NO125996B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO125996B NO125996B NO2118/69A NO211869A NO125996B NO 125996 B NO125996 B NO 125996B NO 2118/69 A NO2118/69 A NO 2118/69A NO 211869 A NO211869 A NO 211869A NO 125996 B NO125996 B NO 125996B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- shaft
- vibrator
- stated
- shelves
- discharge
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 4
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910000746 Structural steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
- H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
- H01L27/0826—Combination of vertical complementary transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
- H01L21/8228—Complementary devices, e.g. complementary transistors
- H01L21/82285—Complementary vertical transistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/037—Diffusion-deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/122—Polycrystalline
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Filling Or Emptying Of Bunkers, Hoppers, And Tanks (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
Anordning for utmatning av korn eller stykkeformig materiale.
Ved korntørkere, siloer og andre an-ordninger med sjakt for behandling eller lagring av korn- eller stykkeformig materiale foreligger det problem å oppnå en jevn utmatning av materialet fra sjakten. Med jevn utmatning menes her en utmatning som i ideelle tilfelle foranlediger materialet i den ovenfor beliggende sjakt å synke ned med samme hastighet i alle punkter av et vilkårlig horisontalsnitt gjennom sjakten. Vanligvis er dette ikke tilfelle, idet f. eks. ved siloer med trakt-formig nedre del synker materialet fortere i sjaktens sentrum, dvs. midt over traktens utløpsåpning enn ved sjaktens omkrets. Ved den luftning av materialet som fra tid til annen må foretas for å unngå lagrings-skader, kommer materialet derfor til å bli utmatet og luftet ujevnt, hvilket forsinker luftningen og gjør denne dårligere. Ved korntørkere med kontinuerlig utmatning er det dessuten fare for at en del av kornet blir liggende lenge i sjakten så at kornet skades med hensyn til grobarheten, mens en del passerer for hurtig gjennom sjakten og blir ufullstendig tørket.
Foreliggende oppfinnelse går ut på å
tilveiebringe en utmatningsanordning som muliggjør jevn utmatning fra sjakt som inneholder korn- eller stykkeformig materiale. Oppfinnelsen kan anvendes ved korn-tørkere, siloer og andre liknende anordnin-ger.
En anordning for utmatning av pulver-,
korn- eller stykkeformig material fra en sjakt, f. eks. ved siloer eller korntørkere, hvor der under sjakten er anordnet et ut-matningsorgan som er påvirket av en vi-
brator, er i henhold til oppfinnelsen hoved-sakelig karakterisert ved at utmatningsor-ganet består av en oppad åpen, av sjakten uavhengig utmatningskasse med et antall horisontale bjelker som danner utløpsspal-ter, og med på bjelkene anbrakte fordelingshyller som er anordnet på en sådan måte at materialet som fra utløpsspaltene faller ned på fordelingshyllene forblir liggende på disse når vibratoren står stille, men under vibratorens drift fjernes fra fordelingshyllene på grunn av materialets herved forandrede rasvinkel.
Ved vibreringen kommer materialet i en viss grad til å opptre som en væske og i utløpskammerets øvre åpning danne en plan horisontal plate så at like meget materiale kommer til å påføres de forskjellige utløpsspalter.
For at materialet som følge av vibreringen ikke skal renne for fort ned gjennom utløpsåpningene og også for å forbedre for-delingen av materialet under utmatningen, kan man under utløpsspaltene an-bringe horisontale eller hellende fordelingshyller som strekker seg langs de nevn-te spalter og på hvilket det gjennom ut-løpsspaltene nedrennende materiale opp-tas, innen det faller ned i et oppsamlings-kammer. Disse fordelingshyller kan bestå av vinkelplater som med en vertikal flens er festet til kanten av utløpsspalten og med en horisontal flens strekker seg under denne spalte.
For at utmatningskammeret skal av-lastes fra tyngden av det ovenfor beliggende materiale i sjakten kan der i dennes nedre del over kammeret anordnes avlastningsorganer, hensiktsmessig i form av horisontale bjelker som strekker seg tvers gjennom sjakten og som i mellom seg danner nedad konvergerende gjennomgangsspalter. Disse spalter strekker seg fortrinnsvis vinkelrett på utmatningskammerets ut-løpsspalter, idet materialets jevne fordeling over sjaktens tverrsnitt derved forbedres.
Tegningen viser et par utførelsesfor-mer som eksempel på oppfinnelsens anven-delse. Fig. 1 og 2 viser to på hverandre vinkelrette, vertikale midtsnitt gjennom den nedre del av en sjakttørker og en tilhøren-de utmatningsanordning i henhold til oppfinnelsen. Fig. 3 viser på samme måte som fig. 1 et vertikalt midtsnitt gjennom den nedre del av en silo med utmatningsanordning i henhold til oppfinnelsen. Fig. 4 viser et horisontalsnitt etter lin-jen III—III i fig. 3.
I fig. 1 og 2 betegner 10 de vertikale vegger i en tørkesjakt 12 med vilkårlig, f. eks. kvadratisk tverrsnitt. Sjakten bæres nedentil av et betongfundament 14. Tørken er av den type som er forsynt med horisontale luftningsbj eiker 16, dvs. nedad åpne renner for tørkeluft. Nedentil er sjakten dessuten forsynt med et antall perallelle avlastningsorganer i form av bjelker 18 med slikt tverrsnitt at de mellom seg danner nedad konvergerende spalter 20 for tør-kegodsets passasje. Disse bjelker tjener til å oppta belastningen fra det ovenfor i sjakten værende tørkegods og derved avlaste utmatningskammeret som ligger nedenfor.
Foruten avlastningsorganer består ut-matningsanordningen av et utmatningskammer 22 i en kasse, dannet av en hensiktsmessig rektangulær ramme 24 av f .eks. U-bjelker og på rammens innside anbrakte vegger 26 av f. eks. plate. Rammen 24 hvi-ler på fjærer 28 og er styrt på vertikale styrepinner 30, som er festet i fundamentet 14 og fritt går gjennom huller i rammebjel-kens flenser. Skrå ledeflater 32 ved de nedre kanter av sjaktens sidevegger leder tør-kegodset ned gjennom en krave 34 og inn i det oppover åpne utmatningskammer 22.
Utmatningskammeret 22 går nedentil over i et antall nedover konvergerende ut-løpsspalter 36, som dannes mellom horisontale, parallelle bjelker 38, som med endene er festet til de to motstående sider av kassen som dannes av bjelkene 24 og plat-ene 26. Bjelkene 38 har hensiktsmessig i snitt form av likesidede triangler og kan bestå av kassebj eiker av plate.
Under utløpsspaltene 36 finnes fordel-
ingshyller 40, som mottar det tørkede materiale, som renner ned gjennom utløps-spaltene 36. Disse fordelingshyller kan bestå av vinkeljern eller vinkelpater, som med en vertikal flens er festet til kanten av ut-løpsspalten 36 og med en horisontal flens strekker seg under denne spalte, som vist på fig. 1.
Kasseveggene 26 strekker seg et styk-ke nedenfor utløpsspaltene 36 og hyllene 40 og inneslutter her et oppsamlingskam-mer 42 med en skrånende bunn 44, som. på den ene side munner ut i en utløpsrenne 46, gjennom hvilken det materiale som faller ned fra hyllene på bunnen 44 avledes-
På kassen, hensiktsmessig midt på bunnen 44 sitter en vibrator 48, fortrinnsvis en magnetvibrator. Denne er festet til en sokkel 50, slik at den hensiktsmessig holdes i en slik stilling at dens vribrasjonsretning strekker seg mot kassens tyngdepunkt.
Avlastningsbjelkene 18 i sjaktens nedre del strekker seg hensiktsmessig vinkelrett mot de bjelker 38, mellom hvilke kam-merets 22 utløpsspalter 36 dannes, idet herved materialets jevne fordeling over sjaktens og utmatningskammerets hele horisontalsnitt forbedres.
Den beskrevne utførelsesforms virk-ningsmåte er stort sett følgende: Når utmatningskassen settes i vibra-sjon ved hjelp av vibratoren 48 faller det kornformige materiale på fordelingshyllene 40 ned fra disses frie kant og ned i oppsam-lingskammeret 42. Nytt materiale renner ned på hyllene gjennom de over kassens horisontalsnitt jevnt fordelte utløpsspalter 36, og alt ettersom materialet på denne måte utmates, synker tørkegodvset i den ovenfor liggende sjakt ned mot utmatningskammeret 22. Da utmatningskammeret er oppdelt i et stort antall forholdsvis smale, jevnt fordelte utløpsspalter, oppnås en jevn nedsynkning over sjaktens hele horisontalsnitt, dvs. nedsynkningshastighet-en er den samme eller omtrent den samme ved sjaktens omkrets som ved dens midte. Hertil bidrar i det minste i en viss utstrekning avlastningsbj eikene 18, spesielt fordi de mellom dem dannede gjennomgangsspalter 20 strekker seg vinkelrett mot ut-løpsspaltene 36. Fordelingshyllene 40 bidrar til en jevnt fordelt utmatning, og hindrer for hurtig nedrenning av materiale gjennom en eller flere av utløpsspaltene.
Takket være den jevne og regelmessige nedsynkning av tørkegodset i sjakten, oppnås det en jevn tørking av godset i hele sjakten. Godset ved sjaktens periferi tør-kes med andre ord i like stor utstrekning som i dens midte. Overopphetning på visse steder i tørkesj akten og derav forårsak ete groningsskader forhindres.
Den i fig. 3 og 4 viste utførelsesform som viser en utmatningsanordning for siloer, er i prinsipp utført slik som den som er bekrevet i forbindelse med fig. 1 og 2. Avlastningsbj eikene 18 kan ved endene være innstøpt i siloens vegg 52, som her er sylindrisk, og høykantstilte støtteplater som er forbundet med avlastningsbj eikene 18, strekker seg vinkelrett mot disse og kan også med sine ender være innstøpt i silo-veggen. Utmatningskammerets 22 utløps-spalter 36 dannes mellom bjelker 38 av tri-angulært tverrsnitt slik som i foregående utførelsesform, men fordelingshyllene 40 . strekker seg ikke fullt horisontalt, slik som ved denne, men heller litt skrått ned mot sin frie kant 41. Graden av helningen be-ror på arten av det materiale som skal utmates, og er større for materiale med større indre friksjon i materialmassen enn for materiale med mindre friksjon, dvs. materiale som under innvirkning av vibrasjon-ene «renner» lettere. Vibratorens 48 vibra-sjonsretning strekker seg mot kassens tyngdepunkt T, som vist i fig. 3.
Av fig. 4 fremgår det hvorledes hori-sontalsnittet gjennom de mot hverandre vinkelrette avlastningsbj eiker 18 og utmat-ningsbjeiker 38 oppdeles, slik at et stort antall, over hele seksjonen jevnt fordelte ut-løpsåpninger (36) fremkommer. Gjennom disse skal materialet ved liten indre friksjon i massen rase ned i jevne strømmer. Hyllene 40 bremser imidlertid disse strøm-mer, slik at nedsynkningen foregår med den hastighet som bestemmes av vibratoren og av hyllenes eventuelle helning.
Den beskrevne utmatningsanordning kan med særlig fordel anvendes for utmatning av materiale fra siloer i og for luftning og medfører i forbindelse dermed, takket være den jevne nedsynkning, en for-kortning av luftningstiden og innsparing av silorom.
Oppfinnelsen er ikke begrenset til de viste utførelsesformer, men de er bare å betrakte som belysende eksempel. Skjønt det triangulære tverrsnitt på avlastningsbj eiker og utmatningsbj eiker fra konstruk-tivt synspunkt er enklest, kan annet tverrsnitt, som gir foranledning til nedad konvergerende gjennomgangsspalter mellom bjelkene komme på tale, f. eks. halvmåne-formig tverrsnitt eller liknende.
Som vibrator kan anvendes en magnet-ener motorvibrator med variabel amplitude, dvs. en vibrator med reguleringsorgan for vibratoramplitudens variasjon fra null til maksimum. Det blir derved mulig bare ved innstilling av vibratoren å regulere utmatningen, slik at den er helt avstengt, nemlig ved amplituden null, og slik at den går opp til største utmatningsmengde pr. tidsenhet, nemlig ved maksimal amplitude, samtidig som vilkårlige mellomliggende utmatningsmengder kan fåes ved motsvar-ende innstilling av vibratorens reguleringsorgan i mellomstillinger.
Ved tilpasning av oppfinnelsen til siloer, spesielt for korn, oppnås den overrask-ende tekniske effekt, at den sjiktning av materialet som opptrer ved siloer med sen-tral bunntrakt for utmatningen, og ansam-ling av lettere materiale og forurensninger øverst i siloen, elimineres, idet den jevne nedsynkning ifølge oppfinnelsen hindrer dette. Ved de nu forekommende silokon-struksjoner kommer som følge av sjiktningen det lettere materiale til å utmates sist fra siloen, dvs. kvaliteten på det utmatede korn blir dårligere alt etter som utmatningen foregår, slik at det sist utmatede gods har den dårligste kvalitet. Dette unngås ifølge oppfinnelsen ved at sjiktningen hin-dres og kornet utmates blandet slik som det befinner seg i siloen i begynnelsen av utmatningen.
Claims (6)
1. Anordning for utmatning av pulver-, korn- eller stykkeformig material fra en sjakt, f. eks. ved siloer eller korntørkere, hvor der under sjakten er anordnet et ut-matningsorgan som er påvirket av en vibrator, karakterisert ved at utmatningsor-ganet består av en oppad åpen, av sjakten uavhengig utmatningskasse (22) med et antall horisontale bjelker (38) som danner utløpsspalter, og med på bjelkene anbrakte fordelingshyller (40) som er anordnet på en sådan måte at materialet som fra ut-løpsspaltene faller ned på fordelingshyllene forblir liggende på disse når vibratoren står stille, men under vibratorens drift fjernes fra fordelingshyllene på grunn av materialets herved forandrede rasvinkel.
2. Anordning som angitt i påstand 1, karakterisert ved at kassen er fjærende opphengt, slik at den kan vibrere fritt fra sjakten.
3. Anordning som angitt i påstand 2, karakterisert ved at fordelingshyllene er horisontale eller heller mot sin utmat-ningskant, idet hellingen er avhengig av det utmatede materiales friksjonsegenska-per.
4. Anordning som angitt i påstand 1, 2 eller 3, karakterisert ved at vibratoren er innrettet til å meddele fordelingshyllene en på en sådan måte rettet vibrering at alt material med henblikk på fullstendig tøm-ming av sjakten kan vibreres ned fra hyllene.
5. Anordning som angitt i påstand 3 og 4, karakterisert ved at der i sjaktens nedre del over utmatningsspaltene (36) er anordnet avlastningsorganer, fortrinnsvis i form av horisontale bjelker (18) som strekker seg tvers gjennom sjakten, og som mellom seg danner nedad konvergerende gjennomgangsspalter, som fortrinnsvis står vinkelrett på utløpsspaltene (36).
6. Anordning som angitt i en hvilken som helst av de foregående påstander, karakterisert ved at vibratoren er av den type som er forsynt med reguleringsorganer for kontinuerlig eller trinnvis forandring av amplituden og derved av utmatningen, f. eks. fra null til maksimum verdi.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3538568 | 1968-05-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO125996B true NO125996B (no) | 1972-12-04 |
Family
ID=12440421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO2118/69A NO125996B (no) | 1968-05-25 | 1969-05-23 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3648128A (no) |
AT (1) | AT310812B (no) |
BE (1) | BE733509A (no) |
CH (2) | CH529445A (no) |
DE (1) | DE1926884A1 (no) |
FR (1) | FR2009343B1 (no) |
GB (1) | GB1263617A (no) |
NL (1) | NL142287B (no) |
NO (1) | NO125996B (no) |
SE (1) | SE355109B (no) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3621346A (en) * | 1970-01-28 | 1971-11-16 | Ibm | Process for forming semiconductor devices with polycrystalline diffusion pathways and devices formed thereby |
NL7001607A (no) * | 1970-02-05 | 1971-08-09 | ||
US3703420A (en) * | 1970-03-03 | 1972-11-21 | Ibm | Lateral transistor structure and process for forming the same |
US3653120A (en) * | 1970-07-27 | 1972-04-04 | Gen Electric | Method of making low resistance polycrystalline silicon contacts to buried collector regions using refractory metal silicides |
US4054899A (en) * | 1970-09-03 | 1977-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating monolithic circuits having matched complementary transistors and product |
NL166156C (nl) * | 1971-05-22 | 1981-06-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een op een halfgeleidersubstraatlichaam aangebrachte halfge- leiderlaag met ten minste een isolatiezone, welke een in de halfgeleiderlaag verzonken isolatielaag uit door plaatselijke thermische oxydatie van het half- geleidermateriaal van de halfgeleiderlaag gevormd isolerend materiaal bevat en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
DE2212168C2 (de) * | 1972-03-14 | 1982-10-21 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung |
US3847687A (en) * | 1972-11-15 | 1974-11-12 | Motorola Inc | Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts |
JPS604591B2 (ja) * | 1973-11-02 | 1985-02-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
US3956033A (en) * | 1974-01-03 | 1976-05-11 | Motorola, Inc. | Method of fabricating an integrated semiconductor transistor structure with epitaxial contact to the buried sub-collector |
JPS51132779A (en) * | 1975-05-14 | 1976-11-18 | Hitachi Ltd | Production method of vertical-junction type field-effect transistor |
JPS53108776A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS5951743B2 (ja) * | 1978-11-08 | 1984-12-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積装置 |
US4274891A (en) * | 1979-06-29 | 1981-06-23 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating buried injector memory cell formed from vertical complementary bipolar transistor circuits utilizing mono-poly deposition |
US4485552A (en) * | 1980-01-18 | 1984-12-04 | International Business Machines Corporation | Complementary transistor structure and method for manufacture |
JPS5730359A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
US4706107A (en) * | 1981-06-04 | 1987-11-10 | Nippon Electric Co., Ltd. | IC memory cells with reduced alpha particle influence |
US4583282A (en) * | 1984-09-14 | 1986-04-22 | Motorola, Inc. | Process for self-aligned buried layer, field guard, and isolation |
US4573257A (en) * | 1984-09-14 | 1986-03-04 | Motorola, Inc. | Method of forming self-aligned implanted channel-stop and buried layer utilizing non-single crystal alignment key |
US4574469A (en) * | 1984-09-14 | 1986-03-11 | Motorola, Inc. | Process for self-aligned buried layer, channel-stop, and isolation |
IT1218471B (it) * | 1985-05-09 | 1990-04-19 | Ates Componenti Elettron | Circuito integrato bipolare comprendente transistori pnp verticali con collettore sul substrato |
US6005282A (en) * | 1986-09-26 | 1999-12-21 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit with complementary isolated bipolar transistors |
US4737468A (en) * | 1987-04-13 | 1988-04-12 | Motorola Inc. | Process for developing implanted buried layer and/or key locators |
US4830973A (en) * | 1987-10-06 | 1989-05-16 | Motorola, Inc. | Merged complementary bipolar and MOS means and method |
US5117274A (en) * | 1987-10-06 | 1992-05-26 | Motorola, Inc. | Merged complementary bipolar and MOS means and method |
US5212109A (en) * | 1989-05-24 | 1993-05-18 | Nissan Motor Co., Ltd. | Method for forming PN junction isolation regions by forming buried regions of doped polycrystalline or amorphous semiconductor |
US5406113A (en) * | 1991-01-09 | 1995-04-11 | Fujitsu Limited | Bipolar transistor having a buried collector layer |
JPH05218049A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Nec Corp | 半導体素子形成用基板 |
US7411271B1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-08-12 | Episil Technologies Inc. | Complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3189973A (en) * | 1961-11-27 | 1965-06-22 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating a semiconductor device |
US3341755A (en) * | 1964-03-20 | 1967-09-12 | Westinghouse Electric Corp | Switching transistor structure and method of making the same |
US3312882A (en) * | 1964-06-25 | 1967-04-04 | Westinghouse Electric Corp | Transistor structure and method of making, suitable for integration and exhibiting good power handling capability and frequency response |
FR1459892A (fr) * | 1964-08-20 | 1966-06-17 | Texas Instruments Inc | Dispositifs semi-conducteurs |
DE1439736A1 (de) * | 1964-10-30 | 1969-03-27 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung niedriger Kollektor- bzw. Diodenbahnwiderstaende in einer Festkoerperschaltung |
US3327182A (en) * | 1965-06-14 | 1967-06-20 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor integrated circuit structure and method of making the same |
US3475661A (en) * | 1966-02-09 | 1969-10-28 | Sony Corp | Semiconductor device including polycrystalline areas among monocrystalline areas |
US3414783A (en) * | 1966-03-14 | 1968-12-03 | Westinghouse Electric Corp | Electronic apparatus for high speed transistor switching |
US3474308A (en) * | 1966-12-13 | 1969-10-21 | Texas Instruments Inc | Monolithic circuits having matched complementary transistors,sub-epitaxial and surface resistors,and n and p channel field effect transistors |
-
1969
- 1969-05-21 US US826437A patent/US3648128A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-05-22 CH CH777869A patent/CH529445A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-05-22 CH CH675172A patent/CH533907A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-05-23 NL NL696907927A patent/NL142287B/xx not_active IP Right Cessation
- 1969-05-23 SE SE07327/69A patent/SE355109B/xx unknown
- 1969-05-23 BE BE733509D patent/BE733509A/xx not_active IP Right Cessation
- 1969-05-23 FR FR6917034A patent/FR2009343B1/fr not_active Expired
- 1969-05-23 GB GB26433/69A patent/GB1263617A/en not_active Expired
- 1969-05-23 NO NO2118/69A patent/NO125996B/no unknown
- 1969-05-27 AT AT499269A patent/AT310812B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-05-27 DE DE19691926884 patent/DE1926884A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1263617A (en) | 1972-02-16 |
US3648128A (en) | 1972-03-07 |
CH529445A (de) | 1972-10-15 |
NL6907927A (no) | 1969-11-27 |
AT310812B (de) | 1973-10-25 |
FR2009343A1 (no) | 1970-01-30 |
NL142287B (nl) | 1974-05-15 |
SE355109B (no) | 1973-04-02 |
CH533907A (de) | 1973-02-28 |
FR2009343B1 (no) | 1974-10-31 |
BE733509A (no) | 1969-11-03 |
DE1926884A1 (de) | 1969-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO125996B (no) | ||
US3045840A (en) | Material spreading mechanism | |
US3868028A (en) | Grain distributor | |
US3003667A (en) | Device for the discharge of grain or similar small-sized material | |
US3824705A (en) | Apparatus for drying grain | |
US3540604A (en) | Device for discharging lump or viscous material,particularly wood chips,from the lower part of an upright container | |
US1663173A (en) | Process of and apparatus for controlling the movement of masses of solids of various sizes | |
US3315823A (en) | Rotary grain distributor | |
US778301A (en) | Bin. | |
US2622780A (en) | Bag-filling device with vibratable bag support | |
US2686617A (en) | Method of and apparatus for discharging pulverulent material from bins | |
US3698574A (en) | Process and apparatus for spreading granular material | |
US261941A (en) | Machine | |
US2004593A (en) | Filling machine | |
DK147045B (da) | Toemningsanlaeg for kornformet materiale fra en silo | |
US2899070A (en) | murphy | |
US2912127A (en) | Distributing means | |
US983923A (en) | Distributing-hopper. | |
US3090607A (en) | Cement mixer | |
NO132312B (no) | ||
US4674581A (en) | Distributing device for loose material, in particular for a combination scale | |
US940144A (en) | Drier. | |
US1099276A (en) | Starch-drying apparatus. | |
US1009422A (en) | Sand-drier. | |
SU1719831A1 (ru) | Карусельна сушилка |