NL8601254A

NL8601254A - Transport and processing apparatus for thin wafers - wafer is suspended and cleansed by flow through capillaries

Info

Publication number: NL8601254A
Application number: NL8601254A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1986-05-16
Filing date: 1986-05-16
Publication date: 1987-12-16

Abstract

The wafer, (40) which has a thickness of about 1 mm and a diameter of six inches, is held in a cavity between an upper block (14) and a lower block (16). The lower block has a turntable (20) rotated by a drive motor (22). Both blocks have capillary tubes at right angles to the wafer surface and other tubes at the edges. Air or other cleaning media flow through the tubes to support the wafer in a 'floating' position, out of contact with the block surfaces. The gap between the blocks can be altered by raising or lowering the upper block. The cleaning medium is 'micro-filtered' to ensure thorough cleansing action.

Description

* ί verbeterde inrichting voor wafer transport en processing.* improved device for wafer transport and processing.

In de inrichtingen 'Jo's 3601131 en 9601122 van de aanvragers voor wafer transport an processing zijn mediumsiotan omschrevsn, dis tenminste beletten, dat procsssing medium, mcgel'jk bevattende micro-verontreinigin-5 gen, terecht komt op de ópstaands wanden van de ingang van ds arocassing mocule an zelfs in ds aangrenzende tunnelpassage.In the devices' Jo's 3601131 and 9601122 of the applicants for wafer transport and processing medium siotan have been described, which at least prevent that processing medium, containing micro-contaminants, contains on the upright walls of the entrance of ds. arocassing mocule an even in the adjoining tunnel passage.

Verder di9nan deze capillairs mediumsiotan voer het onderhouden van een zodanige afdichting van de procassingmodula, dat tijdens de processing de toeveer van gasvormig medium vanuit de tunnelpassage naar deze module 10 beperkt olijft.Furthermore, these medium siotan capillaries maintain such a sealing of the procassing module that during processing the flow of gaseous medium from the tunnel passage to this module 10 remains limited.

Daaroij zijn aan deze constructies en werkwijzen oe navolgende bezwaren verbonden: 1. 3ij de opwaartse verplaatsing van de opsluitsectie heeft het vloeibars medium, welks afkomstig is uit net mediumslot, tijd nodig om te ver— 15 dampen. Aldus is aen snel verdampöare vloeistof voor dit mediumslot vereist, welk medium afwijkt van net gebruikt wordende vloeibare meoium voor de processing van de wafer.For this reason, the following drawbacks are associated with these constructions and methods: 1. In the upward displacement of the confining section, the liquid-medium medium, which comes from the medium lock, needs time to evaporate. Thus, a rapidly evaporable liquid is required for this medium slot, which medium differs from the liquid medium used for the processing of the wafer.

2. Bij het binnen de bovensectia van de processingkamer brengen van de wafer krijgen micro verontreinigingen gelegenheid om terecht te komen op 20 het bovengedeelte van de ópstaande zijwand van deze bovensectia boven de daarin opgsnomen toevoerkanalen voor vloeibaar medium. Hierdoor is het ónmogelijk, dat deze verontreinigingen door een bewerkstelligde vloeistof-stroom vanuit deze kanalen mee naar beneden worden geveerd voor afvoer ervan, Indien vervolgens zulk een verontreinigingen tijdens h9t dragen van de 25 wafer doer gasstroman vanuit de tunneioassaga worden verwijderd, komen deze •mogalijk door da stsrke wervelingen terecht co het wafer—oppervlak. Hierdoor is de reiniging van de wafer gedeeltelijk teniet gedaan, 3. De stroom vloeibaar medium naar ds mediumslot-oostelling in het onderblok moet in korts tijd tot stand komen, terwijl toen de spleet, 3l dan 20 nist in combinatie met groeven, niet in staat is om het vanuit een beperkt aantal toevosrpuncan taegevoerde medium te leiden rondom ds opsluitsectie van de bovenkap zonder dat door een ter plaatse van deze toevoerpunten georeerde drukvarhoging in de spleetsectie een weglekken ervan naar Tragelijk ielfs de tunnelpassage plaats vindt.2. When introducing the wafer within the upper sections of the processing chamber, micro-contaminants are allowed to land on the upper portion of the upright sidewall of these upper sections above the liquid medium feed channels contained therein. As a result, it is impossible for these contaminants to be dragged downwards through these channels by an effected liquid flow for discharge thereof. If subsequently such impurities are removed from the tunneioassaga during the carrying of the wafer by gas stream, these may possibly come about. due to severe swirls, rightly co-wafer surface. As a result, the cleaning of the wafer is partly canceled out. 3. The flow of liquid medium to the medium slot east slope in the bottom block must be established in a short time, while when the gap, 3l then 20 in combination with grooves, cannot It is to guide the medium fed from a limited number of feeder pipes around the retaining section of the top cover without a pressure increase in the slit section, which is at the location of these supply points, leaking to Tragic even the tunnel passage.

25 Δ, 3ij het tijdeiïjk bewerkstelligen en onderhouden van de stroom rei- nigingsmedium door deze spleet is niet te vermijden, dat deze stroom ter plaatse van de toevoer maximaal is en op het verst van deze toevoer verwijderde punt minimaal is. Aldus is geen optimaal gebruik van het vloeibare ;< A Λ - 2 * i: » '» - 2 - reinigingsmedium voor het mediumslot en het reinigen mogelijk.It cannot be avoided that this flow is maximized at the location of the supply and that it is minimal at the point furthest from this supply. Thus, optimal use of the liquid <A Λ - 2 * i: »'» - 2 - cleaning medium for the medium lock and cleaning is not possible.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze bezwaren op te heffen en is deze in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat de bo-vsnkap nauw passend in de uitsparing er voor van het bovenblok is opgeno-5 men, de rechtgelsiding voor deze kap zodanig is, dat tussen deze opstaande zijwand en de binnenwand van deze uitsparing een capillaire microsplset aanwezig is en op deze microspleet een toevoer van vloeibaar medium is aangesloten.The object of the device according to the invention is now to eliminate these drawbacks and it is mainly characterized in that the top cover is accommodated closely in the recess in front of it of the top block, the straight guide for this cover is that a capillary microsplset is present between this upright side wall and the inner wall of this recess and a supply of liquid medium is connected to this microslit.

Verder, dat de bovensectie van de uitsparing in het onderblok als 10 processingkamer ten behoeve van processing van de wafer zodanig is uitgevoerd, dat tijdens het naar beneden bewegen van de opsluitsectia van de bovenkap tot binnen deze bovensectie eveneens een microspleet tussen deze opsluitsectia en deze bovensectie wordt onderhouden en tenminste tijdens deze verplaatsing van de bovenkap vloeibaar medium vanuit de bovenste ringvormi-15 ge spleet wordt medegenomen naar deze onderste ringvormige spleet.Furthermore, that the top section of the recess in the bottom block is designed as a processing chamber for the processing of the wafer, such that during the downward movement of the locking sections of the top cap into this top section also a micro-gap between these locking sections and this top section is maintained and at least during this displacement of the top cap, liquid medium is carried from the top annular gap to this bottom annular gap.

Daarbij vindt in de tunnelpassage rondom deze bovenkap enige opzame— ling van vloeibaar medium plaats, hetgeen tenminste in bepaalde gevallen, • zoals het gebruik maken van een vloeibaar medium met een hoog kookpunt, ongewenst is, omdat daarvan een gedeelte achterblijft in de tunnelpassage na 20 het terug keren van de bovenkap naar zijn bovenste positie binnen het bovenblok en aldus tijdens de daarop volgende lineaire verplaatsing van de wafer door kleving ervan tegen zulk een tunnelwandsectie, bedekt met vloeibaar medium, tenminste deze wafer-verplaatsing wordt bemoeilijkt.In the tunnel passage around this top cap, some liquid medium accumulation takes place, which is undesirable at least in certain cases, such as the use of a liquid medium with a high boiling point, because a part thereof remains in the tunnel passage after 20 returning the top cap to its uppermost position within the top block and thus during the subsequent linear movement of the wafer by adhesion thereof to such a tunnel wall section covered with liquid medium, at least this wafer movement is made difficult.

Oen volgend gunstig kenmerk is nu, dat in de opstaande zijwand van 25 de bovenkap capillaire groeven zijn opgenomen, welks zich vanaf het ondereinde van deze kap in hoogterichting uitstrekken met een zodanig geringe tussen-afstand, dat bij een overdruk in de tunnelpassage ten opzichte van die in de processingkamer geen niet-capillair gebonden vloeibaar medium aanwezig kan zijn in dez9 tunnelpassage.A further favorable feature is now that in the upright side wall of the top cap capillary grooves are included, which extend in height direction from the bottom end of this cap with such a small distance that at an overpressure in the tunnel passage which in the processing chamber no non-capillary-bound liquid medium can be present in this tunnel passage.

30 Verder is het gewenst, dat zoals tenminste tijdelijk mini-stromen vloei baar medium vanuit deze combinatie van spleten en groeven geleid wordt naar de processingkamer, de ruimte van het bovenblok boven de bovenkap in open communicatie is met de tunnelpassage en middelen in deze inrichting zijn opgenomen voor een zodanige regeling van de druk in deze ruimte sn tunnelpas— 35 sage ten opzichte van de druk in de processingkamer en van de toevoer van het vloeibare medium naar de bovensplaet, dat geen uitstuwing van niet-capillair gebonden vloeibaar medium plaats vindt naar deze tunnelpassage.Furthermore, it is desirable that, as at least temporary mini-flows of liquid medium is conducted from this combination of slits and grooves to the processing chamber, the space of the top block above the top cap is in open communication with the tunnel passage and means are in this device accommodated for such a control of the pressure in this space between the tunnel and the pressure in the processing chamber and of the supply of the liquid medium to the top plate that no expulsion of non-capillary-bound liquid medium takes place to this tunnel passage.

De groeven functionneren daarbij tevens ter opzameling onder capillairs werking van vloeibaar medium onder de vorming van een buffer.The grooves also function to collect liquid medium under capillary action, thereby forming a buffer.

q £ n 1 o Ά 4 y V \j ! £ .) 4 - 3 - * .q £ n 1 o Ά 4 y V \ j! £.) 4 - 3 - *.

Een volgend gunstig kanmerk is nu, dat tan behoeve van zulk een stroming van vloeibaar medium langs ds binnenwand van de bovsnsectis van de procassingkamer voor het verwijderen van eventueel daarop terecht gekomen micro-veronfcreinigingen t'jdsiijk in deze kamer de druk zodanig wordt ver-5 minderd, dat vloeibaar medium vanuit deze buffer wordt onttrekken en tenminste gedeeltelijk langs deze wand wordt gestuwd naar deze kamer*A further favorable feature is now that for the purpose of such a flow of liquid medium along the inner wall of the upper section of the processing chamber for removing any micro-impurities that have ended up on it, the pressure is always increased in this chamber. less, that liquid medium is extracted from this buffer and is at least partially pushed along this wall to this chamber *

De hoogte van ds tunnelpassage voor het transporteren van de wafer ond9r double-floating conditie is zeer beperkt en bedraagt bij een wafer— dikte van 0,75 mm slechts circa 1,1 mm. Daardoor wordt gemakkelijk tijdens 10 de stroming van het medium door de capillaire kanalen da aangrenzende run— nelpassage-sactie bevochtigd,The height of the tunnel passage for transporting the wafer under double-floating condition is very limited and at a wafer thickness of 0.75 mm is only approximately 1.1 mm. Therefore, during the flow of the medium through the capillary channels, the adjacent runway passage operation is easily wetted,

In een volgende gunstige uitvoering is dan ook tenminste de ondersts tunnelpassage-wand rondom de ender-uitsoaring verlaagd, terwijl na de ore— cessing de afvoer van de wafer onder floating conditie over de aangrenzen— 15 da hoger gelegen tunnelwand plaats vindt,In a further favorable embodiment, at least the bottom tunnel passage wall around the ender location is lowered, while after the disposal the wafer is discharged in floating condition over the adjacent tunnel wall,

Aldus kan zulk een vochtig wand-gedaelte niet hst lineaire wafer-transport verstoren,Thus, such a damp wall section cannot interfere with linear wafer transport,

Verder is het van belang, dat in verband met het tijdens de wafer processing in stand houden van de uiterst nauwe cirkslvormige microspleet 20 rondom de oosluitsactia, ds wijdte ervan zo gelijkmatig mogaiijk is.Furthermore, it is important that, due to the maintenance of the extremely narrow circle-shaped micro-slit 20 around the sealing agents during wafer processing, their width is as uniform as possible.

Een volgende gunstige uitvoering is nu, dat ds gemiddelde splest-wijdta van da micro bovenspleet geringer is dan die van de micro anderspiest,A further favorable embodiment is now that the mean splest width of the micro upper slit is less than that of the micro other spike,

Verder, dat daartoe de diameter van de bovenkap gelijk blijft en de diameter van da beven—uitsparing kleiner is dan die van de onder—uitsparing, 25 Een gunstige werkwijze is daarbij, dat het vloeibare medium, hetwelk zich hoog capillair bevindt in deze bovensoleet, tevens als micro-film dient vaar het geleiden van de bovenkaD in zijn op en neerwaartse verplaatsingen in een midden-positia ervan in de boven-uitsparing.Furthermore, for this purpose the diameter of the top cap remains the same and the diameter of the trough recess is smaller than that of the bottom recess. A favorable method is that the liquid medium, which is located high capillary in this top solole, also serves as a micro-film for guiding the top in its up and down movements in a center position thereof in the top recess.

Een volgende gunstige werkwijze is, dat het vloeibare medium m oe 30 capillaire bovensplset door periodieke injecties van kleins hoeveelheden van dit medium wordt aangevuld an waardij deze oovenspleet en groeven ansr-zjds als buffer functionneert an anderzijds mede zorg draagt voor verse raiding van het plaatsslijk teegeveerde medium onder capillaire werking.A further favorable method is that the liquid medium must be replenished by capillary top splits by periodic injections of small amounts of this medium, while this crack and grooves function as a buffer on the other hand and, on the other hand, ensure fresh roasting of the locally sprung medium under capillary action.

In een volgende gunstige werkwijze geschiedt zulk een reiniging van 35 de ingang van de processingkamer tenminste gedeeltelik na de in deze orc-cessingkamer olaats vindende processing met behulp van vloeibaar medium.In a further favorable method, such a cleaning of the entrance to the processing chamber takes place at least partly after the processing, which is found lonely in this processing chamber, with the aid of liquid medium.

£» · n£ »n

Aldus wordt de gehele onderspleet dcorstroomd met ultra-hocg gs· j--— terd8 reinigingsmedium, waarbij elke micro-verontrainiging daaruit wordt verwijderd.Thus, the entire undercut is flowed with ultra-high-purity cleaning medium, removing any micro-contamination therefrom.

ÖÖÖ1254 « * - 4 - l/erder hebben in een gunstige uitvoering ten behoeve van zulk een opzameling van vloeibaar medium de groeven in het bovengedeelte van de bovenkap een grotere doorsnede dan de groeven in het ondergedeelte van deze kap. Verder zijn daarbij mogelijk het aantal opzamelgroeven in het boven-5 gedeelte van de kap groter dan in het ondergedeelte.Advantageously, for such a collection of liquid medium, the grooves in the top portion of the top cap have a larger diameter than the grooves in the bottom portion of this cap. Furthermore, the number of storage grooves in the top part of the hood may be larger than in the bottom part.

Verder zijn tenminste deze opzamelgroeven lager capillair dan de bo-vsnspleet.Furthermore, at least these storage grooves are lower capillary than the top slit.

Hierdoor wordt bij de verhoogde onderdruk in de procsssingkamer wei vloeibaar medium onttrokken aan deze groeven, doch wordt in deze micro-10 spleet een microfilm vloeibaar medium in stand gehouden ten behoeve van de rechtgelsiding van de bovenkap.As a result, at the increased negative pressure in the processing chamber, whey liquid medium is extracted from these grooves, but a microfilm liquid medium is maintained in this micro-slit for the straightening of the top cap.

Door deze ideale rechtgeleiding van d9 bovenkap in het bovenblok met behulp van de vloeistof film rondom deze kap kan tijdens het naar beneden verplaatsen van deze kap deze geen mechanisch contact maken met de opstaande 15 binnenwand van de processingkamar, welke wand verder van deze kap is verwijderd.Due to this ideal straight guiding of the top cover in the top block with the aid of the liquid film around this cover, during the displacement of this cover, it cannot make mechanical contact with the upright inner wall of the processing kamar, which wall is further away from this cover .

Binnen het kader van de uitvinding is de lengte van de bewerkstelligde anderspleet en daarmede van hst daarin opgenomen madiumslot afhankelijk van de soort van processing.Within the scope of the invention, the length of the effected accomplished is different, and therefore the madlot included therein, depends on the type of processing.

20 Bij bijvoorbeeld reinigingsmodules is deze lengte minimaal, doordat in deze modules geen aanmerkelijk vacuum getrokken behoeft te worden.In the case of cleaning modules, for example, this length is minimal, because no substantial vacuum needs to be drawn in these modules.

'/erder kan in een module ten behoeve van processing zonder vloeibaar medium uitsluitend gasvormig medium worden gebruikt ten behoeve van het aan-en afvoeren van de wafer onder floating conditie. Daarbij is het verbruik 25 aan vloeibaar medium voor het onderhouden van het slot minimaal en volkomen te verwaarlozen, doordat bij zulke modules de ontvangen wafer reeds volkomen gereinigd is en aldus geen vloeibaar medium gebruikt behoeft te worden voor reiniging van de spleetwanden.In a module for processing without a liquid medium, only gaseous medium can be used for supplying and discharging the wafer under floating condition. In addition, the consumption of liquid medium for maintenance of the lock is minimal and completely negligible, because in such modules the received wafer has already been completely cleaned and thus no liquid medium needs to be used for cleaning the slit walls.

Daarbij wordt nagenoeg alle vloeibare medium van het mediumslot na de 30 processing door de bovenkap mede genomen naar het bovenblok.In this case, virtually all liquid medium from the medium lock is taken through the top cover to the top block after processing.

Aldus bedraagt dan het totaal verbruik ten behoeve van het mediumslot slechts circa 50 mmJ voor dry-processing van een 5” wafer.Thus, the total consumption for the medium lock is only approximately 50 mmJ for dry processing of a 5 ”wafer.

Daarbij kan het vloeibars medium van dit slat licht verdampend zijn bij de tsmperatuur, welke behoort bij zulk een procassingmodule.In addition, the liquid medium of this slat may be slightly evaporated at the temperature associated with such a process gas module.

35 Verder is het zelfs mogelijk, dat de wijdte van de ondarspleet nu zoda nig beperkt blijft, bijvoorbeeld minder dan 20 micrometer, dat bij een aanzienlijke lengte ervan, bijvoorbeeld 15 mm, een zodanig grata doorstroomweerstand wordt verkregen, dat een processing in de processingkamer onder een hoog vacuum mogelijk is en eventueel zelfs zonder vloeibaar medium slot, zoals /¾ 4 η ίί z.Furthermore, it is even possible that the width of the base gap now remains so limited, for instance less than 20 micrometers, that with a considerable length thereof, for example 15 mm, such a flow resistance is obtained that processing in the processing chamber under a high vacuum is possible and possibly even without a liquid medium lock, such as / ¾ 4 η ίί z.

8öü123» * .8öü123 »*.

— 3 — tan behoeve van dehydration bake.- 3 - tan for dehydration bake.

Verdere gunstige kenmer^gp volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven f’iguran.Further favorable features follow from the description of the figura indicated below.

Figuur 1 toont aan reinigingsmocule, 'daarin da inrichting volgens 5 de uitvinding is opgenamen.Figure 1 shows a cleaning molecule, in which the device according to the invention is incorporated.

Figuur 2 toont aan vergroot detail van de inrichting volgens da Figuur 1 an waarbij aan aankomends wafer zich bevindt in hst eindstadium van zijn lineaire verplaatsing en de bovenkap zich nog in zijn bovenste positie bevindt.Figure 2 shows an enlarged detail of the device of Figure 1 an wherein the upcoming wafer is in the final stage of its linear displacement and the top cap is still in its top position.

1G Figuur 3 is een stark vergroot detail van da inrichting volgens de1G Figure 3 is a stark enlarged detail of the device according to the

Figuur 2 ter plaatse van de tunneloassaga.Figure 2 at the location of the tunnel saga.

Figuur 4 toont het vergrootte detail volgens de Figuur 2, waarbij oe wafer zich in zijn onderste oositia voer procsssina oevinct en waarop net ondereinde van de naar beneden varoiaatste bovenkap zich reeds in de tOD 15 van de orccessingkamer bevindt.Figure 4 shows the enlarged detail according to Figure 2, in which the wafer is located in its lower oositia for the procsssina oevinct and on which the lower end of the downmost varied upper cap is already located in the tOD 15 of the ordering chamber.

piguur 5 is een stark vergroot detail van de inrichting volgens de Figuur 4 ter plaatse van de tunnelpassage.Pigure 5 is a stark enlarged detail of the device of Figure 4 at the tunnel passage.

Figuur 5 toont het vergrootte detail volgens de Figuur 4, waarbij de bavenkap aveneens in zijn onderste positie ia terecht gekomen.Fig. 5 shows the enlarged detail according to Fig. 4, with the baven hood ending up in its lower position.

20 Figuur 7 is een sterk vergroot detail van de inrichting volgens deFigure 7 is a greatly enlarged detail of the device according to the

Figuur 5 ter plaatse van de tunnelpassage.Figure 5 at the location of the tunnel passage.

Figuur 3 toont het detail volgens de Figuur 5 en waarb'j processing van de wafer met behulp van vloeibaar medium plaats vindt mat net geljjkt'j-dig tenminste onderhouden van het vloeibaar reiniginosmsdium slot.Figure 3 shows the detail according to Figure 5 and where processing of the wafer with the aid of liquid medium takes place with at least the same maintenance of the liquid cleaning medium lock.

25 Figuur 9 i3 een doorsnees over de lijn 3-9 van het detail volgens deFigure 9 i3 a section along line 3-9 of the detail according to the

Figuur 3.Figure 3.

Figuur 10 is een doorsnede over de Ijn 10-10 van het detail volgens de Figuur 3.Figure 10 is a section through the Ijn 10-10 of the detail according to Figure 3.

Figuur 11 is een doorsnede over de lijn 11-11 van het detail volgens 30 de Figuur 3.Figure 11 is a section on line 11-11 of the detail of Figure 3.

Figuur 12 toont het detail volgens de Figuur 3 en waarbij na ds processing met behulp van vloeibaar medium vóordroging van de wafer oiaats vindt mgt behulp van toegevoerd gasvormig medium en waarbij door een verlaagde onderdruk in de procassingkgmer vloeibaar reiniginosmedium uit de 3c vloeistofbuff er van oe oovankap wordt afgezegen via deza kamer tan behoeve van hst reinigen van de ópstaande zijwanden van de top van de processing kamer.Figure 12 shows the detail according to Figure 3 and in which after drying with the aid of liquid medium pre-drying of the wafer takes place with the aid of supplied gaseous medium and in which liquid cleaning medium from the 3c liquid buffer of the cap is removed due to a reduced underpressure in the procassing kgmer. is filtered through this chamber for the purpose of cleaning the upright side walls of the top of the processing chamber.

Figuur 13 toont het detail volgens de Figuur 12 en waarbij de wafer C £ Π i *> % Λ >J y 1 <- ·.· - 5 -Figure 13 shows the detail according to Figure 12 and the wafer C £ Π i *>% Λ> J y 1 <- ·. · - 5 -

« W«W

naar aen hoger gelegen processingsectie is gebracht ten behoeve van na-droging ervan en de bovenkap zover in opwaartse richting is verplaatst, dat gasvormig medium vanuit de tunneloassage via een ruime spleet tussen deze kap en de top van de procassingkamer naar deze kamer wordt gestuwd.has been brought to a higher processing section for post-drying and the top cap has been moved in an upward direction such that gaseous medium is pushed from the tunnel passage through a wide gap between this cap and the top of the process chamber to this chamber.

5 Figuur 14 toont een ander type module, waarin geen spin-processing van da wafer plaats vindt.Figure 14 shows another type of module, in which no spin processing of da wafer takes place.

Figuur 15 toont een vergroot detail van de module volgens ds Figuur 14 gn waarbij een arriverende wafer gelijk terecht komt in de processingsectie.Figure 15 shows an enlarged detail of the module according to Rev. Figure 14, in which an arriving wafer immediately ends up in the processing section.

10 Figuur 16 toont het detail volgens de Figuur 15 sn waarbij de boven kan naar zijn onderste positie is bewogen.Figure 16 shows the detail according to Figure 15 sn where the top jug has been moved to its bottom position.

Figuur 17 toont een detail van een module, waarin processing onder vacuum plaats vindt en waarbij de wafer over een grotere afstand in benedenwaartse richting verplaatst en de bovenkap eveneens over aen zodanig grote 15 afstand binnen de top van de processingkamer is gebracht, dat het hoog-ca-pillaire vloeibare mediumslot zorg draagt voor een toereikende afdichting van deze kamer.Figure 17 shows a detail of a module in which processing takes place under vacuum and in which the wafer is moved downwards over a greater distance and the top cover is also brought into the top of the processing chamber over such a great distance that it is high. capillary liquid medium lock ensures adequate sealing of this chamber.

Figuur 1 toont de inrichting 10 in een langsdoorsnede. Deze bestaat daarbij in hoofdzaak uit het onderblok 12, bovenblok 14, tunnelpassage 16, 20 welke is opgenomen tussen deze blokken, uitsparing 13 in het onderblok, onderbloksectia 20 als draaitafel, welke met zijn aandrijving 22 is vastgezet op het draagblok 24, meeneeminrichtingen 25 en 29 ten behoeve van het in op en neerwaartse richting en al dan niet kantelend, verplaatsen van deze sectie 20 en welke zijn vastgezet op de onderkap 30, bovenkap 32, welke is 25 opgsnomen in de uitsparing 34 van het bovenblok 14, meeneeminrichting 36 ten behoeve van het in op— en neerwaartse richting verplaatsen van deze kap 32 en welke is vastgezet oo dit bovenblok 14.Figure 1 shows the device 10 in a longitudinal section. It mainly consists of the bottom block 12, top block 14, tunnel passage 16, 20 which is received between these blocks, recess 13 in the bottom block, bottom block sections 20 as a turntable, which is fixed with its drive 22 on the support block 24, transport devices 25 and 29 for the purpose of moving this section 20 up and down and whether or not tilting and which are fixed on the bottom cap 30, top cap 32, which is received in the recess 34 of the top block 14, the carrying device 36 for the purpose of of moving this cap 32 up and down and which is secured on this top block 14.

Lineair transport van de wafer 40 naar de reinigingsmodule 38 geschiedt onder floating conditie, waartoe in de tunnelpassage de toevoer— 30 uitmondingen 42 en 44 zijn opgenomen en in de onderbloksectie 20 de uitmondingen 46.Linear transport from the wafer 40 to the cleaning module 38 is carried out under a floating condition, for which purpose the inlet openings 42 and 44 are included in the tunnel passage and the openings 46 in the bottom block section 20.

Tijdens het wafer transport geschiedt de afvoer al dan niet tijdelijk via het ringvormige afvoerkanaal 50 rondom de onderbloksectie 20 en tenminste één van de kanalen 52 en 54.During the wafer transport, the discharge takes place temporarily or otherwise via the annular discharge channel 50 around the bottom block section 20 and at least one of the channels 52 and 54.

35 In de uitsparing 18 is het mediumtoevoerblck 62 opgenomen en waarbij een groot aantal toevoerkanalsn 64 en 66 uitmonden in de binnenzijde 68 van dit blok, zie de Figuren 10 en 11 ,The medium supply block 62 is accommodated in the recess 18 and a large number of supply channels 64 and 66 open into the inside 68 of this block, see Figures 10 and 11,

Inklemming van dit blok geschiedt met behulp van het tussenstuk 56 (¾ S * V V V v * - 7 - » an waarbij de O-ringen 58 en 50 zorg dragen voor een goede afdichting ervan.This block is clamped by means of the intermediate piece 56 (¾ S * V V V v * - 7 - »an where the O-rings 58 and 50 ensure a good sealing thereof.

De kanalen 54 en 56 zijn via hat ringvormige communicatiekanaal 70 aangesloten op één of meerders toevoeren 72.Channels 54 and 56 are connected via one annular communication channel 70 to one or more feeds 72.

3innsn h9t kader van de uitvinding kan echter de inrichting zodanig 5 z:jn uitgavoerd, dat via toevoer 55 lijdelijk vloeibaar medium wordt toegevosrd en via toevoer 64 gasvormig medium.Within the scope of the invention, however, the device can be designed in such a way that liquid liquid medium is supplied via supply 55 and gaseous medium via supply 64.

Fussen de bovenkap 52 an de binnenwand 75 bevindt zich de cirkelvormige micro bovenspleet 79, waarbij de centrische positie van deze kap tan oczichte van deze wand 75 mede bewerkstelligd en onderhouden wordt door een 10 uiterst nauwkeurige rschtgeleiding in de hoog—precisie meeneeminrichting 35, riet behulp van het manchet 80 is deze kap op en neer verplaatsbaar bevestigd op het PovenbloK 14 onder d9 vorming van da ruimte 32, welke van de buitenlucht is afgesla tan. Oeze ruimte 82 staat via het communicatiekanaal 34 in open verbinding mer de tunnalpassage 15.Between the top cap 52 of the inner wall 75 is the circular micro top slit 79, the centric position of this cap tan view of this wall 75 being co-effected and maintained by an extremely accurate right guidance in the high-precision carrying device 35, using of the sleeve 80, this cap is movably mounted up and down on the Povenblock 14 to form the space 32, which has been cut off from the outside air. This space 82 is in open connection via the communication channel 34 to the tunnel passage 15.

15 De opstaande zijwand 36 van de bovenkap 32 bevat een groot aantal mi cro groeven 36, zie de Figuren 3 en 9, waarin periodiek oozameiing van het vloeibare medium 98 als buffer plaats vindt, terwijl deze groeven verder dit medium onder capillaire werking transporteren naar de capillaire onder-splaet 90, welke binnen het toevoerblok 62 opzij van deze bovenkap gevormd 20 wordt tijdens het naar beneden verplaatsen van deze kap.The upright side wall 36 of the top cap 32 contains a large number of micro grooves 36, see Figures 3 and 9, in which periodic cooling of the liquid medium 98 takes place as a buffer, while these grooves further transport this medium under capillary action to the capillary bottom gap 90, which is formed within the feed block 62 to the side of this top cap while moving this cap downward.

De micro bovenspleet 78 is zeer nauw met een wijdte van bijvoorbeeld slechts 15 micrometer, terwijl de gevormde micro onderspieet 90 bij voorkeur tenminste dezelfde of iets grotere micro-wïjdte heeft. Rede door de film capillair gebonden vloeibare medium 93 in deze spleet 70 wordt aldus een 25 zich mechanisch contactloos verplaatsen van de ocsluitsectie 32 van deze kap binnen dit toevoerblok 52 moge!ijk gemaakt.The micro top slit 78 is very narrow with a width of, for example, only 15 micrometers, while the micro bottom slit 90 formed preferably has at least the same or slightly larger microwidth. Thus, liquid medium 93 bound by film capillary in this slit 70 is made possible to mechanically contactlessly move the occluding section 32 of this cap within this feed block 52.

Door deze precisie recntceieiding met behulp van da micro film vloeibaar medium in da spleet 7g is tevens ggn zeer hoog capillair mediumslct in deze cndersplset 90 mogelijk» 30 Aanvulling van het vloeibare medium 98 in ds bovgnspleet 78 an de groeven 33 geschiedt al dan niet periodiek en met ai dan niet verschillends hoeveelheden via tenminste sen toevcsrkanaal 94, welks daartoe bü voorkeur uitmondt in het ringvormige communicatiekanaal 35.Due to this precision detection with the aid of the micro film liquid medium in the gap 7g, very high capillary medium pressure in this substrate set 90 is also possible. »30 Supplementation of the liquid medium 98 in the upper gap 78 of the grooves 33 takes place periodically and otherwise. with al or not different amounts via at least one supply channel 94, which for this purpose preferably leads into the annular communication channel 35.

De werking van de inrichting is ais volgt: 35 Zoals is aangegeven in ds Figuur 2, is in de bovenste positie van de bovenkap 32 de bovenspleet 73 inclusief de groeven 58 gehsal gevuld met vloeibaar medium 98.The operation of the device is as follows: As indicated in ds Figure 2, in the uppermost position of the top cap 32, the top gap 73 including the grooves 58 is filled with liquid medium 98.

De wafer 40 bevindt zich in de eindfase van de lineairs verplaatsing grvan onder floating conditie naar deze module sn wordt daarbij ongevangen 3 .p r! 1 9 λ i Ö ·-# I L ·-' h;The wafer 40 is in the final phase of the linear displacement grvan under floating condition to this module sn is thereby captured. 1 9 λ i Ö · - # I L · - 'h;

1 V1 V

- 8 - door bij voorkeur stromen gasvormig medium 74, welke afkomstig zijn uit de kanalen 64, welke daarbij als opvangbuffer dienen.By preferably gaseous medium 74 flowing from the channels 64, which serve as a collecting buffer.

Gelijk met deze aanvoer van de wafer vindt tevens aanvoer van gasvormig medium uit de tunnelpassage 16 naar deze module plaats. Daarbij kunnen 5 zowel deze wafer als dit gasvormig medium micro-verontreinigingen bevatten, welke eventueel kunnen neerslaan op het top-gedeslte 100 van de oinnenwand 68.Simultaneously with this supply of the wafer, supply of gaseous medium from the tunnel passage 16 to this module also takes place. In addition, both this wafer and this gaseous medium may contain micro-impurities, which may optionally deposit on the top face 100 of the inner wall 68.

Vervolgens wordt de wafer 40 eveneens onder floating conditie naar zijn onderste positie in de processingkamer 102 gebracht. Het systeem van 10 wafer transport en processing is omschrsven in de Nederlandse Octrooiaanvragen No's 860C946, 560C947, 8601131 en 3601132 van de aanvragers,Subsequently, the wafer 40 is also brought to its bottom position in the processing chamber 102 under floating condition. The system of 10 wafer transport and processing is described in the Dutch Patent Applications Nos. 860C946, 560C947, 8601131 and 3601132 of the applicants,

In de Figuur 4 verplaatst de bovenkap 32 zich in benedenwaartse richting an waarbij door de film capillair gebonden vloeibare medium 98 in de bovenspleet 78 deze kap zich daarbij zodanig centrisch ten opzichte van de 15 ingang 104 van het toevoerblok 62 bevindt, dat een mechanisch contact met de top 100 van de zijwand 58 ónmogelijk is.In Figure 4, the top cap 32 moves downwardly, with liquid medium 98 bound by the film capillary in the top slit 78, this cap being located so centrally with respect to the inlet 104 of the feed block 62 that a mechanical contact with the top 100 of side wall 58 is impossible.

Vervolgens wordt deze bovenkap 32 naar zijn onderste positie bewogen, zoals is aangegeven in de Figuren 6 en 7.Subsequently, this top cap 32 is moved to its bottom position, as shown in Figures 6 and 7.

Daarbij vindt vulling van de bewerkstelligde anderspleet 90 met vloei-20 baar reinigingsmedium plaats, welke afkomstig is uit de groeven 88 en vindt eventueel in deze fase voorreiniging van de wandsectie 100 plaats door erlangs geleid wordende mini stromen vloeibaar reinigingsmedium 98, welke mads via de processingkamer 102 in benedenwaartse richting wordt afgevoerd.Thereby, the effected otherwise gap 90 is filled with liquid cleaning medium, which comes from the grooves 88 and, if necessary, pre-cleaning of the wall section 100 takes place during this phase by passing mini streams of liquid cleaning medium 98, which are mapped via the processing chamber. 102 is discharged downward.

Het onttrekken van dit medium uit de buffer 88 is mogelijk, doordat 25 dit medium daarin in mindere mate capillair is vergaard dan in spleet 90.The withdrawal of this medium from the buffer 88 is possible because this medium is collected capillary to a lesser degree than in the slit 90.

De hoog-capillairs cirkslvormige bovenspleet 78 blijft daarbij geheel gevuld met vloeibaar medium, zodat een verdere centrische positie van de bovenkap gewaarborgd is.The high-capillary circle-shaped top slit 78 remains completely filled with liquid medium, so that a further centric position of the top cap is ensured.

Vervolgens vindt wet-processing van de wafer 40 plaats in de pro-30 cassingsectie 108, zoals is aangegeven in de Figuur 8.Next, wet-processing of the wafer 40 takes place in the pro-30 cassation section 108, as indicated in Figure 8.

Daartoe wordt vloeibaar medium 110 langs de onder- en bovenzijde van de wafer gestuwd en vervolgens via de afvo9r 50 in benedenwaartse richting afgevoerd.To this end, liquid medium 110 is pushed along the bottom and top of the wafer and then discharged down the drain 50.

Verder wordt vanuit de kanalen 66 gasvormig medium 74 35 gestuwd naar de opstaande zijkant 112 van de wafer ten behoeve van het in een centrische positie houden van de roterende wafer onder floating conditie , De groeven 54, waarvan da capillariteit groter is dan dia van de buf-fsrgroeven 88, worden eveneens gevuld met vloeistof vanuit deze groeven 98eFurthermore, gaseous medium 74 is pushed from the channels 66 to the upright side 112 of the wafer for keeping the rotating wafer in a centric position under floating condition, The grooves 54, whose capillarity is greater than the diameter of the buffer -fsr grooves 88, are also filled with liquid from these grooves 98e

Afvoer van dit medium 74 vanuit deze kanalen 64 vindt nagenoeg niet js s n i o z k %? y V ί z.Discharge of this medium 74 from these channels 64 hardly takes place js s n i o z k%? y V ί z.

/ t - 9 - plants, doordat tevens net msdiumslot 90, zich uitstrakkand aan weerszijde van daze toevosrkanglen 54, zulks belet en waarbij dit slot daartoe elke gewenst uordsnde lengte en w'jdta ken heoben in afhankalnkhsid van de mate van processing en da hoeoanigbeid ervan, 5 Zoals tevens in de tunnelpassaga 15 een overdruk ten opzichte van cie in de crocsssingkamar 100 wordt ondernoudsn, kan geen uitsrowing van vloeibaar processing medium via ce solest 30 naar geza passage oiaats vinden, '-et in de ringvormige uitsparing U0 van ds bovenkan 32 aanwezige gas-vomige medium 71, welke gevoed wordt met gasvormig medium vanuit de toevoerlij kanalen 55, celec gedurende deze wet—crocessing als cassiot net communiceren van ne in ce renminste tjdaijk capillairs acleer 1-22 cozö van de water aanwezige kolom vioeioare orocessingmedium 112 met de in de spleet 50 en de groeven 39 aanwezige vloeibare medium 33. Aldus wordt toeans deze wee—processing tenminste nagenoeg aeen vloeibaar medium onttrokken aan de groeven, 15 In oe eindfase van de we t-p races sing, waarbij het vloeibare processing medium van de waf-ar wordt gesoind, of onmiddell'jk daarna , wordt door een versterkte onoerduk in de orocsssingkamer 102 reinigingsmadium 38 onttrokken aan de groeven 39 tan behoeve van uitdrijving van eventueel in deze onder-spieet 90 en mogeljk deze groeven 3Θ tereent gekomen processingmedium 110, 20 0e capaciteit van de buffer 38 kan zodanig groot zijn, dat tenminste voldoende vloeibare reinigingsmsdium beschikbaar is voor het schoonspoelen van ca micro-spieet 90. Caarbïj is reeds enige aanvulling van dit medium via kanaal 94 mogelijk tijdens daze reiniging.This is prevented by the fact that the slot 90 also extends on both sides of this toeoskanglen 54, whereby this slot has any desired length and width depending on the degree of processing and the amount of processing thereof. Just as an overpressure with respect to cie in crocsssingkamar 100 is also maintained in tunnel passage 15, no outflow of liquid processing medium via ce solest 30 can be found through passage, eg in the annular recess U0 of top 32. present gaseous medium 71, which is fed with gaseous medium from the supply channels 55, celec during this wet-crocessing as cassiot communicating of the in the at least one capillaries acylate 1-22 cozo of the water present column liquid medium 112 with the liquid medium 33 present in the slit 50 and the grooves 39. Thus, this whey processing is at least substantially extracted from a liquid medium at the grooves, 15 In the final phase of the wea race, in which the liquid processing medium of the waf-ar is washed, or immediately thereafter, cleaning medium 38 is extracted from the grooves 39 by means of a reinforced impact pressure in the orifice chamber 102 For the purpose of expulsion of any processing medium 110, 20, the processing medium 110, 20 possibly of these grooves, which has come into contact with this groove 90, the capacity of the buffer 38 can be such that at least sufficient liquid cleaning medium is available for rinsing approximately micro-spit 90 Caarbij is already possible to supplement this medium via channel 94 during this cleaning.

la de wet-processing vindt in daze ondarsta orocassingseetie net voor— 25 drogan v3n da wafer 20 plaats, hetgeen is aangagavan in da Figuur 12, Stromen gasvormig medium 74 worden daarbij langs deze wafer geleid.The wet-processing takes place in this batch of ore-casing settlement just before drying of the wafer 20, which is indicated in the figure 12, Flows of gaseous medium 74 are guided along this wafer.

-at uit da buf f eroroaven 83 af gevoerde vloeibare medium 98 wordt bij voorkeur eerst na het drogings—orocas vervangen door een toevoer van het vloeibare medium 93 via het kanaal 94 , Zulks, om hst drogings—croceo niet 30 te versporen.The liquid medium 98 discharged from buffer tubes 83 is preferably replaced after the drying orocas by a supply of the liquid medium 93 via the channel 94, in order not to waste the drying croceo.

In oe Figuur 13 vindt in da crocessingsectie 114 na—droging van ds wafer 40 plaats en waarbij stromen boog-gefilterd gasvormig medium 74 vanuit tenminste da tunnelpassage—sactia 115 aan ds uitiaatzöds van de module er voor zorg dragen, dat geen medium vanuit deze processingsectie 114 ontsnapt 35 naar oeza tunnelpassage. Daarbij vindt bij voorkeur nog rotatie /an de wafer plaats.In Figure 13, in the crocessing section 114, post-drying of the wafer 40 takes place, and flows of arc-filtered gaseous medium 74 from at least the tunnel passage-sactia 115 to the latter side of the module ensure that no medium from this processing section 114 escapes 35 to oeza tunnel passage. Preferably, rotation still takes place on the wafer.

Finnen net kader van da uitvinding is het echter ook mogelijk, dat tijdelijk een geringe overdruk in deze processingkamer 102 ten oozichta van de druk in de tunnelpassage 15 wordt onderhouden an waarbij hocg-gefiiterd 3601254 * * - 10 - gasvormig medium vanuit deze processingkamer weglekt naar deze tunnelpassa-ge.However, within the scope of the invention, it is also possible that a slight overpressure is temporarily maintained in this processing chamber 102 in view of the pressure in the tunnel passage 15, whereby gaseous medium 3601254 * * - 10 - gaseous medium leaks from this processing chamber to this tunnel section.

Daardoor kan geen gasvormig medium, hetwelk eventueel mioro-varont-reinigingen bevat, vanuit de tunnelpassage-sectie aan de inlaatzijde van de 5 module terechtkomen in deze module met nog de daarin aanwezige gereinigde wafer.As a result, no gaseous medium, which optionally contains mioro-varont cleanings, can enter the module from the tunnel passage section on the inlet side of the module with the cleaned wafer still present therein.

Doordat bij het omhoog brengen van de bovenkap 32 tevens het vrij gekomen vloeibars medium 98 uit de geleidelijk kleiner wordende onderspleet 90 onder capillaire werking wordt mede genomen door deze bovenkap en gasvormig 10 medium wordt gestuwd uit deze kap 32 langs de wafer naar de wandsectie 100, vindt gelijktijdig een droging van deze sectie 114 plaats.Since, when the top cap 32 is raised, the released liquid-medium medium 98 from the gradually decreasing sub-gap 90 under capillary action is also taken through this top cap and gaseous medium is pushed out of this cap 32 along the wafer to the wall section 100, this section 114 is dried simultaneously.

Door een verder omhoog brengen van de kap 32 naar zijn bovenste positie en het verder opwaarts verplaatsen van de draaitafel 20, waarop de wafer 40 zich onder floating conditie bevindt, wordt vervolgens een afvoer-15 positie van deze wafer beraikt, waarbij deze via de tunnelpassage-sectie.116 onder floating conditie kan worden afgevoerd naar een volgende module.By further raising the hood 32 to its top position and moving the turntable 20 further upwards, on which the wafer 40 is in a floating condition, a discharge position of this wafer is subsequently reached, passing through the tunnel passage -section.116 under floating condition can be removed to the next module.

Nadat de bovenkap 32 in zijn bovenste positie is gekomen, hetgeen is aangegeven in de Figuur 2, wordt mat behulp van al dan niet opvolgende injecties vanuit het communicatiekanaal 96 vloeibaar reinigingsmedium 98 naar 20 de buffergroeven 88 gestuwd ter vervanging van het daaruit onttrokken medium.After the top cap 32 has reached its top position, which is shown in Figure 2, with the aid of injections, whether or not successive, from the communication channel 96, liquid cleaning medium 98 is pushed to the buffer grooves 88 to replace the medium withdrawn therefrom.

Door een vervolgens bewerkstelligde onderdruk in het toevoerkanaal 94 wordt niet-gebonden vloeibaar medium uit dit communicatiekanaal terug gezogen.Unbound liquid medium is sucked back from this communication channel by a subsequent depression in the feed channel 94.

25 In de Figuur 14 is de processingmodule 120 aangegeven, waarbij geen processing met behulp van spinning van de wafer 40 plaats vindt.In Fig. 14, the processing module 120 is indicated, in which no processing takes place by means of spinning of the wafer 40.

0e mogelijke processing systemen voor zulk een module in eventueel aangepaste vorm zijn eveneens omschreven in de boven vermelde Nederlandse Gctrooi-aanvragen van de aanvragers.The possible processing systems for such a module in any adapted form are also described in the above-mentioned Dutch Patent Applications of the applicants.

30 In de Figuur 15 vindt bij zulk een module processing van de floating wafer 4G met behulp van al dan niet vloeibaar medium 122 plaats in de ont-vangstsectie 124, welke dus tevens processingsectie is, zie de Figuur 15.In Figure 15, in such a module, processing of the floating wafer 4G using liquid or non-liquid medium 122 takes place in the receiving section 124, which is thus also a processing section, see Figure 15.

Daarbij vindt slechts aanvoer van gasvormig buffermedium 74 via de serie groeven 64' plaats voor zowel het opvangen van de wafer als het hou-35 den van deze wafer in een centrische positie erven ten opzichte van het toevoerblck 62'.Thereby, only gaseous buffer medium 74 is supplied through the series of grooves 64 'for both capturing the wafer and maintaining it in a centric position relative to the supply block 62'.

In deze sectie 124 vindt na de wet-processing droging van de wafer plaats en wordt na dit drogen de wafer vervolgens afgevaerd via de passage 16 ’.In this section 124 drying of the wafer takes place after wet-processing and after this drying the wafer is subsequently discharged via passage 16 ".

a 2 Λ 1 ^ £ k y 0 U i * % - 11 -a 2 Λ 1 ^ £ k y 0 U i *% - 11 -

Cok hier levert de buffer 39' voldoende vloeibaar reinigingsmedium voor het reinigen van de zijwanden van de onderspleefc 30',Also here the buffer 39 'supplies sufficient liquid cleaning medium for cleaning the side walls of the subcutaneous 30',

Deze orocessingmodule is ook geschikt voor proximity bake van de wafer, waarbij geen vloeibaar medium wordt toegspast en geen aanzienlijk vacuum 5 in da procassingkamer 124 behoeft te worden onderhouden.This orocessing module is also suitable for proximity bake of the wafer, where no liquid medium is applied and no substantial vacuum needs to be maintained in the process chamber 124.

Daarbij biedt het vloeibare medium slot in de spleet 30' gelegenheid voor een in voldoende mate afgesloten processing in deze kamer.In addition, the liquid medium lock in the slit 30 'offers an opportunity for a sufficiently closed processing in this chamber.

Het verbruik aan vloeibaar medium in dit slot is daarbij zeer beperkt, omdat dit slot uitsluitend dient voor zulk een afsluiting van de processing-10 kamer, terwijl geen vloeibaar madium vanuit de buffer 38' benodigd is voor het reinigen van de wanden 100', doordat daarop geen micro-verontreinigin-gen kunnen zijn neergeslagen.The consumption of liquid medium in this lock is very limited, because this lock only serves for such a closure of the processing chamber, while no liquid madium from the buffer 38 'is required for cleaning the walls 100', because no micro-impurities can be deposited thereon.

Zulks, omdat deze module 120 wordt toegepast in een serie modules, waarbij de wafer tenminste reeds een reinigingsmcdule heeft gepasseerd, 15 In zulk een module 120 kan in aangepaste vorm en constructie ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 1?, tevens processing van da wafer 4Q onder een aanzienlijke onderdruk plaat3 vinden, zoals bijvoorbeeld dehydration bake en het opbrengen van een coating op de wafer in ai dan niet dampvormi-ge toestand.This is because this module 120 is used in a series of modules, in which the wafer has already passed at least one cleaning module. In such a module 120, in its adapted form and construction, as indicated in Figure 1, processing of data is also possible. wafer 4Q under a substantial underpressure plate 3, such as, for example, dehydration bake and applying a coating to the wafer in a non-vaporous or non-vaporous state.

20 Daarbij wordt na het ontvangen van de wafer 40 onder floating conditie in de opvangsactie 130, deze onder al dan niet vocrtgezetts, in geringe mate Floating conditie tezamen met de onderbloksectis 20” over een grotere afstand verder naar beneden verplaatst naar de prpcessingsectis 132,Thereby, after receiving the wafer 40 under floating condition in the receiving action 130, under floating or not, slightly floating condition together with the sub-block section 20 "is moved further downwards over a greater distance to the printing section 132,

Zoale daarbij de kap eveneens naar deze processingsectie 132 is ge-25 bracht of deze verplaatsing over aen aanzienlijke afstand volgt', wordt een ondersplset 30" verkregen, welke zeer lang is in verhouding tot zijn micro-wijdte, Oezs spleet wordt daarbij gevuld vanuit de buffer 83”, -As the cap has also been brought to this processing section 132 or follows this displacement over a considerable distance, a subset 30 "is obtained, which is very long in relation to its microwidth, Oez's gap is thereby filled from the buffer 83 ”, -

Het in de anderspleet 90" uiterst hoog-capillair vergaarde vloeibare medium zorgt daarbij voor een zodanig mediumslot voor de processingkamer 102”, 30 dat tijdans d9Z9 processing een aanzienlijk vacuum in deze kamer 102” in stand kan worden gehouden.The liquid medium gathered in the other side 90 "extremely high-capillary liquid thereby provides such a medium lock for the processing chamber 102", that during d9Z9 processing a considerable vacuum can be maintained in this chamber 102 ".

Ίξ deze processing met hst vervolgens wederom omhoog, verplaatsen van de kap 32” wordt net uit de zich verkleinende onöerspiest 9Q” afkomstige vloeibare medium onder capillaire werking opgezogen door de zich vergroten— 35 de bovenspleet 73”,Ίξ this processing with hst then up again, displacement of the cap 32 "is just sucked up from the shrinking oil spore 9Q" liquid medium under capillary action by the enlarging— 35 the upper slit 73 ",

Door verdamping van hst op da binnenwand 53" achtergebleven vloeibare medium vindt daarbij geen uitdrijving van het medium 98 naar da tunnslpas— sage 1ó” ola3ts.Evaporation of hst on the inner wall 53 "liquid medium remaining therein does not cause the medium 98 to be expelled to the tunnel passage 10" ola3ts.

Ook hier dienen de verdiepte cirkelvormigs tunnelwand-secties 136 3601254 „ % - 12 - en 138 voor het zodanig beperkt houden van het eventueel bevochtigde ingangs-gedeelte van de module, dat dit vloeibare medium niet een daarop volgende lineaire verplaatsing van de wafer onder floating conditie uit deze module kan verstoren door het daarop kleven van de wafer.Here, too, the recessed circular tunnel wall sections 136 3601254% - 12 - and 138 serve to limit the possibly wetted entrance portion of the module so that this liquid medium does not have a subsequent linear displacement of the wafer under floating condition. from this module by sticking the wafer on it.

5 In deze inrichting zijn constructies en werkwijzen toepasbaar, welke zijn omschreven in de bijgaande Nederlandse Gctrooi-aanvrage No. van de aanvragers.Constructions and methods can be used in this device, which are described in the accompanying Dutch Patent Application No. of applicants.

Verder zijn constructies en werkwijzen, welke zijn omschreven in deze Nederlandse ücfcrooi-aanvrage, toepasbaar in deze inrichting.Furthermore, constructions and methods, which are described in this Dutch patent application, are applicable in this device.

10 Verder zijn binnen het kader van de uitvinding constructies en werk wijzen van de inrichtingen, welke zijn omschreven in de Nederlandse Octrooiaanvragen No 's 8600255, 8600408, 8600762, 8600946, 8600947, 3601131 en 8601132 van de aanvragers toepasbaar voor de boven omschreven inrichting.Furthermore, within the scope of the invention, constructions and methods of the devices, which are described in Dutch Patent Applications Nos. 8600255, 8600408, 8600762, 8600946, 8600947, 3601131 and 8601132, are applicable to the device described above.

De boven omschreven constructies en werkwijzen zijn ook toepasbaar in 15 de installaties en modules, welke zijn omschrevan in de boven vermelde Octrooi-aanvragen.The above-described constructions and methods are also applicable in the installations and modules, which are described in the above-mentioned patent applications.

Daarbij is bijvoorbeeld het onder een aanzienlijke hellingshoek inbrengen van de wafer in de module mogelijk. Door het gebruikmaken van de eigen zwaartekracht-werking van de wafer ten behoeve van het lineaire transport 20 ervan onder floating conditie is daarbij het verbruik aan hoog gefilterd gasvormig transportmedium zeer beperkt en behoeft verder voor dit lineaire wafer transport uitsluitend gebruik te hoeven gemaakt van de eigen afvoer van de ontvangstmodule voor zulk een gasvormig medium.It is, for example, possible to insert the wafer into the module at a considerable angle of inclination. By making use of the self-gravity effect of the wafer for its linear transport 20 under floating condition, the consumption of highly filtered gaseous transport medium is very limited and furthermore, for this linear wafer transport only use of the own discharge of the receiver module for such a gaseous medium.

Hierdoor kan geen verontreinigd medium vanuit de tunnelpassage-sectie 25 aan de ingangszijde van deze module doordringen in de tunnelpassage-sectie aan de uitlaatzijde ervan.As a result, no contaminated medium can penetrate from the tunnel passage section 25 on the inlet side of this module to the tunnel passage section on its outlet side.

Binnen het kader van de uitvinding zijn tevens variaties in de constructies en werkwijzen van de inrichting volgens de uitvinding mogelijk, zoals het bijvoorbeeld bewerkstelligen en onderhouden van een onderspleet, welke 30 tijdelijk voor tenminste een gedeelte ervan gevuld is met gasvormig medium.Within the scope of the invention, variations in the constructions and methods of the device according to the invention are also possible, such as, for example, creating and maintaining a sub-gap, which is temporarily filled for at least a part thereof with gaseous medium.

Verder is het mogelijk, dat de toe- en afvoer van de wafer naar en van de module op een andere wijze geschiedt, zoals bijvoorbeeld met behulp van een robot, waarbij deze de wafer in de module brengt ten behoeve van de processing en deze wafer na de processing daaruit verwijdert.Furthermore, it is possible that the supply and discharge of the wafer to and from the module takes place in a different manner, such as, for example, with the aid of a robot, in which the wafer is introduced into the module for processing and this wafer is removes the processing therefrom.

88012548801254

Claims

1. Apparatus for at least wafer processing, consisting essentially of: a) a combination of a bottom block and a top block} b) a chamber contained in this bottom block, comprising a bottom section section for carrying the wafer; c) a feed and discharge system for the wafar to and from this room; d) means for varying this bottom block section at least in an up and down direction; A) a baven cover, received in a recess of the top block, with a circular top plate between them; and f) a liquid medium to dsza top split feed system for maintaining a film of liquid medium in at least the bottom portion of this slit.

2. Device as claimed in claim 1, characterized in that it further comprises means for moving a lower locking section of this shroud from some distance above this chamber to some distance within this chamber and for at least temporarily blocking and retaining of a medium lock in the circular gap between the retaining section of the inner wall of the top section of the chamber in at least the bottom position of this retaining section.

3. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that the lower block and the lower block section contain supply channels for gaseous medium for wafer transport under floating condition,

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the circular slit in the lower part of the recess of the trembly around the trough has such a small width that this film of liquid medium is retained therein at least temporarily under capillary action 3Q. .

5. Marking method of the device according to Figure 4, characterized in that the liquid medium acting in this circular slit under capillaries at least partly gives a straight guide to the top cap. 5, Device according to Claim 4, characterized in that it is furthermore designed in such a way that, with a top cover moved downwards, the minimum width of the gap between the closing section of this top cover and the top action of the processing chamber is such that partly with the help of the 3501254 ψ · 'ϊ - U - straight guide of the top cover, through the film liquid medium, no mechanical contact between this retaining section and the top section is possible.

Method according to Claim 5, characterized in that, in the case of a top cover that is moved downwards, the top cover does not have mechanical contact between this confining section and the top section of the processing, partly with the aid of the straight guide of S, by means of the film liquid medium. -room, Θ. Device according to Claim 6, characterized in that the top cap has the same outer diameter over its straight guide portion and the diameter of the top section of the processing chamber is at least equal to that of the recess in the top block at the location of this straight guide section.

9. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, as in the sub-gap between the retaining section of the top cover and the top section of the processing chamber, at least temporarily a liquid medium lock is included, this lock is obtained at least partly with the aid of liquid medium, which comes from the top slit in the top block to the side of the top cap.

Method according to Claim 7, characterized in that a liquid medium lock is incorporated at least temporarily in the lower gap between the retaining section of the top cover and the top section of the processing chamber, which is effected at least partly with the aid of liquid medium, which comes from the top slit on the side of the top cover.

11. Device according to Claim 9, characterized in that the distance between the bottom block and the top block is so small that, at least partly during the displacement of the top cap, the liquid medium present on the side wall of this cap is moved downwards. fiii ensures transfer of liquid medium from the upper slit to the ondar slit.

A method according to Claim 10, characterized in that a film of liquid medium, which is present on the side wall of the top cap section between the bottom block and the top block, ensures transfer of liquid medium from the top slit to the bottom slit.

13. Device as claimed in claim 11, characterized in that the side wall of the top cover is at least roughened for this purpose.

Device according to Claim 9, characterized in that a number of grooves are arranged for this purpose in the side wall of the top cover, which extend downwards to at least near the bottom end of this top cover, 8601254 - ♦ - 15 -

Device according to Claim 14, characterized in that these grooves have such small dimensions that the liquid medium can be collected therein under capillary action.

16. Device according to Claim 15, characterized in that the capillarity of these grooves is less than that of at least the top slit in the top block around the top cap,

Device according to Claim 16, characterized in that these grooves are also less capillary than the formed gap between the retaining section of this cap and the top section of the processing chamber. Device according to Claim 16, characterized in that the capacity of these grooves as a liquid bufcer is so great that the quantity of liquid medium extracted therefrom is at least partly sufficient to effect the liquid medium lock in the test cushions. the containment section and the upper section of the processing chamber.

A method according to Claim 10, characterized in that the liquid medium lock is fed at least temporarily with liquid medium from tannin-the part of these grooves, which is still present via grooves which are incorporated in the side wall of the top cap. side of the upper spit.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that means are included therein for such regulation of the pressure in the space of the top block above the top cap and the tunnel passage, which is located between the bottom block and the top block, relative to from the crank in the processing chamber and from the supply of the liquid-medium medium to the buffer grooves in the top block, that no expulsion of non-capillary-bound liquid medium takes place to this tunnel passage.

21. Device as claimed in claim 20, characterized in that the space in the top block above the top hood is at least temporarily in open communication with the tunnel passage at least at the outlet side of the processing chamber via at least one communication channel.

22. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during at least the up and down movements of the top cover, equalization of pressure differences between the space in the top block above the top cover and the tunnel passage is effected via at least one communication channel, which is included between this space and the tunnel passage.

23. Device according to Claim 21, characterized in that, for this purpose, the top cap with a flexible sleeve is secured in the top block, thereby creating a space in this block above the top cap, which is closed off from the outside air. 8801254 - 16 -

24. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that an annular recess is formed in the lower part of the side wall of the top cover for the formation of a temporary gas lock therein. 25. Method of the device according to Claim 24, characterized in that during wet processing there is at least temporarily a gas slat between the processing chamber and the bottom gap.

26. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that the combination of a great length of the sub-gap, a minimum width thereof and a liquid medium collected in this sub-gap is high-capillary. provides such a high flow resistance for gaseous medium that processing can take place in the processing chamber under a considerable vacuum.

27. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as with dehydration bake and applying coating to the wafer under a vaporous or non-vapor state, a considerable vacuum is required, which is obtained by closing the processing chamber. using an ultra-hocg capillary clouble medium slot, which is fed exclusively with liquid medium from the upper buffer.

28. Device according to Claim 26, characterized in that it is further designed such that after receiving the wafer in the processing chamber as a module, this wafer is spread over a greater distance under a floating condition, which may or may not be slight. is moved downward, the top cap follows this displacement for at least a greater distance, thereby achieving a very substantial length of the micro-gap. 29. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is designed in such a way that after the processing has taken place in the processing chamber no cleaning of the sub-gap takes place and when the top cover moves upwards, it remains behind. liquid medium is evaporated.

30. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that, with the aid of a stream of high-filtered medium, which comes from the liquid buffer in the top block, a cleaning of at least the inner wall section of the upper section of the processing chamber, which is located above the medium supply channels opening into this upper section.

Device according to Claim 30, characterized in that it is further designed in such a way that a stream of highly filtered medium in liquid form is temporarily guided from the liquid buffer through the sub-gap to the bottom processing section, in which processing of the wafer 8801254 - 17 - also takes place with the aid of liquid processing medium. Marking method according to Claim 13, characterized in that the liquid medium, which at least partly originates from the liquid buffer in the top block on the side of the top cap, also serves for cleaning at least the top part of the inner wall of the the top section of the storage chamber and the outer wall of the containment section of this hood. 33. A method according to Claim 32, characterized in that, as in the lower processing section of the processing chamber, processing of the wafer takes place with the aid of liquid medium, the locking section of the top cap is immediately above this section and temporarily flow of liquid medium, which at least partly comes from the liquid buffer in the top block to the side of the hood, ensures cleaning of at least the inner wall section of the upper section, which is located above this processing section, and the outer wall of the closing sections of this section. top cover.

34. Device according to claim 31, characterized in that it is furthermore designed in such a way that, like the liquid buffer in the top block, to the side of the top cover, is fed from a supply system with highly filtered liquid medium, this supply medium is at least slightly capillary. is bound.

Device according to Claim 34, characterized in that it is further designed in such a way that non-capillary-bound liquid medium is sucked back via the supply system.

36. An apparatus according to claim 31, characterized in that it is further designed such that the liquid buffer in the top block to the side of the top cap tanminsta is co-fed with periodic injections of liquid medium. 37. Method according to Claim 33, characterized in that the liquid buffer is supplemented with liquid medium, periodically or otherwise, such that in the top cap there is no such liquid medium not sufficiently bound in its liquid buffer, that it may leak to the tunneipassage.

33. Device according to one of the preceding Claims, characterized in that it is designed in such a way that after processing in the processing chamber that takes place with the aid of liquid medium, a flow of liquid medium is pushed through the undraw gap to the processing action. in order to also remove any liquid processing medium that has ended up in this subset and the pressure in the processing chamber has been temporarily lowered for this purpose. 3601254 - 18 -

39. Method according to Claim 37, characterized in that, as after the processing using the liquid medium in the processing chamber, it is followed by a processing using the gaseous medium, at least an increased flow of liquid cleaning medium through the propelled to the processing section uninterruptedly in order to also remove any liquid processing medium that has ended up in this underspace and for this purpose the pressure in the processing chamber has been temporarily reduced,

40. An apparatus according to claim 33, characterized in that it is further designed in such a way that an injection of a relatively substantial amount of liquid medium into this liquid buffer is simultaneously carried out to replace the liquid medium withdrawn from this buffer,

41. A method according to claim 39, characterized in that an injection of a relatively considerable quantity of liquid medium takes place substantially simultaneously via the supply system in this liquid buffer to replace the liquid medium extracted therefrom,

42. Device according to Claim 40, characterized in that the height of the buffer, the number of supply channels of the liquid medium to this buffer and the distribution of the supplied liquid medium via the circular buffer gap are furthermore such that no temporary local leakage of liquid medium to the tunnel passage takes place.

43. An apparatus according to Claim 33, characterized in that the capacity of the buffer grooves is so great that at least substantially the required amount of liquid medium for this reinforced discharge thereof comes from the bottom gap,

44. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that when the top cap moves upwards from its lower position, the liquid medium originating from the reducing underslide is at least largely sucked up. due to the incompletely filled, then enlarging upper buffer.

45. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that when the top cap moves upwards from its lower position, the liquid medium from the reducing sub-splitting is at least for the most part sucked up by the staple fully filled and then enlarging top splint, including the buffer grooves.

45. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that supply channels open into the inner wall of the upper section of the processing chamber for the purpose of collecting a buffer with the aid of a medium. wafer in its final phase of linear displacement, which for this purpose is under a floating condition od the inclined block action brought under a slope.

47. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that an annular feed block for medium is included in the recess of the lower block as an upper section of the processing chamber.

43, Device according to Claim 47, characterized in that this feed block is enclosed in this lower block with a debris shroud, which is fastened to the underside of this lower block and wherein sealing rings ensure a closure of the side gap between this feed block and the bottom block,

49. Apparatus according to Claim 47, characterized in that a series of medium feed grooves are incorporated in the top wall of this block, which gas extends in radial direction and on the one hand opens into the inner wall of this feed block and on the other hand. open into an annular communication channel located between this feed bock and the bottom block.

50. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises means such that propulsion of medium in at least upward direction from this series of feed grooves via the top action of the bottom sole to the tunnel passage is practically nil. ,

51. Device according to Claim 50, characterized in that these grooves are capillary,

An apparatus according to Claim 51, characterized in that these grooves have a higher capillarity than that of the buffer grooves, which are incorporated in the side wall of the top cap,

53. Device according to claim 52, characterized in that these grooves are etched in this top wall.

54. The method of the device as claimed in Claim 52, characterized in that during the creation of the sub-cap by means of the locking cap of the top cap, these medium feed grooves are filled under capillary action with liquid medium, which comes from these buffer grooves. ,

55. An apparatus according to claim 52, characterized in that it is further designed in such a manner that the overpressure of the medium at the inlet of these grooves relative to the pressure in the grooves is at least during the substantially closing of these medium feed grooves through the top cap. 8301254 - 20 - tunnel passage is so small that after the closing of these grooves with the aid of the retaining section of the top cap, such a high flow resistance for this medium is achieved that a discharge thereof to the tunnel passage is practically nil.

A method according to Claim 54, characterized in that, during the substantially closed-off of these medium feed grooves by means of the top cap, substantially no discharge of medium from these grooves to the tunnel passage takes place.

57. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that this wafer collecting medium is a gaseous medium.

58. Device according to Claim 55, characterized in that the distance between these medium supply grooves and the bottom wall of the tunnel passage is so great that the sub-gap section above these grooves, containing liquid medium, has such a high flow resistance that no gaseous medium is pushed out from these grooves via this medium-lock part.

59. Device according to Claim 50, characterized in that the communication channel to which this series of feed grooves are connected is such that it has a low capillary such that no collection of liquid medium under capillary action takes place therein.

50, Device according to Claim 49, characterized in that a series of channels are also connected to the communication channel for the purpose of propelling flows of medium during processing to the upright side wall of the wafer, which are spaced downwards in some direction. 25 are removed from the series of medium feed grooves.

61. Device according to Claim 60, characterized in that these channels are at least lower-capillary than these medium feed grooves,

62. Method of the device according to Claim 61, characterized in that during a processing in a processing section aside of these supply channels, substantially no medium is pushed from the sub-gap to this processing section.

63. Device according to Claim 61, characterized in that it is further designed in such a way that at least during the processing of the wafer, high-filtered gaseous medium is pushed by means of liquid medium to the common communication channel for both series of supplying medium.

A method of the device according to Claim 63, characterized in that highly filtered gaseous medium is almost exclusively propelled through this lower series of channels to the wafer for the purpose of keeping it centrically 860 1 2 5 4 - 21 - hst relative to of the inner wall of the supply ** block without mechanical contact and maintenance of the gas lock. 55. A method according to claim 54, characterized in that as in this processing section at least pre-drying of the wafer takes place, at least almost exclusively via this lower series of channels gaseous medium is pushed to the wafer,

A method according to Claim 55, characterized in that, as after the wet-wetting of the wafer, it is raised to a higher position next to the medium feed grooves for further drying thereof, the top top is also moved in an upward direction the medium slop is substantially absorbed in the sub-gap and gaseous medium is propelled from these grooves to the wafer tan for at least keeping the floating wafer of the inner wall of the medium supply block at least mechanically contact-free.

57. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that the receiving section for the wafer is also the processing section for this wafer, with a sufficient degree of isolation from the processing comb during processing. of a liquid madlock, which extends in the sub-gap from this processing section in an upward direction to the tunnel passage. 5B. Method according to any one of the preceding Claims, with the knowledge that a wafer is captured in a receiving section of a module, after having reached its horizontal position and then moving the top cap processing of this wafer downwards takes place in these sieves section as a processing section and thereby an adequate closure of the orocessing chamber with the aid of the msdiumsiot in the sub-gaps what is effected.

53. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least the tunnel passage bottom wall around the orocessing chamber has been lowered by soigg distance in order to prevent contact with the tunnel wall along which the wafer moves under floating condition, measured the film as liquid medium, which is also located on the side wall of the top cover. 70. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the methods and embodiments which can be described therein are described in the appended Dutch Patent Application Mo of the applicants.

71. Device according to Claim 70, characterized in that constructions and methods thereof are applicable in the device, which is described in this patent application 8601254-22.

72, Device according to any one of the preceding Claims, not characterized in that constructions and methods, such as are described in the Dutch patent applications Nos. 8600255, 8600408, 8600762, 8600946, 8600947, 5 8601131 and 8601132 of the applicants, can be used,

73. Device according to Claim 72, characterized in that its constructions and methods of use are applicable in the installations and modules described in the above-mentioned patent applications. 8501254