the size of the doping is thus more determined by means of the added amount of zinc.
Av lignende forsøk som beskrevet oven-for, med forskjellige temperaturer ved de koldeste steder, ble det bestemt den nød-vendige resp. den foretrukne minimale temperaturverdi av de koldeste steder på ca. 550° C resp. ca. 700° C, for en sinkfor-urensning som er virksomt bestemmende på ledningsegenskapene. From similar experiments as described above, with different temperatures at the coldest places, the necessary resp. the preferred minimum temperature value of the coldest places of approx. 550° C or about. 700° C, for a zinc impurity which effectively determines the conduction properties.
Eksempel 2: Example 2:
Dette eksempel refererer seg til en doping med kadmium som ledningsype bestemmende doping, og atskiller seg bare med hensyn til dopingstrinnet fra den fremgangsmåte som er beskrevet i eksempel 1, nemlig i at det istedenfor sink tilsettes 300 mg kadmium, og at ved dopings-temperaturbehandlingen rørendens koldeste temperatur holdes på ca. 800° C. Av elek triske målinger på slike kadmiumdopede GaP-krystaller viste det seg tilsvarende li-keretterkarakteristikker som er vist på figuren, idet likerettingsfaktoren var av den samme størrelsesorden og bare undertiden absolutt-verdiene av strømmen i gjennom-gangsretningen og sperreretningen ved en bestemt spenning og størrelsen av gjen-nombruddsspenningen i sperreområdet var forskjellig fra de verdier som var angitt på figuren. Krystallene var igjen homogent p-ledende, og den atomære kadmiumkonsen-trasjon i krystallene ble bestemt spektrometrisk til ca. 10—<4> Cd. Krystallenes spesifikke motstand utgjorde ca. 50 ohm cm. This example refers to a doping with cadmium as the conductor type determining doping, and differs only with regard to the doping step from the method described in example 1, namely in that instead of zinc, 300 mg of cadmium is added, and that during the doping temperature treatment of the tube end coldest temperature is kept at approx. 800° C. Of elec tric measurements on such cadmium-doped GaP crystals showed similar rectifier characteristics as shown in the figure, the rectification factor being of the same order of magnitude and only sometimes the absolute values of the current in the forward direction and the blocking direction at a certain voltage and the size of the - the breakdown voltage in the blocking area was different from the values indicated in the figure. The crystals were again homogeneously p-conducting, and the atomic cadmium concentration in the crystals was determined spectrometrically at approx. 10—<4> Cd. The specific resistance of the crystals was approx. 50 ohm cm.
Av tilsvarende forsøk med forskjellige temperaturer ved de koldeste steder ble det bestemt den nødvendige resp. foretrukne minimale temperaturvidde av de kaldeste steder til ca. 500° C resp. 700° C for en kad-miumdoping som virksomt influerer på ledningsegenskapene. From similar experiments with different temperatures at the coldest places, the required resp. preferred minimum temperature range of the coldest places to approx. 500° C or 700° C for a cadmium doping that effectively influences the conduction properties.
Eksempel 3: Example 3:
I et kvartsrør med et volum på 10 cm<3 >ble det innsmeltet 4 g galliumfosfidkrystaller og 200 mg sink etter rørets evakue-ring. Reaksjonsproduktet besto i dette tilfelle altså nu av galliumfosfidkrystaller som var fremkommet på samme måte som i eksempel 1 angitt for den første temperaturbehandling, ved hjelp av krystallise-ring fra en oppløsning, og etterfølgende at-skillig av galliumoverskuddet ved oppløs-ning i fortynnet saltsyre. Utgangskrystal-lene var n-ledende. Rørets ene ende hvori GaP-krystallene befant seg, ble oppvarmet til 1130° C og den andre ende til ca. 900° C. Under behandlingen som varte ca. 3 timer, diffunderte sink inn i GaP-krystallene. Rø-ret ble igjen avkjølt langsomt, idet den kolde endes temperatur under avkjølingen ble opprettholdt. Etter en kort tids be-handling i fortynnet saltsyre, hvorved like-ledes det tilstedeværende gallium ble fjer-net fra krystallenes overflate, fremgikk det av elektriske målinger at krystallene var homogent p-ledende. Det fremkom lignende likerettereffekter med molybdenspiss som beskrevet i det foregående eksempel. Den atomære sinkkonsentrasjon ble bestemt spektrometrisk til ca. 3 x 10—' og krystallenes spesifikke motstand utgjorde ca. 20 ohm cm. In a quartz tube with a volume of 10 cm<3>, 4 g of gallium phosphide crystals and 200 mg of zinc were melted after the tube had been evacuated. In this case, the reaction product thus now consisted of gallium phosphide crystals which had been formed in the same way as in example 1 indicated for the first temperature treatment, by means of crystallization from a solution, and subsequently of the excess gallium by dissolution in dilute hydrochloric acid. The starting crystals were n-conducting. One end of the tube, in which the GaP crystals were located, was heated to 1130° C and the other end to approx. 900° C. During the treatment which lasted approx. 3 h, zinc diffused into the GaP crystals. The tube was again cooled slowly, the temperature of the cold end being maintained during the cooling. After a short treatment in dilute hydrochloric acid, whereby the gallium present was also removed from the surface of the crystals, electrical measurements showed that the crystals were homogeneously p-conducting. Similar rectifier effects with a molybdenum tip appeared as described in the previous example. The atomic zinc concentration was determined spectrometrically to approx. 3 x 10—' and the specific resistance of the crystals was approx. 20 ohm cm.
Under de betingelser som er beskrevet i dette eksempel: og også i de foregående eksempler, spalter under dopingstempera-turbehandlingen en liten del av gallium-fosfidet seg i gallium og fosfor, således at det i karet kan danne seg det partielle fosfortrykk av GaP ved behandlingstempera-turen. Enskjønt denne lille spaltning i mange tilfeller praktisk talt ikke behøver å være uheldig, er det for andre tilfeller, f. eks. hvor det gjennomføres en meget nøy-aktig kontrollerbar diffusjon, særlig hensiktsmessig i det minste for en stor del å unngå denne spaltning, idet det før dopingen i karet i tillegg tilsettes det nødven-dige innhold fosfor for dannelse av dette likevektstrykk. Dette innhold må bestemmes meget nøyaktig og ikke overskrides vesentlig for at det ikke skal danne seg noe farlig høyt fosfortrykk ved oppvarmningen. Det nødvendige fosforinnhold er avhengig av karets størrelse og behand-lingstemperaturene, og det kan bestemmes på enkel måte, idet det i et kar av samme størrelse oppvarmes en mengde GaP-krystaller til de samme behandlingstempera-turer og deretter avkjøles hurtig hvorpå det tilsvarende fosforinnhold lar seg be-stemme på enkel måte ved bestemmelse av innhold av fritt gallium. Under the conditions described in this example: and also in the previous examples, during the doping temperature treatment a small part of the gallium phosphide splits into gallium and phosphorus, so that the partial phosphorus pressure of GaP can form in the vessel at the treatment temperature - the trip. Although this small split in many cases practically does not have to be unfortunate, it is for other cases, e.g. where a very precisely controllable diffusion is carried out, especially expedient at least for a large part to avoid this splitting, as before the doping in the vessel the necessary amount of phosphorus is additionally added to create this equilibrium pressure. This content must be determined very precisely and not significantly exceeded so that no dangerously high phosphorus pressure is formed during heating. The required phosphorus content depends on the size of the vessel and the treatment temperatures, and it can be determined in a simple way, as in a vessel of the same size, a quantity of GaP crystals is heated to the same treatment temperatures and then cooled rapidly, after which the corresponding phosphorus content allows be determined in a simple way by determining the content of free gallium.
Eksempel 4: Dette eksempel atskiller seg bare fra eksempel 3 deri at det i stedenfor 200 mg sink ble tilsatt 300 mg kadmium, og at den koldere endes temperatur ble holdt på ca. 800° C. De fremkomne krystaller som var dopet med kadmium var homogent p-ledende med en spesifikk motstand på ca. 100 ohm cm. Den atomære kadmiumkon-sentrasjon ble bestemt spektrometrisk til ca. 6 x 10-<5>. Example 4: This example only differs from example 3 in that instead of 200 mg zinc, 300 mg cadmium was added, and that the temperature of the colder end was kept at approx. 800° C. The resulting crystals doped with cadmium were homogeneous p-conducting with a specific resistance of approx. 100 ohm cm. The atomic cadmium concentration was determined spectrometrically to approx. 6 x 10-<5>.
De ovennevnte eksempler vedrører do-pinger av polykrystalline GaP-legemer med sink og kadmium. Dopingsfremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er imidlertid på samme måte også anvendbar på enkrystalline GaP-legemer. Når hertil gåes ut fra et enkry-stallinsk n-ledende GaP-legeme som tillater en regelmessig inndiffusjon av for-styrrelsessteder, kan fremgangsmåten iføl-ge oppfinnelsen på særlig hensiktsmessig måte anvendes til omdannelse av lednings-typen av et overflatelag av en GaP-mono-krystall, særlig idet det ved indiffundering av sink og/eller kadmium frembringes et p-ledende overflatelag i en n-ledende GaP-monokrystall. Ved egnet valg av dopings-temperatur og dopingstid kan diffusjonens inntrengningsdybde reguleres nøyaktig. For dette anvendes fortrinnsvis en totem-peraturovn hvori GaP-monokrystallen holdes på en med hensyn til diffusjonshastigheten ønsket temperatur, og hvor et annet sted av karet, hvor sinken og/eller kadmi-umet befinner seg, holdes på en lavere temperatur som bestemmer det til innbygning til forføyning stående innhold av disse elementer, idet imidlertid de koldeste steder ikke bør underskride en ifølge oppfinnelsen minimal temperaturverdi på 550 resp. 500° C som er nødvendig, for en hensiktsmessig ledningsevne bestemmende doping. Av således behandlede monokrystal-line legemer kan det f. eks. ved avslipning av p-ledende lag på en side av legemet fåes GaP-legemer med en p-n-overgang som etter anbringelse av kontakter kan anvendes som p-n-diode. På samme måte muliggjør fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen også fremstillingen av p-n-rekombinasjonsstrå-lingskilder med et GaP-legeme hvor strålingen fåes ved anlegg av en spenning i gjennomslipningsretningen over en p-n-overgang, og strålingen som er frembrakt ved rekombinasjon av ladningsbærere som en injisert på begge sider av p-n-overgangen, trer ut av overflaten i nærheten av p-n-overgangen. The above examples relate to the doping of polycrystalline GaP bodies with zinc and cadmium. However, the doping method according to the invention is also applicable to single-crystalline GaP bodies in the same way. When this is based on a single-crystalline n-conducting GaP body which allows a regular in-diffusion of disturbance sites, the method according to the invention can be used in a particularly appropriate way to convert the conduction type of a surface layer of a GaP mono -crystal, particularly as a p-conducting surface layer is produced in an n-conducting GaP single crystal by indiffusion of zinc and/or cadmium. By choosing a suitable doping temperature and doping time, the penetration depth of the diffusion can be precisely regulated. For this, a totem-temperature furnace is preferably used in which the GaP single crystal is kept at a desired temperature with regard to the diffusion rate, and where another place in the vessel, where the zinc and/or cadmium is located, is kept at a lower temperature which determines it to built-in to order standing content of these elements, however the coldest places should not fall below a minimum temperature value according to the invention of 550 resp. 500° C which is necessary for an appropriate conductivity-determining doping. Of monocrystalline bodies treated in this way, e.g. by grinding off the p-conducting layer on one side of the body, GaP bodies are obtained with a p-n junction which, after placing contacts, can be used as a p-n diode. In the same way, the method according to the invention also enables the production of p-n recombination radiation sources with a GaP body where the radiation is obtained by applying a voltage in the grinding direction across a p-n junction, and the radiation produced by recombination of charge carriers as one injected on both sides of the p-n junction, emerge from the surface near the p-n junction.
Claims (5)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO760220A NO137145C (en) | 1976-01-23 | 1976-01-23 | STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL |
| SE7700578A SE7700578L (en) | 1976-01-23 | 1977-01-20 | SHIP STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE |
| DE19772702139 DE2702139A1 (en) | 1976-01-23 | 1977-01-20 | CONTROL AND / OR DRIVE DEVICE FOR A WATER VEHICLE |
| FI770197A FI770197A (en) | 1976-01-23 | 1977-01-21 | |
| DK25677A DK25677A (en) | 1976-01-23 | 1977-01-21 | STEERING AND / OR PROGRESS DEVICE FOR A VESSEL |
| NL7700633A NL7700633A (en) | 1976-01-23 | 1977-01-21 | STEERING AND / OR PROPULSION EQUIPMENT FOR A VESSEL. |
| FR7701881A FR2338842A1 (en) | 1976-01-23 | 1977-01-24 | Propulsion and steering unit for watercraft - has free end with fastener pivoting about horizontal axis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO760220A NO137145C (en) | 1976-01-23 | 1976-01-23 | STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO760220L NO760220L (en) | 1977-07-26 |
| NO137145B true NO137145B (en) | 1977-10-03 |
| NO137145C NO137145C (en) | 1978-01-11 |
Family
ID=19882673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO760220A NO137145C (en) | 1976-01-23 | 1976-01-23 | STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2702139A1 (en) |
| DK (1) | DK25677A (en) |
| FI (1) | FI770197A (en) |
| FR (1) | FR2338842A1 (en) |
| NL (1) | NL7700633A (en) |
| NO (1) | NO137145C (en) |
| SE (1) | SE7700578L (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8401879D0 (en) * | 1984-01-25 | 1984-02-29 | Vickers Plc | Vessel |
| DE3718222A1 (en) * | 1987-05-29 | 1988-02-18 | Zikeli Friedrich Dipl Ing Th | Watercraft drive unit arranged to be pivotable, in particular for motor and sailing yachts and amphibious craft |
| FI110252B (en) * | 1997-07-04 | 2002-12-31 | Abb Oy | propulsion unit |
| FR2826629B1 (en) * | 2001-06-27 | 2003-08-15 | Alstom | DEVICE FOR THE PLACEMENT AND / OR THE DEPOSITION OF A PIPE, ORIENTABLE, OF A VESSEL |
| SE533107C2 (en) * | 2008-04-03 | 2010-06-29 | Rolls Royce Ab | Method and arrangement for attaching and / or disassembling / assembling a tunnel cluster |
| WO2010136012A1 (en) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Schottel Gmbh | Rudder propeller vessel propulsion system and vessel equipped therewith and assembly and disassembly method therefor |
| CN102464088B (en) * | 2010-11-12 | 2014-02-19 | 烟台中集来福士海洋工程有限公司 | Method for installing thruster at bottom of drilling platform |
| WO2016113000A1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-07-21 | Wärtsilä Netherlands B.V. | A sealing arrangement for an underwater mountable thruster of a marine vessel |
-
1976
- 1976-01-23 NO NO760220A patent/NO137145C/en unknown
-
1977
- 1977-01-20 DE DE19772702139 patent/DE2702139A1/en not_active Withdrawn
- 1977-01-20 SE SE7700578A patent/SE7700578L/en unknown
- 1977-01-21 DK DK25677A patent/DK25677A/en unknown
- 1977-01-21 FI FI770197A patent/FI770197A/fi not_active Application Discontinuation
- 1977-01-21 NL NL7700633A patent/NL7700633A/en not_active Application Discontinuation
- 1977-01-24 FR FR7701881A patent/FR2338842A1/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE7700578L (en) | 1977-07-24 |
| DE2702139A1 (en) | 1977-07-28 |
| NO760220L (en) | 1977-07-26 |
| NO137145C (en) | 1978-01-11 |
| DK25677A (en) | 1977-07-24 |
| FI770197A (en) | 1977-07-24 |
| FR2338842A1 (en) | 1977-08-19 |
| FR2338842B3 (en) | 1979-09-21 |
| NL7700633A (en) | 1977-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3093517A (en) | Intermetallic semiconductor body formation | |
| Ta et al. | Effects of stoichiometry on thermal stability of undoped, semi‐insulating GaAs | |
| Brebrick et al. | Composition limits of stability of PbTe | |
| Brebrick et al. | Composition stability limits of PbTe. II | |
| Triboulet et al. | Growth of high purity CdTe single crystals by vertical zone melting | |
| Whelan et al. | The preparation and properties of gallium arsenide single crystals | |
| NO137145B (en) | STEERING AND / OR PROPULSION DEVICE FOR A VESSEL | |
| US3249473A (en) | Use of metallic halide as a carrier gas in the vapor deposition of iii-v compounds | |
| Toyama | Effect of Heat Treatment on Gallium Arsenide Crystals. I. Thermal Conversion in Excess Arsenic Vapor | |
| Sigmund | Solubilities of magnesium and calcium in silicon | |
| US4904618A (en) | Process for doping crystals of wide band gap semiconductors | |
| US4126732A (en) | Surface passivation of IV-VI semiconductors with As2 S3 | |
| US4642142A (en) | Process for making mercury cadmium telluride | |
| Mittleman et al. | Electrical properties of cadmium and zinc doped CuInS2 | |
| Hage-Ali et al. | Growth methods of CdTe nuclear detector materials | |
| Triboulet et al. | Properties of CdTe crystals grown by THM using Cd as the solvent | |
| US3033791A (en) | Method of manufacturing high-ohmic cadmium telluride for use in semiconductor devices or photo-sensitive devices | |
| US3546032A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices on substrates consisting of single crystals | |
| Akiyama et al. | Lowering of breakdown voltage of semiconductor silicon due to the precipitation of impurity carbon | |
| US4028145A (en) | Stoichiometric annealing of mercury cadmium telluride | |
| US2980560A (en) | Methods of making semiconductor devices | |
| US4087293A (en) | Silicon as donor dopant in Hg1-x Cdx Te | |
| US3154446A (en) | Method of forming junctions | |
| US2822307A (en) | Technique for multiple p-n junctions | |
| Taguchi et al. | Crystal growth by solvent techniques and characteristic properties of CdTe |