NL8702233A - Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit. - Google Patents

Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit. Download PDF

Info

Publication number
NL8702233A
NL8702233A NL8702233A NL8702233A NL8702233A NL 8702233 A NL8702233 A NL 8702233A NL 8702233 A NL8702233 A NL 8702233A NL 8702233 A NL8702233 A NL 8702233A NL 8702233 A NL8702233 A NL 8702233A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
passive
active layer
active
conductivity type
Prior art date
Application number
NL8702233A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8702233A priority Critical patent/NL8702233A/nl
Priority to US07/237,939 priority patent/US4866723A/en
Priority to EP88201964A priority patent/EP0308017A1/en
Priority to JP63224868A priority patent/JPH01205494A/ja
Priority to KR1019880011889A priority patent/KR890005935A/ko
Publication of NL8702233A publication Critical patent/NL8702233A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
    • H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser

Description

% PHN 12.263 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven DCPBH Laser met goede temperatuurstabiliteit
De uitvinding heeft betrekking op een halfgeleiderlaser met een halfgeleiderlichaam bevattende een substraat van een eerste geleidingstype en een daarop gelegen lagènstruktuur met achtereenvolgens tenminste, een eerste passieve laag van het eerste geleidingstype, een 5 tweede passieve laag van het tweede, tegengestelde geleidingstype, en een tussen de eerste en de tweede passieve laag gelegen actieve laag met een pn-overgang die bij voldoende hoge stroomsterkte in de doorlaatrichting coherente electromagnetische straling kan opwekken in een binnen een resonatorholte gelegen strookvormig gebied van de actieve 10 laag, waarbij de eerste en de tweede passieve laag een kleinere brekingsindex voor de opgewekte straling en een grotere bandafstand hebben dan de actieve laag, en een stroombegrenzende blokkeringslaag die ter plaatse van het actieve gebied een strookvormige onderbreking vertoont, waarbij aan weerszijden van het actieve gebied twee groeven 1Γι zijn aangebracht, die zich vanaf de bovenzijde van de tweede passieve laag door de actieve laag heen tot in de eerste passieve laag uitstrekken en althans ten dele zijn opgevuld door de blokkeringslaag.
Halfgeleiderlasers zijn op veel gebieden van de techniek belangrijk en worden in vele uitvoeringsvormen toegepast.
20 Een halfgeleiderlaser van de in de aanhef beschreven soort, ook bekend onder de naam DCPBH (Double Channel Planar Buried Hetero structure) laser, is bekend uit de Europese octrooiaanvraag EP 0.111.650. Een bezwaar van deze lasers is de sterke temperatuur afhankelijkheid van de drempelstroom.
25 Met name InGaAsP/InP dubbele hetero overgang (DH) lasers hebben sterk oplopende drempelstroomwaarden bij toenemende temperatuur.
Ten dele wordt dit veroorzaakt door het thermisch weglekken van in de actieve laag opgesloten ladingsdragers naar de passieve lagen.
In het IEEE J. of Quantum Electronics (QE19, aug, 1983, 30 1319-1326) zijn halfgeleiderlasers beschreven die uitgevoerd zijn met een extra (tweede) actieve laag. Deze zogenoemde DCC (Double Carrier Confinement) lasers hebben een goede temperatuurstabiliteit, ook voor 8702233
A
PHN 12.263 2
InGaAsP/InP lasers. Een nadeel van DCC lasers is echter dat zij een ralatief hoge drempelstroomwaarde hebben. Voor een DCC laser is de drempelstroomwaarde in de orde van 100-300 mA terwijl deze waarde voor een DCPBH laser in de orde van 10-30 mA is.
5 De uitvinding beoogt onder meer een halfgeleiderlaser te verschaffen waarin een lage drempelstroomwaarde gecombineerd wordt met een grote temperatuurstabiliteit.
Volgens de uitvinding is een halfgeleiderlaser van de in de aanhef beschreven soort daardoor gekenmerkt dat op de actieve laag 10 onder de tweede passieve laag, eerst een derde passieve laag van het tweede geleidingstype en vervolgens een tweede actieve laag eveneens van het tweede geleidingstype en met praktisch dezelfde bandafstand als de eerste actieve laag is aangebracht.
Het is bovendien gebleken, dat met deze maatregel een 15 laser kan worden gerealiseerd waarvan de stralingsintensiteit versus stroomkarakteristiek een bijzonder stabiel verloop met vrijwel geen "kinks" vertoont.
De uitvinding zal thans nader worden uiteengezet aan de hand van enkele uitvoeringsvoorbeelden en de tekening, waarin 20 Figuur 1 schematisch in dwarsdoorsnede een halfgeleiderlaser volgens de uitvinding toont,
Figuur 2 de drempelstroom in afhankelijkheid van de temperatuur weergeeft voor een halfgeleiderlaser volgens de uitvinding en voor een bekende halfgeleiderlaser van dezelfde struktuur doch zonder 25 dubbele actieve laag,
Figuur 3 de stralingsintensiteit in afhankelijkheid van de stroomsterkte weergeeft voor een halfgeleiderlaser volgens de uitvinding, en
Figuur 4 t/m 6 schematisch in dwarsdoorsnede 30 opeenvolgende stadia in de vervaardiging van de laser volgens figuur 1 weergeven.
De figuren zijn zuiver schematisch en niet op schaal getekend. Terwille van de duidelijkheid zijn in het bijzonder de afmetingen in vertikale richting overdreven voorgesteld. Overeenkomstige 35 delen zijn als regel met dezelfde verwijzingscijfers aangeduid, en gebieden van hetzelfde geleidingstype zijn in de regel in dezelfde richting gearceerd, 8762233 * h PHN 12.263 3
Figuur 1 toont schematisch in dwarsdoorsnede een halfgeleiderlaser volgens de uitvinding. De laser bevat een halfgeleiderlichaam met een substraat (1), in dit voorbeeld van indiuraphosphide (InP) van een eerste, in dit voorbeeld 5 n-geleidingstype. Op het substraat ligt een lagenstruktuur met achtereenvolgens een eerste passieve laag (2) eveneens van n-type InP, een tweede passieve laag (6) van InP van het tweede, tegengestelde geleidingstype, hier dus het p-type, en een tussen de eerste (2) en de tweede (6) passieve laag gelegen actieve laag (3), in dit voorbeeld van 10 indiumgalliumarseenphosphide met samenstelling
InxGaj_xASyP.|_y.. Door de waarden van x en y te variëren kan de golflengte van de opgewekte straling tussen ongeveer 1,2 - 1,6 pm gevarieerd worden. In dit voorbeeld is x = 0,73 en y = 0,60, de golflengte bedraagt dan ongeveer 1,3 pm. De actieve laag (3) is in de 15 regel niet opzettelijk gedoteerd. Een pn-overgang is gevormd, afhankelijk van het geleidingstype van laag (3) tussen de laag (3) en één der passieve lagen (2) of (4). De pn-overgang kan, bij voldoende hoge stroomsterkte in de doorlaatrichting, in dit voorbeeld al vanaf ongeveer 30 mA, coherente electromagnetische straling, in dit 20 voorbeeld van 23 x 10 Hz, in een binnen een resonator holte gelegen strookvormig gebied 3A genereren. De eerste (2) en tweede (6) passieve laag hebben een kleinere brekingsindex, in dit voorbeeld n = 3,21 voor de opgewekte straling en een grotere bandafstand Eg = 1,35 eV dan de actieve laag (3), n = 3,52 en Eg = 0,953 eV (bij 300 K). Een 25 stroombegrenzende blokkeringslaag (14), in dit voorbeeld bevattende een laag (7) InP van het tweede (p) geleidingstype en een laag (8) InP van het eerste (n) geleidingstype vertoont ter plaatse van het actieve gebied (3A) een strookvormige onderbreking, waarbij aan weerszijden van het actieve gebied (3A) twee groeven (11, 12) zijn aangebracht. Wanneer 30 over de halfgeleiderlaser in de doorlaatrichting van het actieve gebied (3A) een spanning staat is de pn-overgang tussen de lagen (7) en (8) van de blokkeringslaag gesperd.
De blokkeringslaag (14) vult in dit voorbeeld geheel de groeven (11) en (12), die zich vanaf de bovenzijde van de tweede 35 passieve laag (6) door de actieve laag (3) heen tot in de eerste passieve laag (2) uitstrekken.
Volgens de uitvinding is het actieve gebied (3A) 8701133 f PHN 12.263 4 opgebouwd uit drie lagen (3), (4) en (5).
Het actieve gebied (3A) ligt onder de tweede passieve laag (6) en wordt gevormd door de actieve laag (3), een derde passieve laag (4) van InP van het tweede geleidingstype en een tweede 5 actieve laag (5) eveneens van het tweede geleidingstype en met een praktisch dezelfde bandafstand als de actieve laag (3).
De tweede actieve laag (5) is in dit voorbeeld van dezelfde samenstelling als de eerste actieve laag (3).
De laag (5) is van het tweede, in dit voorbeeld p, geleidingstype.
10 Het actieve gebied (3A) vormt met de eerste passieve laag (2) een pn-overgang, welke bij stroomsterktes boven de drempelstroom coherente electromagnetische straling opwekt. Het actieve gebied (3A) strekt zich in figuur 1 loodrecht op het vlak van tekening in beide richtingen uit. De eindvlakken van het actieve gebied (3A) liggend in 15 het vlak van de tekening zijn splijtvlakken met in dit voorbeeld een (011) oriëntatie, en zijn in bepaalde mate spiegelend voor de opgewekte straling.
De eerste passieve laag (2) en de tweede passieve laag (6) evenals de blokkeringslaag (14) ter plaatse van het actieve gebied 20 (13) zijn in dit voorbeeld van InP en hebben een kleinere brekingsindex en bandafstand dan de actieve lagen (3) en (5) van indiumgalliumarseen-phosphide. De opgewekte straling kan hierdoor niet gemakkelijk uit het actieve gebied (3A) treden.
De vereiste drempelstroom Ith voor laserwerking is door 25 het opnemen van de tweede actieve laag (5) minder afhankelijk van de temperatuur T geworden, zie figuur 2. Het is gebruikelijk de temperatuurafhankelijkheid van de drempelstroom, zie b.v. 'semiconductorlasers and hetero junction LEDs', H. Kressel and J.K. Butler, academie press New York 1977, te benaderen mèt de formule 30 - eT/fT0 waarbij de parameter TQ afhangt van het type laser. Voor conventionele DCPBH lasers geldt 40K < TQ < 80K, terwijl voor de laser volgens de uitvinding veel hogere TQ waarden gevonden worden (TQ>100K). Hoge TQ waarden maken de drempelstroom minder sterk afhankelijk van de temperatuur zolals uit figuur 2 duidelijk 35 blijkt.
De sterk toegenomen temperatuurstabiliteit van de laser volgens de uitvinding gaat in vergelijking met een DCPBH laser gepaard 8702235 PHN 12.263 5 net slechts een geringe verhoging van de drempelstroom bij lagere temperaturen.
In figuur 3 is de stralingsintensiteit P versus de stroomsterkte I weergegeven bij 20° C. De drempelstroom 1^ is 5 ongeveer 30 mA en vanaf deze waarde is de karakteristiek stabiel en vrij van kinks.
De beschreven halfgeleiderlaser kan bijvoorbeeld worden vervaardigd op de wijze zoals aangegeven in de figuren 4 t/m 6. Op een n-type substraat (1) van indiumphosphide (InP) met een dikte van 10 bijvoorbeeld ongeveer 350 nm, een (100) oriëntatie met een afwijking van ongeveer 0°12' van de (100) richting en gedoteerd met bijvoorbeeld zwavel atomen met een concentratie van 5x10 at/cm wordt op gebruikelijke wijze door epitaxie vanuit de vloeibare fase (LPE) achtereenvolgens een eerste passieve laag (2) van n-type InP met een 17 λ 15 dikte van 2 pm en een dotering van 5x10 tin at/cm , een eerste actieve laag (3), ongedoteerd met de samenstelling
Ihq 73Gao,27AE0 6P0 4 en een dikte van P™» een derde passieve laag (4) van p-type InP met een dikte van 0.1 pm en een dotering van 1.5x10”*® zink at/cm®, een tweede p-type actieve laag 20 (5) met dezelfde samenstelling als de eerste actieve laag (3) een dikte 1 ft Ί van 0.1 pm en een dotering van 1.5x10 zink at/cm en een tweede passieve laag (6) van p-type InP met een dikte van 1 pm en een dotering 1 ft ft van 2x10 zink at/cm aangegroeid, zie figuur 4.
Na het aanbrengen van deze lagen worden groeven (11) en 25 (12) in het oppervlak geetst, met bijvoorbeeld broommethanol als etsmiddel, zie figuur 5. De groeven zijn aan de bovenzijde ongeveer 10 pm breed, en 2 pm diep. De tussen de groeven in gelegen mesa (6A) heeft aan de bovenzijde een breedte van ongeveer 1 pm.
Vervolgens wordt, eveneens door epitaxie vanuit de 30 vloeibare fase, de blokkeringslaag (14), bestaande uit een laag p-type. InP (7) met een dotering van 1x101® zink at/cm® en een laag n-type InP (8) met een dotering van 1.5x101® germanium at/cm®, aangegroeid, zie figuur 6. Op het vlakke gedeelte buiten de mesa (6A) en de groeven hebben de lagen (7) en (8) respectievelijk een dikte van 1.0 en 0,8 pm.
35 Zoals bekend worden bij een dergelijk aangroeiproces de groeven (11) en (12) opgevuld, terwijl op de mesa (6A) geen merkbare aangroei plaats vindt.
87022?3 t 9 PHN 12.263 6
Tenslotte worden een laag-p type InP (9) met in het vlakke gedeelte een dikte van ongeveer 1 pm en een dotering van 1.5x10^ zink at/cm^ en een contactlaag p-type InP (10) met een
IQ O
dikte van ongeveer 0.4 pm en een dotering van 1x10 3 zink at/cm 5 aangegroeid.
In figuur 2 is de temperatuurafhankelijkheid van de drempelstroom van de hierboven beschreven halfgeleiderlaser volgens de uitvinding weergegeven evenals van een bekende DCPBH laser zonder tweede actieve laag doch overigens met dezelfde opbouw en struktuur.
10 Uit de gevonden waarden blijkt dat voor de laser (I) volgens de uitvinding TQ = 190K, terwijl voor de bekende laser (II) geldt TQ = 70K. Nog hogere T0 waarden voor de laser volgens de uitvinding kunnen worden verkregen bij andere doteringsconcentraties van de verschillende lagen 2, 4, 5 en 6, zie onderstaande tabel, waarbij de 15 laagdikten en samenstellingen dezelfde zijn als in het beschreven voorbeeld.
laag 2 laag 4 j laag 5 i laag 6 T
3 3 3 3 u
at/cm at/cm at/cm ; at/cm K
20__i_ 5xl017Sn 1.5xl01SZn ' 1.5xl018Zn 1.5xl018Zn 190 17 π o ! ίο 1 o 8x10 Sn 1.5x10 Zn j 1.5x10 Zn; 1.5x10 Zn 320 8xl017Sn 2xl018Zn ! 2xl018Zn 2xl018Zn 450 25 ;
De in het beschreven voorbeeld aangegeven lagenstuktuur kan op velerlei wijze worden gevarieerd. Zo kunnen, met name de 30 blokkeringslaag (14), maar ook andere lagen, uit meerdere op elkaar gelegen deellagen bestaan.
Het geleidingstype van de verschillende halfgeleiderlagen kan omgekeerd worden, en de gebruikte halfgeleidermaterialen kunnen dooide vakman al naar gelang de toepassing en de op te wekken 35 stralingsfrequentie worden gevarieerd.
De genoemde eindvüakken van het actieve gebied (3A) kunnen in plaats van splijtvlakken van het kristal ook door etsen of op &702 23 3 ♦ PHN 12.263 7 andere wijze aangebrachte zijvlakken zijn, terwijl de resonatorholte in plaats van door (splijt) eindvlakken ook kan worden gevormd door rasterstrukturen zoals gebruikelijk bij lasers van het DFB (distributed feedback) of DBR (distruted Bragg reflector) type.
8702233

Claims (3)

5 Conclusies
1. Halfgeleiderlaser met een halfgeleiderlichaam bevattende een substraat van een eerste geleidingstype en een daarop gelegen lagenstruktuur met achtereenvolgens tenminste een eerste passieve laag van het eerste geleidingstype, een tweede passieve laag van het tweede, 10 tegengestelde geleidingstype, en een tussen de eerste en de tweede passieve laag gelegen actieve laag met een pn-overgang die bij voldoende hoge stroomsterkte in de doorlaatrichting coherente electromagnetische straling kan opwekken in een binnen een resonatorholte gelegen strookvormig gebied van de actieve laag, waarbij 15 de eerste en de tweede passieve laag een kleinere brekingsindex voor de opgewekte straling en een grotere bandafstand hebben dan de actieve laag, en een stroombegrenzende blokkeringslaag die ter plaatse van het actieve gebied een strookvormige onderbreking vertoont, waarbij aan weerszijden van het actieve gebied twee groeven zijn aangebracht, die 20 zich vanaf de bovenzijde van de tweede passieve laag door de actieve laag heen tot in de eerste passieve laag uitstrekken en althans ten dele zijn opgevuld door de blokkeringslaag, met het kenmerk, dat op de actieve laag onder de tweede passieve laag, eerst een derde passieve laag van het tweede geleidingstype en vervolgens een tweede actieve laag 25 eveneens van het tweede geleidingstype en met praktisch dezelfde bandafstand als de eerste actieve laag is aangebracht.
2. Halfgeleiderlaser volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het strookvormige actieve gebied zijwaarts begrensd wordt door een begrenzingsgebied van het tweede geleidingstype met een kleinere 30 brekingsindex voor de opgewekte straling en een grotere bandafstand dan de actieve laag.
3. Halfgeleiderlaser volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de eerste, tweede en derde passieve laag hoofdzakelijk InP bevatten en de eerste en tweede actieve laag hoofdzakclijk bestaat uit 35 indiumgalliumarseenphosphide (InxGa^_xAsyP^_y). 8702233
NL8702233A 1987-09-18 1987-09-18 Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit. NL8702233A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8702233A NL8702233A (nl) 1987-09-18 1987-09-18 Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit.
US07/237,939 US4866723A (en) 1987-09-18 1988-08-29 DCPBH laser having a high temperature stability
EP88201964A EP0308017A1 (en) 1987-09-18 1988-09-09 DCPBH laser having a high temperature stability
JP63224868A JPH01205494A (ja) 1987-09-18 1988-09-09 半導体レーザ
KR1019880011889A KR890005935A (ko) 1987-09-18 1988-09-15 반도체 레이저

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8702233 1987-09-18
NL8702233A NL8702233A (nl) 1987-09-18 1987-09-18 Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8702233A true NL8702233A (nl) 1989-04-17

Family

ID=19850633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8702233A NL8702233A (nl) 1987-09-18 1987-09-18 Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4866723A (nl)
EP (1) EP0308017A1 (nl)
JP (1) JPH01205494A (nl)
KR (1) KR890005935A (nl)
NL (1) NL8702233A (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2823476B2 (ja) * 1992-05-14 1998-11-11 三菱電機株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
US5309465A (en) * 1992-11-05 1994-05-03 International Business Machines Corporation Ridge waveguide semiconductor laser with thin active region
EP0621665B1 (en) * 1993-03-25 1997-07-23 Nec Corporation Semiconductor double-channel-planar-buried-heterostructure laser diode effective against leakage current
US5956360A (en) * 1997-03-28 1999-09-21 Lucent Technologies Inc. Uncooled lasers with reduced low bias capacitance effect
US6782649B1 (en) * 2002-10-09 2004-08-31 Richard D. Adler Reversible picture frame assembly

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3277278D1 (en) * 1981-10-19 1987-10-15 Nec Corp Double channel planar buried heterostructure laser
JPS5957486A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Nec Corp 埋め込み形半導体レ−ザ
NL8401172A (nl) * 1984-04-12 1985-11-01 Philips Nv Halfgeleiderlaser.

Also Published As

Publication number Publication date
US4866723A (en) 1989-09-12
EP0308017A1 (en) 1989-03-22
KR890005935A (ko) 1989-05-17
JPH01205494A (ja) 1989-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4873691A (en) Wavelength-tunable semiconductor laser
EP1286439B1 (en) Semiconductor optical device and method of manufacturing the same
US6541297B2 (en) Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device
KR100648392B1 (ko) 인듐인-계 구조들에서 아연 확산을 차단하기 위한 장벽으로서 인듐인-계 층에서의 알루미늄 스파이크들을 포함하는 전자 디바이스 및 광전자 디바이스
EP1750336A1 (en) Semiconductor optical device and a method of fabricating the same
EP0111650B1 (en) Double-channel planar heterostructure semiconductor laser
NL8803080A (nl) Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser.
CA1151275A (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
US5636237A (en) Semiconductor laser device which makes it possible to realize high-speed modulation
JP2553731B2 (ja) 半導体光素子
Akiba et al. Distributed feedback InGaAsP/InP lasers with window region emitting at 1.5 µm range
NL8702233A (nl) Dcpbh laser met goede temperatuurstabiliteit.
JP3360962B2 (ja) 半導体レーザ
CA2064681C (en) Semiconductor laser diode
US4661175A (en) Method of making InGaAsP and InGaAs double hetero-structure lasers and LEDs
NL8602653A (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
Cao et al. GaInAsP/InP single-quantum-well (SQW) laser with wire-like active region towards quantum wire laser
NL8602204A (nl) Dfb laser met anti-reflectielaag.
NL8603009A (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
US5828085A (en) Light emitting diode having light-emitting and light-absorbing regions
US4894834A (en) Semiconductor laser and method for production thereof
JPH04350988A (ja) 量子井戸構造発光素子
Nobuhara et al. High-temperature operation of InGaAs/InGaAsP compressive-strained QW lasers with low threshold currents
JP2550729B2 (ja) 半導体レーザ
NL8003728A (nl) Halfgeleiderlaser.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed