NL8803066A - Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. - Google Patents
Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8803066A NL8803066A NL8803066A NL8803066A NL8803066A NL 8803066 A NL8803066 A NL 8803066A NL 8803066 A NL8803066 A NL 8803066A NL 8803066 A NL8803066 A NL 8803066A NL 8803066 A NL8803066 A NL 8803066A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- fibers
- electronic component
- casting resin
- liquid crystalline
- monomers
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
t.n.v. N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven "Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component".
De uitvinding heeft betrekking op een gietharssamenstelling omvattende vloeibaar kristallijne monomeren en vezels,
De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, waarbij de elektronische component wordt ingegoten met een giethars waarna de giethars wordt uitgehard.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, waarbij de elektronische component is ingekapseld in een uitgehard mengsel van een giethars en vezels.
Dergelijke gietharsen vinden ondermeer toepassing binnen de elektronische industrie in precisie-produkten zoals lagers, bewegende delen van optische en magnetische systemen, behuizingen van optische componenten, connectoren voor optische vezels en bij het inkapselen van elektronische componenten. Vezelversterkte materialen waarin vezels (bijvoorbeeld glasvezels) met een hoge elasticiteitsmodulus en/of een hoge treksterkte zijn ingebed in een thermohardende polymeermatrix, (bijvoorbeeld epoxyhars) worden steeds meer toegepast. Dergelijke vezelversterkte materialen vertonen goede mechanische eigenschappen naast een lage soortelijke massa. Elektronische componenten, zoals transistoren, condensatoren en in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen (I.C.'s) worden ingekapseld in polymere materialen teneinde de componenten te beschermen tegen invloeden uit de omgeving (onder andere vocht) en teneinde ze gemakkelijker hanteerbaar te maken. Thermohardende gietharsen, zoals epoxyharsen, worden als inkapselkunststof gebruikt vanwege hun mechanische en elektrische eigenschappen en vanwege hun lage waterabsorptie. Het uitharden van de giethars geschiedt bij verhoogde temperatuur. Gedurende het afkoelen tot kamertemperatuur ontstaan mechanische spanningen (stresses) in de elektronische component en de kunststof, welke worden veroorzaakt door het verschil in thermische uitzettingscoêfficiënt tussen de kunststof en de elektronische component. Deze spanningen kunnen storingen en/of uitval van de elektronische component veroorzaken door scheurvorming in de kunststof en breuk in de elektronische component. Door de scheurvorming kan vocht tot de elektronische component doordringen, hetgeen nadelig voor de werking ervan kan zijn. ï.C.'s bestaan meestal uit een silicium-chip, welk materiaal een zeer lage uitzettingscoêfficiênt heeft. De inkapselkunststof heeft een relatief hoge uitzettingscoêfficiênt, waardoor vooral bij ingekapselde ï.C.'s het stressprobleem groot is. Het verschil in uitzettingscoêfficiênt kan worden verminderd door de toevoeging van vulmiddelen, zoals silicapoeder, aan de giethars. Ook toevoeging van rubber of siliconen wordt toegepast. Met toenemende chipafmetingen echter, voldoen de bovengenoemde oplossingen niet meer, daar het resterende verschil in uitzettingscoêfficiênt toch nog aanleiding geeft tot ongewenste stresses.
In het Amerikaanse octrooischrift US 4,683, 327 wordt een gietharssamenstelling beschreven bestaande uit vloeibaar kristallijne monomeren en een vulmiddel, zoals talk of glasvezels. Dergelijke vloeibaar kristallijne monomeren zijn ten opzichte van elkaar georiënteerd en kunnen in een voorkeursrichting worden georiënteerd, bijvoorbeeld door afschuiving in een stromingsveld. Door toevoeging van genoemde vulmiddelen wordt in het algemeen de thermische uitzettings-coëfficiënt van het gepolymeriseerde mengsel en de polymerisatie-krimp verminderd.
Een bezwaar van de bekende gietharssamenstelling is dat voor veel toepassingen de thermische uitzettingscoêfficiênt na polymerisatie te hoog is. De thermische uitzettingscoêfficiênt van epoxiden en acrylaten ligt tussen 5.10-5 en 3.10-4 °C-1. In het Europese octrooischrift EP 160829 is vermeld dat na toevoeging aan een epoxide van 47 vol Λ glasvezels en silicapoeder de thermische uitzettingscoêfficiênt van het uitgeharde mengsel 2,05.10-5 °C-1 bedraagt. Zoals vermeld in de Europese octrooiaanvrage EP 213680 (PHN 11.472) bedraagt de thermische uitzettingscoêfficiênt van een gepolymeriseerd georiënteerd acrylaat in de richting van de moleculaire as 2,7.10-5 °c-1 bij 80°C. Voor een vermindering van deze laatste uitzettings-coëfficiênt is een aanzienlijke hoeveelheid glasvezels en/of silicapoeder nodig, waarbij de oriëntatie van de vloeibaar kristallijne monomeren wordt verstoord.
De uitvinding beoogt ondermeer een gietharssamenstelling van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen met een zeer lage uitzettingscoëfficiênt.
De uitvinding beoogt tevens ondermeer een werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, te verschaffen, waarbij spanningen als gevolg van thermische uitzettingsverschillen tussen elektronische component en uitgeharde giethars tot een minimum zijn beperkt.
De uitvinding beoogt eveneens ondermeer een ingekapselde elektronische component van de in de aanhef vermelde soort te verschaffen, waarin zich geen nadelige scheuren in de kunststof en/of breuken in de elektronische component bevinden.
Aan de opgave om genoemde gietharssamenstelling te verschaffen wordt volgens de uitvinding voldaan door een gietharssamenstelling zoals in de aanhef is vermeld welke is gekenmerkt doordat de vezels kunststofvezels zijn. Kunststofvezels waarvan de lengte-assen van de polymeermoleculen zijn gericht in de lengterichting van de vezels (fibre direction) vertonen een negatieve thermische uitzettings-coëfficiënt, dit in tegenstelling tot bijvoorbeeld glasvezels. Een geschikte vezel is bijvoorbeeld een polyetheenvezel met een thermische uitzettingscoëfficiênt van -1,2.10-5 °C-1. Wordt een dergelijke vezel in kontakt gebracht met vloeibaar kristallijne monomeren, dan zullen deze monomeermoleculen zich oriënteren in de richting van de polymeermoleculen van de vezel, dus in de lengterichting van de vezel. Na uitharding van de vloeibaar kristallijne monomeren ontstaat een gecross-linked systeem waarin de matrixmoleculen gericht zijn in de lengterichting van de vezels. De gepolymeriseerde monomeermoleculen welke in de nabijheid van de kunststofvezels liggen vertonen dezelfde lage (en negatieve) thermische uitzettingscoëfficiênt van de kunststofvezels. Het gehalte aan kunststofvezels bepaalt de resulterende thermische uitzettingscoëfficiênt van de gepolymeriseerde gierthars. Reeds bij 30 gewΛ aan vezels wordt een zeer lage thermische uitzettingscoëfficiênt verkregen. Geschikte diameters van de kunststofvezels bedragen 5-10 pm, waarbij de lengten van de vezels vanaf circa 1 mm tot vele centimeters kan bedragen. Zijn de lengterichtingen van de kunststofvezels random verdeeld, dan ontstaat na polymerisatie van de vloeibaar kristallijne monomeermoleculen een isotrope uitgeharde massa met lage thermische uitzettings-coëfficiênt. Geschikte vloeibaar kristallijne monomeren zijn bijvoorbeeld di-(meth)acrylaten zoals weergegeven met de algemene formule 1 van het formuleblad.
In de formule geldt: R is een waterstofatoom of een methylgroep; R' is een waterstofatoom, een alkylgroep met 1-4 koolstofatomen of een halogeenatoom; A is een zuurstofatoom of de groep
of
, B is de groep
of
, m heeft de waarde 1-15; n is 0 of 1.
Een representant van deze di-(meth)acrylaten is weergegeven met formule 2 van het formuleblad. Andere vloeibaar kristallijne di-(meth)acrylaten welke geschikt zijn, zijn bijvoorbeeld vermeld in de Europese aanvrage EP 261712 (PHN 11.855), waarin tevens de bereidingsmethode is beschreven. Andere geschikte vloeibaar kristallijne monomeren zijn epoxiden welke zijn weergegeven met formule 3 van het formuleblad.
Hierin is X een groep weergegeven met één van de formules 4 tot en met 8 van het formuleblad, waarbij p de waarde heeft 0-20, en M is een mesogene groep, waarvan enkele voorbeelden zijn weergegeven met formules 9 tot en met 12 van het formuleblad. Andere geschikte vloeibaar kristallijne monmomeren zijn vinyl ethers en thiol-een systemen welke zijn weergegeven met respectievelijk de formules 13 en 14a en 14b van het formuleblad. Hierin hebben X en X' de reeds eerder genoemde betekenis van X en hebben M en M' de reeds eerder genoemde betekenis van M. p heeft de waarde 0-20. Voor de polymerisatie van de thiol-een systemen worden de monomeren met formules 14a en 14b in equimolaire hoeveelheden bij elkaar gemengd.
Een voorkeursuitvoeringsvorm van de gietharssamenstelling volgens de uitvinding is daardoor gekenmerkt dat de kunststofvezels aromatische polyamidevezels zijn. Dergelijke vezels worden ook wel aramide-vezels genoemd en worden geleverd door DuPont onder de naam Kevlar en door Akzo onder de naam Twaron. De thermische uitzettingscoëfficiênt van Kevlar 49 is veel lager dan die van polyetheen, namelijk -0,2.10-5 °C-1.
Een geschikte uitvoeringsvorm van de gietharssamen-stelling volgens de uitvinding is daardoor gekenmerkt dat een fotoinitiator aan de samenstelling is toegevoegd. (Meth)acrylaten en thiol-een systemen kunnen worden gepolymeriseerd met behulp van een radicaal-initiator welk gevoelig is voor ÜV-licht zoals bijvoorbeeld Darocur 1173 (Merck) en Irgacure 651 (Ciba-Geigy). De vloeibaar kristallijne monomeren worden gemengd met 1 a 2 gew.% van een dergelijke fotoinitiator. Voor het uitharden van epoxiden en vinylethers worden kationische initiatoren toegepast, bijvoorbeeld Degacure K126 (Degussa). Indien gewenst kunnen de (meth)acrylaten en thiol-een systemen worden uitgehard met een thermische initiator, zoals benzoylperoxide.
Aan de opgave om een werkwijze van de in de aanhef vermelde soort te verschaffen, waarbij spanningen als gevolg van thermische uitzettingsverschillen tussen elektronische component en uitgeharde giethars tot een minimum zijn beperkt, wordt volgens de uitvinding voldaan door een werkwijze welke verder is gekenmerkt doordat een giethars wordt toegepast welke vloeibaar kristallijne monomeren en kunststofvezels omvat, waarbij de vloeibaar kristallijne monomeren tijdens het uitharden worden gepolymeriseerd. In het bijzonder wanneer de elektronische component een halfgeleiderinrichting is, kan de werkwijze volgens de uitvinding met voordeel worden toegepast. De halfgeleiderinrichting bestaat meestal uit een silicium-chip, waarvan de thermische uitzettingscoëfficiênt 0,5.10-5 °C-^ bedraagt. Door toepassing van een giethars volgens de uitvinding is een thermische uitzettingscoëfficiênt van de uitgeharde giethars bereikbaar van -1.10-5 °C"1. Indien het uitharden van de giethars plaatsvindt bij verhoogde temperatuur, bijvoorbeeld 150°C, zullen de optredende thermische spanningen na afkoelen tot kamertemperatuur zeer gering zijn.
Een geschikte uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding is daardoor gekenmerkt dat de giethars wordt gepolymeriseerd door belichting met üV-licht. Het uitharden kan dan plaatsvinden bij een relatief lage temperatuur waar de monomeren vloeibaar kistallijne eigenschappen bezitten, bijvoorbeeld 80°C. Het temperatuurtraject waarover moet worden afgekoeld is zodoende geringer, waardoor de optredende thermische spanningen geringer zijn.
Aan de opgave om een ingekapselde elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen, waarin zich geen nadelige scheuren in de kunststof en/of breuken in de elektronische component bevinden, wordt volgens de uitvinding voldaan door een ingekapselde elektronische component welke verder is gekenmerkt doordat de giethars is gevormd uit gepolymeriseerde vloeibaar kristallijne monomeren en welke vezels kunststofvezels zijn, waarbij de gepolymeriseerde monomeren zijn georiënteerd in de lengterichtingen van de vezels. Zoals in de inleiding is vermeld vertoont een dergelijk mengsel van kunststofvezels en gepolymeriseerde vloeibaar kristallijne monomeren een zeer lage thermische uitzettingscoëfficiënt, welke in de buurt ligt van vele halfgeleidermaterialen zoals silicium. De optredende thermische spanningen bij temperatuurveranderingen zullen zeer gering zijn, waardoor scheurvorming en/of breuk sterk wordt onderdrukt.
Een voorkeursuitvoeringsvorm van de ingekapselde elektronische component is daardoor gekenmerkt dat de kunststofvezels aromatische polyamidevezels zijn. Bij een gehalte van 30 gew.% aan dergelijke vezels in kunsthars wordt een thermische uitzettingscoëfficiënt bereikt van -1.10“® 0C“* in het temperatuurtraject tussen 80 en 180°C.
De uitvinding wordt in onderstaande uitvoeringsvoor-beelden en met behulp van tekeningen nader toegelicht, waarbij
Figuur 1 de relatieve thermische uitzetting Z als functie van de temperatuur T weergeeft en
Figuur 2 schematisch een doorsnede weergeeft van een ingekapselde halfgeleiderinrichting.
ait-vsstiflasyg.grfreeld 11
Di-acrylaatmonomeren met de formule 2 van het formuleblad worden gemengd met 2 gew.% Darocur (Merck). Aan dit mengsel worden polyetheenvezels toegevoegd (Dyneema van DSM) met een diameter van 10 pm en een gemiddelde lengte van 5 cm. De polyetheenvezels worden evenwijdig aan elkaar gerangschikt. Het geheel wordt verwarmd tot 80°C bij welke temperatuur genoemde monomeren vloeibaar kristallijne eigenschappen vertonen. Vervolgens wordt het geheel belicht met UV-licht van 360 nm, als gevolg waarvan de monomeren polymeriseren. Uit onderzoek met een polarisatiemicroscoop blijkt dat de gepolymeriseerde monomeren evenwijdig aan de polyetheenvezelrichting zijn georiënteerd. De kunststofvezels hebben een oriënterende werking op de vloeibaar kristallijne monomeren.
Oitvoerinasvoorbeeld 2.
Aromatische polyamidevezels (Kevlar 49, DuPont) met een diameter van β pm en een lengte van circa 1 mm (chopped fibres) worden gemengd met di-acrylaatmonomeren met de formule 2 van het formuleblad. Het gehalte aan deze vezels bedraagt 30 gew.%. Aan dit mengsel wordt 1 gew.% van een fotoinitiator toegevoegd (Irgacure, Ciba Geigy). Na polymerisatie van de monomeren met üV-licht van 360 nm wordt de thermische uitzettingscoëfficiënt van het mengsel bepaald in het temperatuurgebied van 20° tot 180°C (Perkin Elmer TMA). Het resultaat is weergegeven in Figuur 1, curve A. Langs de verticale as staat de relatieve uitzetting S in procenten uitgezet en langs de horizontale as de temperatuur T in °C. Tot aan een temperatuur van circa 60°C vertoont het mengsel een positieve thermische uitzettingscoëfficiënt van +3.10-5 °C-^. Tussen 60° en 180°C vertoont het mengsel een negatieve thermische uitzettingscoëfficiënt van -1.10-5 °C-1. üitvoerinasvoorbeeld 3.
Als vergelijkingsvoorbeeld is voorbeeld 2 herhaald met een verwant niet-vloeibaar kristallijn monomeer, namelijk Diacryl 101 (Akzo), wederom gemengd met een zelfde hoeveelheid Kevlar-vezels. Dit monomeer heeft de formule 15 van het formuleblad. De meetresultaten staan weergegeven in Figuur 1, curve B. In het temperatuurgebied van 20° tot 130°C bedraagt de thermische uitzettingscoëfficiënt circa +5.10-5 °C-^. Met dergelijke niet-vloeibaar kristallijne monomeren wordt geen lage thermische uitzettingscoëfficiënt bereikt. Üitvoerinasvoorbeeld 4.
In Figuur 2 is schematisch een doorsnede weergegeven van een ingekapselde halfgeleiderinrichting. De halfgeleiderinrichting bestaat uit een siliciumchip 1 welke is bevestigd op een zogeheten lead frame 2. Dit lead frame is vervaardigd van een metaallegering zoals Kovar (Fe-Ni legering) of brons. Het lead frame bevat tevens een aantal aansluitpennen 3 en 3'. De chip is met metaaldraden 4 elektrisch verbonden met het lead frame. De chip en het lead frame zijn ingekapseld in de uitgeharde giethars 5 volgens de uitvinding.
Claims (7)
1. Gietharssamenstelling omvattende vloeibaar kristallijne monomeren en vezels, met het kenmerk, dat de vezels kunststofvezels zijn.
2. Gietharssamenstelling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de kunststofvezels aromatische polyamidevezels zijn.
3. Gietharssamenstelling volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat een fotoinitiator aan de samenstelling is toegevoegd.
4. Werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, waarbij de elektronische component wordt ingegoten met een giethars waarna de giethars wordt uitgehard, met het kenmerk, dat een giethars wordt toegepast welke vloeibaar kristallijne monomeren en kunststofvezels omvat, waarbij de vloeibaar kristallijne monomeren tijdens het uitharden worden gepolymeriseerd.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de giethars wordt gepolymeriseerd door belichting met öV-licht.
6. Ingekapselde elektronische component, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, waarbij de elektronische component is ingekapseld in een uitgehard mengsel van een giethars en vezels, met het kenmerk, dat de uitgeharde giethars is gevormd uit gepolymeriseerde vloeibaar kristallijne monomeren en welke vezels kunststofvezels zijn, waarbij de gepolymeriseerde monomeren zijn georiënteerd in de lengterichtingen van de vezels.
7. Ingekapselde elektronische component volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de kunststofvezels aromatische polyamidevezels zijn.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8803066A NL8803066A (nl) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. |
| DE1989609198 DE68909198T2 (de) | 1988-12-15 | 1989-12-11 | Giessharzzusammensetzung, Verfahren zum Vergiessen eines elektronischen Bauelementes und vergossenes elektronisches Bauelement. |
| EP19890203140 EP0376370B1 (en) | 1988-12-15 | 1989-12-11 | Moulding composition, method of encapsulating an electronic component and an encapsulated electronic component |
| JP32070589A JPH02212560A (ja) | 1988-12-15 | 1989-12-12 | 成形材料、電子素子の封入方法及び封入電子素子 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8803066 | 1988-12-15 | ||
| NL8803066A NL8803066A (nl) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8803066A true NL8803066A (nl) | 1990-07-02 |
Family
ID=19853378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8803066A NL8803066A (nl) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0376370B1 (nl) |
| JP (1) | JPH02212560A (nl) |
| DE (1) | DE68909198T2 (nl) |
| NL (1) | NL8803066A (nl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019695A2 (en) * | 1991-05-02 | 1992-11-12 | Kent State University | Crystalline light modulating device and material |
| KR102494828B1 (ko) | 2017-06-21 | 2023-02-01 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7905787A (nl) * | 1978-08-04 | 1980-02-06 | Jotungruppen As | Werkwijze voor het bereiden van thermohardende met vezel gewapende kunststoffen. |
| US4393020A (en) * | 1979-12-20 | 1983-07-12 | The Standard Oil Company | Method for manufacturing a fiber-reinforced thermoplastic molded article |
| US4532275A (en) * | 1981-02-03 | 1985-07-30 | Teijin Limited | Fiber-reinforced composite materials |
| US4703338A (en) * | 1983-10-14 | 1987-10-27 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Resin composition to seal electronic device |
-
1988
- 1988-12-15 NL NL8803066A patent/NL8803066A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-12-11 EP EP19890203140 patent/EP0376370B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-11 DE DE1989609198 patent/DE68909198T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-12 JP JP32070589A patent/JPH02212560A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0376370B1 (en) | 1993-09-15 |
| JPH02212560A (ja) | 1990-08-23 |
| EP0376370A1 (en) | 1990-07-04 |
| DE68909198D1 (de) | 1993-10-21 |
| DE68909198T2 (de) | 1994-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0311186B1 (en) | Optical fibre provided with a synthetic resin coating | |
| EP0609841B1 (en) | Optical connector ferrule filled with adhesive | |
| EP0333464B1 (en) | Polymer claddings for optical fibre waveguides | |
| JP3171596B2 (ja) | 精密部品成形用樹脂組成物ならびにそれを用いてなるスリーブおよびフェルール | |
| EP0195387B1 (en) | Coated optical fibers | |
| US4610746A (en) | Method of optically connecting a light conductor to an electro-optical device | |
| US5266352A (en) | Devices featuring silicone elastomers | |
| EP0428213B1 (en) | Polarisation-sensitive beam splitter | |
| JPS59181303A (ja) | マルチフイラメント複合材料及びその製造方法 | |
| JP5331267B2 (ja) | 光導波路用樹脂組成物、並びにそれを用いたドライフィルム、光導波路及び光電気複合配線板 | |
| EP1227351B1 (en) | Tight buffered optical cables with release layers | |
| CN113321912B (zh) | 一种耐高温3d打印光敏树脂及其制备方法和应用 | |
| US4702554A (en) | Coated optical fiber | |
| KR920003905B1 (ko) | 폴리아릴렌 설파이드 수지 조성물 및 그의 성형품 | |
| NL8803066A (nl) | Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component. | |
| EP0260756B1 (en) | Method of manufacturing an optical fibre | |
| EP0249226B1 (en) | Resin composite | |
| JPH0678490B2 (ja) | 架橋シロキサンコポリマー含有製品 | |
| JP2005247904A (ja) | 透明複合体及びそれを使用した表示素子、光学式記録媒体、光半導体パッケージ | |
| EP0423880A1 (en) | Molecularly oriented synthetic resin composition | |
| KR900006276B1 (ko) | 수지복합체 | |
| US20030105191A1 (en) | Low-shrinkage epoxy resin formulation | |
| JP3056300B2 (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物及び電子部品 | |
| EP0583635B1 (en) | Resin composition and plastic clad optical fiber produced using the same | |
| KR970010472B1 (ko) | 고강도 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |